JPS584778A - ベンゾオキサゾ−ル誘導体 - Google Patents
ベンゾオキサゾ−ル誘導体Info
- Publication number
- JPS584778A JPS584778A JP56101050A JP10105081A JPS584778A JP S584778 A JPS584778 A JP S584778A JP 56101050 A JP56101050 A JP 56101050A JP 10105081 A JP10105081 A JP 10105081A JP S584778 A JPS584778 A JP S584778A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- compound
- formula
- benzoxazole
- alkoxy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は比較的低い温度で液晶相を示す新却なベンゾオ
キサゾール誘導体に関するものである。
キサゾール誘導体に関するものである。
液晶物質が電気光学表示装置に利ハ→さねて以来、数多
くの液晶物質が合成さね、ネマチック液晶またはネマチ
ック−コレステリック液晶が5ねじれネマチックモード
表示素子、コレステリック−ネマチック相転移現象利用
表示素子、またはゲスト・ホスト効呆利ハ」表示素子な
どに広く利用されている。
くの液晶物質が合成さね、ネマチック液晶またはネマチ
ック−コレステリック液晶が5ねじれネマチックモード
表示素子、コレステリック−ネマチック相転移現象利用
表示素子、またはゲスト・ホスト効呆利ハ」表示素子な
どに広く利用されている。
これら液晶物質には、水分、空気、光、熱等に対して安
定であることが要求さね、また室温で液晶状態であるの
は勿論のこと、低温/ハら高温までのできるだけ広い温
度範囲で液晶状態を示すものが望まれる。
定であることが要求さね、また室温で液晶状態であるの
は勿論のこと、低温/ハら高温までのできるだけ広い温
度範囲で液晶状態を示すものが望まれる。
しかし、単一の化合物では上記の物性的要求をすべて満
すことができないので、伺種類かの化合物を組み合せた
組成物によって目的を達し2ているのが現状である。
すことができないので、伺種類かの化合物を組み合せた
組成物によって目的を達し2ているのが現状である。
本発明者らは上記実情に鑑み、すぐねだ液晶物質を得る
ために深く研究を行った結芽、一般式(I) 〔式中、R1は水撒原子、シアノ基−またけ炭素原子数
/〜りのアルキル基もしくはアルコキシ基を表わし、R
2は水撒原子またけ炭素原子数7〜りのアルキル基も【
2くはアルコキシ基を表わし、される新規なペンゾオキ
ザゾール訪導体が比較的低温度で液晶相を示し、特に他
の公知の液晶物質との相粗性がよく、液晶組成物の一成
分としてすぐねていることを児い出し、本発明に到−3
= 達しだものである。
ために深く研究を行った結芽、一般式(I) 〔式中、R1は水撒原子、シアノ基−またけ炭素原子数
/〜りのアルキル基もしくはアルコキシ基を表わし、R
2は水撒原子またけ炭素原子数7〜りのアルキル基も【
2くはアルコキシ基を表わし、される新規なペンゾオキ
ザゾール訪導体が比較的低温度で液晶相を示し、特に他
の公知の液晶物質との相粗性がよく、液晶組成物の一成
分としてすぐねていることを児い出し、本発明に到−3
= 達しだものである。
以下に本発明を詳細にR52明する。
本発明のベンゾオキサゾール訪漕体は前示一般弐mで示
される化合物であり、R1およびR′で表わされる炭素
原子数/〜7のアルキル基ならびに炭素原子数/〜りの
アルコキシ基6泊鎖状、分岐鎖状のいずれであってもよ
い。
される化合物であり、R1およびR′で表わされる炭素
原子数/〜7のアルキル基ならびに炭素原子数/〜りの
アルコキシ基6泊鎖状、分岐鎖状のいずれであってもよ
い。
一般式(1)で示されるペンゾオキザゾール誘導体tt
またとえは一般式(II) 〔式中、R1は前示一般式(1)におけると同一の意義
を有する。〕で示さねるO−アミノフェノール系化合物
を反応に不品性な浴媒、例えは、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン、/、2−ジメトキシエタン、ジエチルエ・
−チル、アセトン、メチルエチルクトン、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベン
