JPS5845378A - 高周波スパツタ−装置 - Google Patents
高周波スパツタ−装置Info
- Publication number
- JPS5845378A JPS5845378A JP14282081A JP14282081A JPS5845378A JP S5845378 A JPS5845378 A JP S5845378A JP 14282081 A JP14282081 A JP 14282081A JP 14282081 A JP14282081 A JP 14282081A JP S5845378 A JPS5845378 A JP S5845378A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- high frequency
- target
- impedance
- stainless steel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は＾絢波スパッター装置に関するものである。具
体的には、真空層内に陰極ターゲットを具備し対向面に
試料を設けることによって陰極形成材料を試料面に堆積
するための装置である。たとえば真空層内にＡｒガスを
１０〜１０ｔｏｒｒの圧力で封入し、陰極に結合コンデ
ンサーを介して高周波電力（ＲＦ、 １３．５６ＭＨり
を供給すると、陰極。
体的には、真空層内に陰極ターゲットを具備し対向面に
試料を設けることによって陰極形成材料を試料面に堆積
するための装置である。たとえば真空層内にＡｒガスを
１０〜１０ｔｏｒｒの圧力で封入し、陰極に結合コンデ
ンサーを介して高周波電力（ＲＦ、 １３．５６ＭＨり
を供給すると、陰極。
接地間にグロー放電が生じＡｒイオンと電子の易動度の
差により隘憔に電子の流入が起る。然る後に結合コンデ
ンサー両端に電子流入により負のバアス電圧が生じる。
差により隘憔に電子の流入が起る。然る後に結合コンデ
ンサー両端に電子流入により負のバアス電圧が生じる。
このようにして陰極に生じた負電位によりＡｒイオンが
引き寄せられ、このイオンにより陰極材料がたたき出さ
れる現象（そバッター現象）により陰極対向面に設けた
試料上に陰極材料を堆積する装置である。
引き寄せられ、このイオンにより陰極材料がたたき出さ
れる現象（そバッター現象）により陰極対向面に設けた
試料上に陰極材料を堆積する装置である。
従来、この種の装置の高周波電力の隼−系は第１図に示
すようにコンデンサーとコイルから成るｙｓｆ価形整合
回路奪形づくっているので、コイルの発熱を紡ぐため＝
イル内に通水する。したがってコイル電位がグランドに
対して負の電位が発生するたり、水を媒伴とした電蝕が
起る。
すようにコンデンサーとコイルから成るｙｓｆ価形整合
回路奪形づくっているので、コイルの発熱を紡ぐため＝
イル内に通水する。したがってコイル電位がグランドに
対して負の電位が発生するたり、水を媒伴とした電蝕が
起る。
これによりコイルを形成している銅パイプ及びチューブ
フィツト［管接続端子（真鍮製）〕などが−触が生じ漏
水事故の原因となっている。特に高速スパッター装置の
ように大電力を消費するものでは上述のコイル勢の寿命
が大変短く、装置の保守９点検を頻繁に行う必要が生じ
生産性の低下をまねいている。
フィツト［管接続端子（真鍮製）〕などが−触が生じ漏
水事故の原因となっている。特に高速スパッター装置の
ように大電力を消費するものでは上述のコイル勢の寿命
が大変短く、装置の保守９点検を頻繁に行う必要が生じ
生産性の低下をまねいている。
本発明は、上述従来例の欠点を除去すると同時に電気結
線の簡素化をも目的にしたものである。
線の簡素化をも目的にしたものである。
以下、本発明について詳述する。本発明は従来銅パイプ
を用いていた高周波コイル材料にステンレス鋼製パイプ
を使用することにより電融に対する著しい改善を行った
。
を用いていた高周波コイル材料にステンレス鋼製パイプ
を使用することにより電融に対する著しい改善を行った
。
さらにステンレス材料の電気特性の劣悪さく電気伝導度
の低さ）による烏周波特性の悪化を防止するためにパイ
プ表面に金または鋼の薄層を設けた。
の低さ）による烏周波特性の悪化を防止するためにパイ
プ表面に金または鋼の薄層を設けた。
また回路構成を第６図のように改良するととにより電気
配線の簡素化を図り、絶縁材料の使用個数を減らすこと
が可能となりターゲットコイル間にバイアス電圧が発生
することが避けられるため電融の低減も可能となった。
配線の簡素化を図り、絶縁材料の使用個数を減らすこと
が可能となりターゲットコイル間にバイアス電圧が発生
することが避けられるため電融の低減も可能となった。
ここで、図面を用いて本発明を具体例に基づき説明する
。
。
第１図は従来の高周波スパッター装置を説明するための
略図である。１は高周波電源で出力インピーダンスは５
０Ωである。２はマツチングコイル、３．４は真空バリ
コンである。５はターゲット電極、６は基板、７は真空
層、８はアルゴンガス導入バルブ、９は真空ポンプであ
る。１０はマツチングボックス部分を示している。
略図である。１は高周波電源で出力インピーダンスは５
０Ωである。２はマツチングコイル、３．４は真空バリ
コンである。５はターゲット電極、６は基板、７は真空
層、８はアルゴンガス導入バルブ、９は真空ポンプであ
る。１０はマツチングボックス部分を示している。
高周波電源装ｆ１により、加えられた高周波をターゲッ
ト電極５と基板６との間に効率よく吸収させるため、イ
ンピーダンスマツチング回路１０が必要となる。
ト電極５と基板６との間に効率よく吸収させるため、イ
ンピーダンスマツチング回路１０が必要となる。
第２図は従来例の実体図である。２１はコネク／−１２
２は真空バリコン、２３はマツチングコイル、２４は絶
