JPS5865415A - 磁気光学素子 - Google Patents
磁気光学素子Info
- Publication number
- JPS5865415A JPS5865415A JP15325481A JP15325481A JPS5865415A JP S5865415 A JPS5865415 A JP S5865415A JP 15325481 A JP15325481 A JP 15325481A JP 15325481 A JP15325481 A JP 15325481A JP S5865415 A JPS5865415 A JP S5865415A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- garnet
- cut out
- isolation
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/0009—Materials therefor
- G02F1/0036—Magneto-optical materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ファラデー回転効果を利用した光フィンレー
タ又はザーキ、レータなどの磁気光学識子に関する。
タ又はザーキ、レータなどの磁気光学識子に関する。
近時、光７アイパ４信技補の進歩は目ざましい。
低損失７アイバと長時間連硫発儀可Ｉｌな半導体レーザ
Ｅ）６１１１発により、光フアイバ通信技術は通信量の
増加に対応し安イ―でしかも一品質の通信手ｌＲｔ提供
する手段として期待されている。しかしながら、光伝送
路の途中に設けられるスイッチ尋ＯＳ品から反射される
戻り光が光源である半導体レーずに入ゐとレーザ発懺Ｏ
安定性を損うとい５大きな一層がある。
Ｅ）６１１１発により、光フアイバ通信技術は通信量の
増加に対応し安イ―でしかも一品質の通信手ｌＲｔ提供
する手段として期待されている。しかしながら、光伝送
路の途中に設けられるスイッチ尋ＯＳ品から反射される
戻り光が光源である半導体レーずに入ゐとレーザ発懺Ｏ
安定性を損うとい５大きな一層がある。
／ｃＯｇＪ！ｉｏ解決のために、光フィンレータをレー
ず光源の後段にｄげることが提案されている。
ず光源の後段にｄげることが提案されている。
１．３〜１．８声鵬の義＊長蕾用光フィンレータとして
は電子過信宇金＃ＩＬＪＩ研究櫂告０ＱＪＩ７８−１３
８に報告されているように、強磁性体であるイ、トリウ
＾・鉄・ガーネｙ ） （ＹＩ”ｌ０１ｍ 、 ＹｉＧ
）の７７５．ツブ−効果を用い丸ものが提案されている
。この報告で用いられているＦＩＧは７う、クス法で育
成され九バルタ単−晶である。
は電子過信宇金＃ＩＬＪＩ研究櫂告０ＱＪＩ７８−１３
８に報告されているように、強磁性体であるイ、トリウ
＾・鉄・ガーネｙ ） （ＹＩ”ｌ０１ｍ 、 ＹｉＧ
）の７７５．ツブ−効果を用い丸ものが提案されている
。この報告で用いられているＦＩＧは７う、クス法で育
成され九バルタ単−晶である。
一方、ＹＩＧを光が道通するＩＩに人耐−光面の一転が
生ずるためには、ＹＸＱｌｉ光の入射方向と平行に一気
的に飽和していなければならないゆ円関彫に加工したＭ
ＩＧＡルタ単結晶を用いる鳩舎には。
生ずるためには、ＹＸＱｌｉ光の入射方向と平行に一気
的に飽和していなければならないゆ円関彫に加工したＭ
ＩＧＡルタ単結晶を用いる鳩舎には。
飽和の丸めの外部磁場嬬楯めて大赤くなりｇｏｏ。
Ｏ・・にも達する。ζＯ関履点を解決するために。
電子過信学金液嶺研究櫂告ＯＱ１ｇＧ−１＄８ Ｋ、示
されるごと（、ＹＩＧパルタ単結墨を薄板状に研磨し丸
ものを用いることが提案されている。
されるごと（、ＹＩＧパルタ単結墨を薄板状に研磨し丸
ものを用いることが提案されている。
しかしながら、バルタ単結晶を用いるかぎり曽願＠５５
−９３４４９に示されるごとく高品質なＹＩＧバルク単
結晶を入手することは極めて１しく、との九−め光アイ
ソレージの原材料コストは高くなり、光アイソレータの
普及を凪げている。この解決の九めに上記特許願に開示
