JPS5850422B2 - ワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング装置

Info

Publication number
JPS5850422B2
JPS5850422B2 JP53143632A JP14363278A JPS5850422B2 JP S5850422 B2 JPS5850422 B2 JP S5850422B2 JP 53143632 A JP53143632 A JP 53143632A JP 14363278 A JP14363278 A JP 14363278A JP S5850422 B2 JPS5850422 B2 JP S5850422B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin metal
wire
metal wire
capillary
tension
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP53143632A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5570040A (en
Inventor
幸雄 山口
正勝 宗友
晴夫 多田
善一郎 田淵
利治 田辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP53143632A priority Critical patent/JPS5850422B2/ja
Publication of JPS5570040A publication Critical patent/JPS5570040A/ja
Publication of JPS5850422B2 publication Critical patent/JPS5850422B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78267—Flame torch, e.g. hydrogen torch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/851—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、良好なワイヤボンディング状態をうろことの
できるワイヤボンディング装置、特に、金属細線に対し
て望ましい張力を付与する張力設定部の構造に関する。
ワイヤボンディング工程は半導体装置の組立にあたり欠
くことのできない重要な工程であり、この工程で良好な
ワイヤボンディング状態をうろことができるか否かによ
って半導体装置の製造歩留りあるいは信頼性が大きく左
右される。
ところで、ワイヤボンディングは通常第１図ａ ＝ ｆ
で示す過程を経てなされる。
第１図は、半導体基板支持体１の上に接着された半導体
基板２の電極と外部リード３の間を接続する状態を説明
するための図であり、先ず、第１図ａで示すようにキャ
ピラリ４から導出された金属細線（例えば金線５の先端
を水素バーナ等で加熱溶融させて球状部６となす。
次いで、キャピラリ４を所定の温度に加熱されている半
導体基板１の電極上まで降下させ、金属細線５の先端に
形成されている球状部６を半導体基板２の電極に圧着す
る〔第１図ｂ′３゜こののち、キャピラリ４は第１図Ｃ
で示すように所定の高さまで上昇し、次いで外部リード
３の上部まで水平に移動する〔第１図ｄ〕。
このようにして外部リード３上に位置したキャピラリは
再度降下し、第１図ｅで示すように金属細線の他端が外
部リード３へ圧着される。
そして最後に再度キャピラリ４を上昇させ、キャピラリ
の先端に露出した金属細線の先端を加熱溶融させて球状
部６を作り１回のワイヤボンディングが終了し、第１図
ｆで示すように半導体基板２の電極と外部リード３との
間が金属細線７によって連結される。
かかるワイヤボンディングにあたり、第１図ｃ ”−ｅ
の工程で金属細線には適当な張力が付与されることが必
要とされる。
たとえば、通常第１図ｅで基板２とリード３間に連結さ
れた金属細線の長さは、第１図ｄにおいてキャピラリの
先端から導出された金属細線の長さよりも短い。
すなわち、とくに第１図ｄの状態から第１図ｅへとキャ
ピラリが降下する過程で、不必晋な金属細線がキャピラ
リから導出されて連結された金属細線が長くなりすぎた
りあるいは反対に金属細線の導出が少なすぎて連結され
た金属細線が短かくなりすぎたりする不都合をなくすた
め、金属細線に、金属細線を後方へ引きもどすカ所謂バ
ックテンションを適当に付与しておく必要がある。
この目的を達成するため従来のワイヤボンディング装置
は第２図で示すような構成とされていた。
図中８は金属細線５の巻枠、９は例えばガラス管よりな
る金属細線供給ガイド、１０および１１は金属細線５を
挟持し所定のテンションを金属細線５に付与するガラス
板よりなる挟持体、１２はガラス板１１および１２の挟
持力すなわち金属細線に付与するテンションを調節する
