JPS5860536A - レジスト像形成方法 - Google Patents
レジスト像形成方法Info
- Publication number
- JPS5860536A JPS5860536A JP56158205A JP15820581A JPS5860536A JP S5860536 A JPS5860536 A JP S5860536A JP 56158205 A JP56158205 A JP 56158205A JP 15820581 A JP15820581 A JP 15820581A JP S5860536 A JPS5860536 A JP S5860536A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ketone
- developer
- resist image
- methyl
- mixture
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高感度ポジ盟放射紐しジスト用現像法の改爽に
関する。
関する。
従来、半導体素子、磁気バブル素子、光部品製造の際の
微細加工技術としては％４０００Ａ以上の波長をもつ紫
外線を川、いたフォトツソグラフイーが採用されている
が、退部、半導体素子の高密度化、高集積化に停い、電
子線、Ｘ線等によるリソグラフィー技術が注目され、そ
れに用いる高感度かつ高解像度Ｏ放射線レジストが開発
されている。しかしいずれも実用的レベルに於て充分に
満足し得る特性を有しておらず、量産性に関していくつ
かの欠点を内包しているＣすなワチフルオロアルキルα
−クロルアクリレート系重合体、例えば、ポリトリフル
オロエチルα−クロルアクリレートは高感度なポジ蓋放
射線レジストを与えることが報告されているが（Ｔ、
Ｔａｄａ＊ Ｊ、 Ｅｌｅｃｔｒ＠ｅｈ＠ｍ、 Ｓ＠ｅ
−ｅ １２６．１８２９（１９７９）） 、このレジス
トはｑ＃に低鳳封領域に於て使用する場合現像時間が兼
〈、不純物混入に起因する欠陥が少なく量産性に優れて
いるスプレー現像プロ竜スの適用声因難であるという欠
陥を有している。
微細加工技術としては％４０００Ａ以上の波長をもつ紫
外線を川、いたフォトツソグラフイーが採用されている
が、退部、半導体素子の高密度化、高集積化に停い、電
子線、Ｘ線等によるリソグラフィー技術が注目され、そ
れに用いる高感度かつ高解像度Ｏ放射線レジストが開発
されている。しかしいずれも実用的レベルに於て充分に
満足し得る特性を有しておらず、量産性に関していくつ
かの欠点を内包しているＣすなワチフルオロアルキルα
−クロルアクリレート系重合体、例えば、ポリトリフル
オロエチルα−クロルアクリレートは高感度なポジ蓋放
射線レジストを与えることが報告されているが（Ｔ、
Ｔａｄａ＊ Ｊ、 Ｅｌｅｃｔｒ＠ｅｈ＠ｍ、 Ｓ＠ｅ
−ｅ １２６．１８２９（１９７９）） 、このレジス
トはｑ＃に低鳳封領域に於て使用する場合現像時間が兼
〈、不純物混入に起因する欠陥が少なく量産性に優れて
いるスプレー現像プロ竜スの適用声因難であるという欠
陥を有している。
本発明は上記の欠点を解消せんとしてなされ九もので、
ポリトリフルオロエチルα−クロルアクリレート、ない
しは、トリフルオロエテルα−クロルアタリレートと他
のビニル第七ツマ−との共重合体から成るポジ型放射線
レジストに対し、特定の現像液を用いることによって、
従来よ）もはるかに短時間で、しかも、微細なパターン
が形成出来、従ってスプレー現像処理が可能な、欠陥が
少なく、極めて量産性に富んだレジスト像形成法を提供
せんとするものであるＯ すなわち本発明は 上式で示されるモノマーの単独重合体、或いはそれと他
のビニル系モノ！−との共重合体のうちの少くとも１種
類以上を基板上に塗布し、所望の部分を放射線で照射し
友後、現像液で現像処理【行い基板上にレジスト像を形
成させる方法において、前記現像液として、メチルイソ
ブチルケトンあるいはメチルイソブチルケトンと他のケ
トンとの混合液を用いることを特徴とするＶ−）スト像
形成方法に係るものである。
ポリトリフルオロエチルα−クロルアクリレート、ない
しは、トリフルオロエテルα−クロルアタリレートと他
のビニル第七ツマ−との共重合体から成るポジ型放射線
レジストに対し、特定の現像液を用いることによって、
従来よ）もはるかに短時間で、しかも、微細なパターン
が形成出来、従ってスプレー現像処理が可能な、欠陥が
少なく、極めて量産性に富んだレジスト像形成法を提供
せんとするものであるＯ すなわち本発明は 上式で示されるモノマーの単独重合体、或いはそれと他
のビニル系モノ！−との共重合体のうちの少くとも１種
類以上を基板上に塗布し、所望の部分を放射線で照射し
友後、現像液で現像処理【行い基板上にレジスト像を形
成させる方法において、前記現像液として、メチルイソ
ブチルケトンあるいはメチルイソブチルケトンと他のケ
トンとの混合液を用いることを特徴とするＶ−）スト像
形成方法に係るものである。
