JPS5844864A - 固体撮像素子の駆動方法 - Google Patents
固体撮像素子の駆動方法Info
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- JPS5844864A JPS5844864A JP56142326A JP14232681A JPS5844864A JP S5844864 A JPS5844864 A JP S5844864A JP 56142326 A JP56142326 A JP 56142326A JP 14232681 A JP14232681 A JP 14232681A JP S5844864 A JPS5844864 A JP S5844864A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
- H04N3/155—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
- H04N3/1568—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor for disturbance correction or prevention within the image-sensor, e.g. biasing, blooming, smearing
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- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光導電性薄膜を光電変換に用いる固体撮像素子
の駆動方法に関するものである。
の駆動方法に関するものである。
光導電性薄膜を光電変換に用いた従来の固体撮像素子の
回路図を第1図に示す。1は光導電性膜の等制光電流源
、2は該膜の等価容量、3は走査用集積回路側の拡散容
量、4は電界効果形トランジスタを用いたスイッチ素子
である。以上の4っで1つの絵素を構成する。信号の読
出し方法は以下のとおりである。1ず、1フイ一ルド期
間(標準TV動作では約16.7m5)K光電流源lに
より、光量にしたがって容量2.3の電荷を放電Aる。
回路図を第1図に示す。1は光導電性膜の等制光電流源
、2は該膜の等価容量、3は走査用集積回路側の拡散容
量、4は電界効果形トランジスタを用いたスイッチ素子
である。以上の4っで1つの絵素を構成する。信号の読
出し方法は以下のとおりである。1ず、1フイ一ルド期
間(標準TV動作では約16.7m5)K光電流源lに
より、光量にしたがって容量2.3の電荷を放電Aる。
これにより信号電荷を蓄積する。その後、11@次走査
される垂直走査スイッチ4と、水平走査スイッチ6とに
より、この変化分を出力端8で読み取り1画像信号を得
る。なおこの図で9,10はそn、ぞれ垂直4.水平走
査スイッチ6を順次開閉するための走査回路、5は垂直
信号線、7は水平信号線、12は光導電性薄膜にバイア
ス電圧を印加するためのバイアス電圧源である。該固体
撮像素子のバイアス方法には2つある。これを第2図(
a)(b) K示す。信号電荷を蓄積する前に節点13
の電位はビデオバイアス電圧Vにリセットされる。
される垂直走査スイッチ4と、水平走査スイッチ6とに
より、この変化分を出力端8で読み取り1画像信号を得
る。なおこの図で9,10はそn、ぞれ垂直4.水平走
査スイッチ6を順次開閉するための走査回路、5は垂直
信号線、7は水平信号線、12は光導電性薄膜にバイア
ス電圧を印加するためのバイアス電圧源である。該固体
撮像素子のバイアス方法には2つある。これを第2図(
a)(b) K示す。信号電荷を蓄積する前に節点13
の電位はビデオバイアス電圧Vにリセットされる。
点13に流し込み、ここの電位を上昇せしめる。
強い光があたった場合、節点の電位は拡散容量3のブレ
イクダウン電圧V を越え、これにより過J 剰キャリアはブレークダウンダイオード3 を通してす
べて基板(アース)K流出するため、垂直信号線5への
信号電荷の流出は無く、プルーミングは抑制される。一
