JPS5854686A - 光増幅器 - Google Patents
光増幅器Info
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- JPS5854686A JPS5854686A JP56154323A JP15432381A JPS5854686A JP S5854686 A JPS5854686 A JP S5854686A JP 56154323 A JP56154323 A JP 56154323A JP 15432381 A JP15432381 A JP 15432381A JP S5854686 A JPS5854686 A JP S5854686A
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- JP
- Japan
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- light
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- rectifying
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
- H01L31/141—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the semiconductor device sensitive to radiation being without a potential-jump barrier or surface barrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、広義の光（紫外光、可視光、赤外光。
Ｘ線、ｒ鐘等）に感受性のある光増幅器に関する。
光増幅器に於ける光導電層を構成する光導電材料として
は、電気的特性が安定であること及び耐熱性を有し、人
体に対して無公害である事が重要な点である。しかしな
がら、従来の光増幅Ｓｔ構成する光導電材料であるＯｄ
８は、前層効果の影響が大きく、再現性のよい電気Ｉｆ
＃性は得られず、表面の吸着ガスにより大きく電気４Ｉ
性は左右される。又、温度係数が大きく、温度が上昇す
ると光感贋が低下し、安定した電気特性が得られない。
は、電気的特性が安定であること及び耐熱性を有し、人
体に対して無公害である事が重要な点である。しかしな
がら、従来の光増幅Ｓｔ構成する光導電材料であるＯｄ
８は、前層効果の影響が大きく、再現性のよい電気Ｉｆ
＃性は得られず、表面の吸着ガスにより大きく電気４Ｉ
性は左右される。又、温度係数が大きく、温度が上昇す
ると光感贋が低下し、安定した電気特性が得られない。
［６’ＣＣｃｌは、人体に極めて有害である。
本発明は、かかる欠点を除去したもので、その目的は、
電気特性の安定化、耐熱性の向上及び無公害化にあり、
アモルファスシリコン（以４１ ａ −８１と略記する
）が、光増幅器の光導電層或いは整流層として極めて優
れていることを見出した点に基づいて成されている。
電気特性の安定化、耐熱性の向上及び無公害化にあり、
アモルファスシリコン（以４１ ａ −８１と略記する
）が、光増幅器の光導電層或いは整流層として極めて優
れていることを見出した点に基づいて成されている。
第１瞼は、本発明の光増幅器の断面図である。
ガラス仮１の間に、透明電極２．ａ−８１３，発光素子
４がある。ａ −Ｂ ｉは、グロー放電法、スパッタリ
ング法、イオンインプランテーション法。
４がある。ａ −Ｂ ｉは、グロー放電法、スパッタリ
ング法、イオンインプランテーション法。
イオンブレーティング法等によって形成され、ｎ型、ｐ
型不純物をドーピングして膜質を制御し、膜厚は１〃飢
以上とする。
型不純物をドーピングして膜質を制御し、膜厚は１〃飢
以上とする。
本発明の光導電層は、１種類で形成するか、又は少なく
ともｐ型、ｎ型、ｉ型の内の２種類で構成する多層飯合
にするかによって得られ、整流作用と組み合わせた光導
電層、光起電力作用と組み合わせた光導電層等の広い用
途を持つことを特徴としている、又、ａ−８１は、結合
力が大きい為３００℃の高温までその電気的特性は変化
せず、周囲の環境、例えば湿度依存性はなく、極めて安
定な動作特性が得られる。
ともｐ型、ｎ型、ｉ型の内の２種類で構成する多層飯合
にするかによって得られ、整流作用と組み合わせた光導
電層、光起電力作用と組み合わせた光導電層等の広い用
途を持つことを特徴としている、又、ａ−８１は、結合
力が大きい為３００℃の高温までその電気的特性は変化
せず、周囲の環境、例えば湿度依存性はなく、極めて安
定な動作特性が得られる。
更に、光導電層として用いるａ−８１は、光伝導度／暗
伝導度の比が１０１〜１０１と大きく、Ｏｄｓよりも優
れている。
伝導度の比が１０１〜１０１と大きく、Ｏｄｓよりも優
れている。
以下、実施例に従って本発明の顕著なる効果を説明する
。
。
実施例１゜
第２図は、光増幅器の断面図を示す。その構造は、透明
電極７含有するガラス１［８の間に％ ｎ１ｌ（ｐ型、
１型） ａ−８ｉ ５ 、 ｐｆｌｌａ−８１６、ｎ型
