JPS5847225A - 固体センサの温度補正方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ホトダイオード又はホトトランジスタ等のホ
トエレメントを複数個並設した固体センサにおける、各
ホトエレメントの出力全温度について補正する方法及び
装置に関する。

レンズの収差等を検査するＩＶＩＴＦ（変調伝達関数）
検査機等の光学的計測装置においては、光量分布を測定
するためにＣＣＵ　（電荷結合素子）センサ等の固体セ
ンサが使用されている。ＣＣＤセンサは１例えば、２０
４８個（２０４８ビツト）のホトエレメントを中心間距
離１３μｍで並設してなり、各ホトエレメントの露光量
に対応する出力を信号処理装置に伝送して露光量分布等
を測定することが可能である。而して、ホトエレメント
の感度特性は保証動作周波数の範囲において直線性金有
し、その出力は露光量全変数とする一次関数で表わされ
るのであるが、出力値には露光量に対応して増減する出
力成分の外に、非露光時（露光量零）にも検出される暗
電流成分が存在する。この暗電流は、各ホトエレメント
間でバラツキがあり、また、ＣＣＤセンサが使用される
雰囲気温度によって敏感に変動するため、ＣＣＤセンサ
による光量測定における誤差発生髪因となる。

このため、従来は、　ＣＣＤセンサの温度を一定に保持
するか、又は電気回路により暗電流成分について補正を
する手段が採用され、光量測定誤差を解消せんとしてい
た。然るに、前者において、ＣＣＤセンサの空冷による
場合は厳密な温度制御は不可能であり、またＣＣＤセン
サに温度センサ及びペルチェ効果素子等の温度制御素子
を接触させてＣＣＤセンサ會一定温度に保持する場合は
ＭＴＦ検査機の如く多数のＣＣＤセンサ（例えば１２個
）を使用するものについては極メて高価になり実用的で
ない。また、後者において、スイッチ回路の開閉により
、ＣＣＤセンサから暗電流のみが出力される期間中これ
をコンデンサに接続して充電させ、コンデンサの電位差
として暗電流を記憶させておいてＣＣＤセンサの光量測
定出力を補正する手段があるが、この電位差は各ＣＣＤ
センサについての暗電流の平均レベルにすぎないため、
各ホトエレメント間の暗電流のバラツキについて補正す
ることはできなかった。

本発明は以上の点に鑑みなされたものであって、各ホト
エレメント間でバラツキがあり、また温度によっても変
動する暗電流成分を、高精度で補正することができ、露
光蓋に直接対応する出力成分のみを取出すことができ、
またこれを安価に実施可能な固体センサの温度補正方法
及びその装置全提供することを目的とする。即ち、本発
明方法の特徴とするところは、光量検出用の複数個の検
出ホトエレメントを有する固体センサの温度補正方法に
おいて、前記検出ホトエレメントの近傍に実質的に暗電
流のみ全出力する基準ホトエレメントを配設し、基準温
度（５） における非露光状態での検出ホトエレメント及び基準ホ
トエレメントの出力並びに光量測定時の基準ホトエレメ
ントの出力に基づいて、光量測定時の検出ホトエレメン
トの暗電流成分全算出し、その検出ホトエレメントの出
力を前記暗電流成分により補正する点にある。また１本
発明装置は、光量検出用の複数個の検出ホトエレメント
及び該検出ホトエレメントの近傍に配設され実質的に暗
電流のみ全出力する少くとも１個の基準ホトエレメント
を有する固体センサと。

該固体センサに接続され各ホトエレメントの出力全アナ
ログ／デジタル変換する変換器と、基準温度Ｔｏにおけ
る非露光状態での検出ホトエレメントの出力Ｖｉ　（Ｔ
、）及び基準ホトエレメントの出力■。（Ｔｏ）　ｋス
トアする記憶装置と、温度Ｔの光量測定時における前記
基準ホトエレメントの出力■。（Ｔ）及び前記記憶装置
にストアされた前記Ｖ。（Ｔ、）から温度定数を演算す
る演算装置と、前記温度定数及び前記記憶装置にストア
された前記■（Ｔｏ）から光量測定時の前記検出ホトニ
レ（６） メントの出力Ｖｌ（Ｔ）の暗電流成分全算出し前記出力
Ｖｉ（Ｔ）　’ｆｃ前記暗電流成分により補正する補正
演算装置とを有することを特徴とするものである。

