JPS585232Y2 - 圧力変換器 - Google Patents
圧力変換器Info
- Publication number
- JPS585232Y2 JPS585232Y2 JP3515478U JP3515478U JPS585232Y2 JP S585232 Y2 JPS585232 Y2 JP S585232Y2 JP 3515478 U JP3515478 U JP 3515478U JP 3515478 U JP3515478 U JP 3515478U JP S585232 Y2 JPS585232 Y2 JP S585232Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- partition plate
- strain gauge
- base
- transistor
- fixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体ひずみゲージを使用した圧力変換器に関
するもので、その目的は被測定流体等の温度が変動して
も正確な圧力測定が行えるようにすることである。
するもので、その目的は被測定流体等の温度が変動して
も正確な圧力測定が行えるようにすることである。
半導体ひずみゲージを用いた圧力変換器の出力感度は被
測定流体等の温度変動に従って変化し、被測定流体の温
度上昇に対して出力感度は低下する。
測定流体等の温度変動に従って変化し、被測定流体の温
度上昇に対して出力感度は低下する。
この感度低下を補償するため、従来半導体ひずみゲージ
の抵抗値が一般に正の温度特性を示すことを利用して、
ブリッジ回路と電源との間にトランジスタを挿入しこれ
を感熱素子として働がせ、このトランジスタの温度特性
を利用してブリッジ回路に供給する電流又は電圧に正の
温度特性を持たせ、圧力変換器の温度補償を行うことが
知られている。
の抵抗値が一般に正の温度特性を示すことを利用して、
ブリッジ回路と電源との間にトランジスタを挿入しこれ
を感熱素子として働がせ、このトランジスタの温度特性
を利用してブリッジ回路に供給する電流又は電圧に正の
温度特性を持たせ、圧力変換器の温度補償を行うことが
知られている。
しかしながら、従来トランジスタを半導体ひずみゲージ
と同一温度雰囲気に配設することが困難で十分な温度補
償は行われていながった。
と同一温度雰囲気に配設することが困難で十分な温度補
償は行われていながった。
本考案は、圧力室を形成する基体の外面に受圧ダイヤフ
ラムを張架し、この基体の内面に金属仕切板を固着し、
この仕切板の圧力室に面する側面に半導体ひずみゲージ
を固着し、前記仕切板に前記ひずみゲージのリード線を
取付けるターミナルを前記仕切板に絶縁且つ密封して挿
通し、前記仕切板の他側面に温度補償用トランジスタを
取付けており、ひずみゲージとトランジスタとが同一温
度に保たれ正確な圧力測定が行えると共にひずみゲージ
とトランジスタが仕切板の両側面に取付けられるので変
換器本体の先端部直径が縮小できる特徴を有する。
ラムを張架し、この基体の内面に金属仕切板を固着し、
この仕切板の圧力室に面する側面に半導体ひずみゲージ
を固着し、前記仕切板に前記ひずみゲージのリード線を
取付けるターミナルを前記仕切板に絶縁且つ密封して挿
通し、前記仕切板の他側面に温度補償用トランジスタを
取付けており、ひずみゲージとトランジスタとが同一温
度に保たれ正確な圧力測定が行えると共にひずみゲージ
とトランジスタが仕切板の両側面に取付けられるので変
換器本体の先端部直径が縮小できる特徴を有する。
以下本考案の実施例を図面に基づいて説明する。
10は本体構成部材11.12からなる変換器本体で、
この本体10の前方開口部には基体14が固着され、こ
の基体14の外面15に受圧ダイヤフラム16が張架さ
れている。
この本体10の前方開口部には基体14が固着され、こ
の基体14の外面15に受圧ダイヤフラム16が張架さ
れている。
前記基体14の内面17には前記本体10の内孔に臨む
金属性の仕切板18が固着され、前記基体14に穿設さ
れた内孔19を覆って圧力室20が形成されている。
金属性の仕切板18が固着され、前記基体14に穿設さ
れた内孔19を覆って圧力室20が形成されている。
前記仕切板18の圧力室20に面するゲージ取付面には
シリコンダイヤフラムを受圧部とする半導体ひずみゲー
ジ21が固着されている。
シリコンダイヤフラムを受圧部とする半導体ひずみゲー