されるごとく、非磁性ガーネット基板上にエピタキシャ
ル成長させたガーネット厚膜の採用が提案されている。
−９３４４９に示されるごとく高品質なＹＩＧバルク単
結晶を入手することは極めて１しく、との九−め光アイ
ソレージの原材料コストは高くなり、光アイソレータの
普及を凪げている。この解決の九めに上記特許願に開示
されるごとく、非磁性ガーネット基板上にエピタキシャ
ル成長させたガーネット厚膜の採用が提案されている。
Ｃ１ＬＫより。
本材料コストを安価にすることが胃能である。
ガーネッシ厚ａｔ光アイソレータ用０７．ラデーー転子
として用いる鳩舎Ｏ関履点〇一つは、基板とガーネット
康との格子１Ｌ款差にようで生ずる複鳳折であり丸。複
膳折にようてアイソレージ。
として用いる鳩舎Ｏ関履点〇一つは、基板とガーネット
康との格子１Ｌ款差にようで生ずる複鳳折であり丸。複
膳折にようてアイソレージ。
ンが劣化する現象は、特願咽Ｓ・−０４５１９ｓＫｌｌ
示される如く基板と腋とｏｓ子定数０１１１０．００１
ｉ以下とすることによりて解決で會九、しかしながら、
（１１１）成長させ九ガーネツシ厚膜の場合には、基板
と膜との格子電歇の差を０．００１λ以下としてもアイ
ソレージ、／は最大３０ｄＢ Ｌか確保できなかった。
示される如く基板と腋とｏｓ子定数０１１１０．００１
ｉ以下とすることによりて解決で會九、しかしながら、
（１１１）成長させ九ガーネツシ厚膜の場合には、基板
と膜との格子電歇の差を０．００１λ以下としてもアイ
ソレージ、／は最大３０ｄＢ Ｌか確保できなかった。
ガーネット液相液相エピタキシャル朧成長の方位として
は、従来は（１１１） が用いられてい友。
は、従来は（１１１） が用いられてい友。
（１１１） −ｂ用いられ九のはバブル磁区素子用のガ
ーネット躾の成長方位として専ら（１１１） が用０ら
れているためＫ （１１１ｇ ＧｄａＧａｍＯ＊＊基板
の入手が極めて容１だからである。し示しながら、本発
明らの実験によれば光アイソレータの７アラデ一回転子
用に用いるガーネット液相エビタ午シャル＠ｆ （１１
１） Ｇｄ１Ｇ幻０＊ｇ基板上に育成すると。
ーネット躾の成長方位として専ら（１１１） が用０ら
れているためＫ （１１１ｇ ＧｄａＧａｍＯ＊＊基板
の入手が極めて容１だからである。し示しながら、本発
明らの実験によれば光アイソレータの７アラデ一回転子
用に用いるガーネット液相エビタ午シャル＠ｆ （１１
１） Ｇｄ１Ｇ幻０＊ｇ基板上に育成すると。
（ｉｌｌ） がガーネットにどける所ｓ”キ／り画”
であるために結晶性が悪く、前述の如く基板と鵬との格
子を数差による複屈折１ｍ力小さくしたとしてもアイソ
レージ ｙはたかだか３０ｄＢであり九。
であるために結晶性が悪く、前述の如く基板と鵬との格
子を数差による複屈折１ｍ力小さくしたとしてもアイソ
レージ ｙはたかだか３０ｄＢであり九。
本薙＠Ｏ目的はアイソレージとして用いる場合にはアイ
ソレーションが少くとも３５ｄＢ以上でとなる磁気光学
素子を提供することである。
ソレーションが少くとも３５ｄＢ以上でとなる磁気光学
素子を提供することである。
本発明ら紘、ガーネットのファセット酉である（１１０
）あるいは（意１１）Ｋ極めて近い面、ナなわら（１１
０）あるいは（２Ｌ１から数置傾い九Ｈを基［１１とし
て用い九ガーネ、ト厚麟を光アイソレータとして用いる
と、（１１１） 膜を用いた場合と比べ結晶性が良好な
ことからアイソレージ、ンは改善され、しかも（１１Ｇ
）あるいは（２１１）の７アセツト函そＯものを用いた
成長よりも成長連直が支分犬舎（軍れ、厚膜育成に要す
る時間が（１１０）あるいは（３０身 よりも格段に少
なくて済むことを実験的ＫＪＬ出し友。
）あるいは（意１１）Ｋ極めて近い面、ナなわら（１１
０）あるいは（２Ｌ１から数置傾い九Ｈを基［１１とし
て用い九ガーネ、ト厚麟を光アイソレータとして用いる
と、（１１１） 膜を用いた場合と比べ結晶性が良好な
ことからアイソレージ、ンは改善され、しかも（１１Ｇ
）あるいは（２１１）の７アセツト函そＯものを用いた
成長よりも成長連直が支分犬舎（軍れ、厚膜育成に要す