先ず１本発明における各ホトエレメントの出力の温度補
正原理について説明する。ＣＣＤセンサ等の固体センサ
は１例えば、Ｎ個（２０４８個）のホトエレメントを中
心間距離１３μ■で並設しであるが、各ホトエレメント
の感度特性は保証動作周波数の範囲において露光量に対
して直線性を有しており、各ホトエレメントの出力Ｖｆ
は露光量Ｅの一次関数として下記（１）式の如く表わさ
れる。

Ｖｓ　　＝　　ＡＩＥ　　＋　　Ｂｔ　　−−−−−−
−−−−−−−−−−・（１）但し、　Ｖｓ　：　ｉ番
目のホトエレメントの出力（ｉ−１，２＋・・・Ｎ） Ｅ；露光量 ＡＩ：ホトエレメントｉの光応答性を示す定数 Ｂ１：ホトエレメントｌの暗電流成分 そして、暗電流Ｂｉはその発生機構から温度についての
指数関数で表わされることが示され、ＢＩは下記（′２
Ｊ式の如く表わされる。

と１ Ｂｉ（Ｔ）　　＝　　Ｂｉ（Ｔ＠）　＠２８−−−−−
−−−−−−−−−　（２）但し％Ｂｉ（Ｔ）　　：温
度Ｔにおける暗電流成分Ｂｉ（Ｔｏ）　：基準温度Ｔ。

における暗電流成分即ち、温度Ｔが基準温度Ｔ。より８
℃だけ上昇すると、暗電流Ｂｔ（Ｔ）は基準温度Ｔ。に
おける暗電流Ｂｌ（Ｔｏ）の２倍に増加する。

而して、本発明においては光量検出に盛装なビット数（
例えば２０４８個）だけ並設された検出ホトエレメント
の外に、この検出ホトエレメントの近傍に少くとも１個
の基準ホトエレメントを配設する。基準ホトエレメント
はその光検知面全金属等で被覆してあり、従って、ＣＣ
Ｄセンサへ光照射がなされても、基準ホトエレメントは
露光されず常に暗電流成分のみ全出力している。ところ
で、基準ホトエレメントについても、その暗電流Ｂ０は
温度に関する指数関数で下記（３）式の如く表わされる
。

ヒＩ Ｂ、（Ｔ）　　＝　　Ｂ、（Ｔｏ）　−２８，−−−−
−−−−−−−−−−（３）但し、Ｂｏ（Ｔ）　：温度
Ｔにおける暗電流成分Ｂｏ（Ｔｏ）　：基準温度Ｔ０に
おける暗電流成分そして、　（２）　、　（ａ）式から
下記（４）式が成立する。

Ｂｉ　（Ｔ）　　＝　　（Ｂｏ（Ｔ）／Ｂｏ（Ｔ、）　
　）　　−Ｂｌ　（Ｔｏ）　　−−−−−−−（４）従
って、任意に設定した基準温度Ｔ０において。

露光量が零の暗状態で検出ホトエレメントの出力Ｖ４（
Ｔｏ）及び基準ホトエレメントの出力■。（Ｔｏ）を測
定して１３ｉ（Ｔｏ）及びＢ、（Ｔｏ）　ｋ予め求めて
おき、光量測定（固体センサの温度Ｔ）Ｋ際しては。

暗電流成分のみ全出力する基準ホトエレメントの出力■
。（Ｔ）　’ｅ測測定て、そのときの温度Ｔにおける暗
電流Ｂ。（’ｆ’）　’に求め、これらのデータを（４
）式に従って演算することにより、光量測定時の温度Ｔ
における検出ホトエレメントの暗電流Ｂｉ　（Ｔ）全算
出することができる。

