JPS5857291A - ガスおよび／または蒸気放電ランプ作動回路配置 - Google Patents
ガスおよび／または蒸気放電ランプ作動回路配置Info
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- JPS5857291A JPS5857291A JP57156887A JP15688782A JPS5857291A JP S5857291 A JPS5857291 A JP S5857291A JP 57156887 A JP57156887 A JP 57156887A JP 15688782 A JP15688782 A JP 15688782A JP S5857291 A JPS5857291 A JP S5857291A
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/26—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc
- H05B41/28—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
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- H05B41/298—Arrangements for protecting lamps or circuits against abnormal operating conditions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/36—Controlling
- H05B41/38—Controlling the intensity of light
-
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S315/00—Electric lamp and discharge devices: systems
- Y10S315/07—Starting and control circuits for gas discharge lamp using transistors
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- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガスおよび／または蒸気放電ランプ作動回路
配置であって、前記放電ランプが前記作動回路配置の一
部を構成し、前記作動回路配置には２Ｉｌ１１の入力端
子を設け、正会波状交番１１圧からはは無平滑全波整流
によって？Ｍられる電圧の波形に対応する波形の脈動直
流１１Ｅを供給する給電装置に前記入力端子を接続し、
前記入力端子を少なくとモ放電ランプ、コイルおよび第
１被制御半導体スイッチの直列回路を介して瓦に接続し
、前記直列回路において前記放電ランプを含むが前記第
１被！ｔ制御牛導体スイッチとは重接接続されない部分
と並列に第１１１−瀦鉗を接続し、制−回路により前記
脈動自流電圧の各周期に当り前記第１被制御半導体スイ
ッチを数回スイッチングするガスおよび／または蒸気放
電ランプ作動回路配置に関するものである。以下の説明
では用語１放璽ランプ”を単に１ランプ”と略称するも
のとする。
配置であって、前記放電ランプが前記作動回路配置の一
部を構成し、前記作動回路配置には２Ｉｌ１１の入力端
子を設け、正会波状交番１１圧からはは無平滑全波整流
によって？Ｍられる電圧の波形に対応する波形の脈動直
流１１Ｅを供給する給電装置に前記入力端子を接続し、
前記入力端子を少なくとモ放電ランプ、コイルおよび第
１被制御半導体スイッチの直列回路を介して瓦に接続し
、前記直列回路において前記放電ランプを含むが前記第
１被！ｔ制御牛導体スイッチとは重接接続されない部分
と並列に第１１１−瀦鉗を接続し、制−回路により前記
脈動自流電圧の各周期に当り前記第１被制御半導体スイ
ッチを数回スイッチングするガスおよび／または蒸気放
電ランプ作動回路配置に関するものである。以下の説明
では用語１放璽ランプ”を単に１ランプ”と略称するも
のとする。
この種の既知の回路配置は、例えは米国特軒第８８９０
５８７号明細書に記載されている。かかる給電回路は時
には順方向変換装置（ｆｏｒｗａｒｄ□ｏｎｖｅｒｔｅ
ｒ）として示されることがある。
５８７号明細書に記載されている。かかる給電回路は時
には順方向変換装置（ｆｏｒｗａｒｄ□ｏｎｖｅｒｔｅ
ｒ）として示されることがある。
この既知の回路配置の欠点は、入力端子間の瞬時電圧が
小さい麺を有する時間間隔に当り放電ランプを流れる電
流を小さい電流に維持する必要があるか、または放電ラ
ンプの両端間の瞬時電圧が放電ランプの所要の再点弧電
圧まで増大する比較的良い時間（晴朗間）が経過した鹸
しか放電ランプの再点弧が起らないことである。実際と
１放電ランプを流れる電流を上記小さい電流に維持する
ためには電荷を一時的に蓄積する手段が必要になる０更
に、晴朗間が浸くなると一般に放電ランプの発光効率が
比較的低くなる。発光効率は例えばルーメン／ワットで
表わされる、。
小さい麺を有する時間間隔に当り放電ランプを流れる電
流を小さい電流に維持する必要があるか、または放電ラ
ンプの両端間の瞬時電圧が放電ランプの所要の再点弧電
圧まで増大する比較的良い時間（晴朗間）が経過した鹸
しか放電ランプの再点弧が起らないことである。実際と
１放電ランプを流れる電流を上記小さい電流に維持する
ためには電荷を一時的に蓄積する手段が必要になる０更
に、晴朗間が浸くなると一般に放電ランプの発光効率が
比較的低くなる。発光効率は例えばルーメン／ワットで
表わされる、。
本発明の目的は、入力端子間の瞬時電圧が比較的小さい
値を有する時間間隔に当り放電ランプを流れる小さい電
流を・発生することなく、放電ランプの比較的迅速な再
点弧を行わせることができるガスおよび／または蒸気放
電ランプ作動回路配置を提供するにある。
値を有する時間間隔に当り放電ランプを流れる小さい電
流を・発生することなく、放電ランプの比較的迅速な再
点弧を行わせることができるガスおよび／または蒸気放
電ランプ作動回路配置を提供するにある。