ねじ、そして、１３はキャピラリの降下時に過大なテン
ションが金属細線に加わることを緩和するための板ばね
である。
金属細線４は巻枠８から金属細線供給ガイド９、ガラス
板１１と１２の間ならびに板ばね１３の円弧状の先端部
を通ってキャピラリ５へ導かれている。
かかる従来のワイヤボンディング装置によっても第３図
で示すようにキャピラリ４がＸ方向へと降下する過程で
、金属細線５には矢印Ｘで示す方向へ金属細線を引き戻
す方向のバックテンションはかかる。
そして、このバックテンションが適当であるときには、
第４図ａで示すように金属細線７は適当な弧を描き良好
なワイヤボンディングがなされる。
しかしながら、従来のワイヤボンディング装置では、ガ
ラス板１０．１１による金属細線へのテンション付与が
、ねじ１２による締付けの程度に基いて第１図の工程す
べてにわたって一義的に定まっており、常時妥当なテン
ションを付与することは困難である。
すなわち、金属細線に対するテンションの付与は、金属
細線の材質ならびに太さを考慮して決定されねばならず
、また、バックテンションは第１図ｄの状態からｅの状
態に至るまでの間にわたり比較的強く付与し、他の状態
では比較的強く付与することが望ましい。
従来のワイヤボンディング装置ではねじによる力の付与
であるため調整がむずかしく、かつ上記のように金属細
線に付与するテンションが一定であるため、バックテン
ションもワイヤボンディング工程の全期間にわたり一定
となり、これが妥当な値より弱すぎたときには第４図す
で示すように金属細線７にたるみをもたらし、このたる
みならびに樹脂封止時の圧力により短絡事故が誘発され
る。
一方、強すぎた場合には第４図Ｃで示すように金属細線
７が直線的になり半導体基板２の周縁部に接するおそれ
が生じ、やはり短絡事故が誘発されることあるいは断線
事故が生じることなどの不都合を招く。
特に金属細線７により接続される２点間の距離が長く、
したがって金属細線が長くなった場合、妥当なバックテ
ンションを見いだすことが困難であり、このような状況
下において上記の問題が多発する。
近年、半導体装置の製造には、大量処理の点で極めてす
ぐれている自動ワイヤボンダーが採用されつつあるが、
このような金属細線への張力付与は第２図のごとき構成
でのみ行われており、他の工程に比べ極めて作業性が悪
いとともにワイヤボンドの品質にも大きな影響を及ぼし
ている。
本発明はこのような問題の検討に鑑みてなされたもので
、すぐれた自動ワイヤーテンション機構を提供したもの
である。
すなわち、本発明は、従来のワイヤボンディング装置に
存在した上記の不都合を排除することのできるワイヤボ
ンディング装置を提供するものであり、金属細線に所定
のテンションを付与するための金属細線挟持体たとえば
ガラス板による挟持力を電磁石にて電気的に制御するべ
くなし、また挟持力の切換えを容易に行うことを可能に
し、１回のワイヤボンド過程の中で挟持力を変化させた
ところに本発明の特徴が存在する。
以下に図面を参照して本発明のワイヤボンディング装置
について詳しく説明する。
第５図は、本発明のワイヤボンディング装置のテンショ
ン付与部の構成を示す断面図であり、金属細線５を挟持
するガラス板１０と１１が支持体１４の固定枠１５の中
に嵌入されるとともに、さらにガラス板１１の上部に磁
性金属板１６が載置され、また、ガラス板１０の下部に
は電磁石１７が配置されている。
なお、１８は電磁コイルである。
以上の構成からなるテンション付与部では、電磁石１７
によって生じる磁性金属板１６の吸着力により上側のガ
ラス板１１が支持板１４の方向へ押圧されるところとな
り、この押圧力が金属細線の挟持力として作用する。
したがって、キャピラリの移動状態を考慮して電磁コイ
ル１８に流す電流の大きさを制御するならばこの電流の
大きさの制御に応じて電磁力１７による磁性金属板１６
の吸着力、すなわち金属細線５の挟持力が変化するとこ
ろとなり、金属細線５に付与されるテンションが変化し
、正確な挟持力を付与することができる。
すなわち、本発明によれば電磁石への電流の調整のみで
理想的な挟持力を付与することができ、ボンディング不
良の低減にすぐれた効果を発揮する。
ところで、ワイヤボンディング時に金属細線に付与する
テンションはすでに説明したように第１図ｄの状態から
ｅの状態までの間にわたって大きく他の状況下では比較
的小さいことがのぞましい。
このようなテンション付与の制御は、たとえば第６図で
示す電気回路により自動的に行うことができる。
すなわち、電磁コイル１８を接点Ａ、Ｂを有するスイッ
チ１９に繋ぎ、さらに接点ＡおよびＢを異る抵抗値に設
定された可変抵抗２０および２１を介して電源２２に接
続する回路構成となし、スイッチ１９の接点Ａあるいは
Ｂの選択により電磁コイル１８に流す電流を変化させれ
ばよい。
なお、スイッチ１９の接点の選択は例えば、図示するよ
うにバート形の溝２３の穿設されたカム２４の前記溝に
滑動自在の関係を成立させてアーム２５、をとりつけ、
さらにこのカムをキャピラリの上下駆動用カムを同軸的