即ち、定数ｋｉ前記（５）式の如く定義すれば、ｋ　＝
　Ｂｏ（Ｔ）　／　Ｂｅ（’ｉ’ｏ）　−−−−−−−
−−−−一−−−−−−−−−−−−−−（５）（９） （４）式は下記（６）式の如く変形される。

Ｂｉ（Ｔ）＝に１１Ｂｉ（Ｔｏ）　　−−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−−（６）そこで、予め、
任意の基準温度Ｔ。において、非露光状態での各ホトエ
レメントの出力Ｖｉ　（Ｔｏ）及び■。（Ｔｏ）　ｆ、
測定すると、これが夫々Ｂｔ（Ｔｏ）　及ｔｆｉ１３゜
（Ｔｏ）に一致する。そして、このデータ全ストアして
おき、ＣＣＤセンサの光量測定時（温度Ｔ）においては
、基準ホトエレメントの出力Ｖ。（Ｔ）のみ全実測する
ことによって、これがＢ。（Ｔ）に一致するから、（５
）式に従い温度定数１ｃ　ｆ算出し、（６）式に従う演
算をすることにより、全ての検出ホトエレメントの出力
Ｖｉ（Ｔ）の暗電流成分Ｂｌ（Ｔ）　ｋ高梢度で算出す
ることができる。そこで、光量測定時における検出ホト
エレメントの出力Ｖｉ（Ｔ）からＢ＋（Ｔ）を減算する
と、（１）式から明らかな如く。

出力Ｖｉ（Ｔ）のうち露光量に直接対応する光応答成分
ＡｉＥのみを取出すことができ、こメＡＩＥは、各ホト
エレメント間の暗電流のバラツキ及び暗電流の温匿変化
による変動の影響を受けないので。

ＡＩＥ成分を基準にして光量分布を測定することに（１
０） より、極めて高精度の光学的計測を行うことができる。

次に、上述の如き温度補正を実施するための温度補正装
置について説明する。第１図はＣＣＤセンサ１００のブ
ロック図、第２図に動作のタイムチャート図、第３図は
本発明の１実施例を示すブロック図、第４図は補正演算
装置１１５のフローチャート図である。ＣＣＤセンサ１
００はＮ個（例えば２０４８個）の検出ホトエレメント
２が一列に並設され、その並設方面両側に分離ホトエレ
メント３を介して、基準ホトエレメント１が夫々４個並
設されている。基準ホトエレメント１は前述の如くその
光検出面が金属等で被覆されて遮光されており、常に暗
電流成分のみを出力する。これらの各ホトエレメント１
，２及び３の近傍にその並設方向に沿ってトランスファ
ゲート４が配設されており、トランスファゲート４の外
側にはアナログトランスポートシフトレジスタ５，５が
トランスファゲート４と平行に配設されていて、各ホト
エレメントの出力（以下、ビデオ出力ともいう）は、ア
ナログトランスポートシフトレジスタ５から電荷検出回
路８を経て出力アンプ９へ順次的に送出され、ビデオ出
力が出力アンプ９からアナログマルチプレクサ１０６へ
入力される。なお、第１図中。

６及び７は夫々アナログシフトレジスタ及びアナログＥ
ＯＳシフトレジスタであり、また、１０及び１１は夫々
ＩＶＩＯ８回路及びＥＯＳアンプを示す。

アナログマルチプレクサ１０６にはＣＣＤセンサ１００
と同様のＣＣＤセンサ１０１　、　１０２　、１０３　
。

１０４及び１０５が接続されており、同様にその各ホト
エレメントの出力が順次的に入力されるようになってい
るが、以下簡単のために、ＣＣＤセンサ１００のみを使
用した場合について説明する。