方、(b)のように1節点13の初期設定電圧■ をバ
イアス電圧V+より高くとり■ た場合1図に示すように光電流源は節点13から電荷を
吸い出すことKなり5節点13の電位は信号蓄積ととも
に低下して行く。ところで1強い光かをたった場合9節
点13の電位は低下して、拡散容量(すなわちダイオー
ド)3 を順方向にバイアスするとともに、スイッチ素
子4の下に形成される、寄生バイポーラ・トランジスタ
14をも順方向にバイアスして、信号電荷の垂直信号線
5への流出が起こる。これにより1選択されていらいは
ずの絵素からの信号も画面上に現われるというブルーミ
ング現象が発生する。これは画質を太いに劣下させる。
イクダウン電圧V を越え、これにより過J 剰キャリアはブレークダウンダイオード3 を通してす
べて基板(アース)K流出するため、垂直信号線5への
信号電荷の流出は無く、プルーミングは抑制される。一
方、(b)のように1節点13の初期設定電圧■ をバ
イアス電圧V+より高くとり■ た場合1図に示すように光電流源は節点13から電荷を
吸い出すことKなり5節点13の電位は信号蓄積ととも
に低下して行く。ところで1強い光かをたった場合9節
点13の電位は低下して、拡散容量(すなわちダイオー
ド)3 を順方向にバイアスするとともに、スイッチ素
子4の下に形成される、寄生バイポーラ・トランジスタ
14をも順方向にバイアスして、信号電荷の垂直信号線
5への流出が起こる。これにより1選択されていらいは
ずの絵素からの信号も画面上に現われるというブルーミ
ング現象が発生する。これは画質を太いに劣下させる。
なお1以上の説明はnチャネル電界効果型トランジスタ
をスイッチ素子に用いた場合について行なわれているが
、各電圧の符号を変えることにより、nチャネル電界効
果型トランジスタの場合にもあてl′iまる。
をスイッチ素子に用いた場合について行なわれているが
、各電圧の符号を変えることにより、nチャネル電界効
果型トランジスタの場合にもあてl′iまる。
第3図は、光導電荷簿膜を光電変換に、また電荷転送素
子CδDを走査回路に用いた固体撮像素子の回路図であ
る。1.2は第1図と同様、光導電性薄膜の等制光電流
源および等価谷量を示し、15は節点13に蓄積される
電荷の、垂直電荷転送回路16への転送を制御する転送
ゲートである。
子CδDを走査回路に用いた固体撮像素子の回路図であ
る。1.2は第1図と同様、光導電性薄膜の等制光電流
源および等価谷量を示し、15は節点13に蓄積される
電荷の、垂直電荷転送回路16への転送を制御する転送
ゲートである。
17は垂直電荷転送回路16から受けた信号を水平方向
に転送し出力端18に伝える水平電荷転送回路である。
に転送し出力端18に伝える水平電荷転送回路である。
20は転送ゲートを制御するパルス電圧源、19は光導
電薄膜にバイアス電圧を供給するとともに、転送を制御
するパルス電圧源である。第4図(a)〜(C)は本素
子の動作を、−絵素の回路およびバンド図で示したもの
である。ここで21は光導電性薄膜の上に形成する透明
電極を現わしでいる。萱た第5図(a)〜(c)vc示
したバンド図は電子に対するポテンシャルを現わしてお
り、正の電位が下向きにとられている0第4図(a)〜
(C)は各々第5図(a)〜(c)K対応している。こ
こで、21光導電性薄膜l、容量3.転送グー)15.
垂直電荷転送素子16の領域を示している。また、動作
をわかりやすくするために、ここでは転送ゲート】5に
印加するゲート電圧V と垂直電荷転送回路16に印加
する電圧V とを共通している。
電薄膜にバイアス電圧を供給するとともに、転送を制御
するパルス電圧源である。第4図(a)〜(C)は本素
子の動作を、−絵素の回路およびバンド図で示したもの
である。ここで21は光導電性薄膜の上に形成する透明
電極を現わしでいる。萱た第5図(a)〜(c)vc示
したバンド図は電子に対するポテンシャルを現わしてお
り、正の電位が下向きにとられている0第4図(a)〜
(C)は各々第5図(a)〜(c)K対応している。こ
こで、21光導電性薄膜l、容量3.転送グー)15.