にとりつけることにより、カム２４の回転に対応してア
ーム２５を上下動させ、このアーム２５によりスイッチ
１９の接点選択を実行させることにより行うことができ
る。
勿論、ワイヤボンディング作業時間から大きなテンショ
ンを付与する必要のある期間を割りだし、純電気的に接
点の選択を行わせることもできる。
第７図は以上説明してきたテンション付与部を有する本
発明のワイヤボンディング装置の全体的な構成を示す図
であり、テンション付与部が異るのみで他の構成は第２
図で示した従来の装置と同じである。
なお２６は第６図で示した電気回路部である。
さて、外部リード線２８本の樹脂封止型デュアルインラ
イン型半導体集積回路装置（ＩＣ）に本発明を適用した
例を説明する。
すなわち、金属細線として約４０μφのＡｕ線を用いて
上記ＩＣを自動ワイヤボンダーにてワイヤボンドした。
従来のごとく、ねじにて最適と思われる挟持力を付与し
た場合短絡不良が１％発生した。
一方、本発明にかかる第５．６．７図に示した自動ワイ
ヤーテンション機構を用いた自動ワイヤボンダーで、可
変抵抗２０．２１を適当に調整して最適の挟持力を金属
細線に付与した場合、上記短絡不良が０．５％となった
。
このことは、数万個あるいはもつと多く生産される半導
体ＩＣにとっては、生産性の向上に格別の効果をもたら
すもので、品質の向上にも大きく寄与する。
また、本発明では、従来のようにねじを用いず、微調整
が正確にできかつ最適の挟持力を与えることができると
ともに、複数段階の適当な挟持力を付与できるため、ワ
イヤボンダーのスピードアップがもたらされ、この点で
も生産性向上にすぐれた効果を発揮するものである。
以上説明してきた本発明のワイヤボンディング装置では
、ワイヤボンディング時に少くとも２種類のテンション
を金属細線に付与することができ、しかも、第６図で示
したように可変抵抗を用いて電磁コイルに流す電流を制
御するのみで、任意の大きさのテンションを付与するこ
ともできる。
したがって、常にワイヤボンディングに最適なテンショ
ンを金属細線に付与してワイヤボンディング作業がなさ
れるため、ワイヤボンディング状態は第４図ａで示した
ような良好な状態となり、ワイヤボンディング工程の歩
留の向上がはかれるのみならず、半導体装置の品質も著
るしく向上し、半導体装置の製造に大きく寄与するもの
である。
【図面の簡単な説明】
第１図ａ ＝ ｆはワイヤボンディング工程におけるキ
ャピラリの移動状態を示す図、第２図は従来のワイヤボ
ンディング装置の構成を示す図、第３図は外部リードへ
のワイヤボンディング時におけるワイヤテンションの関
係を示す図、第４図ａ〜Ｃはワイヤボンディング後の状
態を例示する図、第５図は本発明の一実施例にかかるワ
イヤボンディング装置の金属細線に対するテンション付
与部の構成を示す図、第６図はテンション付与部の電磁
石へ供給する電流を制御する電気回路の構成を示す図、
第７図は本発明のワイヤボンディング装置の全体的な構
成を示す図である。 １・・・・・・半導体基板支持体、２・・・・・・半導
体基板、３・・・・・・外部リード、４・・・・・・キ
ャピラリ、５・・・・・・金属細線、６・・・・・・球
状体、７・・・・・・相互接続金属細線、８・・・・・
・金属細線の巻枠、９・・・・・・金属細線供給ガイド
、１０，１１・・・・・・ガラス板、１３・・・・・・
板ばね、１６・・・・・・磁性金属板、１７・・・・・
・電磁石、１８・・・・・・電磁コイル、１９・・・・
・・スイッチ、２０．２１・・・・・・可変抵抗器、２
２・・・・・・電源、２３・・・・・・バート形の溝、
２４・・・・・・カム、２５・・・・・・アーム、２６
・・・・・・電気回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 金属細線の巻枠と、キャピラリと、これらの間に位
    置し、前記キャピラリに挿通される前記金属細線を所定
    の挟持力で挟持してこれにテンションを与えるテンショ
    ン付与部を形成する金属細線挟持用の挟持体と、この挟
    持体に挟持力を与える電磁石部とを有するとともに、さ
    らに前記電磁石の電磁コイルに流す電流の大きさを半導
    体基板上の電極と外部リードとの間を接続する１回のワ
    イヤボンド過程で変化させる電磁コイル電流可変手段を
    有し、前記挟持体による挟持力が、外部ＩＪ−ド上への
    キャピラリの降下時に最大となることを特徴とするワイ
    ヤボンディング装置。 ２ 電磁石の電磁コイルに流す電流の大きさの変化をも
    たらす電磁コイル電流可変手段が、キャピラリ、駆動用
    カムと同軸的にとりつけられたカムと、同カムの動作に
    より接点の切り換えがなされるスイッチと、その被切り
    換え接点に接続された電流制御用抵抗とで構成されてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のワイ
    ヤボンディング装置。