第２図中、φｘは）ランスファパルス、φＴはシフトパ
ルス、φＲはリセットパルスで；ｈＦ）、トランスファ
パルスφＸがＣＣＤセンサ１００に入力されると、シフ
トパルスφＴに同期して各ホトエンメントからビデオ出
力が取出される。ビデオ出力は、８ビツトの空信号の後
に、図中りで示した４ビツトの基準ホトエレメント１の
出力信号が続き、次いで図中■で示した４ビツトの分離
ホトエレメント３の出力値−号（出力零）を経て、検出
ホトエレメント２のＮビットの信号が出力される。従っ
て、トランスファパルスφＸが入力された後のリセット
パルスφＲ’にカウントすることにより、これらの各ビ
ットが連続するビデオ出力の中から、基準ホトエレメン
トの出力を読み出すことができる。

第３図に示す如（、ＣＣＤセンサ１００の各ホトエレメ
ントの出力は、ザンプルーアンド・ホールド回路１０７
　ｋ経てアナログ／デジタル変換器（以下ＡＤＣと略す
）１０８に入力され、ＡＤ０１０８にてデジタル信号に
変換された後、その内部に設けられたレジスタに一旦ス
ドアされる。ＡＤＣ１０８の出力はデータバス１３に送
出され、入カポ−）１２２に経て演算記憶装置（不図示
）に入力されるようになっている。演算記憶装置は、入
力データである各ホトエレメントの出力を記憶し、前記
温度定数ｋｉ算出するとともに、補（１３） 正後のホトエレメント出力を基にＭＴＦ検査のための所
要の演算をするものであり１例えば、記憶手段としてフ
ロッピーディスクを有するコンピュータ等により構成さ
れる。

データバス１３には、ＲＡＭ　１．１２及びＲＡＭ１１
４が接続され、これらは夫々ＭＴＦ検査対象の光量測定
時における各検出ホトエレメントの出力Ｖｌ　（Ｔ）及
び基準温度Ｔ。における非露光状態での各検出ホトエレ
メントの出力■（Ｔｏ）　’にストアする。

１１１及び１１３は夫々ＲＡＩＶＩ　１１２及びＲＡＭ
　１１４のアドレスカウンタである。演算記憶装置にて
算出された温度定数には出力ボート１２１からデータバ
ス１３を経てレジスタ１１０に入力され、ここに一旦ス
ドアされる。補正演算装置１１５は。

レジスタ１１０にストアされた温度定数ｋ　、　ＲＡＭ
１１２にストアされた光量測定時の検出ホトエレメント
出力Ｖｉ（Ｔ）及びＲＡＭ　１１４にストアされた基準
温度での検出ホトエレメント出力ｖ＋　（Ｔｏ）から、
光景測定時の各検出ホトエレメントの出力Ｖｔ（Ｔ）ｔ
＝補正演算するものであり、レジスタ（１４） １１６．１１７及び１１８並びに乗算器１１９及び加減
算器１２０ヲ有する。制御回路１２３け、ＣＣＤセンサ
出力の読み取り動作信号等を入力１−て、上記各回路へ
制御信号１０〜３０を出力し、各回路の入出力動作を制
御する回路である。なお、１０９は単位信号（”１″）
発生器である。

次ニ、この温度補正装置の動作について説明する。

（Ｉ）　ＣＣＩ）センサのＭＴＩｉ”検査機へのセット
時。

（１）制御回路１２３へＣＣＤセンサ１００の基準ホト
エレメント１（第１図診照）の出力Ｖ。（Ｔｏ）の読み
取り指令信号を出力すると、制御回路１２３からサンプ
ル・アンド・ホールド回路１０７へＣＣＤセンサの動作
タイミング（第２図診照）に同期したサンプリング信号
１０が出力され、更にＡＤＣ１０８にＡＩ）Ｃ開始信号
１１が出力され、ＣＣＤセンサ１００の出力のうち、基
準ホトエレメント１の出力のみが取出され、デジタル信
号に変換されてＡＤ０１０８のレジスタに一旦スドアさ
れる。

