JPS5854772Y2 - 信号帰還型カラ−陰極線管 - Google Patents
信号帰還型カラ−陰極線管Info
- Publication number
- JPS5854772Y2 JPS5854772Y2 JP1976067225U JP6722576U JPS5854772Y2 JP S5854772 Y2 JPS5854772 Y2 JP S5854772Y2 JP 1976067225 U JP1976067225 U JP 1976067225U JP 6722576 U JP6722576 U JP 6722576U JP S5854772 Y2 JPS5854772 Y2 JP S5854772Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- light
- index
- film
- ray tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Video Image Reproduction Devices For Color Tv Systems (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は帰還信号（以下インデックス信号と称する）を
取り出し得る螢光面を有する信号帰還型カラー陰極線管
に関する。
取り出し得る螢光面を有する信号帰還型カラー陰極線管
に関する。
一般にインデックス方式のカラー陰極線管はビームイン
デックス信号を得るために第１図に示すように、陰極線
管パネル１の内面に形成されたＲ２Ｇ、Ｂの３色螢光体
より成る膜面２の上に形成されたメタルバック膜３の上
面に、例えば可視光線、紫外線領域を発光するインデッ
クス信号検出用螢光体（以下インデックス螢光体と略称
する）の線条４が塗布形成されている。
デックス信号を得るために第１図に示すように、陰極線
管パネル１の内面に形成されたＲ２Ｇ、Ｂの３色螢光体
より成る膜面２の上に形成されたメタルバック膜３の上
面に、例えば可視光線、紫外線領域を発光するインデッ
クス信号検出用螢光体（以下インデックス螢光体と略称
する）の線条４が塗布形成されている。
このインデックス螢光体線条４をネック部５に内蔵され
た電子銃６から発射される電子ビームが刺激することに
より、発せられる光をファンネル部７に設けられた光透
過窓８を通してその外側面に配されたフォトダイオード
、フオ）ｌ−ランジスタ、光電子増倍管等の光電変換器
９で受光検出してインチ゛ツクス信号に帰還し色信号の
同期に使用している。
た電子銃６から発射される電子ビームが刺激することに
より、発せられる光をファンネル部７に設けられた光透
過窓８を通してその外側面に配されたフォトダイオード
、フオ）ｌ−ランジスタ、光電子増倍管等の光電変換器
９で受光検出してインチ゛ツクス信号に帰還し色信号の
同期に使用している。
しかしこのように構成されるカラー陰極線管においては
インデックス螢光体線条４から発せられる光は映像画面
が暗い時、即ち、電子ビーム電流が小さい時は非常に微
弱である。
インデックス螢光体線条４から発せられる光は映像画面
が暗い時、即ち、電子ビーム電流が小さい時は非常に微
弱である。
ところが、Ｒ，Ｇ、Ｈの３色螢光体はインデックス螢光
体に比べ数１０〜１００μｓｅｃと残光が長く、そのた
めにインデックス螢光体線条４を発光させる位置でビー
ム電流が数μＡと小さい場合でもそれ以前にＲ，Ｇ、Ｈ
の３色螢光体膜面２で発光した光がメタルバック膜３を
透過して充電変換器９で受光されることは充分ありうる
ことである。
体に比べ数１０〜１００μｓｅｃと残光が長く、そのた
めにインデックス螢光体線条４を発光させる位置でビー
ム電流が数μＡと小さい場合でもそれ以前にＲ，Ｇ、Ｈ
の３色螢光体膜面２で発光した光がメタルバック膜３を
透過して充電変換器９で受光されることは充分ありうる
ことである。
この場合当然メタルバック膜３は３色螢光体膜面２で発
光した光を８０％乃至９０％反射して、パネル１方向へ
の輝度の向上に役立っているが、電子ビームの有効率か
らくる適正な厚みでは４乃至５％の光を透過してしまう
。
光した光を８０％乃至９０％反射して、パネル１方向へ
の輝度の向上に役立っているが、電子ビームの有効率か
らくる適正な厚みでは４乃至５％の光を透過してしまう
。
またビーム電流がインデックス螢光体線条４で数μＡ、
３色螢光体膜面２で数ｍＡの場合でも上述の４乃至５％
の透過率の厚みの時はインチ゛ツクス信号の光量は、３
色螢光体の透過光の１／４０乃至１１５０で完全にノイ
ズに埋れてしまうことになる。
