JPS5846071B2 - semiconductor integrated device - Google Patents

semiconductor integrated device

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JPS5846071B2
JPS5846071B2 JP54081661A JP8166179A JPS5846071B2 JP S5846071 B2 JPS5846071 B2 JP S5846071B2 JP 54081661 A JP54081661 A JP 54081661A JP 8166179 A JP8166179 A JP 8166179A JP S5846071 B2 JPS5846071 B2 JP S5846071B2
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optical
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明 大手
昌徳 野口
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Yokogawa Hokushin Electric Corp
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    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02016Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体集積装置に関するものである。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a semiconductor integrated device.

例えば、熱電対からの信号のような微小な直流信号を増
幅する従来公知の半導体集積装置においては、この装置
を働かせるための電力が供給される電源端子や増幅出力
が送出される出力端子をもっている。
For example, a conventionally known semiconductor integrated device that amplifies a minute DC signal such as a signal from a thermocouple has a power supply terminal to which power is supplied to operate the device and an output terminal to which the amplified output is sent. .

この電源端子に接続される電源や出力端子に接続される
負荷の接地レベルは、入力信号の接地レベルに対して十
分考慮しておかないと、接地電流が流れたり、信号や電
源の伝送ラインからのノイズの混入が問題となったりし
、その取扱いに著しい制約を受ける欠点がある。
If the grounding level of the power supply connected to this power supply terminal and the load connected to the output terminal is not sufficiently considered in relation to the grounding level of the input signal, ground current may flow or the signal or power transmission line may The problem is that noise may be mixed in, and there are significant restrictions on how it can be handled.

本発明は、低レベルの電気信号を増幅する半導体集積装
置であって、上記のような従来装置における欠点を除去
することを目的としたものであって、電力の供給と出力
信号の伝送を光信号を利用して行なう点にひとつの特徴
がある。
The present invention is a semiconductor integrated device for amplifying low-level electrical signals, and is aimed at eliminating the drawbacks of the conventional devices as described above. One feature is that it uses signals.

第1図は本発明の一実施例を示す要部切欠斜視図である
FIG. 1 is a cutaway perspective view of essential parts showing an embodiment of the present invention.

ここではTO−5で代表されるような金属ケース1内に
半導体集積回路2が封入される例を示すが、これには限
定されない。
Here, an example is shown in which the semiconductor integrated circuit 2 is enclosed in a metal case 1 such as a TO-5, but the present invention is not limited thereto.

半導体集積回路2において、3はシリコン等の半導体基
板で、その表面には増幅回路(電子回路)部4、受光部
5および光制御部6が形成されている。
In the semiconductor integrated circuit 2, 3 is a semiconductor substrate made of silicon or the like, on the surface of which an amplifier circuit (electronic circuit) section 4, a light receiving section 5, and a light control section 6 are formed.

41゜42は増幅回路部4に入力信号を与えるための入
力端子である。
Reference numerals 41 and 42 indicate input terminals for supplying input signals to the amplifier circuit section 4.

受光部5は、例えば太陽電池のような光電変換手段とし
ての機能をもち、ここで変換された電気エネルギは、増
幅回路部4に供給され、増幅回路部4を構成する各回路
を動作させる。
The light receiving section 5 has a function as a photoelectric conversion means such as a solar cell, for example, and the electrical energy converted here is supplied to the amplifier circuit section 4 to operate each circuit that constitutes the amplifier circuit section 4.

光制御部6は、例えば発光ダイオードあるいは液晶のよ
うな光制御素子で、増幅回路部4からの出力信号に応じ
て光の強弱あるいは光の透過率(又は反射率)が制御さ
れる。
The light control section 6 is a light control element such as a light emitting diode or a liquid crystal, and the intensity of light or the transmittance (or reflectance) of the light is controlled according to the output signal from the amplifier circuit section 4.

7はその一端が受光部5に結合する給光ファイバ、8は
その一端が光制御部6に結合する出力光ファイバで、い
ずれもその他端は、ケース基板10に固定されている光
フアイバ結合端子70,80に結合している。
Reference numeral 7 indicates a light feeding fiber whose one end is coupled to the light receiving section 5, 8 indicates an output optical fiber whose one end is coupled to the light control section 6, and the other ends of both are optical fiber coupling terminals fixed to the case substrate 10. It is connected to 70 and 80.

71゜81は一端が外部の装置(図示せず)と結合して
いる光フアイバ伝送路である。
Reference numerals 71 and 81 indicate optical fiber transmission lines, one end of which is coupled to an external device (not shown).