（２）次いで、制御回路１２３へＡＤＣ１０８の記憶内
容を入力ポート１２２に転送する動作の指令信号を出力
すると、制御回路１２３からＡＤＣ１０８へ出力動作信
号１２が入力され、ＡＤＣ１０８はセット時の温度（基
準温度Ｔ。）における基準ホトエレメント１の出力■。

（Ｔｏ）ヲデータバス１３へ送出し、　Ｖｏ（’ｒ、）
は入カポ−）　１２２を経て演算装置に読み込まれる。

（３）そして、ＣＣＤセンサ１００の露光量を零にして
、検出ホトエレメント２を非露光状態にし、制御回路１
２３へ動作指令信号を出力し、上記（１）及び（２）の
動作と同様にして、基準温度Ｔ。における非露光状態で
の各検出ホトエレメント２の出力ｖ＋（Ｔｏ）　ｋ演算
装置に読み込ませ、ストアさせる。

■ＭＴＦ検査対象の被検レンズの光量測定時。

（１）前記演算装置にストアされた検出ホトエレメント
の出力Ｖ＋（’ｒ、）全出力ボート１２１を経てＲＡＭ
１１４に入力させてストアさせる。

（２）上記（Ｉ）　、　（１）　（２）の動作と同様に
して、ＭＴＦ検査時（光量測定時）の基準ホトエレメン
トの出力■。（Ｔ）’を演算装置に読み込む。このＶｏ
（Ｔ）と演算装置にストアされている■。（Ｔｏ）とは
、夫々前記（５）式のＢｏ（Ｔ）とＢｏ（Ｔｏ）とに一
致するから、演算装置は■。（Ｔ）と■。（Ｔｏ）との
比を演算して（５）式の温度定数ｋを算出する。

そして、この温度定数に−ｉ出力ポート１２１全介して
データバス１３に送出し、レジスタ１１０にストアさせ
る。

（３）上記（１）、　（１）（２）と同様の動作により
、ＭＴＦ’検査時のＣＣＤセンサ１００のビデオ信号、
即ち検出ホトエレメント２０出力Ｖ＋（Ｔ）會Ｍみ取り
、データバス１３を経てＲＡＭ　１１２にストアさせる
。

（４）次いで、補正演算装置１１５がレジスタ１１０゜
ＲＡＭ　１１２及びＲＡＭ　１１４にストアされている
各データから検出ホトエレメントの出力Ｖ＋　（Ｔ）の
暗電流成分Ｂｔ　（Ｔ）を算出し、　Ｖｌ（Ｔ）からＢ
１（Ｔ）　’ｊｌ”除外した露光量に直接対応する光応
答成分ＡｉＥ　’ｉ求める。即ち％Ｖｔ（Ｔｏ）は（１
７） 非露光状態での出力であるから、前記（６）式のＢｓ（
Ｔｏ）に一致し、（６）式に従ってＢｉ　（Ｔ）を算出
する。そして、Ｖｌ（Ｔ）　−Ｂｉ（Ｔ）を演舞−して
ＡｉＥを算出する。

次に、この補正演算装置１１５の動作について、第４図
のフローチャート’に基に説明する。先ず、制御回路１
２３からアドレスカウンタ１１１及び１１３に夫々ロー
ド信号１８及び２１が出力され、アドレスカウンタ１１
１及び１１３に先頭番地が設定される。次いで、ＲＡＭ
１１２へ出力動作信号１９が入力され、ＲＡＭ１１２の
ストア内容■１（Ｔ）のうち１番目の検出ホトエレメン
トに係るＶｌ（Ｔ）がデータバス１３に送出され、１だ
補正演算装置１１５にロード信号２４が入力され、デー
タバス１３からＶ　ｒ　（Ｔ）がレジスタ１１６に入力
されラッチされる。同様に、単位信号発生器１０９への
出力動作信号１４及び補正演算装置へのロード信号２５
によシ、単位信号′″ｌ′がレジスタＨ１ｌ／Ｃラッチ
される。そして、補正演算装置１’　１５へのロード信
号２６の入力により、レジスタ１１６のス（１８） ドア内容とレジスタ１１７のストア内容とが乗算され、
乗算結果１・Ｖ、（Ｔ）がレジスタ１１Ｂにラッチされ
る。