垂直電荷転送素子16の領域を示している。また、動作
をわかりやすくするために、ここでは転送ゲート】5に
印加するゲート電圧V と垂直電荷転送回路16に印加
する電圧V とを共通している。
第4図(a)でまず15.16にゲート電圧V。を加え
15’、16’のポテンシャルを下げるとともに、透明
電極に負の電圧−■−を印加して21′のポテンシャル
ととも[3’のポテンシャルをもリセットv行なう。こ
の時の3 の電位は第5図(a)より明らかなようにV
−J である0つづいQ TH で、第4図(b)図のように透明電極21に印加する電
圧を+V VC上げ、3 のポテンシャルを下げること
により、ここに入射光23により生成されたキャリアー
22(ここでは電子)を蓄積する0】5 および16
の電位は垂直転送とともに動く。リセット直後の3 の
電位は、光導電性薄膜の容量2および拡散容量3の値を
それぞれOa。
15’、16’のポテンシャルを下げるとともに、透明
電極に負の電圧−■−を印加して21′のポテンシャル
ととも[3’のポテンシャルをもリセットv行なう。こ
の時の3 の電位は第5図(a)より明らかなようにV
−J である0つづいQ TH で、第4図(b)図のように透明電極21に印加する電
圧を+V VC上げ、3 のポテンシャルを下げること
により、ここに入射光23により生成されたキャリアー
22(ここでは電子)を蓄積する0】5 および16
の電位は垂直転送とともに動く。リセット直後の3 の
電位は、光導電性薄膜の容量2および拡散容量3の値を
それぞれOa。
Odとして。
V =V −V 十〇a/(Oa+Od )0
0 TH (V++V=) (1) T T となる。ただしOa、OdKは電圧依存性が無いものと
した。ところで、この素子に強い光が入ると第5図(C
)のように蓄積された信号電荷Q8が垂直の信号電荷転
送回路にまであふれ出し、ブルーミングの原因となる。
0 TH (V++V=) (1) T T となる。ただしOa、OdKは電圧依存性が無いものと
した。ところで、この素子に強い光が入ると第5図(C
)のように蓄積された信号電荷Q8が垂直の信号電荷転
送回路にまであふれ出し、ブルーミングの原因となる。
これを防止するには、第6図(a)に回路図を示すよう
に一定のゲート電圧に加れたオーバーフロードレイン2
4.25を用いる。
に一定のゲート電圧に加れたオーバーフロードレイン2
4.25を用いる。
これにより第6図(b)のバンドモデル図に示すように
過剰な信号電荷QSが垂直電荷転送回路16にあふれ出
る前に、これを24 を介してオーバーフロードレイン
25 Kはき出す。しかし、このような付加回路は素
子の高@度化を困難にさせるばかりでなく、工程数の増
加、素子の複雑さなどにより歩留りを低下させる。
過剰な信号電荷QSが垂直電荷転送回路16にあふれ出
る前に、これを24 を介してオーバーフロードレイン
25 Kはき出す。しかし、このような付加回路は素
子の高@度化を困難にさせるばかりでなく、工程数の増
加、素子の複雑さなどにより歩留りを低下させる。
本発明の目的は、npn縦形トランジスタや。
オーバフロードレインを用いずにブルーミングを強力に
抑制する素子の駆動方法を提供することにある。
抑制する素子の駆動方法を提供することにある。
本固体操像素子において光導電性薄膜に光があたると、
光生成キャリアな発生しながら、膜自身にかかる電圧を
減少させていく。この電圧が膜特有の開放端電圧に達す
ると光電流はそれ以上流れなくなる。この特徴を利用し
て1強い光があたった場合、膜自身が光電流を抑え、過
剰キャリアの発生を防いでブルーミング抑制を行なうこ
とを発明した。
光生成キャリアな発生しながら、膜自身にかかる電圧を
減少させていく。この電圧が膜特有の開放端電圧に達す
ると光電流はそれ以上流れなくなる。この特徴を利用し
て1強い光があたった場合、膜自身が光電流を抑え、過
剰キャリアの発生を防いでブルーミング抑制を行なうこ
とを発明した。
光導電性薄膜の典型的な電圧−電流特性を第7図に示す
。曲線(a)は光を入れない場合2曲線(b)は光を入
れた場合であり光電流を示している。図でも明らかなよ
