JPS5855858A - 結晶方位測定方法 - Google Patents
結晶方位測定方法Info
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- JPS5855858A JPS5855858A JP56153691A JP15369181A JPS5855858A JP S5855858 A JPS5855858 A JP S5855858A JP 56153691 A JP56153691 A JP 56153691A JP 15369181 A JP15369181 A JP 15369181A JP S5855858 A JPS5855858 A JP S5855858A
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- Japan
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- crystal
- crack
- sample
- measuring
- single crystal
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフェライト等の単結晶の結晶方位を測定する方
法に関するものである。
法に関するものである。
磁気ヘッドに用いられるＭ％−ＺＡ系あるいはＮｔ −
Ｚｈ系の単結晶フェライト等においてはその結晶方位が
磁化容易軸、磁気特性と関連し工おり、特定の方位を用
いて製品化している。したがってこのような製品の生産
においては、結晶方位を決定、確認することがｉ要な作
業となっている。
Ｚｈ系の単結晶フェライト等においてはその結晶方位が
磁化容易軸、磁気特性と関連し工おり、特定の方位を用
いて製品化している。したがってこのような製品の生産
においては、結晶方位を決定、確認することがｉ要な作
業となっている。
結晶方位を測定するには１表向をわずかにエツチングし
、そのエッチ・ピットを顕微−で観察し、ゴニオメータ
で方位を決定する方法がとられている。この方法は、き
わめて正確に結晶の方位を測定できる。そして結晶軸の
方位を測定して単結晶材料を切断し、愚見ヘッド素材ブ
ロックを切り出す手段とし℃は、きわめて優秀なもので
ある。
、そのエッチ・ピットを顕微−で観察し、ゴニオメータ
で方位を決定する方法がとられている。この方法は、き
わめて正確に結晶の方位を測定できる。そして結晶軸の
方位を測定して単結晶材料を切断し、愚見ヘッド素材ブ
ロックを切り出す手段とし℃は、きわめて優秀なもので
ある。
しかしながら切出し几結晶プａツクの方位を確認する手
段とし工は、エッチングエ橿を必要とし、顕微＠による
観測など、工程が複雑で熟練を要するものであり、現場
等で簡単に行な兄ないという欠点があり次。
段とし工は、エッチングエ橿を必要とし、顕微＠による
観測など、工程が複雑で熟練を要するものであり、現場
等で簡単に行な兄ないという欠点があり次。
本発明は上記した従来技術の欠点をなくし、簡便に結晶
方位の測定、確認をすることができるようにした結晶方
位測定方法を提供するＫｊｂる。
方位の測定、確認をすることができるようにした結晶方
位測定方法を提供するＫｊｂる。
即ち本発明は、レーザビームを単結晶の表面に照射して
、これにより照射部に生じるクラックの方向と結晶軸の
方向との一定の１３Ｉｌ係から結晶軸の方向を測定する
ことを待機とするものである。
、これにより照射部に生じるクラックの方向と結晶軸の
方向との一定の１３Ｉｌ係から結晶軸の方向を測定する
ことを待機とするものである。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体的に説明
する。
する。
ところで第１図に示すような装置で試料単結晶のブロッ
クにレーザ照射を行なった。そしてレーザ発振器１より
出逢レーザビーム２を反射ミラー５により反射させ、集
光レンズ４により載′吻台６の上の試料単結晶ブロック
５は集光照射する。その結果単結晶の照射部には微細な
りラックが生じるがこのクラックの方向は単結晶の面方
位と密接に関係していることがわかった。
クにレーザ照射を行なった。そしてレーザ発振器１より
出逢レーザビーム２を反射ミラー５により反射させ、集
光レンズ４により載′吻台６の上の試料単結晶ブロック
５は集光照射する。その結果単結晶の照射部には微細な
りラックが生じるがこのクラックの方向は単結晶の面方
位と密接に関係していることがわかった。
第２図にその結果の肉？示す。第２図に８いて７は単結
晶ブロックであり、８α、９α、１０α＋＊各’ｔ ソ
ノ（２１１） ａｕ ｔ （”’ Ｉ ｍ ＃ （”ｏ
）面を示す。まｆｃＩｌｆ線１１は＜ １００ ＞方向
を示す。
晶ブロックであり、８α、９α、１０α＋＊各’ｔ ソ
ノ（２１１） ａｕ ｔ （”’ Ｉ ｍ ＃ （”ｏ
）面を示す。まｆｃＩｌｆ線１１は＜ １００ ＞方向
を示す。
これらの面にレーザを照射した跡がＦ３ｂ 、 ９ｂ。