ゼン、トリクロロベンゼン、ニトロベンゼン、〇 4− 一二トロトルエン、N、N−ジメチルホルムアミド、ま
たは、N−メチルピロリドン中で酢酸すl・リウム、酢
酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水目ン化
ナトリウム、水酸化カリウム、ピペリジン、モルホリン
、トリエチルアミン、ピリジン膚たはピコリン等の塩基
性化合物の看在下に0〜.200℃の温度で一般式(1
])で示される0−アミンフェノール系化合物に刻1゜
て当廿以上の下記一般式(I[1) R2−X−COCtolll、11118191081
011.(liI)〔式中、R2およびXけ前示一般式
(1)におけると同一の勲義を有する。〕で衣わさノす
る酸基化物と反工1.させて得られる下記一般式(IV
)C式中、X、R1およびR2は前示一般式(1)にお
けると同一の′に義を有する。〕で示される仕合物ヲ、
ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロロベンゼン、
ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ニトロベンゼ
ン、0−ニトロトルエン、エタノール、インブタノール
、セロソルブ、酢酸等の反応に不活性な溶媒中で、ベン
ゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、エタンスルポン
酸、アミノスルホン酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸など
の酸性化合物の右伯J’70〜−〇θ℃に加熱して環化
させることにより、a造することができる。
またとえは一般式(II) 〔式中、R1は前示一般式(1)におけると同一の意義
を有する。〕で示さねるO−アミノフェノール系化合物
を反応に不品性な浴媒、例えは、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン、/、2−ジメトキシエタン、ジエチルエ・
−チル、アセトン、メチルエチルクトン、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベン
ゼン、トリクロロベンゼン、ニトロベンゼン、〇 4− 一二トロトルエン、N、N−ジメチルホルムアミド、ま
たは、N−メチルピロリドン中で酢酸すl・リウム、酢
酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水目ン化
ナトリウム、水酸化カリウム、ピペリジン、モルホリン
、トリエチルアミン、ピリジン膚たはピコリン等の塩基
性化合物の看在下に0〜.200℃の温度で一般式(1
])で示される0−アミンフェノール系化合物に刻1゜
て当廿以上の下記一般式(I[1) R2−X−COCtolll、11118191081
011.(liI)〔式中、R2およびXけ前示一般式
(1)におけると同一の勲義を有する。〕で衣わさノす
る酸基化物と反工1.させて得られる下記一般式(IV
)C式中、X、R1およびR2は前示一般式(1)にお
けると同一の′に義を有する。〕で示される仕合物ヲ、
ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロロベンゼン、
ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ニトロベンゼ
ン、0−ニトロトルエン、エタノール、インブタノール
、セロソルブ、酢酸等の反応に不活性な溶媒中で、ベン
ゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、エタンスルポン
酸、アミノスルホン酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸など
の酸性化合物の右伯J’70〜−〇θ℃に加熱して環化
させることにより、a造することができる。
本発明に係るベンゾオキサゾール訪寺杯は、それ自体を
またはその二軸以上の混合物を液晶とり、て使用するこ
とができるが、1配表−/に掲けた公知の液晶と混合し
て使用することもできる。
またはその二軸以上の混合物を液晶とり、て使用するこ
とができるが、1配表−/に掲けた公知の液晶と混合し
て使用することもできる。
表啼
−7−
一 日 −