JP53143632A 1978-11-20 1978-11-20 ワイヤボンディング装置 Expired JPS5850422B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53143632A JPS5850422B2 (ja) 1978-11-20 1978-11-20 ワイヤボンディング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53143632A JPS5850422B2 (ja) 1978-11-20 1978-11-20 ワイヤボンディング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5570040A JPS5570040A (en) 1980-05-27
JPS5850422B2 true JPS5850422B2 (ja) 1983-11-10

Family

ID=15343264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP53143632A Expired JPS5850422B2 (ja) 1978-11-20 1978-11-20 ワイヤボンディング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5850422B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0222993Y2 (ja) * 1984-12-13 1990-06-21
JP4843333B2 (ja) * 2006-02-21 2011-12-21 田中精機株式会社 線材の保持装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5570040A (en) 1980-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5176310A (en) Method and apparatus for wire bond
US3430835A (en) Wire bonding apparatus for microelectronic components
US6271601B1 (en) Wire bonding method and apparatus and semiconductor device
US3747198A (en) Tailless wedge bonding of gold wire to palladium-silver cermets
US5813115A (en) Method of mounting a semiconductor chip on a wiring substrate
US5037023A (en) Method and apparatus for wire bonding
US3384283A (en) Vibratory wire bonding method and apparatus
US4821944A (en) Method for bonding a wire and bonding apparatus
US5514912A (en) Method for connecting semiconductor material and semiconductor device used in connecting method
US3934108A (en) Lead bonding method and apparatus
US4697058A (en) Microweld apparatus with an improved electrode tip design and tip support
JPS60154537A (ja) 半導体デバイスの製作方法
JPS5850422B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP2541645B2 (ja) ワイヤボンディング方法および装置
JPH02213146A (ja) ワイヤボンディング方法および装置
JP2537656B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JPS61158155A (ja) 半導体と上記半導体を封入するハウジングの接続端子への接続導線を固定する装置
JPS62150854A (ja) 電極形成方法および装置
JP2733363B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPS5988841A (ja) ワイヤボンデイング装置
JP3552700B2 (ja) ワイヤボンダ及びボンディング方法
JPH07176535A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04306850A (ja) ワイヤボンディング方法および装置
JPH07130785A (ja) ワイヤボンディング方法
JPS6364053B2 (ja)