次いで、ＲＡＭ１１４へ出力動作信号２２が入力され、
　ＲＡＭ１１４．のストア内容Ｖ、（Ｔｏ）がデータバ
ス１３へ送出され、ロード信号２４によりレジスタ１１
６にラッチされる。また、レジスタ１１０への出力動作
信号１６により、そのストア内容ｋがデータバス１３へ
送出され、ロード信号２５によりレジスタ１１７にラッ
チされる。そして、ロード信号２６及び加減算コントロ
ール信号２８により、レジスタ１１６のＶ、（Ｔ、）及
びレジスタ１１７０ｋが乗算され、この乗算結果ｋ・Ｖ
　１（Ｔ、）と。

レジスタ１１８にラッチされている１・Ｖ、（Ｔ）とか
ら、　　１−Ｖ、（Ｔ）　−ｋ−Ｖｌ（Ｔｏ）が算出さ
れ、これがレジスタ１１８にラッチされてそのストア内
容がＶ、（Ｔ）　−ｋＶｌ（Ｔｏ）　Ｋ書き替えられる
。次いで、出力動作信号２７が入力されると、このレジ
スタ１１８のストア内容がデータバス１３に送出され。

チップ動作信号２９及び読み取り動作信号３０が入力さ
れたＲＡＭ　１１２にストアされる。そして。

カウント信号１７及び２０が夫々アドレスカウンタ１１
１及び１１３に入力され、アドレスカウンタ１１１及び
１１３０番地がインクリメントされる。

次いで、ラム１１２に出力動作信号１９が再度入力され
、２番目の検出ホトエレメントについて上述の動作が繰
り返される。そして、この繰り返し回数がＣＣＤセンサ
１００のビット数Ｎ、即ち検出ホトエレメント２の個数
Ｎに達した場合に、補正演算装置１１５の動作が停止さ
れる。

この場合に、　ＲＡＭ１１２にストアされている内容は
、ＭＴＦ検査時の温度Ｔにおける検出ホトエレメントの
出力Ｖｉ　（Ｔ）から、その温度における暗電流成分Ｂ
ｌ　（Ｔ）全減算したもの（Ｖｉ　（Ｔ）　−Ｂｉ　（
Ｔ）　＝ＡＩＥ）となシ、各検出ホトエレメントの露光
量に直接対応する光応答成分のみがＲＡＭ　１１２の記
憶内容として求められる。従って、これを基にＣＣＤセ
ンサの光量分布を求めれば、暗電流成分の各ホトエレメ
ント間でのバラツキ及び温度変動による影響？受けない
高精度の光学的計測を行うことができる。

以上、詳説した如く１本発明によれば、　ＣＣＤセンサ
の各検出ホトエレメントの出力から、各ホトエレメント
間でバラツキがあり８℃の温度上昇で２倍になる等温度
による変動がある暗電流成分を温度に対して極めて高精
度で補正演算してこれを除外し、露光量に直秋対応する
成分のみを取出すことができ、且つ、これを極めて簡潔
な計算プロセス及び装置で実施するから、不発明全ＭＴ
Ｆ検査機のような光学的計測装置に適用した場合に、装
置環境の温度変化がおるとき又は使用開始時等の装置内
部の温度が定常状態になる迄の過渡期においても、極め
て高精度の光学的計測が可能である。

