JPS5848682A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
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- JPS5848682A JPS5848682A JP14762481A JP14762481A JPS5848682A JP S5848682 A JPS5848682 A JP S5848682A JP 14762481 A JP14762481 A JP 14762481A JP 14762481 A JP14762481 A JP 14762481A JP S5848682 A JPS5848682 A JP S5848682A
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- Japan
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- cleaning
- cleaned
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- fine particles
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、洗浄溶液に二酸化ケイ素微粒子（ＳｉＯ２）
を懸濁させた溶液・中で被洗浄物を超音波洗浄すること
によって、従来洗浄法で除去し得なかった汚染ケ除去す
る洗浄方法を提供するものである。
を懸濁させた溶液・中で被洗浄物を超音波洗浄すること
によって、従来洗浄法で除去し得なかった汚染ケ除去す
る洗浄方法を提供するものである。
汚ｎの被洗浄物への付着形態は次の４つに分類すること
ができる。
ができる。
（１）分子間吸引力
（２）静電気による付着
（３）化学結合
（４）被洗浄物内部への拡散
（１）、 （２）については、汚ｔ′Ｌヶ構成する物質
と被洗浄物間の吸引力を破ってやｔばよいわけで、例え
ば有機溶剤中に浸漬させて超音波洗浄したり、煮沸する
ことによって汚Ａ’に除去することができる。
と被洗浄物間の吸引力を破ってやｔばよいわけで、例え
ば有機溶剤中に浸漬させて超音波洗浄したり、煮沸する
ことによって汚Ａ’に除去することができる。
ところが、（３）、（４）に関しては化学的な付着であ
り、また、汚ｎヶ構成する物質と被洗浄物の化学反応部
分あるいは汚ｔ’ｌｆ構成する物質の拡散層が被洗浄物
の内部に入り込んでいるため、前述の洗浄法でこ【らの
汚ｆ’Ｌ’に除去することは困難であった。
り、また、汚ｎヶ構成する物質と被洗浄物の化学反応部
分あるいは汚ｔ’ｌｆ構成する物質の拡散層が被洗浄物
の内部に入り込んでいるため、前述の洗浄法でこ【らの
汚ｆ’Ｌ’に除去することは困難であった。
特に、薄膜磁気ヘッド用基板や半導体用基板のように表
面が鏡面状態に仕上げらｔｌ、たものでは、汚ｎ’ｉ構
成する物質が内部へ拡散しやすくなっているため、最終
ポリシングに使用する研摩剤や接着剤等に基づく汚【が
あった場合、従来の洗浄法では完全に洗浄することがで
きなかった。このよ５Ｈ−ｐ汚【はヘッド特性やデバイ
ス特性を大きく劣下させるため極めて有害なものである
といえる。
面が鏡面状態に仕上げらｔｌ、たものでは、汚ｎ’ｉ構
成する物質が内部へ拡散しやすくなっているため、最終
ポリシングに使用する研摩剤や接着剤等に基づく汚【が
あった場合、従来の洗浄法では完全に洗浄することがで
きなかった。このよ５Ｈ−ｐ汚【はヘッド特性やデバイ
ス特性を大きく劣下させるため極めて有害なものである
といえる。
薄膜磁気ヘッドの場合、表面が２ ｎｍ以下の表面粗さ
に仕上げらｔ″した単結晶あるいは多結晶フェライト基
板上に二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の絶縁膜を堆積させ
て基板との絶縁性を確保した後、磁性体層、導電体層、
絶縁体層等を積層して磁気ヘノドケ構成している。この
鏡面状態に仕上げらｎ；ｅ基板表面上に拡散によって固