本発明は、ガスおよび／または蒸気放電ランプ作動回路
配置であって、前記放電ランプが前記作動回路配置の一
部をＩＭｌ放し、前記作動回路配置には２個の入力端子
を設け、正弦波状交番１１圧からほぼ無平滑全波整流に
よって得られる電圧の波形に対応する波形の脈動直流［
を田を供給する給電装置に前記入力端子を接続し、前記
入力抱子を少なくとも放電ランプ、コイルおよび第１被
制御半導体スイッチの直列回路を介して巨に接続し、前
記歯列回路において前記放電ランプを含むが前記第１被
制ｉ１１午導体スイッチとは直接接続されない部分と並
列に第１整流器を接続し、制御回路により前記脈動直流
電圧の各周期に当り前記第１被ＰｇＪ御半導体スイッチ
を数回スイッチングするガスおよび／または蒸気放電ラ
ンプ作動回路配置において、前記放電ランプにコンデン
サを並列接続し、作動状勤においては前記制御回路によ
り、前記脈動直流電圧の般小電圧が発生する毎に−ｊ記
第１被制御ｆ［体スイッチをスイッチオフし、また前記
放電ランプの両端間の縛時１１１圧が所貿再点弧電圧の
０．５〜０．８倍となりかつ前記放電ランプの作動電圧
を超えた場合だけ前記第１被制御半導体スイッチを導通
させるよう構成したことを特許とする。
配置であって、前記放電ランプが前記作動回路配置の一
部をＩＭｌ放し、前記作動回路配置には２個の入力端子
を設け、正弦波状交番１１圧からほぼ無平滑全波整流に
よって得られる電圧の波形に対応する波形の脈動直流［
を田を供給する給電装置に前記入力端子を接続し、前記
入力抱子を少なくとも放電ランプ、コイルおよび第１被
制御半導体スイッチの直列回路を介して巨に接続し、前
記歯列回路において前記放電ランプを含むが前記第１被
制ｉ１１午導体スイッチとは直接接続されない部分と並
列に第１整流器を接続し、制御回路により前記脈動直流
電圧の各周期に当り前記第１被ＰｇＪ御半導体スイッチ
を数回スイッチングするガスおよび／または蒸気放電ラ
ンプ作動回路配置において、前記放電ランプにコンデン
サを並列接続し、作動状勤においては前記制御回路によ
り、前記脈動直流電圧の般小電圧が発生する毎に−ｊ記
第１被制御ｆ［体スイッチをスイッチオフし、また前記
放電ランプの両端間の縛時１１１圧が所貿再点弧電圧の
０．５〜０．８倍となりかつ前記放電ランプの作動電圧
を超えた場合だけ前記第１被制御半導体スイッチを導通
させるよう構成したことを特許とする。
この回路配置の利点は、入力端子間の瞬時電圧が低い時
間間隔に当り放電ランプを流れる電流を小さい電流とす
る必要がなく、それにも拘らず放電ランプの再点弧を迅
速に行、い得ることである。
間間隔に当り放電ランプを流れる電流を小さい電流とす
る必要がなく、それにも拘らず放電ランプの再点弧を迅
速に行、い得ることである。
後者の利点は晴朗間が短くなることを意味し、従って発
光効率が高くなる。
光効率が高くなる。
以下に本発明を一層詳細に説明する。放電ランプにコン
デンサを並列接続した場合には、（入力端子間の電圧の
値が零になった後）放電ランプと直列接続した被制御手
樽体スイッチが再び導通状態になったとき、このコンデ
ンサおよびコイルの協同動作のため一時入力端子のほぼ
２倍という大きい過渡瞬時電圧がランプの両端間に発生
するという過渡現象が起る・。従って、被ＷＩＪｍ半導
体スイッチが導通する一時を、放電ランプ両端間の一時
電圧が所要の再点弧電圧の０．５倍を相える一時に選定
した場合、前記大きい過渡瞬時電圧により再点弧が起る
。放電ランプ両端間の瞬時電圧が所要の再点弧電圧の０
．８倍を超える一時まで被制御半導体スイッチを非導通
ならしめた場合には、晴朗間が比較的長くなり、従って
発光効率が低くなる。
デンサを並列接続した場合には、（入力端子間の電圧の
値が零になった後）放電ランプと直列接続した被制御手
樽体スイッチが再び導通状態になったとき、このコンデ
ンサおよびコイルの協同動作のため一時入力端子のほぼ
２倍という大きい過渡瞬時電圧がランプの両端間に発生
するという過渡現象が起る・。従って、被ＷＩＪｍ半導
体スイッチが導通する一時を、放電ランプ両端間の一時
電圧が所要の再点弧電圧の０．５倍を相える一時に選定
した場合、前記大きい過渡瞬時電圧により再点弧が起る
。放電ランプ両端間の瞬時電圧が所要の再点弧電圧の０
．８倍を超える一時まで被制御半導体スイッチを非導通
ならしめた場合には、晴朗間が比較的長くなり、従って
発光効率が低くなる。
被制御牛導体スイッチが導通ずる一時における放電ラン
プ両端間の電圧は作動屯田より高くする必要があり、そ
の理由はそうしないと放電ランプは再点弧された後出ち
に消灯するからである。
プ両端間の電圧は作動屯田より高くする必要があり、そ
の理由はそうしないと放電ランプは再点弧された後出ち
に消灯するからである。
なお放電ランプに並列にコンデンサを接続し、かつこの
放電ランプと直列にフィルを接続すること自体は西ドイ
ツ公開特許公報第２１５５２０５号から既知である。し
かしこの場合には、入力端１田のｉ周期の所定部分にお
いて導通する被制御半導体スイッチが放電ランプに重列
に接続されていない。従って上述した（周期的）過渡現
象は起らない。
放電ランプと直列にフィルを接続すること自体は西ドイ
ツ公開特許公報第２１５５２０５号から既知である。し
かしこの場合には、入力端１田のｉ周期の所定部分にお
いて導通する被制御半導体スイッチが放電ランプに重列
に接続されていない。従って上述した（周期的）過渡現
象は起らない。
本発明の回路配置では被制御半導体スイッチを、放電ラ
ンプの再点弧と次の鹸小邂圧（苓仙）発生時との間の時
間間隔において数回スイッチングさせるようにする。ま
たこのスイッチの非導通時にも放電ランプを介して、従
って第１整流器を介して電流が流れる。回路配置の入力
端子間への１！圧を供給した鋳の放電ランプのＭＩＵの
点弧は、例えば、回路配置の一部を構成する別個の補助
装置によって行う。
ンプの再点弧と次の鹸小邂圧（苓仙）発生時との間の時
間間隔において数回スイッチングさせるようにする。ま
たこのスイッチの非導通時にも放電ランプを介して、従
って第１整流器を介して電流が流れる。回路配置の入力
端子間への１！圧を供給した鋳の放電ランプのＭＩＵの
点弧は、例えば、回路配置の一部を構成する別個の補助