る時間が（１１０）あるいは（３０身 よりも格段に少
なくて済むことを実験的ＫＪＬ出し友。
しかしながら、本尭明看らＯ員に―顔な実験によれば口
１０）あるいは（鵞１１）から傾いえ両管表面とする基
板上に育成され丸ガーネ、ト一をアイソレージのファラ
デー−転子として用いる場合。
１０）あるいは（鵞１１）から傾いえ両管表面とする基
板上に育成され丸ガーネ、ト一をアイソレージのファラ
デー−転子として用いる場合。
膜曹内の特定Ｏ方位から光を入射８４に先場合のみ優れ
丸アイソレージ、ンＯ値を有することが明らかになり九
。
丸アイソレージ、ンＯ値を有することが明らかになり九
。
以下に本嬌−Ｏ厚堰を違べる。Ｊｌｌｌｌに示すように
、〔・ｅりを成長方向として（Ｍｌ（１ａｓＯｓ＊単曽
晶棒ｌをチ、クラルス午−法にて引き上げた。この単結
晶棒ｌより、［００１）と垂直な［１１０３を軸とする
欅２ｔ−切り出し、さらに第２図に示すように、基板面
法線方向が〔１１０）から（１１Ｇ）ＩＩ内の［１１０
］方向に＃の角度だけ僅かに傾いた基板を切り出し友。
、〔・ｅりを成長方向として（Ｍｌ（１ａｓＯｓ＊単曽
晶棒ｌをチ、クラルス午−法にて引き上げた。この単結
晶棒ｌより、［００１）と垂直な［１１０３を軸とする
欅２ｔ−切り出し、さらに第２図に示すように、基板面
法線方向が〔１１０）から（１１Ｇ）ＩＩ内の［１１０
］方向に＃の角度だけ僅かに傾いた基板を切り出し友。
この基板上に、基板との格子定数の差が９．０００５人
の磁気光学用材料であるＧｄ、、、Ｙシ・’６Ｍ０１２
ガーネ、トを液相エピタキシャル法により１４０μｍの
厚さに成長させた。このクエハより２−４１１１１角の
チップを切り出したのち端面を光学研磨し、端面より１
．３μｍのレーザー光を第３図に示すように（１００ン
、＜１１０＞、＜２１１＞、＜１１１＞の各方向より入
射させてアイソレージ、ンを評価した。
の磁気光学用材料であるＧｄ、、、Ｙシ・’６Ｍ０１２
ガーネ、トを液相エピタキシャル法により１４０μｍの
厚さに成長させた。このクエハより２−４１１１１角の
チップを切り出したのち端面を光学研磨し、端面より１
．３μｍのレーザー光を第３図に示すように（１００ン
、＜１１０＞、＜２１１＞、＜１１１＞の各方向より入
射させてアイソレージ、ンを評価した。
その結果、（００１）もしくは（００１１より入射させ
る（Ｚｏｏ＞入射の場合にもっともアイソレージ。
る（Ｚｏｏ＞入射の場合にもっともアイソレージ。
ンが良好であり、（１１Ｇ）入射はもっともよくなかり
た。＜２１１＞参よび（１１１＞入射におけるアイソレ
ージ、ンは、（１０Ｇ）入射と（１１０）入射との中間
の値を示し丸、すなわち、 （１０Ｇ）入射では３９４
Ｂ、＜２１１＞および（１１１）入射では２５ａＢ。
た。＜２１１＞参よび（１１１＞入射におけるアイソレ
ージ、ンは、（１０Ｇ）入射と（１１０）入射との中間
の値を示し丸、すなわち、 （１０Ｇ）入射では３９４
Ｂ、＜２１１＞および（１１１）入射では２５ａＢ。
（１１０２入射では１１ｄＢであり丸。
光の入射方向によるアイソレージ、ンの−いの原因を詳
細に調べたところ、以下のようなことが解り九、 （０
０１）方向に引き上げられた単結晶棒を、ＪＩＪＩＩに
して成長の際に導入される成長縞を観察し九ところ第４
図の３０様であうた。一方、＋（００１）ＴＩＫｍｍ−
ＸｔＬＬａ長１１１４Ｆ１１に４ｍ（０４（Ｄ様であ２
丸ｅＪＩ”図に示すよ５に（００１）と垂直な（ＩＩＯ
Ｊ を軸とする結晶棒！を結晶棒１から切り出し、第
２−に示すような一≧Ｏ＠Ｏ角度で基坂倉結晶棒２より
切り出すと、この基１［ＫＦｉ４５図に示すような成長
縞が見出され丸、成長縞は成長方向と捻ば垂直である。
細に調べたところ、以下のようなことが解り九、 （０
０１）方向に引き上げられた単結晶棒を、ＪＩＪＩＩに
して成長の際に導入される成長縞を観察し九ところ第４
図の３０様であうた。一方、＋（００１）ＴＩＫｍｍ−
ＸｔＬＬａ長１１１４Ｆ１１に４ｍ（０４（Ｄ様であ２
丸ｅＪＩ”図に示すよ５に（００１）と垂直な（ＩＩＯ
Ｊ を軸とする結晶棒！を結晶棒１から切り出し、第
２−に示すような一≧Ｏ＠Ｏ角度で基坂倉結晶棒２より