うに、開放端電圧V になると光電C 流は0となる。この開放端電圧は光導電性薄膜とその電
極とにより形成されるショットキーバリアーの障壁の高
さに相当し、光導電性薄膜に水素化非晶質S1を用いた
場合、Au電極の場合は約0、4 V、I T o透明
tiノvs合、約0.3 VO:)開放端電圧が得られ
る。第8図はMOSスイッチを用いた固体撮像素子の一
画素の等価回路を示したものである。リセットにより1
点Aの電圧VはV龜 V (ビデオ・バイアス)Kリセットされる。その後光に応
じて光電流1が流ノド2および3の容量を放電する。こ
れとともに膜に流れる電流は第7図のB −+ +3−
) Cにしたがって変化して行く。ここで。
。曲線(a)は光を入れない場合2曲線(b)は光を入
れた場合であり光電流を示している。図でも明らかなよ
うに、開放端電圧V になると光電C 流は0となる。この開放端電圧は光導電性薄膜とその電
極とにより形成されるショットキーバリアーの障壁の高
さに相当し、光導電性薄膜に水素化非晶質S1を用いた
場合、Au電極の場合は約0、4 V、I T o透明
tiノvs合、約0.3 VO:)開放端電圧が得られ
る。第8図はMOSスイッチを用いた固体撮像素子の一
画素の等価回路を示したものである。リセットにより1
点Aの電圧VはV龜 V (ビデオ・バイアス)Kリセットされる。その後光に応
じて光電流1が流ノド2および3の容量を放電する。こ
れとともに膜に流れる電流は第7図のB −+ +3−
) Cにしたがって変化して行く。ここで。
膜にかかる電圧V−■が開放端電圧VK達すT
纜 OCるともは
や光電流は流れなくなり、過剰キャリアの発生を防ぎブ
ルーミングを抑制することが出来る。ただし、この時の
点13の電位V =V −a T ■ は、MOSスイッチにより形成される寄生バC イボ−ラドランシスターをターンオンせしめる電圧−V
oNより高くなければならない。(低いと。
纜 OCるともは
や光電流は流れなくなり、過剰キャリアの発生を防ぎブ
ルーミングを抑制することが出来る。ただし、この時の
点13の電位V =V −a T ■ は、MOSスイッチにより形成される寄生バC イボ−ラドランシスターをターンオンせしめる電圧−V
oNより高くなければならない。(低いと。
脇で過剰キャリアを止める前に寄生トランジスタI4を
介してキャリアが信号線にもれ込んでしまう。)つまり
。
介してキャリアが信号線にもれ込んでしまう。)つまり
。
V=V −V >V
暑TQCON
V)十V −V ・・・ (2)T
QCON を満たす必要がある。一方1図の方向に電流を流すため
には、初期電圧v−vがV 以下でなT V
QC ければならないから V −V <V ’r’voa V (V 十V ・・・ (3) T V QC とする必要があり1以上より■。の満たすべき条件は v −v <v<v +V ・・ (4)QC
ON T QCVとなる。ここで、透
明電極にI’rOf用いた場合。
QCON を満たす必要がある。一方1図の方向に電流を流すため
には、初期電圧v−vがV 以下でなT V
QC ければならないから V −V <V ’r’voa V (V 十V ・・・ (3) T V QC とする必要があり1以上より■。の満たすべき条件は v −v <v<v +V ・・ (4)QC
ON T QCVとなる。ここで、透
明電極にI’rOf用いた場合。
V =Q、3Vであり、 VoN=0.5. V、
=3.0とOC した場合。
=3.0とOC した場合。
−Q、2(V (3,3・・・ (5)の範囲に収まっ
ていればよいことになる0以上の説明では走査回路にn
チャネル型MOSスイッチを用いていたが、第9図(]
a ) (,1b)のようなpチャネル型MOSスイ
、テを用いた場合も、また同nチャネル型MOSスイッ
チの場合。
ていればよいことになる0以上の説明では走査回路にn
チャネル型MOSスイッチを用いていたが、第9図(]
a ) (,1b)のようなpチャネル型MOSスイ
、テを用いた場合も、また同nチャネル型MOSスイッ
チの場合。
光電流源1の向きが逆の場合(第9図(2a)(2b)
、)やpチャネルでやはりさきほどのものと光電流の向