上記嚢中、j(′はアルキル髪j捷にはアルコキシ基を
、Xはニトロ基、シアン基、“fたは)−ロダン11艮
子を表わす。
、Xはニトロ基、シアン基、“fたは)−ロダン11艮
子を表わす。
衣=7の液茜はいすilも6知異方1生が正であるが、
訪箪具方性が負の公知σノエステル系、アゾキシ系、ア
ゾ糸、シラン系、ピリミジン糸、ジエステル糸あるい(
1ビフゴ9ニルエステル糸等の液晶も使ハJすることが
できる。
訪箪具方性が負の公知σノエステル系、アゾキシ系、ア
ゾ糸、シラン系、ピリミジン糸、ジエステル糸あるい(
1ビフゴ9ニルエステル糸等の液晶も使ハJすることが
できる。
次に、本発明を実施例により更に具体的にFlIC明す
るが、本発明はでの倣旨を越えプ1い限り以下の実施例
に限定さtするものではない。
るが、本発明はでの倣旨を越えプ1い限り以下の実施例
に限定さtするものではない。
なおこわらの舅り例においてl=mp″′は融点を、”
Tg’”はガラス転移点を、”Ne’″けネマチック相
を°I 3m11はスメクチック相を、また’ Ob
” Jdコレステリック札を表わす。
Tg’”はガラス転移点を、”Ne’″けネマチック相
を°I 3m11はスメクチック相を、また’ Ob
” Jdコレステリック札を表わす。
実施例/
トランス−e−(n−ペンチル)シクロヘキサンカルボ
ン酸塩化物6.61およびコーアiノーq−(n−ブチ
ル)フェノールQ、/ 9をジオキ勺ンjθ頷に#解し
ざ0℃に加熱する。この中にピリジン7、/ fを徐々
に加え更に!θ〜り0℃で5時間反応を行なった。反応
終了後室温捷で冷却し、反応生成液を冷水にシト出して
クロロホルムで抽出しクロロホルム層を6N塩酸で2回
洗浄した後、水で中性になるまで洗浄した。
ン酸塩化物6.61およびコーアiノーq−(n−ブチ
ル)フェノールQ、/ 9をジオキ勺ンjθ頷に#解し
ざ0℃に加熱する。この中にピリジン7、/ fを徐々
に加え更に!θ〜り0℃で5時間反応を行なった。反応
終了後室温捷で冷却し、反応生成液を冷水にシト出して
クロロホルムで抽出しクロロホルム層を6N塩酸で2回
洗浄した後、水で中性になるまで洗浄した。
クロロホルムを減圧下貿去し、下記式rlV&〕で示さ
れる化合物と2を得た。
れる化合物と2を得た。
得られた化合物[■a]、rrおよびp−t・ルエンス
ルホン酸θ、ryfo−ジクロロベンセン3ocC中に
加え、/lθ〜/デθ℃に加熱しシーンスターク装置に
て脱水しなから閉環反vドアを行ない、3時間反応後、
0−ジクロロベンゼンを減圧留去し、シリカゲルを担体
とし、クロロホルム/n−ヘキサン(//2 )を分離
溶媒とするカラムクロマトグラフィーにて精製し7、下
記式j”Ia、]で示されるλ−(トランス−グー(n
−ペンチル)シクロヘキシル) −j −(n −ブチ
ル)ベンゾオキサゾールj、/?を得た。
ルホン酸θ、ryfo−ジクロロベンセン3ocC中に
加え、/lθ〜/デθ℃に加熱しシーンスターク装置に
て脱水しなから閉環反vドアを行ない、3時間反応後、
0−ジクロロベンゼンを減圧留去し、シリカゲルを担体
とし、クロロホルム/n−ヘキサン(//2 )を分離
溶媒とするカラムクロマトグラフィーにて精製し7、下
記式j”Ia、]で示されるλ−(トランス−グー(n
−ペンチル)シクロヘキシル) −j −(n −ブチ
ル)ベンゾオキサゾールj、/?を得た。
Mass rry’e = 、327(M”) [工a
、;02□H,,No−3,27]IR(KBr)29
.20. /!70. /’IJ”0. Blj
O,/2601 Tg;−9v℃ 元累分析 割算値:C1ざ0.Af ; H、10,# ;N 、
グ、、2/ (G2□H,3NO)実数値;C1ざθ、
72 ; H、10,/グ;Nlグ0.2611一 実施例コ〜と 実施例/と同様の方法で式[Ib〕〜[Ih’)で示さ
れるベンゾオキサゾール紡導体を得た。各防導体の物性
値を表−7に示す。
、;02□H,,No−3,27]IR(KBr)29
.20. /!70. /’IJ”0. Blj
O,/2601 Tg;−9v℃ 元累分析 割算値:C1ざ0.Af ; H、10,# ;N 、
グ、、2/ (G2□H,3NO)実数値;C1ざθ、
72 ; H、10,/グ;Nlグ0.2611一 実施例コ〜と 実施例/と同様の方法で式[Ib〕〜[Ih’)で示さ
れるベンゾオキサゾール紡導体を得た。各防導体の物性
値を表−7に示す。
/
/′
/′
/
/′
/
/
/
/
一12=
実施例?