縁ガイシ、２５は銅板配線、２６はターゲットホルダー
、２７は冷却水出口、２８は冷却水入口である。
２は真空バリコン、２３はマツチングコイル、２４は絶
縁ガイシ、２５は銅板配線、２６はターゲットホルダー
、２７は冷却水出口、２８は冷却水入口である。
パリコ／６２とステンレス鋼製パイプから成るコイル５
３によりインピーダンスマツチングが取られることＫよ
り、定在波比＝２．０以下の状態でターゲットホルダー
３６に導かれる。
３によりインピーダンスマツチングが取られることＫよ
り、定在波比＝２．０以下の状態でターゲットホルダー
３６に導かれる。
第３図の実施例のようにすることにより、［源インピー
ダンスの変動及びターゲット放電電圧の変化によるマツ
チングコイルに誘起される直流電位は常にターゲット電
位と等しくなり、従来のように大幅な変動が少なくなり
、コイルの電融も低下し、絶縁ガイシ等の部品がなくな
り、水冷系統も簡略化することが出来る。
ダンスの変動及びターゲット放電電圧の変化によるマツ
チングコイルに誘起される直流電位は常にターゲット電
位と等しくなり、従来のように大幅な変動が少なくなり
、コイルの電融も低下し、絶縁ガイシ等の部品がなくな
り、水冷系統も簡略化することが出来る。
以上説明したように、マツチングコイルをステンレス鋼
製にして、ターゲラ）Ｋ直接取り付は内部に冷却水を通
過させるととＫより電気回りの簡略化が可能となり、コ
イルの電融による漏水事故等も防ぐことが出来る。
製にして、ターゲラ）Ｋ直接取り付は内部に冷却水を通
過させるととＫより電気回りの簡略化が可能となり、コ
イルの電融による漏水事故等も防ぐことが出来る。
第１図は高周波スパッター装置の動作説明図、第２図は
為周波スパッター装置マツチング回路の実体図、 第３図は本実施例による高周波スパッター装瞳マツチン
グ回路の実体図である。 図において、 １は電源、２，２３．５５はマツチングコイル、３．２
２．３２は真空バリコン、５，２６．り６はターゲット
ホルダー、６は基板、７は真空層、２８．５８は冷却水
導入口、２７．５７は冷却水排出口、３４は絶縁ガイシ
、９は真空ポンプである。
為周波スパッター装置マツチング回路の実体図、 第３図は本実施例による高周波スパッター装瞳マツチン
グ回路の実体図である。 図において、 １は電源、２，２３．５５はマツチングコイル、３．２
２．３２は真空バリコン、５，２６．り６はターゲット
ホルダー、６は基板、７は真空層、２８．５８は冷却水
導入口、２７．５７は冷却水排出口、３４は絶縁ガイシ
、９は真空ポンプである。
Claims (1)
- 高周波整合器内の高周波コイルをステンレス鋼製パイプ
で構成し、このパイプ内に冷却媒を通したことを特徴と
する高周波スパッター装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14282081A JPS5845378A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 高周波スパツタ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14282081A JPS5845378A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 高周波スパツタ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5845378A true JPS5845378A (ja) | 1983-03-16 |
Family
ID=15324380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14282081A Pending JPS5845378A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 高周波スパツタ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5845378A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000062329A1 (en) * | 1999-04-14 | 2000-10-19 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for radio frequency isolation of liquid heat transfer medium supply and discharge lines |
-
1981
- 1981-09-09 JP JP14282081A patent/JPS5845378A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000062329A1 (en) * | 1999-04-14 | 2000-10-19 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for radio frequency isolation of liquid heat transfer medium supply and discharge lines |
| US6284110B1 (en) | 1999-04-14 | 2001-09-04 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for radio frequency isolation of liquid heat transfer medium supply and discharge lines |
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