３色螢光体膜面２で数ｍＡの場合でも上述の４乃至５％
の透過率の厚みの時はインチ゛ツクス信号の光量は、３
色螢光体の透過光の１／４０乃至１１５０で完全にノイ
ズに埋れてしまうことになる。
その不都合を解消するためにメタルバック膜３を厚くし
て透過光をさげることは可能であるが、電子ビームの透
過率が悪くなる。
て透過光をさげることは可能であるが、電子ビームの透
過率が悪くなる。
そこで本考案は上述のように構成されるインデックス方
式のカラー陰極線管において、Ｒ，Ｇ、Ｂの３色発光螢
光体膜面上のメタルバック膜を透過する光を遮断するた
めに、メタルバック膜に導電性を有し、光の透過率が低
いカーボンの如き光吸収物質より戊る膜を形成して、上
述の欠点を除去しようとするものである。
式のカラー陰極線管において、Ｒ，Ｇ、Ｂの３色発光螢
光体膜面上のメタルバック膜を透過する光を遮断するた
めに、メタルバック膜に導電性を有し、光の透過率が低
いカーボンの如き光吸収物質より戊る膜を形成して、上
述の欠点を除去しようとするものである。
以下本考案の実施例を第２図及び第３図について説明す
る。
る。
第２図に示す一実施例において、陰極線管パネル１の内
面に形成されたＲ、Ｇ、Ｂの３色螢光体より成る膜面２
の上に第１のメタルバック膜３を設け、その内面にカー
ボンの如き導電性光吸収物質の膜１０を形威し、さらに
その上面に第２のメタルバック膜１１を設け、該メタル
バック膜１１上に３色螢光体の所定ピッチに対応してイ
ンデックス螢光体の線条４を形成する。
面に形成されたＲ、Ｇ、Ｂの３色螢光体より成る膜面２
の上に第１のメタルバック膜３を設け、その内面にカー
ボンの如き導電性光吸収物質の膜１０を形威し、さらに
その上面に第２のメタルバック膜１１を設け、該メタル
バック膜１１上に３色螢光体の所定ピッチに対応してイ
ンデックス螢光体の線条４を形成する。
このように螢光面を横木すれば電子銃６から放射される
電子ビームは、Ｒ，Ｇ、Ｂの３色螢光体の膜面２に何等
の抵抗なく到達され、３色螢光体は刺激されて発光する
。
電子ビームは、Ｒ，Ｇ、Ｂの３色螢光体の膜面２に何等
の抵抗なく到達され、３色螢光体は刺激されて発光する
。
その光の大部分は第１のメタルバック膜３で前方へ反射
され、一部は上述のように透過するが、この透過光は光
吸収物質膜１０において吸収遮断されて充電変換器９に
は到達されず、インデックス光信号として検出されるこ
とはない。
され、一部は上述のように透過するが、この透過光は光
吸収物質膜１０において吸収遮断されて充電変換器９に
は到達されず、インデックス光信号として検出されるこ
とはない。
一方インデックス光体の線条４も電子ビームにより刺激
されて発光され、その光は直接、また第２のメタルバッ
ク膜１１において反射されて光透過窓８を通して充電変
換器９に受光され、インデックス光信号として検出され
る。
されて発光され、その光は直接、また第２のメタルバッ
ク膜１１において反射されて光透過窓８を通して充電変
換器９に受光され、インデックス光信号として検出され
る。
以上のように本考案によればインデックス螢光体が３色
螢光体の発光波長領域以外にも発光領域をもち、また光
電変換器が３色螢光体の発光波長領域には感度が少なく
、インデックス螢光体領域に感度があるように威されて
いる場合には、３色螢光体により発光される光は光吸収
物質膜により遮断されて、陰極線管内には漏出されない
のでインデックス螢光体よりのインデックス光を光電変
換器において受光して得られるインデックス信号の明瞭
度が向上され、また光電変換器が３色螢光体の発光波長
領域に感度があり、インデックス螢光体発光領域が３色
螢光体の発光領域に重なるように威されている場合には
、３色螢光体からの光が光吸収物質膜によす遮断される
ことにより充電変換器においては全く検出されず、イン
デックス螢光体からのインデックス光のみが光電変換器
に検知されるので誤動作、雑音を生じるおそれがない。
螢光体の発光波長領域以外にも発光領域をもち、また光
電変換器が３色螢光体の発光波長領域には感度が少なく
、インデックス螢光体領域に感度があるように威されて
いる場合には、３色螢光体により発光される光は光吸収
物質膜により遮断されて、陰極線管内には漏出されない
のでインデックス螢光体よりのインデックス光を光電変
換器において受光して得られるインデックス信号の明瞭
度が向上され、また光電変換器が３色螢光体の発光波長
領域に感度があり、インデックス螢光体発光領域が３色
螢光体の発光領域に重なるように威されている場合には
、３色螢光体からの光が光吸収物質膜によす遮断される
ことにより充電変換器においては全く検出されず、イン
