JPS5857732A - 半導体素子の位置検出方法 - Google Patents
半導体素子の位置検出方法Info
- Publication number
- JPS5857732A JPS5857732A JP15684581A JP15684581A JPS5857732A JP S5857732 A JPS5857732 A JP S5857732A JP 15684581 A JP15684581 A JP 15684581A JP 15684581 A JP15684581 A JP 15684581A JP S5857732 A JPS5857732 A JP S5857732A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- detection
- paste
- photoelectric conversion
- conversion means
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子の位置検出方法に関する。
トランジスタあるいは集積回路の自動ワイヤボンディン
グを行うためには、トランジスタあるいは集積回路の位
置を正確に検出しなくてはならない０ 従来の位置検出方法を第１図を参照して説明するＯ 第１図において（１）は七う電ツク等の絶縁基板、（り
は鋼箔等で形成された半導体素子の固着パッドとまる導
電路、（３）は銀ペースト等で固着されたトランジスタ
等の半導体素子である。斯る構造に上方から平行光線を
照射して表面からの反射光を充電変換手段で検出して、
半導体素子ｔｓ＋と他の部分の反射率の違いにより半導
体素子＋１）の位置を検出してい友。しかしながら第１
図の構造では半導体素子１ｍ）と固着パッドとなる導電
路（！）ともその表面が平担であり、反射率にあまり差
がないので光電変換手段の検出レベルを上げても検出確
率が低下せざるを得なかった。とのために自動化を図っ
ても生産性があまり上がらなかった〇 本発明は断点に鑑みてなされ、従来の欠点を完全に除去
した半導体素子の位置検出方法を実現するものであり、
以下に第２図および第３図を参照して本発明の実施例、
を詳述する。
グを行うためには、トランジスタあるいは集積回路の位
置を正確に検出しなくてはならない０ 従来の位置検出方法を第１図を参照して説明するＯ 第１図において（１）は七う電ツク等の絶縁基板、（り
は鋼箔等で形成された半導体素子の固着パッドとまる導
電路、（３）は銀ペースト等で固着されたトランジスタ
等の半導体素子である。斯る構造に上方から平行光線を
照射して表面からの反射光を充電変換手段で検出して、
半導体素子ｔｓ＋と他の部分の反射率の違いにより半導
体素子＋１）の位置を検出してい友。しかしながら第１
図の構造では半導体素子１ｍ）と固着パッドとなる導電
路（！）ともその表面が平担であり、反射率にあまり差
がないので光電変換手段の検出レベルを上げても検出確
率が低下せざるを得なかった。とのために自動化を図っ
ても生産性があまり上がらなかった〇 本発明は断点に鑑みてなされ、従来の欠点を完全に除去
した半導体素子の位置検出方法を実現するものであり、
以下に第２図および第３図を参照して本発明の実施例、
を詳述する。
本発明に依れば第２図に示す如く、七ッ之ツクあるいは
絶縁金属基板等の絶縁基板頭上に鋼箔等をエツチングし
て形成した固着パッド（１１）を有する所望の形状の導
電路（１日を設け、固着パッド［＋１１上に銀ペースト
等の導電ペースＨ４１を付着した後平担面を有する棒で
たたいて導電ペース）（１４を半導体素子α場より十分
圧大きい面積に拡げ、導電ペース）Ｑ４の中央に半導体
素子輪金固着し、然る後に上方の光源から平行光を照射
して、上方に設けた光電変換手段（図示せず）によりそ
の反射光を検出する。
絶縁金属基板等の絶縁基板頭上に鋼箔等をエツチングし
て形成した固着パッド（１１）を有する所望の形状の導
電路（１日を設け、固着パッド［＋１１上に銀ペースト
等の導電ペースＨ４１を付着した後平担面を有する棒で
たたいて導電ペース）（１４を半導体素子α場より十分
圧大きい面積に拡げ、導電ペース）Ｑ４の中央に半導体
素子輪金固着し、然る後に上方の光源から平行光を照射
して、上方に設けた光電変換手段（図示せず）によりそ
の反射光を検出する。
本発明の検出方法に依れば導電ペースト（１４１面に照
射された光はその表面で乱反射され光電変換手段で検出
される反射光は従来より大巾に減じる。
射された光はその表面で乱反射され光電変換手段で検出
される反射光は従来より大巾に減じる。
一方半導体素子０１表面で反射される光はその表面が平
担であ）、大部分が光電変換手段により検出できる。こ
の結果半導体素子−の周辺の導電ペースト（１４面は暗
部として検出されるので、半導体素子Ｏ１の外形が浮き
出される。これにより半導体素子Ｉとその周辺のコント
ラストを大巾に向上できるので光電変換手段の検出レベ
ルを十分に低く設定でき、且つ半導体素子の検出確率を
大巾に上げることができる。
担であ）、大部分が光電変換手段により検出できる。こ
の結果半導体素子−の周辺の導電ペースト（１４面は暗
部として検出されるので、半導体素子Ｏ１の外形が浮き
出される。これにより半導体素子Ｉとその周辺のコント
ラストを大巾に向上できるので光電変換手段の検出レベ
ルを十分に低く設定でき、且つ半導体素子の検出確率を
大巾に上げることができる。
本発明者の実験によると、α７５■角の半導体素子−に
対して導電ペースト０菊の大きさを１．５糟の直径を有
する略円形状に設けたところ、従来方法による検出確率
的９ ＆０９Ｇから本発明では約９９．９％に向上でき
た。
対して導電ペースト０菊の大きさを１．５糟の直径を有
する略円形状に設けたところ、従来方法による検出確率
的９ ＆０９Ｇから本発明では約９９．９％に向上でき
た。
本発明は上述した混成集積回路に適用されるのみでなく