着さｎた汚ｔがある場合、この上に絶縁膜（例えば二酸
化ケイ素５ｉＯｚ等）ケ堆積させても、汚染箇所の絶縁
性は他の箇所に比べてかなり低くなり、特性の劣化ケ招
く結果となる。−！た、汚染箇所では絶縁膜との付着性
が弱いため絶縁膜が基板から剥離しやすくなっており、
薄膜磁気ヘッド用の基板としての使用に耐えない。
に仕上げらｔ″した単結晶あるいは多結晶フェライト基
板上に二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の絶縁膜を堆積させ
て基板との絶縁性を確保した後、磁性体層、導電体層、
絶縁体層等を積層して磁気ヘノドケ構成している。この
鏡面状態に仕上げらｎ；ｅ基板表面上に拡散によって固
着さｎた汚ｔがある場合、この上に絶縁膜（例えば二酸
化ケイ素５ｉＯｚ等）ケ堆積させても、汚染箇所の絶縁
性は他の箇所に比べてかなり低くなり、特性の劣化ケ招
く結果となる。−！た、汚染箇所では絶縁膜との付着性
が弱いため絶縁膜が基板から剥離しやすくなっており、
薄膜磁気ヘッド用の基板としての使用に耐えない。
このことは半導体用の基板に関しても同様である。
このため、汚ｎが固着さｔ１従来の洗浄法でこｎらの汚
ｎ’に除去し得ない基板等ケ再び活用するためには次の
２つの方法會採ることが現状として必要であった。１ず
第１に、被洗浄物の表面を再びポリシングして汚染層全
機械的に除去してし１９方法、第２に、被洗浄物と化学
的に反応する溶液ケエッチング液として、汚染層ケ化学
的にエツチング除去してし筐う方法である。ところが第
１の機械的除去法では、荒研摩、中研摩、仕上ポリシン
グと多く工程ケ経なくてはならず、多大の時間を要する
ほか、加工しろを多く見ておかなくてはならず、基板等
の厚さの大幅な減少ケ招く問題点がある。′！た第２の
化学的除去法においては、処理前の基板等の表面粗さが
、処理後において荒くなるため、表面の鏡面性を利用す
る基板等ではこの方法を採ることは危険であった。第１
図、第２図はこの一例ケ示したものであり、表面ケポリ
シングして鏡面状態とした単結晶フェライト基板の表面
プロフィール（第１図）と、この基板を塩酸（２ｏｖＦ
ｔ％８０℃）で１０分間、エツチング処理した後の表面
プロフィール（第２図）ケ対比させて示しておジ、表面
粗さが処理後において大幅に大きくなっていることがわ
かる。
ｎ’に除去し得ない基板等ケ再び活用するためには次の
２つの方法會採ることが現状として必要であった。１ず
第１に、被洗浄物の表面を再びポリシングして汚染層全
機械的に除去してし１９方法、第２に、被洗浄物と化学
的に反応する溶液ケエッチング液として、汚染層ケ化学
的にエツチング除去してし筐う方法である。ところが第
１の機械的除去法では、荒研摩、中研摩、仕上ポリシン
グと多く工程ケ経なくてはならず、多大の時間を要する
ほか、加工しろを多く見ておかなくてはならず、基板等
の厚さの大幅な減少ケ招く問題点がある。′！た第２の
化学的除去法においては、処理前の基板等の表面粗さが
、処理後において荒くなるため、表面の鏡面性を利用す
る基板等ではこの方法を採ることは危険であった。第１
図、第２図はこの一例ケ示したものであり、表面ケポリ
シングして鏡面状態とした単結晶フェライト基板の表面
プロフィール（第１図）と、この基板を塩酸（２ｏｖＦ
ｔ％８０℃）で１０分間、エツチング処理した後の表面
プロフィール（第２図）ケ対比させて示しておジ、表面
粗さが処理後において大幅に大きくなっていることがわ
かる。
本発明は、このような従来の洗浄法で除去し得なかった
汚−ｎｋ被洗浄物の表面粗さを変えることのである。
汚−ｎｋ被洗浄物の表面粗さを変えることのである。
本発明の特徴は、洗浄溶液に、粒径が５０ｎｍ以下の二
酸化ケイ素微粒子（５ｉ０２ ） ′に懸濁させた溶液
中で被洗浄物を超音波洗浄する点にあり、こｎにより、
大幅な洗浄効果の改善が図らｆた。
酸化ケイ素微粒子（５ｉ０２ ） ′に懸濁させた溶液
中で被洗浄物を超音波洗浄する点にあり、こｎにより、
大幅な洗浄効果の改善が図らｆた。
洗浄溶液中の二酸化ケイ素微粒子（ＳｉＯ２）に超音波