デックス螢光体からのインデックス光のみが光電変換器
に検知されるので誤動作、雑音を生じるおそれがない。
従って、インデックス螢光体はその発光領域と３色螢光
体の発光領域とは関係がなく、光電変換器の波長感度領
域と合う範囲内で発光波長を自由に選ぶことができる。
体の発光領域とは関係がなく、光電変換器の波長感度領
域と合う範囲内で発光波長を自由に選ぶことができる。
さらに、陰極線管パネル面の前面に外部から強い光線が
照射しても光吸収物質膜により吸収遮断されて、インデ
ックス信号の検出に影響を与えることがない等常にビー
ムインチ゛ツクス信号を確実に得られる等の効果を有す
る。
照射しても光吸収物質膜により吸収遮断されて、インデ
ックス信号の検出に影響を与えることがない等常にビー
ムインチ゛ツクス信号を確実に得られる等の効果を有す
る。
第１図は、従来の信号帰還型カラー陰極線管の路線的断
面図、第２図は本考案の一実施例の信号帰還型カラー陰
極線管の路線的断面図である。 図中 １はパネル、２は３色螢光体膜面、３は第１のメ
タルバック膜、４・・・・・・インデックス螢光体線条
、１０．１２は光吸収物質膜、１１は第２のメタルバッ
ク膜である。
面図、第２図は本考案の一実施例の信号帰還型カラー陰
極線管の路線的断面図である。 図中 １はパネル、２は３色螢光体膜面、３は第１のメ
タルバック膜、４・・・・・・インデックス螢光体線条
、１０．１２は光吸収物質膜、１１は第２のメタルバッ
ク膜である。
Claims (1)
- 内面に各色間に所定間隔をもって配された異色発光の螢
光体列の組より威る螢光体膜面を形成し、その上に第１
のメタルバック膜が形成されたパネルと、上記第１のメ
タルバック膜の上面で少く共上記螢光体列に対応する部
分に形成された光吸収性物質膜と、該光吸収性物質膜の
上面に第２のメタルバック膜を介して、上記螢光体列の
所定ピッチに対応して形成された上記螢光体の発光波長
を含む発光領域を有するインデックス螢光体と、該イン
デックス螢光体からの光を検出し、その出力を信号系に
帰還する充電変換器とを有することを特徴とする信号帰
還型カラー陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1976067225U JPS5854772Y2 (ja) | 1976-05-26 | 1976-05-26 | 信号帰還型カラ−陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1976067225U JPS5854772Y2 (ja) | 1976-05-26 | 1976-05-26 | 信号帰還型カラ−陰極線管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52157755U JPS52157755U (ja) | 1977-11-30 |
| JPS5854772Y2 true JPS5854772Y2 (ja) | 1983-12-14 |
Family
ID=28533807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1976067225U Expired JPS5854772Y2 (ja) | 1976-05-26 | 1976-05-26 | 信号帰還型カラ−陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854772Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5112768A (ja) * | 1975-06-19 | 1976-01-31 | Tokyo Shibaura Electric Co | Biimuindetsukusukaraajuzokan |
-
1976
- 1976-05-26 JP JP1976067225U patent/JPS5854772Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5112768A (ja) * | 1975-06-19 | 1976-01-31 | Tokyo Shibaura Electric Co | Biimuindetsukusukaraajuzokan |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52157755U (ja) | 1977-11-30 |
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