切り出すと、この基１［ＫＦｉ４５図に示すような成長
縞が見出され丸、成長縞は成長方向と捻ば垂直である。
成長縞は、−の大きさに如何に拘らず、（１１Ｇ）面内
に投影されたＬＩＩＧ）とはは平行方向に走りているの
が観關され丸、この成員縞唸Ｇｄ、Ｇ匂０１意 単膣墨
棒引き上げ時の１転、対流、加電入力の変ｍによる′−
〇？あり、成長縞の所で格子＊数が周眉的に微妙に変−
していた、第＠ＩＩＩＫ示すように基板上に成長させ丸
ガーネ、ト厚１１ｉＷＣＣＯ成長縞は伝畿しいることが
、クエハより切り出したチップのＸ線トポグラフによる
観察から明らかＫなりた。
に投影されたＬＩＩＧ）とはは平行方向に走りているの
が観關され丸、この成員縞唸Ｇｄ、Ｇ匂０１意 単膣墨
棒引き上げ時の１転、対流、加電入力の変ｍによる′−
〇？あり、成長縞の所で格子＊数が周眉的に微妙に変−
していた、第＠ＩＩＩＫ示すように基板上に成長させ丸
ガーネ、ト厚１１ｉＷＣＣＯ成長縞は伝畿しいることが
、クエハより切り出したチップのＸ線トポグラフによる
観察から明らかＫなりた。
成長縞があると成長縞の部分では他の部分と格子定数が
微妙に変化している。格子定数の変動による複屈折の効
果は、成長縞に垂直に′″ｌｔｆ：ｌｔｆ：入射（第５
図ではＬ：００１ ）もしく、ま（００１））には現わ
れない。しかしながら成長縞と平行に光を入射させる場
合（第５図では（ＩＩＯＪもしくは（１１０３）には、
光の進行方向を２とするとＸと１とには格子定款の差に
よって生ずる歪みを介して屈折率の差、すなわち複屈折
が生ずることになる。
微妙に変化している。格子定数の変動による複屈折の効
果は、成長縞に垂直に′″ｌｔｆ：ｌｔｆ：入射（第５
図ではＬ：００１ ）もしく、ま（００１））には現わ
れない。しかしながら成長縞と平行に光を入射させる場
合（第５図では（ＩＩＯＪもしくは（１１０３）には、
光の進行方向を２とするとＸと１とには格子定款の差に
よって生ずる歪みを介して屈折率の差、すなわち複屈折
が生ずることになる。
この効果はガーネット一の厚さには上記の実験結果およ
び詳細な考案から、本姑１Ｊ１１をなすに至りた。
び詳細な考案から、本姑１Ｊ１１をなすに至りた。
すなわち、非砿性ガーネ、ト基板上にエビタ中シャル成
長させた磁性ガーネット屓の一面内に光を入射させて皺
ガーネット−をファラデー回転子として用いる磁気光学
素子において、ガーネット基板の成長方向と平行に光を
該ガーネット躾に入射させることを特徴とする磁気光学
素子である。
長させた磁性ガーネット屓の一面内に光を入射させて皺
ガーネット−をファラデー回転子として用いる磁気光学
素子において、ガーネット基板の成長方向と平行に光を
該ガーネット躾に入射させることを特徴とする磁気光学
素子である。
以下に実施例を用いて本発明をＩＨ１ｌＫｍ明する。
実施例１
（００１）を成長方向としてＧｄ１ＧａｌＯ＊を単結晶
棒をチ、タラルスキー法により引き上げた。この単結晶
棒より［００１］と垂直な（１１Ｇ）を軸とする欅を切
り出し、この棒より基板画法線方向が（１１Ｇ）から（
１１Ｇ） ｉｉ内Ｏ［１１０］方向に３°だけ傾いた基
板を切り出し丸、この基板上に、基板との格子定数差が
ａ、ｏｏｓ＠ ｏ磁気光学用材料であるＧａ−、Ｙシ畠
！・−０１１ガーネ＃ ） ｊｌｌ ｔ−液相エビタ午
シャル法により１４１）声ｍの厚さＫＩａ、長させた。
棒をチ、タラルスキー法により引き上げた。この単結晶
棒より［００１］と垂直な（１１Ｇ）を軸とする欅を切
り出し、この棒より基板画法線方向が（１１Ｇ）から（
１１Ｇ） ｉｉ内Ｏ［１１０］方向に３°だけ傾いた基
板を切り出し丸、この基板上に、基板との格子定数差が
ａ、ｏｏｓ＠ ｏ磁気光学用材料であるＧａ−、Ｙシ畠
！・−０１１ガーネ＃ ） ｊｌｌ ｔ−液相エビタ午
シャル法により１４１）声ｍの厚さＫＩａ、長させた。
このクエハより＜ｉｏｏ＞と面内に投影され九（１１Ｇ
）とで囲まれたＬ４ｍ角のチップを切り出し、ｍ板ｃｉ
ａ、 Ｇａ ＠Ｏｔ ＊単結晶の引き上げ方向と平行な
くＩＯＱ＞ Ｋ光を入射させ光アイソレージのファラデ