ジ21が固着されている。
前記仕切板18にはこの軸線方向に貫通する複数の小孔
22が穿設され、この中にターミナル23が低融点ガラ
スによって絶縁且つ密封して接着されている。
22が穿設され、この中にターミナル23が低融点ガラ
スによって絶縁且つ密封して接着されている。
24はシリコンオイル封入用の通路であり、圧力室20
に通ずると共に前記仕切板18の他側面25に開口して
いる。
に通ずると共に前記仕切板18の他側面25に開口して
いる。
この開口部26には、真空引きして封入した圧力伝達媒
体としてのシリコンオイル封止用のボール27が圧入さ
れている。
体としてのシリコンオイル封止用のボール27が圧入さ
れている。
前記シリコンダイヤフラムはシリコン単結晶よりなる半
導体材料にて形威されており、拡散面に形成されたひず
み検出素子Gは後述のブリッジ回路を構成すべくその接
続端子は前記ターミナル23とり・−導線28で接続さ
れ、それぞれのターミナル23には前記本体10の他端
より密封的に引出されたケーブル29の導線30が接続
されている。
導体材料にて形威されており、拡散面に形成されたひず
み検出素子Gは後述のブリッジ回路を構成すべくその接
続端子は前記ターミナル23とり・−導線28で接続さ
れ、それぞれのターミナル23には前記本体10の他端
より密封的に引出されたケーブル29の導線30が接続
されている。
前記仕切板18の他側面25にはトランジスタ40が接
着され前記シリコンオイルの熱量はこの金属製の仕切板
18を介してこのトランジスタ40にも同様に伝達され
、その接続端子には前記ケーブル29の導線41が接続
されている。
着され前記シリコンオイルの熱量はこの金属製の仕切板
18を介してこのトランジスタ40にも同様に伝達され
、その接続端子には前記ケーブル29の導線41が接続
されている。
このケーブル29内にはレファレンスパイプ31が収納
されており、前記ゲージ取付面には大気孔42が開口さ
れ、この大気孔42に前記レファレンスパイプ31を介
して大気圧が導入され、これがひずみゲージ21のダイ
ヤフラム背面に作用されるようになっている。
されており、前記ゲージ取付面には大気孔42が開口さ
れ、この大気孔42に前記レファレンスパイプ31を介
して大気圧が導入され、これがひずみゲージ21のダイ
ヤフラム背面に作用されるようになっている。
尚、45はケーブル29と本体10とを密封的に固着す
るゴムガイド、46は前記本体構成部材11.12とを
密封的に固着するゴムパツキンである。
るゴムガイド、46は前記本体構成部材11.12とを
密封的に固着するゴムパツキンである。
47は前記受圧ダイヤフラム16より大径をなし前記変
換器本体10の先端開口部に螺着されたポーラス樹脂等
の多孔性部材で被測定流体中に含まれる塵芥等により受
圧ダイヤフラム16が破損することを防止するものであ
る。
換器本体10の先端開口部に螺着されたポーラス樹脂等
の多孔性部材で被測定流体中に含まれる塵芥等により受
圧ダイヤフラム16が破損することを防止するものであ
る。
第3図において、前記半導体ひずみゲージ21のひずみ
検出素子Gにより形成されるブリッジ回路50の入力段
に前記トランジスタ40が介挿されて温度補償を行う公
知の回路が示されている。
検出素子Gにより形成されるブリッジ回路50の入力段
に前記トランジスタ40が介挿されて温度補償を行う公
知の回路が示されている。
即ち、相対する一対の端子51.52を入力端子、他の
一対の端子53.53を出力端子とし、この出力端子5
3゜53の間には前記ひずみ検出素子Gの抵抗変化によ
る不平衡電圧を表示する出力表示器61が接続されてい
る。
一対の端子53.53を出力端子とし、この出力端子5
3゜53の間には前記ひずみ検出素子Gの抵抗変化によ
る不平衡電圧を表示する出力表示器61が接続されてい
る。
前記一方の入力端子51は電源60のマイナス端子に接
続され、他方の入力端子52は前記仕切板18に接着さ
れたトランジスタ40のコレクタ54に接続され、この
トランジスタ40のエミッタ55は抵抗器56を介して
前記電源60のプラス端子に接続されている。
続され、他方の入力端子52は前記仕切板18に接着さ
れたトランジスタ40のコレクタ54に接続され、この
トランジスタ40のエミッタ55は抵抗器56を介して
前記電源60のプラス端子に接続されている。
そして前記トランジスタ40のベース57と前記電源6