装置によって行う。
本発明の好適な実施例においては、的紀放電ランプの最
初の点弧のため前記制御回路が前記脈動直流電圧のほぼ
最大一時価において前記第１被制御半導体スイッチを導
通させるよう前記制御回路を構成する。
初の点弧のため前記制御回路が前記脈動直流電圧のほぼ
最大一時価において前記第１被制御半導体スイッチを導
通させるよう前記制御回路を構成する。
この実施例の利点は、岐初の点弧のために放電ランプに
高電圧を供給する別１１６ｉの補助装置を必要としない
ことである。被ｆｉ１１１１半導体スイッチを脈動直流
電圧のほぼピークｗＬ圧において導通させる場合には、
コイルおよびコンデンサの協同作用のためランプ両端間
の電圧は前記ピーク電圧の約２倍の電圧へ迅速に増大し
、従って放電ランプを点弧することができる。
高電圧を供給する別１１６ｉの補助装置を必要としない
ことである。被ｆｉ１１１１半導体スイッチを脈動直流
電圧のほぼピークｗＬ圧において導通させる場合には、
コイルおよびコンデンサの協同作用のためランプ両端間
の電圧は前記ピーク電圧の約２倍の電圧へ迅速に増大し
、従って放電ランプを点弧することができる。
従って、被制御半導体スイッチが４通および非。
導通状態になるＳ＊は作動状態の態嘩に対応することと
なる。
なる。
放電ランプには例えば予熱不能形式の電極を設けること
ができる。
ができる。
本発明による上記実施例の改良実施例では、前記放電ラ
ンプに第２被制御半編体スイッチを並列接続し、前記＃
！２被制御半導体スイッチを前記カソードの前記入力端
子から速力端に接続し、前記２個の被制御半導体スイッ
チの制御回路を、前記放電ランプの最初の点弧以前に前
記予熱可能１＆の予熱のため前記２個の被制御半導体ス
イッチを導通させるよう構成する。
ンプに第２被制御半編体スイッチを並列接続し、前記＃
！２被制御半導体スイッチを前記カソードの前記入力端
子から速力端に接続し、前記２個の被制御半導体スイッ
チの制御回路を、前記放電ランプの最初の点弧以前に前
記予熱可能１＆の予熱のため前記２個の被制御半導体ス
イッチを導通させるよう構成する。
この実施例の利点は、予熱可能電極を設けた普通の放電
ランプを使用した場合、この電極を第２被制御半導体ス
イッチを介して簡単な態様で予熱できることである。従
ってかかる放電ランプの寿命か低階されることとなる。
ランプを使用した場合、この電極を第２被制御半導体ス
イッチを介して簡単な態様で予熱できることである。従
ってかかる放電ランプの寿命か低階されることとなる。
１紀改良実施例における放電ランプの点弧動作は、第１
段階では、作動回路配置のスイッチオン後に第１および
第２被制御半導体スイッチを導通させる。これによりカ
ソードが予熱される。次いで第１被制御半導体スイッチ
従って第２被ｌ＆ＩＪ（２）半導体スイッチを非導通と
する。次いで第１ｗ１制御半導体スイッチを前述した郭
俸で導通させ、その結果放電ランプの両端間に人へ力電
圧のピーク電圧のはぼ２倍の電圧が発生する。放電ラン
プの点弧後には第１被ａｌ＃半導体スイッチを制御する
タイミングは作動条件に適合させるようにする。
段階では、作動回路配置のスイッチオン後に第１および
第２被制御半導体スイッチを導通させる。これによりカ
ソードが予熱される。次いで第１被制御半導体スイッチ
従って第２被ｌ＆ＩＪ（２）半導体スイッチを非導通と
する。次いで第１ｗ１制御半導体スイッチを前述した郭
俸で導通させ、その結果放電ランプの両端間に人へ力電
圧のピーク電圧のはぼ２倍の電圧が発生する。放電ラン
プの点弧後には第１被ａｌ＃半導体スイッチを制御する
タイミングは作動条件に適合させるようにする。
上記改良実施例を一層改善した実施例では、前記放電ラ
ンプを含む直列回路に第８整流器を設ける。
ンプを含む直列回路に第８整流器を設ける。
この実施例の利点は、入力端子間のキャパシタンスが小
さいかまたは寄生キャパシタンスである場合にも、放電
ランプの最初の点弧を行わせるため入力電圧のピーク電
圧のほばｚＩｒ１！ＩのＷＥＥが放電ランプの両端間に
供給されることである。この第２整流器は、このピーク
電圧のけば２倍電圧に達した後、コンデンサ・およびコ
イルを含む回路における他の電気振動を防止する。従っ
て点弧が促進されることとなる。 一 本発明の他の実施例では、前記放電ランプがほぼ゛円形
断面を有する低圧水銀蒸気放電ランプであり、その外径
が最大で１１６ｍである。
さいかまたは寄生キャパシタンスである場合にも、放電
ランプの最初の点弧を行わせるため入力電圧のピーク電
圧のほばｚＩｒ１！ＩのＷＥＥが放電ランプの両端間に
供給されることである。この第２整流器は、このピーク
電圧のけば２倍電圧に達した後、コンデンサ・およびコ
イルを含む回路における他の電気振動を防止する。従っ
て点弧が促進されることとなる。 一 本発明の他の実施例では、前記放電ランプがほぼ゛円形
断面を有する低圧水銀蒸気放電ランプであり、その外径
が最大で１１６ｍである。
この実施例の利点は、放電ランプに対しコンデンサを並
列接続しない状態において高い発光効率が得られること
である。放電ランプの直径が比較的小さいため実際上こ
の放電ランプでは晴朗間に当り強い消イオン化が起るの
で再点弧電圧は所要値へ迅速に増大する。これは、本発
明による被制御半導体スイッチの制御およびコンデンサ
なしでは、一時入力電圧がこの大きい新替点弧１！田に
等しくなるまでに比較的長時間を曽し、その結果暗期間
が長くなるので、発光効率が低くなる。
列接続しない状態において高い発光効率が得られること
である。放電ランプの直径が比較的小さいため実際上こ
の放電ランプでは晴朗間に当り強い消イオン化が起るの
で再点弧電圧は所要値へ迅速に増大する。これは、本発
明による被制御半導体スイッチの制御およびコンデンサ
なしでは、一時入力電圧がこの大きい新替点弧１！田に
等しくなるまでに比較的長時間を曽し、その結果暗期間
が長くなるので、発光効率が低くなる。
図面につき本発明を説明する。
第１図において入力偽チェおよび■は正弦波交流電圧か
らはは無平滑全波整流によって得られる脈動自流電圧に
結合する。
らはは無平滑全波整流によって得られる脈動自流電圧に
結合する。
鍮チェは放電ランプ１８、フィル１４、ダイオード１４
ａ、第１半導体スイッチ１５、測定抵抗１６の直列回路