ー回転子として用い九、この光アイソレータ０アイソレ
ージ、ンは８９ｄＢであう九、一方（１１０〉方向に入
射させた場合にはアイソレージ、ンは１８ｄＢであった
。
）とで囲まれたＬ４ｍ角のチップを切り出し、ｍ板ｃｉ
ａ、 Ｇａ ＠Ｏｔ ＊単結晶の引き上げ方向と平行な
くＩＯＱ＞ Ｋ光を入射させ光アイソレージのファラデ
ー回転子として用い九、この光アイソレータ０アイソレ
ージ、ンは８９ｄＢであう九、一方（１１０〉方向に入
射させた場合にはアイソレージ、ンは１８ｄＢであった
。
ま丸いずれも一面内に投影され九（２１１）と（１１１
＞とで纒まれるチップを切り出してファラデー−転子と
して用い丸場倉にはアイソレージ、ンは２５４Ｂであり
た。
＞とで纒まれるチップを切り出してファラデー−転子と
して用い丸場倉にはアイソレージ、ンは２５４Ｂであり
た。
実施例２
（１１０） を成長方向としてＧｄ、 Ｃ３１０１１単
結晶棒をチ、タラルスキー法により引き上げ丸。この単
結晶棒より１．１１Ｇ）と垂直な（１１２）を輪とする
欅を切り出し、この棒より基板面法線方向が（１１２）
から（１１２）面内の（１１１）方向Ｋｌ’だけ傾い友
基板を切り出した。この基板上に、基板よりも格子定数
差がαｏｏｉ Ａ大きい磁気光学用材料であるＴｂ、、
Ｙシ・ｒす０１．ガーネット膜を液相エピタキシャル法
により１５μｍの厚さに育成し丸、このウニ＾より［１
１０） を−辺とする２−４１１１１ｊｌｊｌのチッ
プを切り出し・基板（ｊｄｓ（ｊｍ、０１． 単結晶の
弓１上げ方向と平行な（１１０１もしくは（Ｔｌｏ）に
光を入射させて薄膜導波路渥のファラデー回転子として
用いた。この光アイソレータのアイソレージ、／は３８
ｄｌｌ であり九。
結晶棒をチ、タラルスキー法により引き上げ丸。この単
結晶棒より１．１１Ｇ）と垂直な（１１２）を輪とする
欅を切り出し、この棒より基板面法線方向が（１１２）
から（１１２）面内の（１１１）方向Ｋｌ’だけ傾い友
基板を切り出した。この基板上に、基板よりも格子定数
差がαｏｏｉ Ａ大きい磁気光学用材料であるＴｂ、、
Ｙシ・ｒす０１．ガーネット膜を液相エピタキシャル法
により１５μｍの厚さに育成し丸、このウニ＾より［１
１０） を−辺とする２−４１１１１ｊｌｊｌのチッ
プを切り出し・基板（ｊｄｓ（ｊｍ、０１． 単結晶の
弓１上げ方向と平行な（１１０１もしくは（Ｔｌｏ）に
光を入射させて薄膜導波路渥のファラデー回転子として
用いた。この光アイソレータのアイソレージ、／は３８
ｄｌｌ であり九。
実施例３
（１０１）を成長方向としてＧｄ１ＧＩＩＯ１！単結晶
棒ｔチ、タラルスキー法により引き上げた。この単結蟲
捧より（１０１）と垂直な（１０１）を軸をする棒を切
り出し、この欅より基板画法線方向が［１０１］から（
１０１）面内の（０１０）方向に８°だけ傾い九基板を
切り出し丸、この基板上に、基板との格子定数差が（Ｌ
ＯＯＯ３ム の磁気光学用材料であるＬｌ（ｉｅ、ｔＹ
鵞、畠に゛・ｌＯ凰諺 ガーネット裏をｉｌＩＬ４１ｍ
エピタキシャル法により１７０７１５ｍの厚さに冑成し
良、このウニ＾より（１０１）を−辺とする１４■角の
チップを切り出し、基板Ｇｄａ（ｊ８，０１．単結晶の
引上げ方向と平行な（１０１）もしくは（１０１３に光
を入射させて７アラデ一回転子として用いえ、゛この光
アイソレータのフイソレーシ、ンは３６−Ｂでありた。
棒ｔチ、タラルスキー法により引き上げた。この単結蟲
捧より（１０１）と垂直な（１０１）を軸をする棒を切
り出し、この欅より基板画法線方向が［１０１］から（
１０１）面内の（０１０）方向に８°だけ傾い九基板を
切り出し丸、この基板上に、基板との格子定数差が（Ｌ
ＯＯＯ３ム の磁気光学用材料であるＬｌ（ｉｅ、ｔＹ
鵞、畠に゛・ｌＯ凰諺 ガーネット裏をｉｌＩＬ４１ｍ
エピタキシャル法により１７０７１５ｍの厚さに冑成し
良、このウニ＾より（１０１）を−辺とする１４■角の
チップを切り出し、基板Ｇｄａ（ｊ８，０１．単結晶の
引上げ方向と平行な（１０１）もしくは（１０１３に光
を入射させて７アラデ一回転子として用いえ、゛この光
アイソレータのフイソレーシ、ンは３６−Ｂでありた。
実施例４