振動？与えると、微粒子は運動エネルギを持ち、被洗浄
物の表面に微粒子が衝突することになる。
振動？与えると、微粒子は運動エネルギを持ち、被洗浄
物の表面に微粒子が衝突することになる。
この微粒子の持つ運動エネルギによって被洗浄物表面の
極近傍の原子の結合ケ打ち破り、汚染層ともども表面層
の原子ｒ除去するのが本洗浄法の原理である。しかし、
被洗浄物の表面性（例えば結晶性や表面粗さ等）に何ら
のダメージを与えることなく目的ケ達するためには、一
つの微粒子の持つ運動エネルギを、被洗浄物の表面の数
原子層のみの結合ケ打ち破るだけのものに制限すること
が必要であり、微粒子の粒径葡極力小さくすることがこ
のために要求さｆる。
極近傍の原子の結合ケ打ち破り、汚染層ともども表面層
の原子ｒ除去するのが本洗浄法の原理である。しかし、
被洗浄物の表面性（例えば結晶性や表面粗さ等）に何ら
のダメージを与えることなく目的ケ達するためには、一
つの微粒子の持つ運動エネルギを、被洗浄物の表面の数
原子層のみの結合ケ打ち破るだけのものに制限すること
が必要であり、微粒子の粒径葡極力小さくすることがこ
のために要求さｆる。
第３図は、種々の粒径會持つ二酸化ケイ素８ｉ０２させ
た溶液中で表面が２ ｎｍの表面粗さに仕上げらｔ″Ｌ
、り単結晶フェライト基板７１０分間超音波洗浄するこ
とによって表面粗さがどのように変化するかケ求めたも
のである。粒径が４０〜ｓｏｎｍ以下の微粒子では、洗
浄前の表面粗さく ２ ｎｍ ）とほぼ同程度の表面粗
さケ呈しているのに対し、粒径が大きくなると、洗浄後
の表面粗さは大きくなっていることがわかる。
た溶液中で表面が２ ｎｍの表面粗さに仕上げらｔ″Ｌ
、り単結晶フェライト基板７１０分間超音波洗浄するこ
とによって表面粗さがどのように変化するかケ求めたも
のである。粒径が４０〜ｓｏｎｍ以下の微粒子では、洗
浄前の表面粗さく ２ ｎｍ ）とほぼ同程度の表面粗
さケ呈しているのに対し、粒径が大きくなると、洗浄後
の表面粗さは大きくなっていることがわかる。
第４図は、種々の粒径葡持つ二酸化ケイ素８ｉ０ｚをア
セトン中に同一の重量％（４重量％）で懸濁させた溶液
中で単結晶フェライトケ超音波洗浄したときの表面の除
去速度ケ測定したものであり、４０〜５０ｎｍの粒径を
境にして、粒径が小さくなっても、あるいは大きくなっ
ても除去速度が増加している。
セトン中に同一の重量％（４重量％）で懸濁させた溶液
中で単結晶フェライトケ超音波洗浄したときの表面の除
去速度ケ測定したものであり、４０〜５０ｎｍの粒径を
境にして、粒径が小さくなっても、あるいは大きくなっ
ても除去速度が増加している。
第３図、第４図よ、す、粒径が小さな微粒子はど被洗浄
物の表面性？損なうことなく表面を微小除去することが
でき、また作用微粒子の増加により高い除去速度が得ら
ｎる。これに対し、粒子が４ｏ〜ｓｏｎｍより大きくな
ると、除去速度ゐ増加が得らｎるが一粒子の持つ運動エ
ネルギが犬きくなり、被洗浄物の表面内部にダメージケ
与えるほか、洗浄後の表面粗さも大きくなり、表面性を
損なう結果となる。以上より、本洗浄に用いる微粒子と
してＨｓ ｏ ｎｍ以下の粒径のものが適当であること
が立証さｌｒｌ、だが、その中でも３０ ｎｍ以下の粒
径の微粒子ケ用いるとより有効であることがわかる。
物の表面性？損なうことなく表面を微小除去することが
でき、また作用微粒子の増加により高い除去速度が得ら
ｎる。これに対し、粒子が４ｏ〜ｓｏｎｍより大きくな
ると、除去速度ゐ増加が得らｎるが一粒子の持つ運動エ
ネルギが犬きくなり、被洗浄物の表面内部にダメージケ
与えるほか、洗浄後の表面粗さも大きくなり、表面性を
損なう結果となる。以上より、本洗浄に用いる微粒子と
してＨｓ ｏ ｎｍ以下の粒径のものが適当であること
が立証さｌｒｌ、だが、その中でも３０ ｎｍ以下の粒
径の微粒子ケ用いるとより有効であることがわかる。
被洗浄物の表面に汚染拡散層がある場合−１この拡散層
の原子密度および原子構［Ｊ、非拡散層のそｎと若干異
なっている。このため微粒子の超音波振動の衝突で被洗
浄物の表面ケ微小除去する場合、拡散層と非汚染層で若