を介して端子Ｈに接続する。ランプ１８に並列に、コン
デンサ１Ｂと、第２半導体スイッチを含む装置Ｃとを接
続する。ランプ１８及びコイル１４の直列回路に第１整
流器１９を並列接続する。トランジスタ１５の制−回路
ハ矩形パル４発生器りを備える。パルス発生器Ｄ ハパ
ルス輻変１１１９Ｋに接続する。Ｆは保護装置を示す。
ａ、第１半導体スイッチ１５、測定抵抗１６の直列回路
を介して端子Ｈに接続する。ランプ１８に並列に、コン
デンサ１Ｂと、第２半導体スイッチを含む装置Ｃとを接
続する。ランプ１８及びコイル１４の直列回路に第１整
流器１９を並列接続する。トランジスタ１５の制−回路
ハ矩形パル４発生器りを備える。パルス発生器Ｄ ハパ
ルス輻変１１１９Ｋに接続する。Ｆは保護装置を示す。
制御回路の出力段Ｇによりトランジスタ１５を導通およ
び遮断する。
び遮断する。
８個のタイミング回路１ｉ、Ｊ、Ｋにより１ランジスタ
１５を、ランプ１８の種々の状態における所龍のタイミ
ングで作動させるよう制−する。引出タップＬおよびブ
ロックＮを介してタイミング制−に当り瞬時入力電圧も
間達させるようにすム測定抵抗１８の両端−ブロックＰ
の両端−を介してランプ１８を流れる瞬時電流もタイミ
ング制御に関連させるようにする。槙々のブロックＤ、
ＩＣ。
１５を、ランプ１８の種々の状態における所龍のタイミ
ングで作動させるよう制−する。引出タップＬおよびブ
ロックＮを介してタイミング制−に当り瞬時入力電圧も
間達させるようにすム測定抵抗１８の両端−ブロックＰ
の両端−を介してランプ１８を流れる瞬時電流もタイミ
ング制御に関連させるようにする。槙々のブロックＤ、
ＩＣ。
Ｆ、Ｇ、Ｈ，Ｊ、Ｋに補助直流電圧を供給する補助回路
は第１図に示・してない。
は第１図に示・してない。
第８図は第１図の回路を詳細に示し、第１及び２図にお
いて同じ数字は同じ回路ｇ！索を示す。
いて同じ数字は同じ回路ｇ！索を示す。
第２図において入力端子ｌおよび８は約８ｚＯＶ 、
５０ ｎｚの幹線電圧に結合する。端子１及び２はコン
デンサ８を介して互に接続する。また端子ｌ及び怠はコ
イル４およびコンデンサ６の直列回路を介して互に接続
する。コイル４およびフン矢）喘ｔお上林蔦ヘデンサ６
の共通接続点は１個のダイオード７〜１Ｇを設けた第１
整流ブリツジ８（全波整流装置）の一方の入力端子に接
続する。
５０ ｎｚの幹線電圧に結合する。端子１及び２はコン
デンサ８を介して互に接続する。また端子ｌ及び怠はコ
イル４およびコンデンサ６の直列回路を介して互に接続
する。コイル４およびフン矢）喘ｔお上林蔦ヘデンサ６
の共通接続点は１個のダイオード７〜１Ｇを設けた第１
整流ブリツジ８（全波整流装置）の一方の入力端子に接
続する。
入力端子２はコイル１１を介して整流ブリッジ６の他方
入力端子に接続する。整流ブリッジ６の一力の入力端チ
ェはランプ１８、コイル１４、ダイオード１４ａ、第１
被ＦＭＪｉＩＭ１半導体スイッチ１５、抵抗１６の直列
回路を介して整流ブリッジ６の他方出力端子ｎに接続す
る。入力端子１および２から整流ブリッジ６を介して上
記直列回路に至る接続部が本例の電気回路配電の主電流
回路を構成する。ランプ１８は約１５Ｗランプで円形断
面を有し、その外径は１１ｍ１１＋である。従ってこの
外径は２ｔ３ｍｓより小さい。
入力端子に接続する。整流ブリッジ６の一力の入力端チ
ェはランプ１８、コイル１４、ダイオード１４ａ、第１
被ＦＭＪｉＩＭ１半導体スイッチ１５、抵抗１６の直列
回路を介して整流ブリッジ６の他方出力端子ｎに接続す
る。入力端子１および２から整流ブリッジ６を介して上
記直列回路に至る接続部が本例の電気回路配電の主電流
回路を構成する。ランプ１８は約１５Ｗランプで円形断
面を有し、その外径は１１ｍ１１＋である。従ってこの
外径は２ｔ３ｍｓより小さい。
ランプ１８にはコンデンサ１Ｂを並列接続する。
ランプ１８およびコイルト多の直列回路に対する並列回
路には第１整流器１９を設ける。更にランプ１８に対し
ては、抵抗２０および第２被制御半導体スイッチ２１の
直列回路を並列接続する。更にランプ１８には抵抗２２
およびトランジスタ２３の直列回路を並列接続する。抵
抗８１および）ランジスタ２８の共通接続点を第２被制
紳半導体スイッチ２１０制哩電極に！ｉＩＭする。また
この共通ｗ！続点は直列接続したコンデンサＢ８ａおよ
びダイオードＦＡ４を介してランプ１８の予熱可能電極
（カソード）ｓ６およびコイル１４に接続するＯコンデ
ンサｇ８ｊＬおよびダイオードｇ４の共通接続点は抵抗
＠ｆｌを介してトランジスタ２Ｂのペースに接続する。
路には第１整流器１９を設ける。更にランプ１８に対し
ては、抵抗２０および第２被制御半導体スイッチ２１の
直列回路を並列接続する。更にランプ１８には抵抗２２
およびトランジスタ２３の直列回路を並列接続する。抵
抗８１および）ランジスタ２８の共通接続点を第２被制
紳半導体スイッチ２１０制哩電極に！ｉＩＭする。また
この共通ｗ！続点は直列接続したコンデンサＢ８ａおよ
びダイオードＦＡ４を介してランプ１８の予熱可能電極
（カソード）ｓ６およびコイル１４に接続するＯコンデ
ンサｇ８ｊＬおよびダイオードｇ４の共通接続点は抵抗
＠ｆｌを介してトランジスタ２Ｂのペースに接続する。
残りの回路部分はトランジスタ１５の制御回路を構成す
る。このＩ制御回路には４個のダイオード８１〜８４を
含む第８整流ブリツジ８０を介してｂａする０コイル会
・および第１整流ブリ°ノジ６の共通接続点はコンデン
サ８６を介して第８整流ブリツジ８０の一方の入力端子
に接続する。コイル１１および整流ブリッジ６の共通接
続点はコンデンサ８Ｂを介して整流ブリッジ８０の他方
入力端子に接続する。ブリッジδ０の２個の出力端子は
コンデンサ８７を介して互に接続し、また°ツェナーダ
イオード８Ｂを介して互に接続する。更にブリッジ８Ｇ
の一方の出力端子喀ま抵抗４０の一端に接続し、この抵
抗の他端は＊ｈ導体ムに接続する。
る。このＩ制御回路には４個のダイオード８１〜８４を
含む第８整流ブリツジ８０を介してｂａする０コイル会
・および第１整流ブリ°ノジ６の共通接続点はコンデン
サ８６を介して第８整流ブリツジ８０の一方の入力端子
に接続する。コイル１１および整流ブリッジ６の共通接
続点はコンデンサ８Ｂを介して整流ブリッジ８０の他方