なお１本発明は上記の特定の実施例に限定されるべきも
のではなく、不発明の技術的範囲内において珈々の変形
例が可能である。特に１本発明は、常に実質的に暗電流
成分のみを出力する基準ホトエレメントの出力温度変化
を基にして、検出ホトエレメントの基準温度時からの出
（２１） 力温度変化を求めて出力を温度補正するものであるから
、その補正演算の計算プロセスについては上記実施例に
示したものに限定されることはない。例えば、基準温度
における非露光状態での検出ホトエレメントの出力Ｖｌ
（Ｔｏ）及び基準ホトエレメントの出力Ｖ０（Ｔ、）の
比Ｍ　（Ｔｏ）　／Ｖ、（Ｔ、）ヲ予め算出してこれを
ストアしておき、光量測定時に基準ホトエレメントの出
力■。（Ｔ）と前記比との積を演算して、光量測定時の
検出ホトエレメントの暗電流成分Ｂｘ（Ｔ）　’ｆ：算
出することとしてもよい。

【図面の簡単な説明】

ｍ１図はＣＣＤセンサ１００のブロック図、第２図は動
作のタイムチャート図、第３図は不発明の１実施例を示
すブロック図、第４図は補正演算装置１１５のフローチ
ャート図である。 （符号の説明） １・・・基準ホトエレメント　２・・・検出ホトエレメ
ント１００・・・ＣＣＤセンサ　　１０８・・・アナロ
グ／デジタル変換器　１１０．１１６．１１７．１１８
・・・レジスタ（２２） １１２、１１４・・・ＲＡＭ　　１１５・・・補正演算
装置１１９・・・乗算器　　１２０・・・加算器特許出
願人　　株式会社　リ　コ　− （２３）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光量検出用の複数個の検出ホトエレメントを有する
   固体センサの温度補正方法において、前記検出ホトエレ
   メントの近傍に実質的に暗電流のみ全出力する基準ホト
   エレメントを配設し、非露光状態での検出ホトエレメン
   ト及び基準ホトエレメントの出力並びに光量測定時の基
   準ホトエレメントの出力に基づいて。 光量測定時の検出ホトエレメントの暗電流成分を算出し
   、その検出ホトエレメントの出力を前記暗電流成分によ
   り補正することを特徴とする固体センサの温度補正方法
   。 ２、光量検出用の複数個の検出ホトエレメント及び該検
   出ホトエレメントの近傍に配設され実質的に暗電流のみ
   を出力する少くとも１個の基準ホトエレメントを有する
   固体センサと、該固体センサに接続でれ各ホトエレメン
   トの出力をアナログ／デジタル変換する変換器と。 基準温度Ｔ。における非露光状態での検出ホトエレメン
   トの出力Ｖｉ　（Ｔｏ）及び基準ホトエレメントの出力
   ■。（Ｔ−ｉストアする記憶装置と、温度Ｔの光量測定
   時における前記基準ホトエレメントの出力Ｖ０（Ｔ）及
   び前記記憶装置にストアされた前記Ｖ、（Ｔ、）から温
   度定数を演算する演算装置と、前記温度定数及び前記記
   憶装置にストアされた前記Ｖｉ（Ｔｏ）から光量測定時
   の前記検出ホトエレメントの出力Ｖｉ　（Ｔ）の暗電流
   成分全算出し前記出力Ｖｉ（Ｔ）　ｋ前記暗電流成分に
   より補正する補正演算装置とを有することを特徴とする
   固体センサの温度補正装置。 ３、上記第２項において、前記温度定数は、前記■。（
   Ｔ）と前記Ｖ０（Ｔｏ）との比Ｖ０（Ｔ）　／Ｖｏ（Ｔ
   ｏ）　テあり、前記補正演算装置は前記比■。（Ｔ）　
   ／　Ｖｏ（Ｔｏ）と前記Ｖｉ（Ｔｏ）とを乗算して前記
   暗電流成分Ｂｉ（Ｔ）　’（ｒ算出することを特徴とす
   る固体センサの温度補正装置。 ４、上記第３項において、前記補正演算装置は、前記検
   出ホトエレメントの出力Ｖｉ（Ｔ）から前記暗電流成分
   １３ｉ（Ｔ）　’ｒ−減算して前記出力Ｖｉ（Ｔ）の補
   正をすることを特徴とする固体センサの温度補正装置。