第2図は半導体集積回路2の一例を示す電気的接続図で
ある。
FIG. 2 is an electrical connection diagram showing an example of the semiconductor integrated circuit 2. As shown in FIG.

図において、受光部5は複数個ノ太陽電池51,52・
・・を直列接続して構成したもので、各太陽電池には給
光ファイバ7の一端から出射する光がそれぞれ照射する
ようになっている。
In the figure, the light receiving section 5 includes a plurality of solar cells 51, 52,
... are connected in series, and each solar cell is irradiated with light emitted from one end of the light feeding fiber 7.

ナオ、給光ファイバ7の他端からは、他の装置(図示せ
ず)から光エネルギが供給されているものとする。
It is assumed that optical energy is supplied from the other end of the optical fiber 7 from another device (not shown).

+V、VS1TVs2.−Vはそれぞれ受光部5から得
られる直流電圧を供給する電源端子を概念的に示したも
のである。
+V, VS1TVs2. -V conceptually represents a power supply terminal that supplies a DC voltage obtained from the light receiving section 5, respectively.

O8Cは発振器、A1.A2は増幅器、COは比較器で
、いずれも増幅回路部4に形成されており、これらの各
電源端子+V、−Vは受光部5の電源端子+V、−Vに
接続され、各太陽電池51,52・・・から得られる電
力によって動作している。
O8C is an oscillator, A1. A2 is an amplifier, and CO is a comparator, both of which are formed in the amplifier circuit section 4. Their respective power terminals +V and -V are connected to the power terminals +V and -V of the light receiving section 5, and each solar cell 51 , 52 . . .

また、抵抗R1の一端に接続される電源■s1、抵抗R
sの一端に接続される電源■s2も受光部5から得てい
る。
In addition, a power supply ■s1 connected to one end of the resistor R1, a resistor R
A power source s2 connected to one end of s is also obtained from the light receiving section 5.

例えば熱電対THからの微小信号eiは、入力端子4L
42に印カロされ、増幅器A1で増幅された後、増幅器
A2およびコンデンサCで構成される積分器INの入力
端に入力抵抗Riを介して印カ目されている。
For example, the minute signal ei from the thermocouple TH is input to the input terminal 4L.
After being amplified by an amplifier A1, the signal is printed to an input terminal of an integrator IN constituted by an amplifier A2 and a capacitor C via an input resistor Ri.

また、この積分器INの入力端には入力抵抗Ri5:介
して発振器O8CからのクロックパルスPcおよび、抵
抗Rs、FETスイッチSOを介して基準電圧−■s2
が印カ目されている。
In addition, the input end of this integrator IN is connected to an input resistor Ri5: a clock pulse Pc from an oscillator O8C, and a reference voltage -■s2 via a resistor Rs and a FET switch SO.
is marked.

積分器INの出力信号は、比較器COの入力端に印カ目
されており、零電位と比較しこの比較結果に応じてFE
TスイッチSOをオン、オフし、基準電歪−Vs2を積
分器INの入力端にカロえたり、刃口えなかったりし、
比較器COの出力端から微小信号eiに対応し、その繰
返し周期がクロックパルスの周期で維持されるパルス幅
信号を得るようにしている。
The output signal of the integrator IN is marked at the input terminal of the comparator CO, and is compared with the zero potential, and the output signal of the FE is determined according to the result of this comparison.
Turn on and off the T switch SO, and check whether the reference electrostrictive -Vs2 is connected to the input terminal of the integrator IN or not.
A pulse width signal corresponding to the minute signal ei and whose repetition period is maintained at the period of the clock pulse is obtained from the output terminal of the comparator CO.

比較器CO1の出力端には、ここでは光制御部としての
発光ダイオード6が接続されており、比較器COのパル
ス幅出力信号に応じて発光する。
A light emitting diode 6 serving as a light control section is connected to the output end of the comparator CO1, and emits light in accordance with the pulse width output signal of the comparator CO.

