JPS5871634A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5871634A JPS5871634A JP56169911A JP16991181A JPS5871634A JP S5871634 A JPS5871634 A JP S5871634A JP 56169911 A JP56169911 A JP 56169911A JP 16991181 A JP16991181 A JP 16991181A JP S5871634 A JPS5871634 A JP S5871634A
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- JP
- Japan
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- conductors
- semiconductor device
- distance
- high frequency
- dielectric breakdown
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- Pending
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
- H01L2224/02165—Reinforcing structures
- H01L2224/02166—Collar structures
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Landscapes
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
より高１ｋＪ波サージｆＪる絶縁破壊の恐れをなくした
半導体装置ｆ関する。
半導体装置ｆ関する。
従来の半導体装置として、例えば、第１図（イ）。
（ロ）Ｋ示すものがあり、シリコン酸化物層４が形成さ
れているシリコン基板５上Ｋ、入力バット用金属配ＩＩ
（例えば、アルミニウムの蒸着Ｅ１つて形成される）１
と、該金属配ｍｌと接続される入力保護用抵抗２（例え
ば、多結晶シリコンより構成され％ＦＢＴのゲート電極
に接続される）と、入力バッド用金属配置１１ｆｆｌｌ
ｉｌ接し、他の電気回路を構成する金属配ｌＩＩ３（例
えば、アルミニウムの蒸着にＬつ【形成される）と、金
属配線１．３を被伽絶縁するＰ２Ｏ３ （パッシベーシ
ョン膜＞ ヲ備えている。
れているシリコン基板５上Ｋ、入力バット用金属配ＩＩ
（例えば、アルミニウムの蒸着Ｅ１つて形成される）１
と、該金属配ｍｌと接続される入力保護用抵抗２（例え
ば、多結晶シリコンより構成され％ＦＢＴのゲート電極
に接続される）と、入力バッド用金属配置１１ｆｆｌｌ
ｉｌ接し、他の電気回路を構成する金属配ｌＩＩ３（例
えば、アルミニウムの蒸着にＬつ【形成される）と、金
属配線１．３を被伽絶縁するＰ２Ｏ３ （パッシベーシ
ョン膜＞ ヲ備えている。
以上の構成において、入力ゲート用金属配線ｌから入力
保護用抵抗２を介してＦＥＴのゲート電極ｒゲート電圧
を加えると、ゲート電圧に応じてドレイン電流を制御す
ることができる。
保護用抵抗２を介してＦＥＴのゲート電極ｒゲート電圧
を加えると、ゲート電圧に応じてドレイン電流を制御す
ることができる。
しかし、従来の半導体装置によれば、金属配置１、３間
の距離ｄｉおよび金属配縁１とチップエッヂ（シリコン
基板５のエッヂ）Ｓｓ＋ｌＳｆｌの距離ｄ２が、例えば
、車両エンジンルー五等において発生する４００〜５０
０ ボルトの高周波サージを入力した場合の耐圧を考慮
しないで設定されているため該半導体装置を車両用とし
て車両ｒ塔載すると前述の距離ｄｔ． ｄｚの間で放電
が生じて絶縁破壊を生じる恐れがある。
の距離ｄｉおよび金属配縁１とチップエッヂ（シリコン
基板５のエッヂ）Ｓｓ＋ｌＳｆｌの距離ｄ２が、例えば
、車両エンジンルー五等において発生する４００〜５０
０ ボルトの高周波サージを入力した場合の耐圧を考慮
しないで設定されているため該半導体装置を車両用とし
て車両ｒ塔載すると前述の距離ｄｔ． ｄｚの間で放電
が生じて絶縁破壊を生じる恐れがある。
本発明は、上記に艦みてなされたものであり。
高周波゛サージ＃ｒよって絶縁破壊しないようにするた
め、導体間の距離を一１’Ｔｈ Ｘ １０ （−以上
ｒした半導体装置を提供するものである（ここで、■へ
は高周波サージ電圧のピーク値の絶対値である）６ 以下、本発明による半導体装置を詳細ｒ説明する。
め、導体間の距離を一１’Ｔｈ Ｘ １０ （−以上
ｒした半導体装置を提供するものである（ここで、■へ
は高周波サージ電圧のピーク値の絶対値である）６ 以下、本発明による半導体装置を詳細ｒ説明する。
第２図は、本発明の半導体装置を得るためｆ行った試験
結果を示し、導体間距離Ｄ、すなわち、第１図イ）、（
ロ）ドおける金属配＊１．２間の距離ｄｌ’あるいは金
属配線１とチップエッヂ５ａの間の距離ｄ！と、該距離
Ｄｒおいて放電が生じる虻小の高周波電圧Ｖ （ＩＪ
ＩＪ係を示すもので、直＠Ｋｎ、Ｋｚ・Ｋｓはそれぞれ
採取した５０データの分布範囲を示し、 ・
−１毫赤七、点Ｐ １− ｐｍ −Ｐ
ｇ ｋｔ コＱ） ５０データの平均値を示している。
結果を示し、導体間距離Ｄ、すなわち、第１図イ）、（
ロ）ドおける金属配＊１．２間の距離ｄｌ’あるいは金
属配線１とチップエッヂ５ａの間の距離ｄ！と、該距離
Ｄｒおいて放電が生じる虻小の高周波電圧Ｖ （ＩＪ
ＩＪ係を示すもので、直＠Ｋｎ、Ｋｚ・Ｋｓはそれぞれ
採取した５０データの分布範囲を示し、 ・
−１毫赤七、点Ｐ １− ｐｍ −Ｐ
ｇ ｋｔ コＱ） ５０データの平均値を示している。
この試験ｆおいて、第１Ｆｊ４イ）（０）１示した構成
の半導体装置を１気圧ｖＮｚ雰囲気中ｒ配置し、ｌ ｂ
ｌｌＨの高圧波電圧を印加した。