［１１２］を成長方向としてｑ−８０１−Ｏ１単結晶欅
ｔチ、タラルスキー法により引き上げ丸。この単結晶棒
より（１１２）と垂直な（１１Ｇ）を軸とする棒を切り
出し、この欅より基板画法線方向が（１１０）から（１
１０）側内０（ＩＩＴ）方向に−だけ傾い九基板を切り
出した。この基板上に、基板よりも格子定数差がＯｏＯ
・７人だけ大きい磁気光学用材料であるＧｄＴｈ１Ｙ宜
−ａ”・１０１１ガーネ、トーを液相エピタキシャル法
により４．０μｍの厚さに育成し九、このクエハ＃ηを
用いて薄膜導波路形の光集積回路を作った。基板Ｇｄｌ
Ｇｍ１０１１単結晶の引上げ方向と平行な（１１２）も
しくは（１１２）にｆ、に入射させてスイッチを動作さ
せたところスイッチのスイソレーションは３ｆｉｄＢで
あった。
ｔチ、タラルスキー法により引き上げ丸。この単結晶棒
より（１１２）と垂直な（１１Ｇ）を軸とする棒を切り
出し、この欅より基板画法線方向が（１１０）から（１
１０）側内０（ＩＩＴ）方向に−だけ傾い九基板を切り
出した。この基板上に、基板よりも格子定数差がＯｏＯ
・７人だけ大きい磁気光学用材料であるＧｄＴｈ１Ｙ宜
−ａ”・１０１１ガーネ、トーを液相エピタキシャル法
により４．０μｍの厚さに育成し九、このクエハ＃ηを
用いて薄膜導波路形の光集積回路を作った。基板Ｇｄｌ
Ｇｍ１０１１単結晶の引上げ方向と平行な（１１２）も
しくは（１１２）にｆ、に入射させてスイッチを動作さ
せたところスイッチのスイソレーションは３ｆｉｄＢで
あった。
実施例５
（１１３）を成長方向としてＧｄａＧｍ１０１３卑結蟲
欅をチ、タラルスキー法により引き上げた。この単結晶
棒より（１１３）と垂直な［１１０） を軸とする欅を
切り出し、この棒よりｊＩＩ板面法線方向が（１１０）
から（１１Ｇ）Ｉｉ内においてＣｉ ｉａ）とは、垂直
な方向に２″だけ傾いた基板を切り出した。この２！ｌ
＆板上に、基板との格子定紋差がαｏｏｏａムの磁気光
学材料である’Ｉ’ｂｅ、ｔ Ｙｈａ ’＠Ｉ０１！ガ
ーネットを液相１ピタキシヤル法により１６０μｍの厚
さに育成した。
欅をチ、タラルスキー法により引き上げた。この単結晶
棒より（１１３）と垂直な［１１０） を軸とする欅を
切り出し、この棒よりｊＩＩ板面法線方向が（１１０）
から（１１Ｇ）Ｉｉ内においてＣｉ ｉａ）とは、垂直
な方向に２″だけ傾いた基板を切り出した。この２！ｌ
＆板上に、基板との格子定紋差がαｏｏｏａムの磁気光
学材料である’Ｉ’ｂｅ、ｔ Ｙｈａ ’＠Ｉ０１！ガ
ーネットを液相１ピタキシヤル法により１６０μｍの厚
さに育成した。
このクエハ（１１３） を−辺とする５Ｌ４１１１１
ｊ％のチ。
ｊ％のチ。
プを切り出し、基板Ｇ ｄ ＠ Ｇ ａ ＨＯＢ ！単
結晶の引上げ方向と平行な（１１３）もしくは（１１３
，）に光を入射させてファラデー回転子として用いた。
結晶の引上げ方向と平行な（１１３）もしくは（１１３
，）に光を入射させてファラデー回転子として用いた。
ζや党アイソレータのフイソレーシ、ンは３７４１１で
あ２丸。
あ２丸。
な詔、Ｇｄ、Ｇａ、０□、単結晶の引き上げ方向は。
基板として用いる画が（１１０） から数置傾い友画で
ある場合には（１１Ｇ）を晶帯軸とする晶１面（ｈｋｊ
ｊと垂直なくｈｈｌ＞を引き上げ方向としたいずれの場
合においても同様の効果が得られた。また基板両として
用いる面が（１１冨）から数置傾いえ漏である場合に紘
、（１１２）を晶帯軸とする晶帯Ｅｌ （ｈｓｋｔ４
ｋ （ただしｊ、＋に、＋２７． ＝０を満足する）と
垂直なくｈｓ ｋｓ １１＞を引き上げ方向としたいず
れＯ場合ゆおいても同様の＊Ｊｌがあうた。
ある場合には（１１Ｇ）を晶帯軸とする晶１面（ｈｋｊ
ｊと垂直なくｈｈｌ＞を引き上げ方向としたいずれの場
合においても同様の効果が得られた。また基板両として
用いる面が（１１冨）から数置傾いえ漏である場合に紘
、（１１２）を晶帯軸とする晶帯Ｅｌ （ｈｓｋｔ４
ｋ （ただしｊ、＋に、＋２７． ＝０を満足する）と
垂直なくｈｓ ｋｓ １１＞を引き上げ方向としたいず
れＯ場合ゆおいても同様の＊Ｊｌがあうた。
以上ａ＠し丸ように、本発明を用いることＫよリアイソ