入力端子に接続する。ブリッジδ０の２個の出力端子は
コンデンサ８７を介して互に接続し、また°ツェナーダ
イオード８Ｂを介して互に接続する。更にブリッジ８Ｇ
の一方の出力端子喀ま抵抗４０の一端に接続し、この抵
抗の他端は＊ｈ導体ムに接続する。
ブリッジ８０の他方出力端子は抵抗４１の一端に接続し
、抵抗４１の他端は達ｈ−導体Ｂに接続する。
、抵抗４１の他端は達ｈ−導体Ｂに接続する。
導体ムおよびＢは多数の回路素子を介して互に接ける。
１ランジスタ４−のエミッタ電極は抵抗４５を介して主
電流回路における抵抗１６およびブリッジ６の出力端チ
ェの共通接続点に接続する。抵抗１６およびトランジス
タ１５の共通接続点はトランジスタ１５の制御回路の１
！！！続導体Ｂに接続する。更に導体Ａを抵抗４６の一
端に接続し、抵抗４６の他端を［ランジスタ４７のエミ
ッタに接続する。シランジスタ会７のペースは抵抗４８
およびトランジスタ４４の共通接続点に接続する。トラ
ンジスＩｂ１（ＤコレクタはＰｈ１ｌｉｐＳ ！ｆ：
ｌ！ ｔｙＰｅＡ４５２−の集積回路（以下工０回路と
称す）５５の入力端子８に箇綬する。また導体ムおよび
Ｂの間には［ランジスタ５Ｇおよび抵抗Ｆ１１ｂの直列
回路を接続する。トランジスタ５０のエミッタおよびペ
ースは抵抗５１を介して互に接続する。更にトランジス
タ５０のペースはトランジスタ５１ａのコレクタに接続
する。トランジスタ５１ａのペースは導体Ｂに接続する
。トランジスタ５１ａのエミッタは抵抗５ｇおよびツェ
ナーダイオード５δの直列回路を介して抵抗４１ｓおよ
び端子型の共通接続点に接続する。更にトランジスタ６
０のコレクタはコンデンサ５４ｆ：介して導体Ｂに接続
する。
電流回路における抵抗１６およびブリッジ６の出力端チ
ェの共通接続点に接続する。抵抗１６およびトランジス
タ１５の共通接続点はトランジスタ１５の制御回路の１
！！！続導体Ｂに接続する。更に導体Ａを抵抗４６の一
端に接続し、抵抗４６の他端を［ランジスタ４７のエミ
ッタに接続する。シランジスタ会７のペースは抵抗４８
およびトランジスタ４４の共通接続点に接続する。トラ
ンジスＩｂ１（ＤコレクタはＰｈ１ｌｉｐＳ ！ｆ：
ｌ！ ｔｙＰｅＡ４５２−の集積回路（以下工０回路と
称す）５５の入力端子８に箇綬する。また導体ムおよび
Ｂの間には［ランジスタ５Ｇおよび抵抗Ｆ１１ｂの直列
回路を接続する。トランジスタ５０のエミッタおよびペ
ースは抵抗５１を介して互に接続する。更にトランジス
タ５０のペースはトランジスタ５１ａのコレクタに接続
する。トランジスタ５１ａのペースは導体Ｂに接続する
。トランジスタ５１ａのエミッタは抵抗５ｇおよびツェ
ナーダイオード５δの直列回路を介して抵抗４１ｓおよ
び端子型の共通接続点に接続する。更にトランジスタ６
０のコレクタはコンデンサ５４ｆ：介して導体Ｂに接続
する。
ＩＣ回路５５の端子ｌはコンデンサ５６を介してその端
子２に接続する。工０回路５６の端子δは抵抗６７を介
して導体ムに接続し、端子金は導体Ｂに接続する。工０
回路５５の端子５は別の工０回路）０に接続し、本例で
はその端子ｌ、２゜１１に接続する。１０回路５６の端
子６はＩＣ回路７０の端子８に接続する。ＩＣ回路７０
として本例ではｐｈ土１１ｐｓ社製ｔｙｐｅ４０９８を
使用する０１ｃ回路５５の端子Ｂはその端子４に接続す
る。
子２に接続する。工０回路５６の端子δは抵抗６７を介
して導体ムに接続し、端子金は導体Ｂに接続する。工０
回路５５の端子５は別の工０回路）０に接続し、本例で
はその端子ｌ、２゜１１に接続する。１０回路５６の端
子６はＩＣ回路７０の端子８に接続する。ＩＣ回路７０
として本例ではｐｈ土１１ｐｓ社製ｔｙｐｅ４０９８を
使用する０１ｃ回路５５の端子Ｂはその端子４に接続す
る。
工０回路５５の端子９はＩ（３回路６０の端子１８に接
続する。１０回路６５の端子１１１１３゜１８は直流電
源（図示せず）の約１０７の正電圧端子に接続する。Ｉ
Ｃ回路５６の端子１ｇはコンデンサ６８を介して導体Ｂ
に＃＆綬し、抵抗５９を介して導体ムに接続する。ＩＣ
回路５５の端子１４は抵抗６１を介して導体ムに接続し
、かつコンデンサ５ｇを介して端子１６に接続する。工
０回路６０の端子１および２はコンデンサ８２ａを介し
て互に接続する。ＩＣ回路８０は本例ではＩＣ回路５５
と同一形式のものを使用する。工０回路６０の端子２は
抵抗６８を介して導体ムにも接続する。
続する。１０回路６５の端子１１１１３゜１８は直流電
源（図示せず）の約１０７の正電圧端子に接続する。Ｉ
Ｃ回路５６の端子１ｇはコンデンサ６８を介して導体Ｂ
に＃＆綬し、抵抗５９を介して導体ムに接続する。ＩＣ
回路５５の端子１４は抵抗６１を介して導体ムに接続し
、かつコンデンサ５ｇを介して端子１６に接続する。工
０回路６０の端子１および２はコンデンサ８２ａを介し
て互に接続する。ＩＣ回路８０は本例ではＩＣ回路５５
と同一形式のものを使用する。工０回路６０の端子２は
抵抗６８を介して導体ムにも接続する。
ＩＣｔｇｌ路６０の端子８および１８は直流電源（図示
せず）の約１０Ｖの正電圧端子に接続する。ＩＣ回路６
０の端子金は導体Ｂに接続し、端子５はＩＣ回路７０の
端子４に１１１＆する。Ｉ（３回路６０の端子７はダイ
オード６４を介して、ＩＣ回路５５の端子８からダイオ
ード６Ｂを介してＩＣ回路７０の端子６に至る一結義上
に位置する共通接続点６ｂに接続する。ＩＣ回路８０の
端子９はダイオード６６およびＩＣ回路７０の端子６の
共通接続点に接続する。１０回路６０の端子１１は抵抗
６７の一端に接続し、その他端は主電流回路におけるラ
ンプ１８および端チェの間に接続する。更にＩＣ回路６
０の端子１１はコンデンサｆ１７ａ、抵抗６７ｂ１ツェ
ナーダイオード８７０の並列回路を介して導体Ｂに接続
する。１０回路６０の端子１２は導体Ｂに接続し、端子
１４は抵抗６８の一端に接続し、抵抗６Ｂの他端は導体
Ａに接続する。更にＩＯ回路６０の端子１４および１５
はコンデンサ６９を介して互に接続する。
せず）の約１０Ｖの正電圧端子に接続する。ＩＣ回路６
０の端子金は導体Ｂに接続し、端子５はＩＣ回路７０の
端子４に１１１＆する。Ｉ（３回路６０の端子７はダイ
オード６４を介して、ＩＣ回路５５の端子８からダイオ
ード６Ｂを介してＩＣ回路７０の端子６に至る一結義上
に位置する共通接続点６ｂに接続する。ＩＣ回路８０の