１０．６である。これらのレーザ照射部分の頭倣跳によ
る仏大図をｆ３ｃ 、 ９ｃ 、 １０Ｃに示すが、こ
れらはいずれも同様の形状のクラックであり、一方向に
長いクラックの列と、それと１ミぼ画直なラダー状のク
ラックから成り工いる。
る仏大図をｆ３ｃ 、 ９ｃ 、 １０Ｃに示すが、こ
れらはいずれも同様の形状のクラックであり、一方向に
長いクラックの列と、それと１ミぼ画直なラダー状のク
ラックから成り工いる。
８Ｃにおいては長いクラックの方向は（２１１７面、（
ｔｔｔｌの交線と４５″をなす方向である。
ｔｔｔｌの交線と４５″をなす方向である。
９Ｃにおいては長いクラックの方向は（１１１）面。
（１ｔｏ ）面の交線と平行な方向である。さらに１０
７においては長いクラックの方向は＜ ＩＵＯ＞方向と
一致している。これらのクラックの方向性はレーザ照射
の５１！１すなわちパワーの大きさ。
７においては長いクラックの方向は＜ ＩＵＯ＞方向と
一致している。これらのクラックの方向性はレーザ照射
の５１！１すなわちパワーの大きさ。
レーザビームの断面形状、偏光方向などを変えても変わ
らないことが確認された。よってレーザビームを試料表
面の一部に照射し、そのクラックの方向を＃！祭するこ
とにより試料単結晶の結晶方位の測定、確認ができるこ
とがわかる。
らないことが確認された。よってレーザビームを試料表
面の一部に照射し、そのクラックの方向を＃！祭するこ
とにより試料単結晶の結晶方位の測定、確認ができるこ
とがわかる。
更に具体的に本発明の実施例を第３図、４＠４図にもと
づいて説明する。
づいて説明する。
第３図においてレーザ発振器１２より出逢レーザビーム
１５はきラー１４により反射され、ハーフミラ−１５を
通過して対物レンズ１８により集光スポット１９を結び
、載物台２１の上に設置し几試料２０の表面に照射され
る。ハーフミラ−１５、リレーレンズ１６、レチクル１
６α接眼し／ズ１７より成る観察光学系は試料の位置あ
わせだけでなくクラックの方向の観察測定に用いること
ができる。
１５はきラー１４により反射され、ハーフミラ−１５を
通過して対物レンズ１８により集光スポット１９を結び
、載物台２１の上に設置し几試料２０の表面に照射され
る。ハーフミラ−１５、リレーレンズ１６、レチクル１
６α接眼し／ズ１７より成る観察光学系は試料の位置あ
わせだけでなくクラックの方向の観察測定に用いること
ができる。
すなわち試料台にはθ方向１転・測定機能をつけており
レチクルの十字７腺を規準としてクラックの方向（角度
）を測定しうる。また試料台は角度固定として、レチク
ルを回転させて角度を測定してもよい。
レチクルの十字７腺を規準としてクラックの方向（角度
）を測定しうる。また試料台は角度固定として、レチク
ルを回転させて角度を測定してもよい。
第４図はより簡便に、単結晶の方位を測定確認する装置
を示す。レーザ発振器２２より出たレーザビームはリレ
ーレンズ系２５によりビーム拡がり角等を調産された後
、これに接続され次光７アイパー２４に入射する。光フ
ァイバーはり補性でレーザ光をよく通過させかつレーザ
のパワーに十分耐えるものとする。可撓性を有するため
任意の位置任意の方向にたわませ℃もり℃いくことがで
きる。ファイバーの他の喝は、照射光学系２５に接続さ
れていてファイバーから出た光はハーフミラ−２８をｄ
過し、対物レンズで集光して集光スポット６０を結び、
試料６１の表面リレーレンズ２６、レチクル２６ｔ１．
接ａレンズ２７より成る観察光学系は、第５図と同僚に
して試料表面を観察し、そのクラックの方向を測定・確
認するために用いることができる。
を示す。レーザ発振器２２より出たレーザビームはリレ
ーレンズ系２５によりビーム拡がり角等を調産された後
、これに接続され次光７アイパー２４に入射する。光フ
ァイバーはり補性でレーザ光をよく通過させかつレーザ
のパワーに十分耐えるものとする。可撓性を有するため
任意の位置任意の方向にたわませ℃もり℃いくことがで
きる。ファイバーの他の喝は、照射光学系２５に接続さ
れていてファイバーから出た光はハーフミラ−２８をｄ
過し、対物レンズで集光して集光スポット６０を結び、
試料６１の表面リレーレンズ２６、レチクル２６ｔ１．
接ａレンズ２７より成る観察光学系は、第５図と同僚に
して試料表面を観察し、そのクラックの方向を測定・確
認するために用いることができる。
以上説明し友ように本発明処よればきわめて簡便忙単結
晶の結晶軸の方位を測定・確認することが出来る効果な
髪する。
晶の結晶軸の方位を測定・確認することが出来る効果な
髪する。
第１図は本発明に係る試料にレーザを照射する装置を示
す図、第２図は第１図の装置でレーザ照射をされ九単結
晶のクラックの方位と面方位の関係を示す図、第５図、
第４図は本発明に係るレーザな単結晶に照射してクラッ
クの方位を測定し、これにより結晶軸方位を測定する装
置を示す図である。
す図、第２図は第１図の装置でレーザ照射をされ九単結
晶のクラックの方位と面方位の関係を示す図、第５図、
第４図は本発明に係るレーザな単結晶に照射してクラッ