干除去速度に差が出る結果となり、そこに微小な表面段
差が生じる。通常、拡散層において、拡散物質（例えば
油脂、樹脂等）は原子オーダの微小除去？さまたげる傾
向にあるため、除去速度が若干遅くなっていた。そこで
汚染層と非汚染層で平均的な除去速度ケ得るため、被洗
浄物の最表面に出てきた汚染拡散物質ケ順次、溶解除去
してやる必要があり、二酸化ケイ素微粒子？懸濁させる
溶質葡アセトン・トリクレン等の有機溶剤とするのはこ
のためである。すなわち、二酸化ケイ素微粒子の超音波
振動に基づく被洗浄物への衝突で、数原子層の原子の結
合を破って表面ケ微小除去し、その際に最表面に出てき
た汚染拡散物質ケ洗浄用有機溶剤で順次、溶解除去する
。このサイクルを繰り返すことによって汚染拡散層と非
汚染層ケ同じ速度で微小除去することができることにな
る。
の原子密度および原子構［Ｊ、非拡散層のそｎと若干異
なっている。このため微粒子の超音波振動の衝突で被洗
浄物の表面ケ微小除去する場合、拡散層と非汚染層で若
干除去速度に差が出る結果となり、そこに微小な表面段
差が生じる。通常、拡散層において、拡散物質（例えば
油脂、樹脂等）は原子オーダの微小除去？さまたげる傾
向にあるため、除去速度が若干遅くなっていた。そこで
汚染層と非汚染層で平均的な除去速度ケ得るため、被洗
浄物の最表面に出てきた汚染拡散物質ケ順次、溶解除去
してやる必要があり、二酸化ケイ素微粒子？懸濁させる
溶質葡アセトン・トリクレン等の有機溶剤とするのはこ
のためである。すなわち、二酸化ケイ素微粒子の超音波
振動に基づく被洗浄物への衝突で、数原子層の原子の結
合を破って表面ケ微小除去し、その際に最表面に出てき
た汚染拡散物質ケ洗浄用有機溶剤で順次、溶解除去する
。このサイクルを繰り返すことによって汚染拡散層と非
汚染層ケ同じ速度で微小除去することができることにな
る。
フェライト等より構成さ【ている薄膜磁気ヘッド基板で
はアセトン・トリクレン等の有機溶剤に二酸化ケイ素微
粒子？懸濁させた溶液中で超音波洗浄することにより、
基板表面に拡散した汚染物質の完全な除去が可能となる
。また単結晶シリコンより構成さ：ｆｉた半導体基板に
おいても、薄膜磁気ヘッド基板同様、有機溶剤を溶質と
しても目的ケ達することができるが、シリコンが耐薬品
性に優ｎている物質であることから発煙硝酸９発煙硫酸
等會溶質としても、高分子物質等の汚染を手軽（約２分
程度）に除去することができる。
はアセトン・トリクレン等の有機溶剤に二酸化ケイ素微
粒子？懸濁させた溶液中で超音波洗浄することにより、
基板表面に拡散した汚染物質の完全な除去が可能となる
。また単結晶シリコンより構成さ：ｆｉた半導体基板に
おいても、薄膜磁気ヘッド基板同様、有機溶剤を溶質と
しても目的ケ達することができるが、シリコンが耐薬品
性に優ｎている物質であることから発煙硝酸９発煙硫酸
等會溶質としても、高分子物質等の汚染を手軽（約２分
程度）に除去することができる。
なお、本発明において洗浄溶液に懸濁させる微粒子ケ二
酸化ケイ素（ＳｉＯｚ ）に限定しているが、こｎは次
の理由によるものである。二酸化ケイ素は化学的に非常
に安定な物質であり、はとんどの酸やアルカリに対して
反応しない（例外としてフッ酸系溶液およびフッ硝酸系
溶液に対して反応する）。
酸化ケイ素（ＳｉＯｚ ）に限定しているが、こｎは次
の理由によるものである。二酸化ケイ素は化学的に非常
に安定な物質であり、はとんどの酸やアルカリに対して
反応しない（例外としてフッ酸系溶液およびフッ硝酸系
溶液に対して反応する）。
こｎに対し、酸化マグネシウムＭｇＯやベンガラＦｅｚ
ｅ５を本洗浄における微粒子として使用する場合、微粒
子を懸濁させる溶質に塩酸や硝酸を用いると、両者の間
で化学反応が起こる。このため微粒子が溶質に溶解して
しまい、目的の連取が不可能となる。
ｅ５を本洗浄における微粒子として使用する場合、微粒
子を懸濁させる溶質に塩酸や硝酸を用いると、両者の間
で化学反応が起こる。このため微粒子が溶質に溶解して
しまい、目的の連取が不可能となる。
壕り二酸化ケイ素は機械的に強固な物質のため粒径が数