端子９はダイオード６６およびＩＣ回路７０の端子６の
共通接続点に接続する。１０回路６０の端子１１は抵抗
６７の一端に接続し、その他端は主電流回路におけるラ
ンプ１８および端チェの間に接続する。更にＩＣ回路６
０の端子１１はコンデンサｆ１７ａ、抵抗６７ｂ１ツェ
ナーダイオード８７０の並列回路を介して導体Ｂに接続
する。１０回路６０の端子１２は導体Ｂに接続し、端子
１４は抵抗６８の一端に接続し、抵抗６Ｂの他端は導体
Ａに接続する。更にＩＯ回路６０の端子１４および１５
はコンデンサ６９を介して互に接続する。
工０回路７０の端子８はコンデンサ７１を介して端子１
８に接続し、端子７は導体Ｂに接続する。
８に接続し、端子７は導体Ｂに接続する。
ＩＣ回路７０の端子９は抵抗！６を介して導体Ｂに接続
し、端子ｌＯは２個のトランジスタ７８および７４のベ
ースに接続し、端子１１および１８は抵抗７５を介して
互に接続し、〜かつ端子１２および１８を互に接続する
。ＩＣ回路７０の端子１４は直流電源（図示せず）の約
１０Ｖの正を圧端子に接続し、更に、端子９は抵抗７６
およびコンデンサフッの直列回路を介して導体Ｂに接続
する。
し、端子ｌＯは２個のトランジスタ７８および７４のベ
ースに接続し、端子１１および１８は抵抗７５を介して
互に接続し、〜かつ端子１２および１８を互に接続する
。ＩＣ回路７０の端子１４は直流電源（図示せず）の約
１０Ｖの正を圧端子に接続し、更に、端子９は抵抗７６
およびコンデンサフッの直列回路を介して導体Ｂに接続
する。
トランジスタフ８および７４を直列接続して導体ムおよ
びＢの間に！１ｉＩｋＲする。８１−の抵抗？ ８，７
９゜８０の直列回路を導体ムおよびトランジスタ８１ノ
ヘースの間にｔ！２＆！２する。抵ｈ７９および８０の
共ａ接続点を２個のトランジスタ７８および７４のエミ
ッタに接続する。抵抗７９にはコンデンサ８２を並列Ｆ
＆紗し、抵抗８０にはコンデンサ８８を並列接続する。
びＢの間に！１ｉＩｋＲする。８１−の抵抗？ ８，７
９゜８０の直列回路を導体ムおよびトランジスタ８１ノ
ヘースの間にｔ！２＆！２する。抵ｈ７９および８０の
共ａ接続点を２個のトランジスタ７８および７４のエミ
ッタに接続する。抵抗７９にはコンデンサ８２を並列Ｆ
＆紗し、抵抗８０にはコンデンサ８８を並列接続する。
更に、導体Ａにはコンデンサ８４および抵抗８５の直列
回路の一端を接続し、この直列回路の他端はトランジス
タ８６のエミッタにｋＨする。トランジスタ８６はその
ベースを抵抗７８および７９の共通接続点に接続し、か
つそのコレクタを抵抗８７およびコイル８８の並列回路
の一端に接続し、この並列回路の他端はトランジスタ８
１のコレクタに接続する。トランジスタ８１のエミッタ
は導体Ｂに接続する。トランジスタ８６め”コレクタお
よびコイル８８の共通接続点はトランジスタ１５のベー
スに接続し、この接１１ｘ＆介してトランジスタ１５の
制卸が行われる。
回路の一端を接続し、この直列回路の他端はトランジス
タ８６のエミッタにｋＨする。トランジスタ８６はその
ベースを抵抗７８および７９の共通接続点に接続し、か
つそのコレクタを抵抗８７およびコイル８８の並列回路
の一端に接続し、この並列回路の他端はトランジスタ８
１のコレクタに接続する。トランジスタ８１のエミッタ
は導体Ｂに接続する。トランジスタ８６め”コレクタお
よびコイル８８の共通接続点はトランジスタ１５のベー
スに接続し、この接１１ｘ＆介してトランジスタ１５の
制卸が行われる。
ＩＣ回路６５の端子９〜１６との接続部は２分の１秒の
周期を実現するためのタイミング１−路に関連する０こ
れは第１図のプロ゛ツクＨに対応する。
周期を実現するためのタイミング１−路に関連する０こ
れは第１図のプロ゛ツクＨに対応する。
ＩＣ回路６０の端子１〜Ｂとの接Ｍｓは約４ｍ秒の周期
を実現するためのタイミング回路に関連する。これは第
１図のブロックＪに対応する。このＩＯ回路６０の残り
の端子即ち端子９〜１Ｂとの接続部は約１ｍ秒の周期を
実現するためのタイミング回路に関連する。こｎは第１
図のプロ°７りＫに対応する。
を実現するためのタイミング回路に関連する。これは第
１図のブロックＪに対応する。このＩＯ回路６０の残り
の端子即ち端子９〜１Ｂとの接続部は約１ｍ秒の周期を
実現するためのタイミング回路に関連する。こｎは第１
図のプロ°７りＫに対応する。
工０回路７０．の端子１〜８および１１〜１８との接続
部は第１図の矩形パルス発生器りに対応する０工０回路
６５の端子１〜８との接続部は第１図のパルス幅変ｆＩ
ＩＵ器Ｅに対応する。ＩＯ回路７０の端子８〜１０との
接続部は第１図の保麹装置Ｆに対応する。制御回路の出
力段７８および７４並に７８〜Ｂ８は第１図の出力段Ｇ
に対応する。この出力段は）ランジスタ１５のベースに
接続する。
部は第１図の矩形パルス発生器りに対応する０工０回路
６５の端子１〜８との接続部は第１図のパルス幅変ｆＩ
ＩＵ器Ｅに対応する。ＩＯ回路７０の端子８〜１０との
接続部は第１図の保麹装置Ｆに対応する。制御回路の出
力段７８および７４並に７８〜Ｂ８は第１図の出力段Ｇ
に対応する。この出力段は）ランジスタ１５のベースに
接続する。
上に説明した回路配置の動作は次の通りである。
入力端子１および２を約１１１２０Ｖ、５０ｆｌＺの電
源に接続するとパルス発生器りが作動状態となり、サイ
リスタ１１１（装置Ｏにおける）が導通し、タイミング
回路Ｈが起動する。タイミング回路Ｈの機能は他の２個
のタイミング回路ＪおよびＫを２分の１秒間にわたり遮
断することである。この２分の１秒間にパルス発生器Ｄ
（約ｆｉ ＯｋＨｚ ）は／ぐルス輻変―器Ｅ１保―装
置Ｆ１出力段Ｇを介してトランジスタ１６に制ｉｋｌ
信号を供給するので、トランジスタ１５は周期的にスイ
ッチングされる。
源に接続するとパルス発生器りが作動状態となり、サイ
リスタ１１１（装置Ｏにおける）が導通し、タイミング
回路Ｈが起動する。タイミング回路Ｈの機能は他の２個
のタイミング回路ＪおよびＫを２分の１秒間にわたり遮
断することである。この２分の１秒間にパルス発生器Ｄ
（約ｆｉ ＯｋＨｚ ）は／ぐルス輻変―器Ｅ１保―装
置Ｆ１出力段Ｇを介してトランジスタ１６に制ｉｋｌ
信号を供給するので、トランジスタ１５は周期的にスイ
ッチングされる。