レージ、ノが少な（とも３５ｄＢ以上の磁気光学素子が
得られる。
レージ、ノが少な（とも３５ｄＢ以上の磁気光学素子が
得られる。
図面の一本なａｌｔ明
５３１図は（ｊｄｇＧａｇＯｎ単結晶棒を示す、ｌは（
００１） を引きけ方向とし丸棒であり、２は（Ｇｏ
ｌ ）と！ｌ直な［１１０］を軸としてｌより切り出し
た単結晶棒を示す、第２図は表面の法線方向が（ｌｔＯ
） １ ｔ） （ｌＴＯＪＫｕ４１ｔｒ ＃ ≧Ｏ”）
角度り４を傾い九基板を示す。第３図は（１１Ｇ）ある
いは（１１０）からその表面がａｆ傾いた基板における
光の入射方向を示す、基板表面が（ｌｌＯ）から傾いて
いる場合には、［１１０） 、 （１１０） 、 ［１
１１］あるいは察される成長縞である。第５図は４１図
および嬉２図のように切り出された基板に纏察される成
長縞である。縞６図は基板から液相エビタキシャルガー
ネ、ト膜に伝搬され九成長縞を示す。
００１） を引きけ方向とし丸棒であり、２は（Ｇｏ
ｌ ）と！ｌ直な［１１０］を軸としてｌより切り出し
た単結晶棒を示す、第２図は表面の法線方向が（ｌｔＯ
） １ ｔ） （ｌＴＯＪＫｕ４１ｔｒ ＃ ≧Ｏ”）
角度り４を傾い九基板を示す。第３図は（１１Ｇ）ある
いは（１１０）からその表面がａｆ傾いた基板における
光の入射方向を示す、基板表面が（ｌｌＯ）から傾いて
いる場合には、［１１０） 、 （１１０） 、 ［１
１１］あるいは察される成長縞である。第５図は４１図
および嬉２図のように切り出された基板に纏察される成
長縞である。縞６図は基板から液相エビタキシャルガー
ネ、ト膜に伝搬され九成長縞を示す。
〔〒１２〕〔ｏｏ１〕
第３図
萬４図
〔ＩｉＯ〕
第５凹
１ＪＪ６図
手続補正書（自船
５７．１１．２２
１、事件の表示 昭和５６年 特 許 願第１５３
２５４号２、発明の名称 磁気光学素子 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住人三田
ビル電話東京（０３）４５６−３１１１（大代表）＆
補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ＆補正の内容 明細書第８頁第１２行目Ｋ［この効果はガーネット膜の
厚さＫは上記の実験結」どあるのを［この効果はガーネ
ット膜の厚さにはよらない、上記の実験結」と補正する
。
２５４号２、発明の名称 磁気光学素子 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住人三田
ビル電話東京（０３）４５６−３１１１（大代表）＆
補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ＆補正の内容 明細書第８頁第１２行目Ｋ［この効果はガーネット膜の
厚さＫは上記の実験結」どあるのを［この効果はガーネ
ット膜の厚さにはよらない、上記の実験結」と補正する
。
Claims (1)
- 非磁性ガーネット基板上台でエピタキシャル成員させた
硫性ガーネット膜の膜面内に光を入射させ該ガーネット
膜をファラデー回転子として用いる磁気光学素子におい
−（、ガー杢、ト基板の成員方向−１と平行に光を該ガ
ーネット膜に入射させることをＩｌ＃懺とする磁気光学
素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15325481A JPS5865415A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 磁気光学素子 |
| US06/360,230 US4522473A (en) | 1981-03-27 | 1982-03-22 | Faraday rotator for an optical device |
| DE8282102567T DE3279311D1 (en) | 1981-03-27 | 1982-03-26 | Faraday rotator for an optical device |