、通常のトランジスタや集積回路のパンチングフレーム
への組込みにも適用できる。即ちパンチングフレームの
ヘッダーとの電気的接続が要求される場合には上述し九
実施例と同様に、ヘラグー上に銀ペースト等の導電ペー
ストを塗布すれば良い。またパンチングフレームのヘッ
ダーとの電気的接続があまり必要とされないＭＯ８集積
回路ではパンチングフレームのヘッダーにポリイミド等
の耐熱樹脂層を塗布してその層上に半導体素子を接着す
ると、ポリイミド等の樹脂層はその表面が乱反射するの
で同じ効果が得られる。
、通常のトランジスタや集積回路のパンチングフレーム
への組込みにも適用できる。即ちパンチングフレームの
ヘッダーとの電気的接続が要求される場合には上述し九
実施例と同様に、ヘラグー上に銀ペースト等の導電ペー
ストを塗布すれば良い。またパンチングフレームのヘッ
ダーとの電気的接続があまり必要とされないＭＯ８集積
回路ではパンチングフレームのヘッダーにポリイミド等
の耐熱樹脂層を塗布してその層上に半導体素子を接着す
ると、ポリイミド等の樹脂層はその表面が乱反射するの
で同じ効果が得られる。
以上に詳述した如く本発明に依れば半導体素子λ
とヘッダーあるいは固着パッドとの間に半導体素子に比
べて十分に大きい乱反射面の導電層あるいは絶縁層を設
けるだけで大巾に半導体素子の検出確率を高めることが
でき、半導体素子の位置検出をほとんど完全に自動化で
きるのである。この結果自動化による生産性の向上を達
成できるようになる。
べて十分に大きい乱反射面の導電層あるいは絶縁層を設
けるだけで大巾に半導体素子の検出確率を高めることが
でき、半導体素子の位置検出をほとんど完全に自動化で
きるのである。この結果自動化による生産性の向上を達
成できるようになる。
第１図は従来例を説明する断面図、第２図は本発明を説
明する上面図、第３図は９２図の■−■線断面図である
。 叫は絶縁基板、（川は固着パッド、Ｏ乃は導電路、θ場
は半導体素子、（１４１は導電ペーストである。 出願人 三洋電機株式会社外１名 代理人 弁理士 必 野 静 Ｋ （ 第８図 ０１１
明する上面図、第３図は９２図の■−■線断面図である
。 叫は絶縁基板、（川は固着パッド、Ｏ乃は導電路、θ場
は半導体素子、（１４１は導電ペーストである。 出願人 三洋電機株式会社外１名 代理人 弁理士 必 野 静 Ｋ （ 第８図 ０１１
Claims (1)
- （１）ヘッダーあるいは固着パッド上に半導体素子を固
着し上から光を照射して反射光を光電変換手段で検出し
て半導体素子の位置を検出する方法に於いて、前記ヘッ
ダーあるいは固着パッド表面に前記半導体素子より十分
に大きい乱反射面を有する層を設け、該層上に前記半導
体素子を固着し前記半導体素子の周辺で前配光を乱反射
させてコントラストを上げることを特徴とする半導体素
子の位置検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15684581A JPS5857732A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 半導体素子の位置検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15684581A JPS5857732A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 半導体素子の位置検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857732A true JPS5857732A (ja) | 1983-04-06 |
| JPS6248376B2 JPS6248376B2 (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=15636625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15684581A Granted JPS5857732A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 半導体素子の位置検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857732A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010145383A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Narimune Manufacture Co Ltd | 三次元形状計測方法及びその為の基準部材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49113581A (ja) * | 1973-02-26 | 1974-10-30 |
-
1981
- 1981-10-01 JP JP15684581A patent/JPS5857732A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49113581A (ja) * | 1973-02-26 | 1974-10-30 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010145383A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Narimune Manufacture Co Ltd | 三次元形状計測方法及びその為の基準部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6248376B2 (ja) | 1987-10-13 |
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