の半導体装置を１気圧ｖＮｚ雰囲気中ｒ配置し、ｌ ｂ
ｌｌＨの高圧波電圧を印加した。
その際、ＰＳＧ６の厚さを１ミクロンにしたものと、Ｐ
２Ｏ３を有しないものとを比較したが、試験結果ｒおい
て差を認め難く、高周波電圧Ｖの耐圧特性は導体間の距
離りだけｒ応じて定まることを確認した。
２Ｏ３を有しないものとを比較したが、試験結果ｒおい
て差を認め難く、高周波電圧Ｖの耐圧特性は導体間の距
離りだけｒ応じて定まることを確認した。
以上の試験結果から、導体間に放電が生じない最小導体
間距離りを求めるため、直線Ｋｘ、に２゜Ｋｓの最小値
から点線で示す直線Ｄ（＝７ＶｈＸ６ １０）を得た。従って、該半導体装置を車両用として使
用した場合、車両ｒおける高周波サージの最大値を４０
０ボルトとすると、導体距離Ｄ（ｄｌあルイハｄ２）を
−Ｘ４００ ＃ １０ （ｍ ＝１００− ミクロン以上にすれば、高周波サージ＃ｒよる絶縁破壊
を防ぐことができる。
間距離りを求めるため、直線Ｋｘ、に２゜Ｋｓの最小値
から点線で示す直線Ｄ（＝７ＶｈＸ６ １０）を得た。従って、該半導体装置を車両用として使
用した場合、車両ｒおける高周波サージの最大値を４０
０ボルトとすると、導体距離Ｄ（ｄｌあルイハｄ２）を
−Ｘ４００ ＃ １０ （ｍ ＝１００− ミクロン以上にすれば、高周波サージ＃ｒよる絶縁破壊
を防ぐことができる。
以上説明した通り、本発明による半導体装置によれば、
導体間の距離りをＤ＝７Ｖｈ Ｘ １０ ｂｒｊ以上
ｆしたため、高周波サージｆよって絶縁破壊しないｚ５
ｒすることができる。
導体間の距離りをＤ＝７Ｖｈ Ｘ １０ ｂｒｊ以上
ｆしたため、高周波サージｆよって絶縁破壊しないｚ５
ｒすることができる。
第１図（イ）、（口（は従来の半導体装置を示し、（イ
］は平面図、（ロ）は（イ）ＫおけるＡ −ＡＩ 断
面図。第２図は本発明の半導体装置を得るための試験結
果を示す説明図。 符号の説明 １・・・入力バッド用金属配線 ２・・・入力保護抵抗 ３・・・他の電気回路の金属配線 ４・・・シリコン酸化物層 ５・・・シリコン１１ ６・・・ＰＥＧ特許出願人
日産自動車株式会社 第１図 （イ） （０）
］は平面図、（ロ）は（イ）ＫおけるＡ −ＡＩ 断
面図。第２図は本発明の半導体装置を得るための試験結
果を示す説明図。 符号の説明 １・・・入力バッド用金属配線 ２・・・入力保護抵抗 ３・・・他の電気回路の金属配線 ４・・・シリコン酸化物層 ５・・・シリコン１１ ６・・・ＰＥＧ特許出願人
日産自動車株式会社 第１図 （イ） （０）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 入力パッドおよび該入力パッドに隣接する回路導体を半
導体基板チップ上にパターン形成した半導体装置ｒおい
て、 ６ 前記入力パッドと隣接導体か、７Ｖｈ Ｘ １０メート
ル（ここで、ｖｂは入力高周波サージ１圧の最大値）以
上離して形成されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56169911A JPS5871634A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56169911A JPS5871634A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5871634A true JPS5871634A (ja) | 1983-04-28 |
Family
ID=15895245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56169911A Pending JPS5871634A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5871634A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008531220A (ja) * | 2005-03-04 | 2008-08-14 | デンツプライ インターナショナル インコーポレーテッド | ヒートパックによる歯科材料の加熱 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS513182A (ja) * | 1974-06-25 | 1976-01-12 | Nippon Electric Co | Handotaishusekikairosochi |
| JPS56120165A (en) * | 1980-02-28 | 1981-09-21 | Nec Corp | Protecting device for input of semiconductor device |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP56169911A patent/JPS5871634A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS513182A (ja) * | 1974-06-25 | 1976-01-12 | Nippon Electric Co | Handotaishusekikairosochi |
| JPS56120165A (en) * | 1980-02-28 | 1981-09-21 | Nec Corp | Protecting device for input of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008531220A (ja) * | 2005-03-04 | 2008-08-14 | デンツプライ インターナショナル インコーポレーテッド | ヒートパックによる歯科材料の加熱 |
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