出力光ファイバ8の一端は、発光ダイオード6に結合し
ており、発光ダイオード6からの微小信号eiに対応し
たパルス幅の光が、この出力光ファイバ85:介して外
部の装置(図示せず)に導ひき出される。
One end of the output optical fiber 8 is coupled to the light emitting diode 6, and light with a pulse width corresponding to the minute signal ei from the light emitting diode 6 is transmitted through the output optical fiber 85 to an external device (not shown). It is derived from

このように構成した装置は、この装置に形成された各種
回路の動作電力が、この装置内に形成した受光部から供
給されており、また、この装置の出力信号は光信号とし
て出力されるものであるから、電気的な電源端子や出力
端子を必要とせず、電源ラインや出力ラインと接続する
必要もないので、これらのラインからの各種ノイズの混
入や接地レベルを心配する必要が全くないという特長を
有する。
In a device configured in this way, the operating power for the various circuits formed in this device is supplied from the light receiving section formed within this device, and the output signal of this device is output as an optical signal. Therefore, there is no need for electrical power supply terminals or output terminals, and there is no need to connect to power supply lines or output lines, so there is no need to worry about various types of noise mixing from these lines or grounding levels. It has characteristics.

第3図は本発明の他の実施例を示す要部斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of essential parts showing another embodiment of the present invention.

この実施例では第1図の実施例における給光ファイバと
出力光ファイバとを兼用し1本のファイバ9を用いたも
ので、この給光出力光兼用ファイバ9の一端は、半導体
集積回路2の基板3上に形成した光分岐部分92に結合
している。
In this embodiment, a single fiber 9 is used as both the light supply fiber and the output optical fiber in the embodiment shown in FIG. It is coupled to a light branching portion 92 formed on the substrate 3.

第4図は第3図装置の電気的接続図で、光分岐部分92
は、ここではハーフミラ−とフルミラーとを用いたもの
で、兼用ファイバ9から送られてきた光は、受光部5と
光制御部6とに分岐される。
FIG. 4 is an electrical connection diagram of the device shown in FIG.
Here, a half mirror and a full mirror are used, and the light sent from the dual-purpose fiber 9 is branched into a light receiving section 5 and a light control section 6.

光制御部6はここではその反射率がアナログ増幅回路A
Cからの信号によって制御される液晶が用いられており
、光分岐部分92からの光が照射され、ここでの反射光
が出力光として兼用ファイバ9の一端に入射されるよう
になっている。
Here, the light control section 6 has a reflectance equal to that of the analog amplifier circuit A.
A liquid crystal controlled by a signal from C is used, and is irradiated with light from a light branching section 92, and the reflected light here is made to enter one end of the dual-purpose fiber 9 as output light.

増幅回路部4は、ここでは、アナログ増幅回路ACと、
ディジタル回路DCとが形成され、これらは、受光部5
によって得られた電力によって動作し、ディジタル回路
DCからは、出力端子43゜44にディジタル信号が出
力されるようになっている。
The amplifier circuit section 4 here includes an analog amplifier circuit AC,
A digital circuit DC is formed, and these are connected to the light receiving section 5.
The digital circuit DC outputs digital signals to output terminals 43 and 44.

よって、この出力端子43.44にディジタル指示計D
Iを接続することによってディジタル計測値を知ること
ができる。
Therefore, the digital indicator D is connected to this output terminal 43.44.
Digital measurement values can be obtained by connecting I.

第5図、第6図は本発明の更に別の実施例装置の電気的
接続図である。
5 and 6 are electrical connection diagrams of still another embodiment of the present invention.

第5図の実施例では光制御部6としてアナログ増幅回路
ACからの出力信号によってその光の透過率が変化する
液晶を用いたものである。
In the embodiment shown in FIG. 5, a liquid crystal whose light transmittance changes depending on the output signal from the analog amplifier circuit AC is used as the light control section 6.

この液晶6を通過した出力光は、ファイバ93を通り、
ハーフミラ−94によって兼用ファイバ9に入射され、
他の装置に送られる。
The output light that has passed through the liquid crystal 6 passes through the fiber 93,
is input to the dual-purpose fiber 9 by the half mirror 94,
sent to other devices.

第6図の実施例では光制御部を、増幅回路ACの出力信
号によって互に差動的に光の透過率が変化する2つの液
晶61.62で構成したものである。
In the embodiment shown in FIG. 6, the light control section is composed of two liquid crystals 61 and 62 whose light transmittances vary differentially depending on the output signal of the amplifier circuit AC.

各液晶61.62を通過した2種の出力光は、2本の伝
送路を束ねて構成された出力光ファイバ8.81を介し
て他の装置に送られる。
The two types of output light that have passed through each liquid crystal 61 and 62 are sent to another device via an output optical fiber 8 and 81 that is configured by bundling two transmission lines.