きが逆の場合(第9図(3a)(3b))が考えられる
。それぞれ(a)図はリセット直0 後の状態を示し、(b)図は強い光があたり、光導電性
薄膜に流れる電流がOとなった状態を示す。それぞれの
場合のVの満たすべき条件は表1のとテ おりである。ここでV は拡散容量CdまたはMJ OSスイッチ接合の逆バイアス時のブレイクダウン電圧
である。
、)やpチャネルでやはりさきほどのものと光電流の向
きが逆の場合(第9図(3a)(3b))が考えられる
。それぞれ(a)図はリセット直0 後の状態を示し、(b)図は強い光があたり、光導電性
薄膜に流れる電流がOとなった状態を示す。それぞれの
場合のVの満たすべき条件は表1のとテ おりである。ここでV は拡散容量CdまたはMJ OSスイッチ接合の逆バイアス時のブレイクダウン電圧
である。
表 1
次に、走査回路として電荷転送素子を用いた第3図〜第
6図の場合について説明する。nチャネル形00Dの場
合、前の第4図(C)のように強い光があたった場合、
信号電荷Qsが電荷転送部16へもれ込む。しかし、こ
こで透明電極に印加する電圧V+を以下のようにするこ
とにより強い光のもとで光電流I がOとなり3 の電
位がV−ph
aV 以下に下がらず、電荷のもれ込みは
無くなる。
6図の場合について説明する。nチャネル形00Dの場
合、前の第4図(C)のように強い光があたった場合、
信号電荷Qsが電荷転送部16へもれ込む。しかし、こ
こで透明電極に印加する電圧V+を以下のようにするこ
とにより強い光のもとで光電流I がOとなり3 の電
位がV−ph
aV 以下に下がらず、電荷のもれ込みは
無くなる。
TH
1
V )V −V +V ・・・ (6)T
G THQC また1図の方向に光電流を流すためには、リセット直後
の状態において V(V+V ・・・ (7) T OQC を満たさなければならない。ここでV。は3 領域の初
期電圧であり ・・・ (8) であられされるため、(7)式は以下のようになる・・
・ (9) 以上よりv土の満たすべき条件は 2 ここで典型的な値としてOa = 0.01 pFOd
=0.05pF、V =]OV、V =IVG
THV”−=5V、V =
0.4VとLiT QC
9,4<V <12.3 ・・・ (11)テ となる。以上はnチャネル型の電荷転送素子の場合を考
慮しているが、pチャネル型の場合についでも同様の駆
動方法が取れるのはもちろんのことである。これにより
、オーバーフロードレインなどの付加回路を用いること
なく強力にブルーミングな抑制することが出来る。
G THQC また1図の方向に光電流を流すためには、リセット直後
の状態において V(V+V ・・・ (7) T OQC を満たさなければならない。ここでV。は3 領域の初
期電圧であり ・・・ (8) であられされるため、(7)式は以下のようになる・・
・ (9) 以上よりv土の満たすべき条件は 2 ここで典型的な値としてOa = 0.01 pFOd
=0.05pF、V =]OV、V =IVG
THV”−=5V、V =
0.4VとLiT QC
9,4<V <12.3 ・・・ (11)テ となる。以上はnチャネル型の電荷転送素子の場合を考
慮しているが、pチャネル型の場合についでも同様の駆
動方法が取れるのはもちろんのことである。これにより
、オーバーフロードレインなどの付加回路を用いること
なく強力にブルーミングな抑制することが出来る。
第1図はMOSスイッチを用いた同体撮像素子の回路図
。 第2図は上記素子1画素の等価回路。 第3図は電荷転送素子を用いた同体撮像素子の回路図、 第4図は上記素子の動作メカニズムを説明した一画素の
等価回路を示す図。 第5図は第4図に対応するバンドモデル図。 3 第6図(a)、 (b)はオーバフロードレインを有す
る素子の等価回路およびバンド図。 第7図は光導電性薄膜の電流−電圧特性を示す図。 第8図はMOSスイッチを用いた累子−画素の等価回路
を示す図。 第9図はpチャネルおよびnチャネル型MOSスイッチ
の各バイアス法における一画素等価回路を示す図である