高感度ポジ型放射麹レジストポットリフルオロエチルα
−クロルアクリレートの従来の現像液であるイングロビ
ルアルコールーメチルイソプロピルケトン混合液ないし
はイソプロピルアルコール−メチルイソブチルケトン混
合液を用いた場合には２〜５声＠／ａｌ Ｏ電子線照射
量で使用する場合、１０〜２０分程度の現像時間が必要
であったが、本発明によればＩｌｌ類のケトンあるいは
２種類以上のケトンから成るケトン系現像液が現像時間
の短縮に有効であＩＪ％そのなかでもと夛わゆメチルイ
ソブチルケトンあるいはメチルインブチルケトｙと他の
ケトンとの混合液から成る現像液を用い九場合には１〜
４分゛程度とスプレー現像プロ竜スが追尾可能１に程度
にまで現像時間が短縮され、しかも、鮮−なレジスト像
が得られることが確ｌ＆Ｈされ九〇こむで本発明に適す
るポジ型放射線レジストを例示すれば、ポリトリフルオ
ロエチルα−クロルアタリシー）、）９フルオロエチル
α−クロルアタリレートーメチルメタクリレート共重合
体、）９フルオロエチルα−クロルアクリレート−メタ
クリル酸共重合体、トリフルオロエチルα−クロルアク
リレート−ｔ−ブチルメタクリレート共電金体、トリフ
ルオロエチルα−タロシアタ９ル−トートリフルオロイ
ングロビルα−り■ルアクリレート共１合体、トリラル
オロエチルα−クロルアクリレート−フェニルα−タロ
ルアクリレート共重合体、トリフルオロエチルα−クロ
ルアクリレート−α−メチルスチレン共重合体、トリフ
ルオロエチルα−り謬ルアクリレートーベンジルα−ク
ロルアクリレート共重合体等を挙げることが出来る。
−クロルアクリレートの従来の現像液であるイングロビ
ルアルコールーメチルイソプロピルケトン混合液ないし
はイソプロピルアルコール−メチルイソブチルケトン混
合液を用いた場合には２〜５声＠／ａｌ Ｏ電子線照射
量で使用する場合、１０〜２０分程度の現像時間が必要
であったが、本発明によればＩｌｌ類のケトンあるいは
２種類以上のケトンから成るケトン系現像液が現像時間
の短縮に有効であＩＪ％そのなかでもと夛わゆメチルイ
ソブチルケトンあるいはメチルインブチルケトｙと他の
ケトンとの混合液から成る現像液を用い九場合には１〜
４分゛程度とスプレー現像プロ竜スが追尾可能１に程度
にまで現像時間が短縮され、しかも、鮮−なレジスト像
が得られることが確ｌ＆Ｈされ九〇こむで本発明に適す
るポジ型放射線レジストを例示すれば、ポリトリフルオ
ロエチルα−クロルアタリシー）、）９フルオロエチル
α−クロルアタリレートーメチルメタクリレート共重合
体、）９フルオロエチルα−クロルアクリレート−メタ
クリル酸共重合体、トリフルオロエチルα−クロルアク
リレート−ｔ−ブチルメタクリレート共電金体、トリフ
ルオロエチルα−タロシアタ９ル−トートリフルオロイ
ングロビルα−り■ルアクリレート共１合体、トリラル
オロエチルα−クロルアクリレート−フェニルα−タロ
ルアクリレート共重合体、トリフルオロエチルα−クロ
ルアクリレート−α−メチルスチレン共重合体、トリフ
ルオロエチルα−り謬ルアクリレートーベンジルα−ク
ロルアクリレート共重合体等を挙げることが出来る。
共重合体中に占めるトリフルオロエチルα−クロルアク
リレートの割合は、本発明の目的を達成するためには、
通常５０（２）１ｅ％以上であ）、好ましくは６ Ｇ
１１１＠ｌ＠％以上である。
リレートの割合は、本発明の目的を達成するためには、
通常５０（２）１ｅ％以上であ）、好ましくは６ Ｇ
１１１＠ｌ＠％以上である。
本発明に係わる現ｇＩ液系の具体例としては、メチルイ
ソブチルケトン、メチルイソブチルケトン−メチルエチ
ルケトン混合液、メチルイソブチルケトンーメチルグロ
ビルヶトン混合液。
ソブチルケトン、メチルイソブチルケトン−メチルエチ
ルケトン混合液、メチルイソブチルケトンーメチルグロ
ビルヶトン混合液。
メチルインブチルケトン−メチルイソプロピルケトン混
合液、メチルイノブチルケトン−ジエチルケトン混合液
、メチルイソブチルケトン−メチルブチルケトン混合液
、メチルイソブチルケトンーエチルグロピルヶトン混合
液、メチルイソブチルケトン−エチルイソプロビルケト
ン混合液、メチルインブチルケトン−メチル鱈−プチル
ケトン混合液等を挙げることができる・上記混合液中に
占めるメチルイソブチルケトンの割合は、本発明の目的
を達成するえめには。
合液、メチルイノブチルケトン−ジエチルケトン混合液
、メチルイソブチルケトン−メチルブチルケトン混合液
、メチルイソブチルケトンーエチルグロピルヶトン混合
液、メチルイソブチルケトン−エチルイソプロビルケト
ン混合液、メチルインブチルケトン−メチル鱈−プチル
ケトン混合液等を挙げることができる・上記混合液中に
占めるメチルイソブチルケトンの割合は、本発明の目的
を達成するえめには。
通常２０重量％以上であり、ｔＦｆｔｔ、＜は、５０重
量％以上である。
量％以上である。
以下実施例によシ、本発明を更に詳しく説明する。
実施例１
ポジトリフルオロエチルα−クロルアクリレート（分子