このように出力光を2種の差動的な信号として伝送する
と、この出力光を受光する他の装置において、この2種
の信号の差を演算するなど適当に処理することによって
光制御部や光ファイバ等における特性変化の影響を受け
ないという利点がある。
When the output light is transmitted as two types of differential signals in this way, other devices that receive this output light can perform appropriate processing such as calculating the difference between these two types of signals to control the light control unit and It has the advantage of not being affected by changes in characteristics in optical fibers and the like.

第7図は本発明の他の実施例の要部切欠斜視図、第8図
は電気的接続図である。
FIG. 7 is a cutaway perspective view of a main part of another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is an electrical connection diagram.

この実施例では半導体基板3上に例えば熱電対THから
の電気信号を入力とするアナログ回路部4Aと、例えば
ディジタル値表示器DIへディジタル信号(パルス幅信
号も含む)を出力するディジタル回路部4D。
In this embodiment, an analog circuit section 4A that inputs an electric signal from, for example, a thermocouple TH, and a digital circuit section 4D that outputs a digital signal (including a pulse width signal) to, for example, a digital value display DI are provided on the semiconductor substrate 3. .

受光部5および光制御部6とを形成し、給光出力兼用フ
ァイバ9の一端を2部分に分岐して受光部5と光制御部
6とに結合させたものである。
A light receiving section 5 and a light control section 6 are formed, and one end of a light supply/output fiber 9 is branched into two parts and coupled to the light receiving section 5 and the light control section 6.

第8図接続図において、アナログ回路部4Aは、増幅器
A1 と基準接点補償回路TRとから成り、またディジ
タル回路部4Dはアナログ・パルス変換回路D1 と
パル入信号をディジタル値表示するに必要な信号に変換
する表示回路D2から成っている。
In the connection diagram of FIG. 8, the analog circuit section 4A consists of an amplifier A1 and a reference junction compensation circuit TR, and the digital circuit section 4D consists of an analog pulse conversion circuit D1 and the signals necessary to display the pulse input signal as a digital value. It consists of a display circuit D2 that converts the

この表示回路D2からは、出力端子43〜46を介して
ディジタル信号が出力される。
Digital signals are output from the display circuit D2 via output terminals 43-46.

光制御部6は、ここでは、例えばニオブ酸リチウム(L
iNb03)層63、このニオブ酸リチウム層63にフ
ァイバ9からの光を偏光して与えるための偏光板64、
層63を通過した光を反射させる反射鏡65および層6
3に設けた電極板66を有する光変調器としたものであ
る。
The light control unit 6 here uses, for example, lithium niobate (L
iNb03) layer 63, a polarizing plate 64 for polarizing the light from the fiber 9 to the lithium niobate layer 63;
Reflector 65 and layer 6 that reflect the light that has passed through layer 63
This is an optical modulator having an electrode plate 66 provided at 3.

アナログパルス変換回路D1からの出力信号を光変調器
の電極板66に印カ目すると、この出力信号に応じて層
63を通過する光が偏光され、ファイバ9の一端に出力
信号によってその光の強弱が変調された光信号が入射さ
れる。
When the output signal from the analog pulse conversion circuit D1 is applied to the electrode plate 66 of the optical modulator, the light passing through the layer 63 is polarized in accordance with the output signal, and the output signal causes the light to be polarized at one end of the fiber 9. An optical signal whose intensity is modulated is input.

なお、伝送ファイバ91の他端は他の装置において、2
部分に分岐し、一方には光エネルギ供給用の光源たる高
出力の例えば発光ダイオード又はレーザダイオードLs
が結合し、他方には受光用の光電変換素子、例えばホト
ダイオードPTが結合している。
Note that the other end of the transmission fiber 91 is connected to 2 in another device.
On one side, there is a high-power light source for supplying optical energy, such as a light emitting diode or a laser diode Ls.
is coupled to the other side, and a photoelectric conversion element for light reception, such as a photodiode PT, is coupled to the other side.

なお、上記の各実施例において、給光ファイバ7の一端
と受光部5との間、出力光ファイバ8の一端と光制御部
6との間、光分岐部92と受光部5、光制御部6との間
は、光の伝播が効率良く行なわれるようにそれぞれ透明
低粘度の強度硬化形整合剤等によって光結合しているも
のとする。
In each of the above embodiments, there is a gap between one end of the light feeding fiber 7 and the light receiving section 5, between one end of the output optical fiber 8 and the light control section 6, between the light branching section 92 and the light receiving section 5, and between the light receiving section 5 and the light control section. 6 are optically coupled to each other by a transparent, low-viscosity, strength-setting matching agent, etc., so that light propagation can be carried out efficiently.