1)トランス−a−(n−7’ロビル)シクロヘキシル
安息香酸塩化物7.3vおよびλ−アミノー4t −(
n−ブチル)フェノールo、tr yを/、コージメト
キシエタンjθ印に”#!190℃に加熱し、ビ丈プl
ゴーーー′−−−−;霧珈11tピリジン/、6vを徐
々に加え史にyo〜10Q℃で5時間反応を行なった。
安息香酸塩化物7.3vおよびλ−アミノー4t −(
n−ブチル)フェノールo、tr yを/、コージメト
キシエタンjθ印に”#!190℃に加熱し、ビ丈プl
ゴーーー′−−−−;霧珈11tピリジン/、6vを徐
々に加え史にyo〜10Q℃で5時間反応を行なった。
反応終了後、室温まで冷却し、反応生成液を冷水に排出
してクロロホルムで抽出し、クロロホルム層を6N塩酸
で4回洗浄した後、水で中性になるまで洗浄した。クロ
ロホルムを減圧下留去し下記式[IVi〕 で示される化合物を主成分とする残渣/、! 1を得た
1、 上記反応で得られた化合物[rVilを主成分とする残
渣/、!iおよびp−トルエンスルホン酸0、/ t
ヲL)−ジクロロベンゼングO頷中K 7Jn J。
してクロロホルムで抽出し、クロロホルム層を6N塩酸
で4回洗浄した後、水で中性になるまで洗浄した。クロ
ロホルムを減圧下留去し下記式[IVi〕 で示される化合物を主成分とする残渣/、! 1を得た
1、 上記反応で得られた化合物[rVilを主成分とする残
渣/、!iおよびp−トルエンスルホン酸0、/ t
ヲL)−ジクロロベンゼングO頷中K 7Jn J。
/?θ〜/り0℃に加熱し、ジーン・スターク装置にて
脱水しながら閉環反応を行なった。3時間反応後0−ジ
クロロベンセンを減圧留去し、シリカゲルを指付としク
ロロポルム/n−ヘキサン(//、2)を分離溶媒とす
るカラムクロマトグラフィーにて精製し、下記式〔工1
〕で示されるλ−〔グー(トランス−グー(n−プロピ
ル)シクロヘキシル)フェニル)−j−(n−ブチル)
ベンゾオキサゾールo、Zt!得た。
脱水しながら閉環反応を行なった。3時間反応後0−ジ
クロロベンセンを減圧留去し、シリカゲルを指付としク
ロロポルム/n−ヘキサン(//、2)を分離溶媒とす
るカラムクロマトグラフィーにて精製し、下記式〔工1
〕で示されるλ−〔グー(トランス−グー(n−プロピ
ル)シクロヘキシル)フェニル)−j−(n−ブチル)
ベンゾオキサゾールo、Zt!得た。
nuass m/θ=373 (M勺 〔工j
; 02.H331’10=j’7j:]IR(KB
r)29θo、 itoθ、 /6j″θ、/タクθ、
/、260゜//30crn−’ 元素分析 計1ドーイロ’(: O,f3./、f ; H,
Li2 ; N、 3.73 (02,H8,N
o)実験値二〇、?3.2θ:H,と、と/ :N、
3.7/実施例/θ〜−〇 実施例7と同様の方法で〔1j〕〜〔lt〕のベンゾオ
キサゾールvj導体を得た。各@導体の物性値を表−4
に示す。
; 02.H331’10=j’7j:]IR(KB
r)29θo、 itoθ、 /6j″θ、/タクθ、
/、260゜//30crn−’ 元素分析 計1ドーイロ’(: O,f3./、f ; H,
Li2 ; N、 3.73 (02,H8,N
o)実験値二〇、?3.2θ:H,と、と/ :N、
3.7/実施例/θ〜−〇 実施例7と同様の方法で〔1j〕〜〔lt〕のベンゾオ
キサゾールvj導体を得た。各@導体の物性値を表−4
に示す。
実施例2/
に、 Merck社(Darmstadt、West
(Termany)からZL/−//3.2として市販
されているネマチック液晶組成物(−6℃乃至+70℃
のネマチック範囲を有する。)90重彦一部および実施
例7で合成したベンゾオキサゾール系液晶[:工i]/
θM量部を混合し1、加熱して均一層とし、放冷した。
(Termany)からZL/−//3.2として市販
されているネマチック液晶組成物(−6℃乃至+70℃
のネマチック範囲を有する。)90重彦一部および実施
例7で合成したベンゾオキサゾール系液晶[:工i]/
θM量部を混合し1、加熱して均一層とし、放冷した。
この混合物は相溶性があり、この液晶e
範囲は〜r3.7℃である。なお結晶からネマチック相
(もしくはスメクチック相)に相転移する温度は過耐却
現象により試料が結晶しにくい為測定困難であった。
(もしくはスメクチック相)に相転移する温度は過耐却
現象により試料が結晶しにくい為測定困難であった。
実施例ココ
実施例2/で便用しまた市販液晶り原物ZL/ −//
32.20重量部および実測例/7で合成したベンゾオ
キサゾール系液晶〔碩〕/θ重量部を混合し、加熱して
均一層とし放冷しだ。このe 混合物は相溶性があり、この液晶範囲な 〜、、4″/
、7℃である。液晶相の下限は芙施夕1」コ/と同様過
冷却現象の為測定困難でめった。コ39100 263100 ) (C07D 413/10 39100 263100 ) ・7■発 明 者 尾沢鉄男 東京都世田谷区祖師谷四丁目18 番24号 ・、老発 明 者 向尾昭夫 日立市幸町三丁目1番1号株式 %式% 日立市幸町三丁目1番1号株式 会社日立製作所日立研究所内 (7■出 願 人 株式会社日立製作所東京都千代田区
丸の内−丁目5 番1号 丁 続 補 正 書(自発) 昭和5乙年7月7日 ’1″″FFI?′’i’i’ a IB * lit
l’G ・ト 。
32.20重量部および実測例/7で合成したベンゾオ
キサゾール系液晶〔碩〕/θ重量部を混合し、加熱して
均一層とし放冷しだ。このe 混合物は相溶性があり、この液晶範囲な 〜、、4″/
、7℃である。液晶相の下限は芙施夕1」コ/と同様過
冷却現象の為測定困難でめった。コ39100 263100 ) (C07D 413/10 39100 263100 ) ・7■発 明 者 尾沢鉄男 東京都世田谷区祖師谷四丁目18 番24号 ・、老発 明 者 向尾昭夫 日立市幸町三丁目1番1号株式 %式% 日立市幸町三丁目1番1号株式 会社日立製作所日立研究所内 (7■出 願 人 株式会社日立製作所東京都千代田区
丸の内−丁目5 番1号 丁 続 補 正 書(自発) 昭和5乙年7月7日 ’1″″FFI?′’i’i’ a IB * lit
l’G ・ト 。
1 事件の表示 昭和st年特 許 願第 1010!