量８ｏ万）をスピンコーティングによって（ｙｗスク基
板上０．５μの厚さに塗布した稜、２００Ｃ１時間、空
気中でグリベーク処理を施し友。次いで、プリベークさ
れ九しジス）３９の所望部分に加速電圧２０ ＫＶの電
子線を４０Ｊ１ｅ／−の照射密度で照射した後、本発明
の現像液であるメチルインブチルケトン−メチルエチル
ケトｙ系混合液を用いたスプレー現’ＩＩＫよって、ま
九同時に比較例として従来の現像液を用いた静置現ｇＲ
Ｋよって現像処理を行い、それぞれの現像時間を表−Ｉ
Ｋ示した。
量８ｏ万）をスピンコーティングによって（ｙｗスク基
板上０．５μの厚さに塗布した稜、２００Ｃ１時間、空
気中でグリベーク処理を施し友。次いで、プリベークさ
れ九しジス）３９の所望部分に加速電圧２０ ＫＶの電
子線を４０Ｊ１ｅ／−の照射密度で照射した後、本発明
の現像液であるメチルインブチルケトン−メチルエチル
ケトｙ系混合液を用いたスプレー現’ＩＩＫよって、ま
九同時に比較例として従来の現像液を用いた静置現ｇＲ
Ｋよって現像処理を行い、それぞれの現像時間を表−Ｉ
Ｋ示した。
表−１から明らかな如く１本発１！１１による現像液を
用いることによって従来の現像液の場合に較べて１１５
〜ｌ／２０に現像時間が短縮され、またスプレー現儂プ
ロセスのため、はるかく欠陥の少い鮮明なレジストパタ
ーンが得られていることが確認された。また同峙に上記
現像液を用いた場合には例えばメチルエチルケトン−メ
チルイソプロピルケトンの様な傭のケトン系現像液を用
いた場合に較べてよい高解像度のパターンが得られるこ
とも確認された。
用いることによって従来の現像液の場合に較べて１１５
〜ｌ／２０に現像時間が短縮され、またスプレー現儂プ
ロセスのため、はるかく欠陥の少い鮮明なレジストパタ
ーンが得られていることが確認された。また同峙に上記
現像液を用いた場合には例えばメチルエチルケトン−メ
チルイソプロピルケトンの様な傭のケトン系現像液を用
いた場合に較べてよい高解像度のパターンが得られるこ
とも確認された。
実施例２
レジストとしてトリフルオロエチルα−クロルアクリレ
ート−メチルメタグリレート共重含体（共重合比９７：
３、分子量９０万）を用い九以外には前記実施例１と同
様な方法によ）Ｃｒマスタ基板上にレジスタパターンを
形成し電子線で所望の部分を照射した後１本発＠０５Ａ
ｆｌｌｌ’ｌｌであるメチルイソブチルケトン−メチル
エチルケトン混合液を用いたスプレー現像によって、を
友同時に比較例として従来の現像液を用い友靜ｔ＊像に
よって現像処理を行いそれぞれの現像時間を表−２に示
した。
ート−メチルメタグリレート共重含体（共重合比９７：
３、分子量９０万）を用い九以外には前記実施例１と同
様な方法によ）Ｃｒマスタ基板上にレジスタパターンを
形成し電子線で所望の部分を照射した後１本発＠０５Ａ
ｆｌｌｌ’ｌｌであるメチルイソブチルケトン−メチル
エチルケトン混合液を用いたスプレー現像によって、を
友同時に比較例として従来の現像液を用い友靜ｔ＊像に
よって現像処理を行いそれぞれの現像時間を表−２に示
した。
表−２
表−２から明らかな如く、本発明による現像液を用いる
ことＫよって従来の場合と較べて１／４〜ｌ／２０ Ｋ
現像時間が短縮され、従来の場合に較べてはるかに欠陥
の少ないレジストパターンが得られることが確認された
。
ことＫよって従来の場合と較べて１／４〜ｌ／２０ Ｋ
現像時間が短縮され、従来の場合に較べてはるかに欠陥
の少ないレジストパターンが得られることが確認された
。
以上詳述した如く、本発１！ｊ［よる現＊液を用いるこ
とによって現像時間の大幅な煙１ができ、しか［１のケ
トン系現像液に較べてよ）鱗像性の高ｈパターンが得ら
れる九め、スプレーｆＡ偉プロセスが適用可能であ〕、
従って従来よシもはるかに短時間で欠陥の少い鮮明なレ
ジストパターンの形成が可能となプ、もって半導体基板
。
とによって現像時間の大幅な煙１ができ、しか［１のケ
トン系現像液に較べてよ）鱗像性の高ｈパターンが得ら
れる九め、スプレーｆＡ偉プロセスが適用可能であ〕、
従って従来よシもはるかに短時間で欠陥の少い鮮明なレ
ジストパターンの形成が可能となプ、もって半導体基板
。
マスク基板などの微細加工に有効に利用出来る量産性の
優れたレジスト儂を形成することがてきる。
優れたレジスト儂を形成することがてきる。
Claims (1)
- 上式で示されるモノマーの単独重合体、或いはそれと他
Ｏビニル系モノマーとの共重合体のうちの少くとも１種
類以上を基板上Ｋｌｋ布し、所望の部分を放射線で照射
した後、現像液で現像処理を行い基板上にレジスト像を
形成させる方法において、前記現像液として、メチルイ
ソブチルケトン単独あるいはメチルインブチルケトンと
倫のケトンとＯｓ合液を用いることを特徴とするレジス
ト像形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158205A JPS5860536A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | レジスト像形成方法 |