また光フアイバ結合端子70.80あるいは90におい
て、他の装置からの光ファイバと光結合するが、両ファ
イバ相互間の光結合も効率良く行なわれるように両ファ
イバの端面処理が行なわれるものとする。
In addition, at the optical fiber coupling terminal 70, 80 or 90, optical fibers from other devices are optically coupled, and the end faces of both fibers are treated so that the optical coupling between the two fibers is also performed efficiently. .

なお、上記の各実施例において、光制御部6から出力さ
れる光学的信号としては、パルス幅信号の他、周波数信
号、ディジタルコード信号、光の強弱信号など用いるこ
とが可能である。
In each of the above embodiments, as the optical signal output from the light control section 6, in addition to a pulse width signal, a frequency signal, a digital code signal, a light intensity signal, etc. can be used.

以上説明したように、本発明によれば、入力信号の接地
レベルやノイズに対して考慮する必要のない半導体集積
装置が実現できる。
As described above, according to the present invention, it is possible to realize a semiconductor integrated device that does not require consideration of the ground level and noise of input signals.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す要部切欠斜視図、第2
図はその電気的接続図、第3図は本発明の他の実施例を
示す要部斜視図、第4図はその電気的接続図、第5図お
よび第6図は、本発明の更に別の実施例装置の電気的接
続図、第7図は本発明の更に別な実施例の要部切欠斜視
図、第8図はその電気的接続図である。 1・・・・・・ケース、2・・・・・・半導体集積回路
、3・・・・・・基板、4・・・・・・増幅回路部、5
・・・・・・受光部、6・・・・・・光制御部、7・・
・・・・給光ファイバ、8・・・・・・出力光ファイバ
Fig. 1 is a cutaway perspective view of essential parts showing one embodiment of the present invention;
3 is a perspective view of essential parts showing another embodiment of the present invention, FIG. 4 is an electrical connection diagram thereof, and FIGS. 5 and 6 are further embodiments of the present invention. FIG. 7 is a cutaway perspective view of a main part of still another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is an electrical connection diagram thereof. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Case, 2... Semiconductor integrated circuit, 3... Substrate, 4... Amplifier circuit section, 5
...... Light receiving section, 6... Light control section, 7...
... Light supply fiber, 8 ... Output optical fiber.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 半導体基板上に微少電気信号を入力信号と、する電
子回路と、光エネルギを電気エネルギに変換する光電変
換部と、前記電子回路からの出力信号に応じた光学的信
号を生ずる光制御部とを形成するとともに、前記光電変
換部に一端が結合し前記光電変換部を介して前記電子回
路を作動させるための光エネルギが供給される光ファイ
バと、前記光制御部に一端が結合し前記光制御部で生ず
る光信号を伝送する光ファイバとを設けた半導体集積装
置。 2 光電変換部に光学的に結合する光ファイバと光制御
部に光学的に結合する光ファイバとを別々にした特許請
求の範囲第1項記載の半導体集積装置O′ 3 光制御部から出力される光学的信号を2種の差動的
な信号とした特許請求の範囲第1項記載の半導体集積装
置。 4 光制御素子として発光ダイオードを用いた特許請求
の範囲第1項記載の半導体集積装置。 5 光制御素子として光の透過率又は反射率が変化する
光変調器を用いた特許請求の範囲第1項記載の半導体集
積装置。
[Claims] 1. An electronic circuit on a semiconductor substrate that receives a minute electrical signal as an input signal, a photoelectric conversion section that converts optical energy into electrical energy, and an optical signal responsive to an output signal from the electronic circuit. an optical fiber having one end coupled to the photoelectric conversion section and supplying optical energy for operating the electronic circuit via the photoelectric conversion section; A semiconductor integrated device comprising an optical fiber coupled at one end to transmit an optical signal generated by the optical control section. 2. The semiconductor integrated device O' according to claim 1, in which the optical fiber optically coupled to the photoelectric conversion section and the optical fiber optically coupled to the light control section are separate. 2. The semiconductor integrated device according to claim 1, wherein the optical signals are two types of differential signals. 4. The semiconductor integrated device according to claim 1, which uses a light emitting diode as a light control element. 5. The semiconductor integrated device according to claim 1, which uses an optical modulator whose light transmittance or reflectance changes as a light control element.
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