;0号2 発 明 の名称 ベンゾオキサゾール誘導体 ;う 補正をする者 出願人 (H4)三菱化成工業株式会社 (sto)株式会社日立製作所 4代理人〒100 東If都1L代1111区丸の内二丁目5番2号(ほか
1 名) 5 補止の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄6
補正の内容 (1)明細書/3頁表−/の実施例2の物註値の項に日
20−.2/、j℃」とあるのを1.2/j〜、20℃
」と削IFする。
;0号2 発 明 の名称 ベンゾオキサゾール誘導体 ;う 補正をする者 出願人 (H4)三菱化成工業株式会社 (sto)株式会社日立製作所 4代理人〒100 東If都1L代1111区丸の内二丁目5番2号(ほか
1 名) 5 補止の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄6
補正の内容 (1)明細書/3頁表−/の実施例2の物註値の項に日
20−.2/、j℃」とあるのを1.2/j〜、20℃
」と削IFする。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 0)一般式 〔式中、R1は水素原子、シアン基または炭素原子数/
〜りのアルキル基もしくはアルコキシ基を表わし、R2
は水素原子または炭素原子数7〜2のアルキル基もしく
けアルコキシ基表わす。〕で示されるペンゾール誘導体
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56101050A JPS584778A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | ベンゾオキサゾ−ル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56101050A JPS584778A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | ベンゾオキサゾ−ル誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS584778A true JPS584778A (ja) | 1983-01-11 |
Family
ID=14290287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56101050A Pending JPS584778A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | ベンゾオキサゾ−ル誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS584778A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0462578A1 (en) | 1990-06-19 | 1991-12-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compound for use in liquid crystal composition and liquid crystal device and display apparatus using same |
EP0440061B1 (en) * | 1990-01-22 | 1998-04-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing same, liquid crystal device using same and display apparatus |
CN110437846A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-11-12 | 陕西师范大学 | 含炔键的氟取代苯并噁唑液晶化合物及其制备方法 |
CN111978534A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-11-24 | 陕西师范大学 | 一种含苯并咪唑液晶基元的侧链型液晶离聚物及其制备方法 |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP56101050A patent/JPS584778A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0440061B1 (en) * | 1990-01-22 | 1998-04-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing same, liquid crystal device using same and display apparatus |
EP0462578A1 (en) | 1990-06-19 | 1991-12-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compound for use in liquid crystal composition and liquid crystal device and display apparatus using same |
US5244596A (en) * | 1990-06-19 | 1993-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compound for use in liquid crystal composition and liquid crystal device and display apparatus using same |
CN110437846A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-11-12 | 陕西师范大学 | 含炔键的氟取代苯并噁唑液晶化合物及其制备方法 |
CN111978534A (zh) * | 2020-09-07 | 2020-11-24 | 陕西师范大学 | 一种含苯并咪唑液晶基元的侧链型液晶离聚物及其制备方法 |
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