ｎｍの超微粒子になっても機械的特性が保持さｎている
。このため超音波洗浄の最中に粉砕する恐ｎが全くなく
、経時的にも有効な洗浄効果が得らｎる特徴？持つ。
ｎｍの超微粒子になっても機械的特性が保持さｎている
。このため超音波洗浄の最中に粉砕する恐ｎが全くなく
、経時的にも有効な洗浄効果が得らｎる特徴？持つ。
以下に本発明の洗浄方法を具体的に説明する。
第６図は、表面が２ ｎｕの表面粗さに仕上げらの表面
プロフィールケ測定した結果であり、測定紙中央付近に
汚ｔに基づく突起箇所（Ａ）がある。こｔ″Ｌハ基板基
板ポリタングに使用する接着樹脂が基板表面に固着さｎ
ているものである。第６図は、この汚ｎｋ持つ基板を従
来の洗浄法で除去しようと試みた後の表面プロフィール
ケ示している。洗浄法は、トリクレン中超音波洗浄（１
５分間）およびアセトン中超音波洗浄（１６分間）であ
るが、洗浄前の突起箇所を完全に除去することは不可能
であった。
プロフィールケ測定した結果であり、測定紙中央付近に
汚ｔに基づく突起箇所（Ａ）がある。こｔ″Ｌハ基板基
板ポリタングに使用する接着樹脂が基板表面に固着さｎ
ているものである。第６図は、この汚ｎｋ持つ基板を従
来の洗浄法で除去しようと試みた後の表面プロフィール
ケ示している。洗浄法は、トリクレン中超音波洗浄（１
５分間）およびアセトン中超音波洗浄（１６分間）であ
るが、洗浄前の突起箇所を完全に除去することは不可能
であった。
こｎに対し、第７図は本発明に基づく洗浄法を当基板に
施した場合の表面プロフィールを示しており、表面粗さ
は洗浄前の２ｎｍｋ維持しており、かつ短時間の洗浄で
汚染箇所が完全に除去さｎていることがわかる。下記に
この場合の洗浄条件を示す。
施した場合の表面プロフィールを示しており、表面粗さ
は洗浄前の２ｎｍｋ維持しており、かつ短時間の洗浄で
汚染箇所が完全に除去さｎていることがわかる。下記に
この場合の洗浄条件を示す。
Ｏ微粒子二二酸化ケイ素５ｉ０２ 、粒径約７ｎｌｌＯ
洗浄溶液（溶質）：アセトン Ｏ微粒子の全溶液に対する重量％：１０重量％なお、超
音波洗浄における高周波数は２０〜６０曲とするのが適
当であり、本実施例では３０曲の高周波？用いている。
洗浄溶液（溶質）：アセトン Ｏ微粒子の全溶液に対する重量％：１０重量％なお、超
音波洗浄における高周波数は２０〜６０曲とするのが適
当であり、本実施例では３０曲の高周波？用いている。
以上説明したように、本発明の洗浄方法により、従来の
洗浄法で除去し得なかった汚染（例えば汚染物質の被洗
浄物内部への拡散層等）？被洗浄物の表面粗さを変える
ことなく、かつ短時間に取り除くことが可能となった。
洗浄法で除去し得なかった汚染（例えば汚染物質の被洗
浄物内部への拡散層等）？被洗浄物の表面粗さを変える
ことなく、かつ短時間に取り除くことが可能となった。
第１図は鏡面ポリシングさｎた単結晶フェライト基板の
表面プロフィールケ示す図、第２図は同基板の化学エツ
チング処理後の表面プロフィールケ示す図、第３図４
本発明の洗浄法における５ｉ０２微粒
子の平均粒径と洗浄後の表面粗さの関係ケ示す図、第４
図１Ｊｓｉ０２微粒子の７示すもので鳩目招洗浄前の基
板表面のプロフィール？示す図、Ｍ（＋”Ｍｘ従来法に
よる洗浄後の基板表面のプロフィールケ示す図、ｉｙ＋
Ｂは本発明による洗浄後の基板表面のプロフィールケ示
す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第２図 第３図 Ｓ；０２刊文堝）Ｊの平均粒径 （れ仇）
第４図 Ｓシ０２代久粧Ｊ Ｑ乎均粒伍 （ルｍ）第５図 鴎６図 罵 ７ 図
表面プロフィールケ示す図、第２図は同基板の化学エツ
チング処理後の表面プロフィールケ示す図、第３図４
本発明の洗浄法における５ｉ０２微粒
子の平均粒径と洗浄後の表面粗さの関係ケ示す図、第４
図１Ｊｓｉ０２微粒子の７示すもので鳩目招洗浄前の基
板表面のプロフィール？示す図、Ｍ（＋”Ｍｘ従来法に
よる洗浄後の基板表面のプロフィールケ示す図、ｉｙ＋
Ｂは本発明による洗浄後の基板表面のプロフィールケ示