ａ−８１７，絶縁層８１発光素子４から成り、ｎ型（ｐ
型、１型）ａ−８１５が光導電層、ｐ ＩＩ ｗｎ型ａ
−８１の６，７が整流層の役割を為す。
電極７含有するガラス１［８の間に％ ｎ１ｌ（ｐ型、
１型） ａ−８ｉ ５ 、 ｐｆｌｌａ−８１６、ｎ型
ａ−８１７，絶縁層８１発光素子４から成り、ｎ型（ｐ
型、１型）ａ−８１５が光導電層、ｐ ＩＩ ｗｎ型ａ
−８１の６，７が整流層の役割を為す。
従って素子数は、一つですむ利点がある。
第３図に、交流電源９を用いた場合の第２ｇの回路図を
示す。従来、ん、７の整流部は、ダイオードを使用して
いたのに対して、本発明の光増幅器は、ＩＬ−８１を用
いて整流部と光導電層を一つの素子としていること’を
特徴としている。
示す。従来、ん、７の整流部は、ダイオードを使用して
いたのに対して、本発明の光増幅器は、ＩＬ−８１を用
いて整流部と光導電層を一つの素子としていること’を
特徴としている。
更に、第４図に示し＊、ａ −８１の電圧対電流特性か
ら高電圧の場合、（１０は暗黒時、１１は光の照射時）
一度光照射されると、抵抗の減少を示し、光を切つに後
でも成る時間発光素子の発光を継続させることができる
。
ら高電圧の場合、（１０は暗黒時、１１は光の照射時）
一度光照射されると、抵抗の減少を示し、光を切つに後
でも成る時間発光素子の発光を継続させることができる
。
実施例２
第５図は、光増幅器の断面図を示す。その構造は、透明
電極２１に有するガラス板１の間にｎ型（又はｐ型、１
型）ａ−８１１２，発光素子４から成り、第６図に交流
電源９を用いた場合の回路図を示す。第４図から、実施
例１−の場合と同様に高電圧の時、光を切った後でも、
発光素子の発光１に継続させることができる特徴を有す
る。
電極２１に有するガラス板１の間にｎ型（又はｐ型、１
型）ａ−８１１２，発光素子４から成り、第６図に交流
電源９を用いた場合の回路図を示す。第４図から、実施
例１−の場合と同様に高電圧の時、光を切った後でも、
発光素子の発光１に継続させることができる特徴を有す
る。
ｔ４１図は、光増幅器の基本構造を説明する為の図面、
第２図、第５図は、本発明の光増幅器を説明する為の図
面。第３図、第６図は、第２図、第５図の回路図。第４
図は、ａ −８１の電流−電圧特性図。 １・・・ガラス＠ ２・・・透明電極３・・
・ａ −８１４・・・発光素子 ５ ・・・ｎ型（又はＰｅ１ｌｌ）ａ−８１６−ｐＨ＆
−８１７・・・ｎ１ｌｌａ−Ｅ１１８・・・絶縁層
？・・・交流電源１２・・・ｎ型（又はＰ ｓ
ｉ型）ａ−８１１３・・・直流電源 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 第２図 を 第３図 ６ 第４図 ￥５図 １：、’ｔ、 ６図
第２図、第５図は、本発明の光増幅器を説明する為の図
面。第３図、第６図は、第２図、第５図の回路図。第４
図は、ａ −８１の電流−電圧特性図。 １・・・ガラス＠ ２・・・透明電極３・・
・ａ −８１４・・・発光素子 ５ ・・・ｎ型（又はＰｅ１ｌｌ）ａ−８１６−ｐＨ＆
−８１７・・・ｎ１ｌｌａ−Ｅ１１８・・・絶縁層
？・・・交流電源１２・・・ｎ型（又はＰ ｓ
ｉ型）ａ−８１１３・・・直流電源 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 第２図 を 第３図 ６ 第４図 ￥５図 １：、’ｔ、 ６図
Claims (1)
- 光導電七ルとして光導電層或いは整流層にアモルファス
シリコンを用いることｔ＊黴とする光増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154323A JPS5854686A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154323A JPS5854686A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 光増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854686A true JPS5854686A (ja) | 1983-03-31 |
Family
ID=15581620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56154323A Pending JPS5854686A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854686A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4828187A (ja) * | 1971-08-13 | 1973-04-13 |
-
1981
- 1981-09-29 JP JP56154323A patent/JPS5854686A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4828187A (ja) * | 1971-08-13 | 1973-04-13 |
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