| EP82102567A EP0061743B1 (en) | 1981-03-27 | 1982-03-26 | Faraday rotator for an optical device |
| CA000399494A CA1180210A (en) | 1981-03-27 | 1982-03-26 | Faraday rotator for an optical device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15325481A JPS5865415A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 磁気光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5865415A true JPS5865415A (ja) | 1983-04-19 |
Family
ID=15558431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15325481A Pending JPS5865415A (ja) | 1981-03-27 | 1981-09-28 | 磁気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5865415A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4928561A (en) * | 1986-11-13 | 1990-05-29 | S.A.: Societe Europeenne De Propulsion | Method and apparatus for ultra-precise machining applied to executing atypical surfaces of revolution and to servo-controlled machining |
| JP2004504099A (ja) * | 2000-07-20 | 2004-02-12 | デピュイ・オーソピーディクス・インコーポレーテッド | 整形外科的構成要素用のモジュラー式接続具 |
| WO2004049039A1 (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ファラデー回転子、及びこれを用いた磁気光学デバイス |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP15325481A patent/JPS5865415A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4928561A (en) * | 1986-11-13 | 1990-05-29 | S.A.: Societe Europeenne De Propulsion | Method and apparatus for ultra-precise machining applied to executing atypical surfaces of revolution and to servo-controlled machining |
| JP2004504099A (ja) * | 2000-07-20 | 2004-02-12 | デピュイ・オーソピーディクス・インコーポレーテッド | 整形外科的構成要素用のモジュラー式接続具 |
| US8303668B2 (en) | 2000-07-20 | 2012-11-06 | Depuy Products, Inc. | Modular femoral stem component for a hip joint prosthesis |
| WO2004049039A1 (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ファラデー回転子、及びこれを用いた磁気光学デバイス |
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