す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第２図 第３図 Ｓ；０２刊文堝）Ｊの平均粒径 （れ仇）
第４図 Ｓシ０２代久粧Ｊ Ｑ乎均粒伍 （ルｍ）第５図 鴎６図 罵 ７ 図
Claims (3)
- （１）洗浄溶液に粒径がｓｏｎｍ以下の二酸化ケイ素微
粒子？懸濁させた溶液中で被洗浄物を超音波洗浄するこ
とを特徴とする洗浄方法。 - （２）洗浄溶液がアセトン、トリクレン等の有機溶剤で
あることケ特徴とする特許請求の範囲第１項記載の洗浄
方法。 - （３）洗浄溶液が発煙硝酸あるいは発煙硫酸であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147624A JPS6044397B2 (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147624A JPS6044397B2 (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848682A true JPS5848682A (ja) | 1983-03-22 |
| JPS6044397B2 JPS6044397B2 (ja) | 1985-10-03 |
Family
ID=15434530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56147624A Expired JPS6044397B2 (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6044397B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61235584A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-20 | Kawasaki Steel Corp | 鋼板の酸洗方法 |
| US7258834B2 (en) | 2003-08-01 | 2007-08-21 | Agilent Technologies, Inc. | Methods and devices for modifying a substrate surface |
| JP2013540240A (ja) * | 2010-10-21 | 2013-10-31 | シーメンス エナジー インコーポレイテッド | 表面に割れ目を有するタービンエンジン部品の修理方法 |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP56147624A patent/JPS6044397B2/ja not_active Expired
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61235584A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-20 | Kawasaki Steel Corp | 鋼板の酸洗方法 |
| JPH0472913B2 (ja) * | 1985-04-10 | 1992-11-19 | Kawasaki Steel Co | |
| US7258834B2 (en) | 2003-08-01 | 2007-08-21 | Agilent Technologies, Inc. | Methods and devices for modifying a substrate surface |
| JP2013540240A (ja) * | 2010-10-21 | 2013-10-31 | シーメンス エナジー インコーポレイテッド | 表面に割れ目を有するタービンエンジン部品の修理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6044397B2 (ja) | 1985-10-03 |
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