| CA000400774A CA1164261A (en) | 1981-04-21 | 1982-04-08 | PROCESS FOR FORMING RESIST PATTERNS BY DEVELOPING A POLYMER CONTAINING TRIFLUOROETHYL-.alpha.- CHLOROCRYLATE UNITS WITH SPECIFIC KETONE COMPOUNDS |
| US06/367,921 US4454222A (en) | 1981-04-21 | 1982-04-13 | Process for forming resist patterns using mixed ketone developers |
| DE8282103370T DE3269563D1 (en) | 1981-04-21 | 1982-04-21 | Process for forming resist patterns |
| EP82103370A EP0064222B1 (en) | 1981-04-21 | 1982-04-21 | Process for forming resist patterns |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158205A JPS5860536A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | レジスト像形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860536A true JPS5860536A (ja) | 1983-04-11 |
| JPH0328703B2 JPH0328703B2 (ja) | 1991-04-19 |
Family
ID=15666574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56158205A Granted JPS5860536A (ja) | 1981-04-21 | 1981-10-06 | レジスト像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860536A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5290269A (en) * | 1976-01-23 | 1977-07-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Forming method for fine resist patterns |
| JPS5376825A (en) * | 1976-12-20 | 1978-07-07 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Radiation sensitive positive regist material |
| JPS53100224A (en) * | 1977-02-15 | 1978-09-01 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Radiation sensitive positive regist material |
-
1981
- 1981-10-06 JP JP56158205A patent/JPS5860536A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5290269A (en) * | 1976-01-23 | 1977-07-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Forming method for fine resist patterns |
| JPS5376825A (en) * | 1976-12-20 | 1978-07-07 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Radiation sensitive positive regist material |
| JPS53100224A (en) * | 1977-02-15 | 1978-09-01 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Radiation sensitive positive regist material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0328703B2 (ja) | 1991-04-19 |
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