クの方位を測定し、これにより結晶軸方位を測定する装
置を示す図である。
Claims (1)
- ｔ レーザビームを単結晶の表面に照射してこれにより
照射部に生じるクラックの方向と結晶軸の方向との一定
の関係から結晶軸の方向を測定することを特徴と″する
結晶方位測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56153691A JPS5855858A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 結晶方位測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56153691A JPS5855858A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 結晶方位測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5855858A true JPS5855858A (ja) | 1983-04-02 |
| JPH0117542B2 JPH0117542B2 (ja) | 1989-03-30 |
Family
ID=15568023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56153691A Granted JPS5855858A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 結晶方位測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855858A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63115032A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-05-19 | シドニー．ウエイサー | 本質的に平面の結晶試料の結晶方位と平面を実時間で測定ならびにマツピングする方法と装置 |
| US4860818A (en) * | 1987-09-21 | 1989-08-29 | Ube Industries, Ltd. | Die casting apparatus |
| US4997027A (en) * | 1988-06-10 | 1991-03-05 | Ube Industries, Ltd. | Pressing mechanism for casting apparatus |
| JP2002361381A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-17 | Nippon Steel Corp | ビレットおよび線材の偏析評価方法 |
| JP2007147637A (ja) * | 2006-12-28 | 2007-06-14 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェーハの欠陥検出方法 |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56153691A patent/JPS5855858A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63115032A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-05-19 | シドニー．ウエイサー | 本質的に平面の結晶試料の結晶方位と平面を実時間で測定ならびにマツピングする方法と装置 |
| US4860818A (en) * | 1987-09-21 | 1989-08-29 | Ube Industries, Ltd. | Die casting apparatus |
| US4997027A (en) * | 1988-06-10 | 1991-03-05 | Ube Industries, Ltd. | Pressing mechanism for casting apparatus |
| JP2002361381A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-17 | Nippon Steel Corp | ビレットおよび線材の偏析評価方法 |
| JP2007147637A (ja) * | 2006-12-28 | 2007-06-14 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェーハの欠陥検出方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0117542B2 (ja) | 1989-03-30 |
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