JPS5854152B2 - 新規なナフチリジン誘導体 - Google Patents

新規なナフチリジン誘導体

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JPS5854152B2
JPS5854152B2 JP51033883A JP3388376A JPS5854152B2 JP S5854152 B2 JPS5854152 B2 JP S5854152B2 JP 51033883 A JP51033883 A JP 51033883A JP 3388376 A JP3388376 A JP 3388376A JP S5854152 B2 JPS5854152 B2 JP S5854152B2
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JP
Japan
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dihydro
naphthyridine
oxoto
hydroxy
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JP51033883A
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JPS52116495A (en
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博之 井出
悟 宮田
晃 中川
寛治 野田
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Hisamitsu Pharmaceutical Co Inc
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Hisamitsu Pharmaceutical Co Inc
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式(I) (式中、R1は低級アルキル基、フェニル基又はハロゲ
ン原子、トリフルオロメチル基で置換されたフェニル基
を、R2は水素原子、低級アルキル基、フェニル基又は
低級アルコキシカルボニル基で置換された低級アルキル
基を、R3は水素原子又はアセチル基を意味する)で表
わされる新規なナフチリジン誘導体に関するものである
本発明の新規化合物群は顕著な鎮痛作用、抗炎症作用、
中枢神経抑制作用及び利尿作用等の薬理作用を有し、新
規医薬品として産業上非常に有用な化合物である。
籾、ここで前記一般式(I)におけるR1、R2及びR
3について更に詳細に説明する。
R1における低級アルキル基はメチル、エチル、n−プ
ロピル、インプロピル、n−ブチル、イソブチル、n−
ペンチル等を表わす。
更にR1はフェニル基、又は塩素、臭素、弗素、沃素等
のハロゲン原子あるいはトリフルオロメチル基等が任意
の位置に1〜2個置換したフェニル基を意味する。
次に、R2の低級アルキル基は前記R1の低級アルキル
基のそれと同じものを意味し、又低級アルコキシカルボ
ニル基で置換された低級アルキル基とは、メトキシカル
ボニル、エトキシカルボニル等の低級アルコキシカルボ
ニル基で置換された低級アルキル基を意味する。
R3は、水素原子又はアセチル等のアシル基を表わす。
次に本発明の化合物の製造方法について説明する。
本発明のナフチリジン誘導体は下記の反応式で示す方法
で製造される。
反応式中、R′及び「は低級アルキル基を、R1及びR
2は前記と同じ意味を有する。
籾、製造法1は水酸化ナトリウム、水素化カリウム、メ
トキサイド、エトキサイド等の金属化合物の存在下に、
一般−4m )で表わされる化合物1モルに対して一般
式(DI)で表わされる化合物を過剰モル使用し、無溶
媒下に還流下5〜15時間加熱することによって、収量
よく目的化合物を得ることが出来る。
又、テトラヒドロフラン、ジオキサン ジグリム、ベン
ゼン、トルエン等の不活性溶媒下に反応させても反応は
進行するがζ熱溶:*媒下の方が高収率である。
反応生成物は反応終了後、水を加え次にエーテル又は酢
酸エチルで未反応の(II)及び過剰の(III)で表
わされる化合物を抽出、除去し、水層を希塩酸で中和し
た結晶をメタノール酢酸エステル等の有機溶媒より再結
晶することによって純品を得ることが出来る。
又、出発原料である一般式(n)で表わされる化合物は
2−アミノニコチン酸クロリド誘導体に相当するアルコ
ール類を反応させることによって収量よく得られる。
製造法2 反応式中、R1、R2及びR3は前記と同じ意味を有す
る。
但し、R3は水素原子を除く。前記製造法2はl・3−
ジ置換−2−オキソ−4−ハイドロキシ−1・8−ナフ
チリジン誘導体に一般式(IV)で表わされるカルボン
酸の反応性誘導体(例えば酸無水物、酸ハロゲン化物)
をベンゼン、トルエン、テトラヒドロフラン、クロロホ
ルム、ピリジン等の反応に関与しない有機溶媒中で反応
させることによって行なわれる。
反応性誘導体として酸ハライドを使用する場合は、ピリ
ジン、トリメチルアミン、トリエチルアミン等の脱酸剤
の存在下に行うのが望ましい。
又、酸無水物を過゛剰に使用し溶媒を兼ねて反応させる
ことも可能であり、反応条件は反応試薬によってその都
度適宜選択される。
以下に実施例を示し、本発明を更に詳細に説明する。
実施例 1 2−(p−フルオロアニリノ)ニコチン酸メチルエステ
ル2.5yとナトリウムエチラート1.01との混合物
にn−酪酸エチル20TLlを加え室温にて1時間攪拌
した後、還流下で12時間反応させた。
反応終了後、反応液は冷却し酢酸エチルを加え水にて抽
出し、水層な塩酸にて弱酸性とした。
析出した結晶を戸数し酢酸エチルとメタノールの混合溶
媒より再結晶して、無色プリズム晶の1−(p−フルオ
ロフェニル)−3−エチル−4−ノ)イドクキシー2−
オキソート2−ジヒドロ−1・8−ナフチリジン2.2