0のプラス端子との間に抵抗器58を接続すると共に前
記ベース57と前記電源60のマイナス端子との間に抵
抗器59が接続されている。
0のプラス端子との間に抵抗器58を接続すると共に前
記ベース57と前記電源60のマイナス端子との間に抵
抗器59が接続されている。
上述の如く構成された本考案の圧力変換器は被測定流体
中の所定位置に設置され、その流体中より前記ケーブル
29が所定の場所まで引出され出力表示器61に接続さ
れる。
中の所定位置に設置され、その流体中より前記ケーブル
29が所定の場所まで引出され出力表示器61に接続さ
れる。
被測定流体の圧力は多孔性部材47を介して受圧ダイヤ
フラム16に作用され、更にこれよりシリコンオイルを
媒体として半導体ひずみゲージ21のシリコンダイヤフ
ラム受圧面に作用される。
フラム16に作用され、更にこれよりシリコンオイルを
媒体として半導体ひずみゲージ21のシリコンダイヤフ
ラム受圧面に作用される。
これによってひずみ検出素子Gがひずみ、そのひずみ量
に応じた出力電圧がブリッジ回路50より出力され、出
力表示器61に指示される。
に応じた出力電圧がブリッジ回路50より出力され、出
力表示器61に指示される。
上述した本考案に係る圧力変換器は、圧力室を形威す基
体の外面に受圧ダイヤフラムを張架し、この基体の内面
に金属仕切板を固着し、この仕切板の圧力室に面する側
面に半導体ひずみゲージを固着し、前記仕切板に前記ひ
ずみゲージのリード線を取付けるターミナルを前記仕切
板に絶縁且つ密封して挿通し、前記仕切板の他側面に温
度補償用トランジスタを取付けて、ひずみゲージとトラ
ンジスタとを同一温度に保つようにしているので、被測
定流体等の温度が変動しても正確な圧力測定が行える。
体の外面に受圧ダイヤフラムを張架し、この基体の内面
に金属仕切板を固着し、この仕切板の圧力室に面する側
面に半導体ひずみゲージを固着し、前記仕切板に前記ひ
ずみゲージのリード線を取付けるターミナルを前記仕切
板に絶縁且つ密封して挿通し、前記仕切板の他側面に温
度補償用トランジスタを取付けて、ひずみゲージとトラ
ンジスタとを同一温度に保つようにしているので、被測
定流体等の温度が変動しても正確な圧力測定が行える。
また前記トランジスタは被測定流体或いはシリコンオイ
ルに浸漬されないので、このトランジスタに圧力が付与
されずトランジスタの寿命を長く保つことが出来る。
ルに浸漬されないので、このトランジスタに圧力が付与
されずトランジスタの寿命を長く保つことが出来る。
更に前記ターミナルはガラス系接着剤によって金属仕切
板に接着されているので、このターミナル接着部より漏
電したり気密性が損われることがない利点を有する。
板に接着されているので、このターミナル接着部より漏
電したり気密性が損われることがない利点を有する。
またひずみゲージとトランジスタが仕切板の両側面に取
付けられているので起換器本体の先端部直径が縮小でき
る特徴を有する。
付けられているので起換器本体の先端部直径が縮小でき
る特徴を有する。
図面は本考案の実施例を示すもので第1図はその縦断面
図、第2図は第1図の一部の拡大図、第3図は電気回路
図である。 10・・・・・・変換器本体、14・・・・・・基体、
16・・・・・・受圧ダイヤフラム、18・・・・・・
仕切板、20・・・・・・圧力室、21・・・・・・半
導体ひずみゲージ、23・・・・・・ターミナル、40
・・・・・・トランジスタ、50・・・・・・ブリッジ
回路。
図、第2図は第1図の一部の拡大図、第3図は電気回路
図である。 10・・・・・・変換器本体、14・・・・・・基体、
16・・・・・・受圧ダイヤフラム、18・・・・・・
仕切板、20・・・・・・圧力室、21・・・・・・半
導体ひずみゲージ、23・・・・・・ターミナル、40
・・・・・・トランジスタ、50・・・・・・ブリッジ
回路。
Claims (1)
- 変換器本体の先端開口部に内孔を有する基体を固着し、
この基体の外面に受圧ダイヤフラムを張架し、前記基体
の内面に金属仕切板を固着して前記内孔部に圧力室を形
威し、この圧力室内にシリコンオイルを封入し、前記仕
切板の圧力室に面する側面に半導体ひずみゲージを固着
し、前記仕切板に半導体ひずみゲージのリード線を取付
ける複数のターミナルを絶縁且つ密封して挿通し、前記
仕切板の他側面に前記半導体ひずみゲージにて形成され
るブリッジ回路の入力段に介挿されるトランジスタを取