その結果回路ｇＯ，ｇ１，２５．１４ａ、１５に電流が
流れ、カソード２６が予熱されることとなる。
流れ、カソード２６が予熱されることとなる。
前記８分の１秒の俵にタイミング回路Ｊは端チェおよび
ｎの間の入力電圧の各次の最小値毎に作動状１となる。
ｎの間の入力電圧の各次の最小値毎に作動状１となる。
この段階ではランプ１８は未だ点弧されず、タイミング
回路にはタイミング回路Ｊの出力パルスの後縁毎にトリ
ガされる。その結果トランジスタ１５が１ｍ秒間にわた
り非導通状態となる。
回路にはタイミング回路Ｊの出力パルスの後縁毎にトリ
ガされる。その結果トランジスタ１５が１ｍ秒間にわた
り非導通状態となる。
その際装置Ｃではトランジスタ２８がカソード２５の両
端間の電圧の増大によって導通状態となるため、サイリ
スタ２１の制御信号が消滅する。
端間の電圧の増大によって導通状態となるため、サイリ
スタ２１の制御信号が消滅する。
その場合サイリスタ２１は、上述したようにトランジス
タ１５が非導通状態になるので、遮断さｎる。こｎはカ
ソード２５の予熱の終端を意味する。
タ１５が非導通状態になるので、遮断さｎる。こｎはカ
ソード２５の予熱の終端を意味する。
１ｍ秒のパルスが終了した後、トランジスタ１５が導通
状態になる。この瞬時（端チェおよびＨの間に最小電圧
が発生してから４＋１−５ｍ秒後）に、端チェおよび■
の間の瞬時入力電圧はそのピーク電圧にはげ等しくなる
。その結果、コンデンサ１８はコイル１４を介してこの
入力電圧のピーク値の約２倍の電圧まで迅速に充電され
る。この２倍電圧はランプ１８の電極間にも供給される
。
状態になる。この瞬時（端チェおよびＨの間に最小電圧
が発生してから４＋１−５ｍ秒後）に、端チェおよび■
の間の瞬時入力電圧はそのピーク電圧にはげ等しくなる
。その結果、コンデンサ１８はコイル１４を介してこの
入力電圧のピーク値の約２倍の電圧まで迅速に充電され
る。この２倍電圧はランプ１８の電極間にも供給される
。
なおダイオード１４ａ（第１１整流器）を使用するとこ
の８倍電圧が極、めで短時間の間しかランプ１８間に供
給されなくなるのが防止される。
の８倍電圧が極、めで短時間の間しかランプ１８間に供
給されなくなるのが防止される。
かくしてランプ１８は作動状態となる。その場合タイミ
ング回路には４ｍ秒パルスの前縁において起動する。そ
の結果トランジスタ１６は入力電圧（端チェおよび■の
間）最小の瞬時以降１ｍ秒の間遮断される。次いでトラ
ンジスタ１５が再び導通すると、ランプ１８に再点弧電
圧が供給される。こｎは、所要の再点弧電圧の０．５乃
至０．８倍の電圧が生じた瞬時に起る。本例では所要再
点弧ｗＬＥＥ、の約０．８倍の電圧が発生する。しかし
、トランジスタ１５が導通している場合コイル１４およ
びコンデンサ１８により２ ｉｔ″ｆ亀圧を発生させる
ことによって、ランプ１８の両端間にはこのランプをｔ
ｔｉ頼度の高い態様で再点弧する電圧が得らｎる。
ング回路には４ｍ秒パルスの前縁において起動する。そ
の結果トランジスタ１６は入力電圧（端チェおよび■の
間）最小の瞬時以降１ｍ秒の間遮断される。次いでトラ
ンジスタ１５が再び導通すると、ランプ１８に再点弧電
圧が供給される。こｎは、所要の再点弧電圧の０．５乃
至０．８倍の電圧が生じた瞬時に起る。本例では所要再
点弧ｗＬＥＥ、の約０．８倍の電圧が発生する。しかし
、トランジスタ１５が導通している場合コイル１４およ
びコンデンサ１８により２ ｉｔ″ｆ亀圧を発生させる
ことによって、ランプ１８の両端間にはこのランプをｔ
ｔｉ頼度の高い態様で再点弧する電圧が得らｎる。
この電圧はランプ１８の約６０Ｖの作動電圧を既に槓え
ている。
ている。
ランプ１８の再点弧と、次の最小電圧発生時との間の時
間間隔においてトランジスタ１５は約５０ｋＨ２の周波
数でスイッチングざ１１る。従ってトランジスタ１５の
非導通時には本例では第１整流詣１９を介してランプ１
３に電流が流れる。
間間隔においてトランジスタ１５は約５０ｋＨ２の周波
数でスイッチングざ１１る。従ってトランジスタ１５の
非導通時には本例では第１整流詣１９を介してランプ１
３に電流が流れる。
上述した実施例の回路票子の数値例を次に示す。
コンデンサ８ 約０．８８μＦ
ｌ ５ 約０．８８μＦ
＃ ２８＆ 約８８ ｎＦ
ｌ ８５及８６約 ０．８３μＦ
ｙ ８７ 約ｌｏ ｐｙ
コンデンサ ４１１ 約 Ｈ／ＪＦｌ ｂ４
約１０ ｎＦ １ ６８ 約 １ ｎＦｌ ６２
約１００ ｎＦ ＃８ｇａ＋Ｆｌｌｎｉ’ ＃ Ｏｖａ ＃ｉｏｏ ｐＦ ｌ ６９ 約８２１０ ｐＦ ｌ ７１ 約１０ ｐＦ ｌ グア 約 １ｏ ｎｔｒｊ
Ｆ ８ｇ 約１００ ｐＦｌ ８８
約 ａ ｎＦｌ ８４ 約１０ ｎＦ コ イ ル ４ 約 ２２
μＨ＃ １４ 約 ７ ｍＨｌ
１１ 約２００ μＨ ｌ ８８ 約ｌＯμＨ 抵 抗ｇｏ 約１２Ω ｙ ２ｍ 約１００ １ｄ７ １ １６ 約 ８．δ Ωｌ ２６
約４７０Ｉ 抵 抗４０ 約１５０ Ω ＃４１ 約１５０ Ω ＪＦ ４８ 約２２０にΩ ｌ ４６ 約 １ Ω５１
＃Ｊ ４Ｍ７ Ωｌ ５２
約 １０ ｋΩｔ ５７ 約１５０ ｋΩ ４Ｉｓ 約ｔｏｏ ｋｌｊ ｙ ５９ 約 １０ ＭΩｌ
６１ 約 ８１１２ ｐｙ
６８ 約 ８Ｍ２ ΩＩＦ ６７ａ
約６８０にΩ ６７ 約 ８ＭｌΩ ６８ 約 ４Ｍ７ Ω ｌ ７２ 約 １Ｍ８ Ωｌ ７
５ 約ａｓｏ ｋ２ １ ７Ｂ 約 ２Ｍ２Ωｌ ７
８ 約 ６に８ΩＩ ７９
約 Ｉｌｌ ｋΩＩ ８０ 約
８に２Ω抵 抗８５ 約１００Ω ｊＦ ８７ 約２７０Ω 本例におけるランプ１Ｂの発光効率は約５０ルーメン／
ワツトである。
約１０ ｎＦ １ ６８ 約 １ ｎＦｌ ６２
約１００ ｎＦ ＃８ｇａ＋Ｆｌｌｎｉ’ ＃ Ｏｖａ ＃ｉｏｏ ｐＦ ｌ ６９ 約８２１０ ｐＦ ｌ ７１ 約１０ ｐＦ ｌ グア 約 １ｏ ｎｔｒｊ
Ｆ ８ｇ 約１００ ｐＦｌ ８８
約 ａ ｎＦｌ ８４ 約１０ ｎＦ コ イ ル ４ 約 ２２
μＨ＃ １４ 約 ７ ｍＨｌ
１１ 約２００ μＨ ｌ ８８ 約ｌＯμＨ 抵 抗ｇｏ 約１２Ω ｙ ２ｍ 約１００ １ｄ７ １ １６ 約 ８．δ Ωｌ ２６
約４７０Ｉ 抵 抗４０ 約１５０ Ω ＃４１ 約１５０ Ω ＪＦ ４８ 約２２０にΩ ｌ ４６ 約 １ Ω５１
＃Ｊ ４Ｍ７ Ωｌ ５２