1を得た。
この物質の融点及び元素分析値は次の通りであった。
融点288〜290℃ 元素分析値 C16H□3FN202 理論値 C: 67.60 H:4.61 N:9
.86実測値 C:67.86 H:4.74 N
:9.78実施例 2 2−(m−)リフルオロメチルアニリノ)ニコチン酸メ
チルエステル2.92とナトリウムエチラ−)1.OS
’との混合物にプロピオン酸エチル20m1を加え室温
にて1時間攪拌した後、還流下12時間反応させた。
反応終了後、反応液は冷却し酢酸エチルを加え水にて抽
出し、水層を塩酸にて弱酸性とした。
析出した結晶を戸数し酢酸エチルとメタノールの混合溶
媒より再結晶して、無色プリズム晶の1−(m−)リフ
ルオロメチルフェニル)−3−メチル−4−ハイドロキ
シ−2−オキソト2−ジヒドロ−1・8−ナフチリジン
2.72を得た。
この物質の融点及び元素分析値は次の通りであった。
融点252〜254℃ 元素分析値 C16H11F3N20□ 理論値 C:60.OOH:3.46 N:8.75
実測値 C:59.72 H:3.62 N:8.
80実施例 3 l−(o−フルオロフェニル)−3−エチル4−ハイド
ロキシ−2−オキソート2−ジヒドロ−1・8−ナノチ
リジン2.81と無水酢酸20m1の混合物にピリジン
0.4rILlを加え還流下に3時間反応させた。
反応終了後、溶媒を減圧下で留去し、残渣に水を加え析
出した結晶を戸数しエチルエーテルより再結晶して、無
色プリズム晶の1(0−フルオロフェニル)−3−エチ
ル−4−アセトキシ−2−オキソート2−ジヒドロ−1
8−ナフチリジン2.62を得た。
この物質の融点及び元素分析値は次の通りであった。
融点165〜167℃ 元素分析値 Cl8H15FN203 理論値 C:66.25 H:4.63 N:8.
59実測値 C:66.36 H:4.49 N:
8.69以下実施例1〜3の方法に準じて下記の化合物
を合成した。
■−フェニルー4−ハイドロキシー2−オキンート2−
ジヒドロ−1・8−ナシチリジン融点 285〜288
℃ 1−フェニル−3−メチル−4−ハイドロキシ−2−オ
キソート2−ジヒドロ−1・8−ナフチリジン 融点 301〜304℃ ■−フェニルー3−エチルー4−ハイドロキシ2−オキ
ソート2−ジヒドロ−1・8−ナフチリジン 融点 276〜279℃ 1−フェニル−3−n−7”ロピルー4−ハイドロキシ
ー2−オキソート2−ジヒドロ−1・8−ナフチリジン 融点 267〜270℃ 1−フェニル−3−イソプロピル−4−ハイドロキシ−
2−オキソート2−ジヒドロ−1・8−ナフチリジン 融点 240〜243℃ 1−フェニル−3−n −7”fルー4−ハイドロキシ
−2−オキノート2−ジヒドロ−1・8−ナフチリジン 融点 242〜244℃ 1−フェニル−3−n −フチルー4−アセトキシ−2
−オキンート2−ジヒドロ−1・8−ナフチリジン 融点 180〜183℃ ■−(m−クロロフェニル)−3−メチル−4ハイドロ
キシ−2−オキソート2−ジヒドロ−1・8−ナフチリ
ジン 融点 292〜294℃ 1−(m−クロロフェニル)−3−エチル−4ハイドロ
キシ−2−オキソート2−ジヒドロト8−ナフチリジン 融点 260〜264℃ ■−(m−クロロフェニル) −3−n−プロピル−4
−ハイドロキシ−2−オキンート2〜ジヒドロ−1・8
−ナフチリジン 融点 229〜230℃ 1−(o−フルオロフェニル)−3−エチル−4−ハイ
ドロキシ−2−オキソート2−ジヒドロ−1・8−ナフ
チリジン 融点 255〜258℃ 1−(p−フルオロフェニル)−3−メfk−4−ハイ
ドロキシー2−オキソート2−ジヒドロ−1・8−ナフ
チリジン 融点 308〜314℃ 1−(m−トリフルオロメチルフェニル)−4ハイドロ
キシ−2−オキソート2−ジヒドロ−1・8−ナノチリ
ジン 融点 286〜288℃ l−(m−トリフルオロメチルフェニル)−3−エチル
−4−ハイドロキシ−2−オキソート2−ジヒドロ−1
・8−ナフチリジン 融点 210〜212℃ 1−(m−)’)フルオロメチルフェニル)−3−n−
ブチル−4−ハイドロキシ−2−オキソート2−ジヒド
ロ−1・8−ナフチリジン 融点 232〜234℃ 1−(m−トリフルオロメチルフェニル)−3n−ブチ
ル−4−アセトキシ−2−オキソート2−ジヒドロ−1
・8−ナフチリジン 融点 159〜160℃ 1−(m−)リフルオロメチルフェニル)−3エトキシ
カルボニルメチル−4−ノ1イドロキシー2−オキソー
ト2−ジヒドロ−1・8−ナノチリジン 融点 185〜188℃ 1−(m−)’)フルオロメチルフェニル)−4−ハイ
ドロキシ−2−オキンート2−ジヒドロ−1・8−ナフ
チリジン−3−酢酸 融点 208〜210℃ 1−エチル−3−フェニル−4−ハイドロキシ−2−オ
キソート2−ジヒドロ−1・8−ナフチリジン 融点 198〜200℃ 1−エチル−3−フェニル−4−アセトキシ−2−オキ
ソート2−ジヒドロ−1・8−ナノチリジン 融点 159〜160℃

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、R1は低級アルキル基、フェニル基又はハロゲ
    ン原子、トリフルオロメチル基で置換されたフェニル基
    を、R2は水素原子、低級アルキル基、フェニル基又は
    低級アルコキシカルボニル基で置換された低級アルキル
    基を、R3は水素原子又はアセチル基を意味する)で表
    わされる新規なナフチリジン誘導体。
JP51033883A 1976-03-25 1976-03-25 新規なナフチリジン誘導体 Expired JPS5854152B2 (ja)

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JPS52116495A (en) 1977-09-29

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