付けたことを特徴とする圧力変換器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3515478U JPS585232Y2 (ja) | 1978-03-17 | 1978-03-17 | 圧力変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3515478U JPS585232Y2 (ja) | 1978-03-17 | 1978-03-17 | 圧力変換器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS54137378U JPS54137378U (ja) | 1979-09-22 |
JPS585232Y2 true JPS585232Y2 (ja) | 1983-01-28 |
Family
ID=28893881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3515478U Expired JPS585232Y2 (ja) | 1978-03-17 | 1978-03-17 | 圧力変換器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS585232Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61213741A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-22 | Nagano Keiki Seisakusho:Kk | 圧力検出装置 |
-
1978
- 1978-03-17 JP JP3515478U patent/JPS585232Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS54137378U (ja) | 1979-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3088323A (en) | Piezoresistive transducer | |
US3831588A (en) | Pressure sensing device | |
EP0373010B1 (en) | Pressure sensor usable in oil wells | |
US5209121A (en) | Pressure sensor | |
EP0354479A2 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
US3389362A (en) | Low pressure transducer | |
US3411361A (en) | Sealed beam sensors | |
US3402609A (en) | Semiconductor mechanical-to-electrical transducer | |
US3482197A (en) | Pressure sensitive device incorporating semiconductor transducer | |
JPS585232Y2 (ja) | 圧力変換器 | |
JPH0665974B2 (ja) | 圧力センサユニツトの製造方法 | |
JPS6221031A (ja) | 圧力センサユニツト | |
JPS585233Y2 (ja) | 圧力変換器 | |
JPH02196938A (ja) | 圧力センサ | |
JPH06273248A (ja) | 圧力センサとその製造方法 | |
JP2536073Y2 (ja) | 加速度センサ | |
CN112815971A (zh) | 一种传感器 | |
JPH10332519A (ja) | 圧力センサの特性測定装置 | |
JPS60231129A (ja) | 圧力変換器 | |
US4134304A (en) | Air pressure transducer of diffusion type | |
JPS62226031A (ja) | 圧力センサユニツト | |
JPS587179B2 (ja) | 半導体歪ゲ−ジ式圧力センサ | |
JPH10300617A (ja) | 圧力センサの特性測定装置 | |
JP2552133Y2 (ja) | 加速度センサ | |
JPS58193431A (ja) | 絶対圧力伝送器 |