約 １０ ｋΩｔ ５７ 約１５０ ｋΩ ４Ｉｓ 約ｔｏｏ ｋｌｊ ｙ ５９ 約 １０ ＭΩｌ
６１ 約 ８１１２ ｐｙ
６８ 約 ８Ｍ２ ΩＩＦ ６７ａ
約６８０にΩ ６７ 約 ８ＭｌΩ ６８ 約 ４Ｍ７ Ω ｌ ７２ 約 １Ｍ８ Ωｌ ７
５ 約ａｓｏ ｋ２ １ ７Ｂ 約 ２Ｍ２Ωｌ ７
８ 約 ６に８ΩＩ ７９
約 Ｉｌｌ ｋΩＩ ８０ 約
８に２Ω抵 抗８５ 約１００Ω ｊＦ ８７ 約２７０Ω 本例におけるランプ１Ｂの発光効率は約５０ルーメン／
ワツトである。
第１図は本発明の回路配置の概要を示すブロック図、
第ｇｖ！Ｊは第１図の回路配置の一例を詳細に示す回路
図である。 〇・・・第３半導体スイッチな含む装置Ｄ・・・矩形パ
ルス発生ＨＥ・・・パルス幅変嗣器Ｆ・・・保護装置
Ｇ・・・制御回路出力段Ｈ，Ｊ、Ｋ・・・タイ
ミング回路 ６・・・第１１１流ブリツジ １８．・、放電ランプ１
４・・・コイル １４ａ・・・ダイオード１５
・・・第１被制御半導体スイッチ ｌｆｌ・・・測定抵抗 １９・・・第１４１流器
Ｂ１・・・第８被ａ＋ｍ＋半導体スイッチ８０・・・＠
Ｓ整流ブリッジ ５５、ｆｌｏ、７０・・・ＩＣ回路。 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラ
ンペンファブリケン
図である。 〇・・・第３半導体スイッチな含む装置Ｄ・・・矩形パ
ルス発生ＨＥ・・・パルス幅変嗣器Ｆ・・・保護装置
Ｇ・・・制御回路出力段Ｈ，Ｊ、Ｋ・・・タイ
ミング回路 ６・・・第１１１流ブリツジ １８．・、放電ランプ１
４・・・コイル １４ａ・・・ダイオード１５
・・・第１被制御半導体スイッチ ｌｆｌ・・・測定抵抗 １９・・・第１４１流器
Ｂ１・・・第８被ａ＋ｍ＋半導体スイッチ８０・・・＠
Ｓ整流ブリッジ ５５、ｆｌｏ、７０・・・ＩＣ回路。 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラ
ンペンファブリケン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ ガスおよび／または＃気放電ランプ作動回路配置で
あって、前記放電ランプが前記作動回路配置の一部を構
成し、前記作動回路配置には２個の入力端子を設け、正
弦波状交番電圧からほば無平滑全波整流によって得られ
る電圧の波形に対応する波形の脈動直流電圧を供給する
給電装置に前記入力端子を接続し、前記入力端子を少な
くとも放電ランプ、コイルおよび第１被制−半導体スイ
ッチの直列回路を介して互に接続し、前記直列回路にお
いて前記放電、ランプを含むが前記第１被制御半導体ス
イッチとは直接接続されない部分と並列に第１整流器を
接続し、制御回路により前記脈動直流電圧の各周期に当
り前記第１被制御１４体スイッチを数回スイッチングす
るガスおよび／または蒸気放電ランプ作動回路配置にお
いて、前記放電ランプにコンデンサを並列接続し、作動
状態においては前記制御回路により、前記脈動直流電圧
の最小電圧が発生する毎に前記第１被制御半導体スイッ
チをスイッチオフし、また前記放電ランプの両端間の糾
時電圧が所要再点弧Ｗｔ圧の０．５〜０．８倍となりか
つ前記放電ランプの作動電圧を超えた場合だけ前記第１
被制御半導体スイッチを導通させるよう構成したことを
特許とするガスおよび／または蒸気放電ランプ作動回路
配置。 ｉ 特許請求の範囲第１項記載の作動回路配置において
、前記放電ランプの最初の点弧のため前記制御回路が前
記脈動直流を圧のけば最大一時価において前記第１被制
御牛導体スイッチを導通させるよう前記制御回路を構成
する作動回路配置。 ＆ 前記放電ランプにカソードとして作動する予熱可能
電極を設ける特許請求の範囲第２項記載の作動回路配置
において、前記放電ランプに第２被制哩半導体スイッチ
を並列ｗ！験し、前記第２被制哩半導体スイッチを前記
カソードの前記入力端子から遠方端にｔａ’Ｍ Ｌ、前
記２個の被１ｌｉ１１１１半導体スイッチの制御回路を
、前記放電ランプの最初の点弧以前に前記予熱可能電極
の予熱のため前記２個の被制御半導体スイッチを導通さ
せるよう構成する作動回路配置。 ４ 特許請求の範囲第８または８項記載の作動回路配置
において、前記放電ランプを含む直列回路に第８整流器
を設ける作動回路配置。 器 特ｉＦＦ請求の範囲１，２．ａまたは４項記載の作
動回路配置において、前記放電ランプかほば円形断面を
有する低圧水銀＃気放電ランプであり、その外径が最大
で８８ｍである作動回路配置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8104200A NL8104200A (nl) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | Elektrische schakeling voor het bedrijven van een gas- en/of dampontladingslamp. |
| NL8104200 | 1981-09-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857291A true JPS5857291A (ja) | 1983-04-05 |
Family
ID=19838043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57156887A Pending JPS5857291A (ja) | 1981-09-11 | 1982-09-10 | ガスおよび／または蒸気放電ランプ作動回路配置 |
Country Status (5)
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|---|---|
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| JP (1) | JPS5857291A (ja) |
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| NL (1) | NL8104200A (ja) |
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