。 1、光導電性薄膜の光電流。 2、光導電性薄膜の容量。 3、pn接合の拡散容量。 4、走査用MOSスイッチ。 12、 透明電極に印加するバイアス電圧。 14、MOsスイ、テ下の寄生トランジスタ、16、を
荷転送素子。 15、 転送ゲート。 代理人 弁理士 薄 1)利 幸 4 毛 1 問 車 2 図 、aノ
1.)′平易 3 図 15? 1’/ 20 2/′/’ 3’ t6’ L′86 圀 (a−) 9 (b) 単 7 園 率 8 目 躬 9 図
。 第2図は上記素子1画素の等価回路。 第3図は電荷転送素子を用いた同体撮像素子の回路図、 第4図は上記素子の動作メカニズムを説明した一画素の
等価回路を示す図。 第5図は第4図に対応するバンドモデル図。 3 第6図(a)、 (b)はオーバフロードレインを有す
る素子の等価回路およびバンド図。 第7図は光導電性薄膜の電流−電圧特性を示す図。 第8図はMOSスイッチを用いた累子−画素の等価回路
を示す図。 第9図はpチャネルおよびnチャネル型MOSスイッチ
の各バイアス法における一画素等価回路を示す図である
。 1、光導電性薄膜の光電流。 2、光導電性薄膜の容量。 3、pn接合の拡散容量。 4、走査用MOSスイッチ。 12、 透明電極に印加するバイアス電圧。 14、MOsスイ、テ下の寄生トランジスタ、16、を
荷転送素子。 15、 転送ゲート。 代理人 弁理士 薄 1)利 幸 4 毛 1 問 車 2 図 、aノ
1.)′平易 3 図 15? 1’/ 20 2/′/’ 3’ t6’ L′86 圀 (a−) 9 (b) 単 7 園 率 8 目 躬 9 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、絵素位會を選択する複数のスイッチ素子と。 該スイッチ素子を時間順次で開閉する走査回路とを基板
に設けてなる半導体回路と、該回路上に設けられ、各ス
イッチ素子の一方に接続された光導電性膜と、該光導電
性膜上に設けられた光透過性電極とを少なくとも有する
固体撮像素子において。 該透明電極に印加する電圧が、該光導電性膜の開放端電
圧と該スイッチ素子接合を11@方向にバイアスせしめ
る電圧との差よりも大きく、該開放端電圧と、a明電極
と異なる側の該光導電性膜の電位の初期値との和より小
さくなすことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 2、絵素ごとに設けられ、絵素信号読出しを制御するス
イッチ素子と、これらのスイッチに接続され、信号を特
定方向に転送する第1の電荷転送回路と、該電荷転送回
路の信号電荷を受は取り。 これを前記方向と直角の方向に転送する第2の電荷転送
回路が該回路上に設けられ、各スイッチ素子の一方に接
続された光導電性膜と、該光導電性膜上に設けられた光
透過性電極とを有する固体撮像素子において、該透明電
極に印力0する電圧が。 該光導電性薄膜の開放端電圧に該スイッチのゲルト電圧
を加え、該スイッチのしきい値電圧を引いた値より高い
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の固体撮像
素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56142326A JPS5844864A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 固体撮像素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56142326A JPS5844864A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 固体撮像素子の駆動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5844864A true JPS5844864A (ja) | 1983-03-15 |
Family
ID=15312736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56142326A Pending JPS5844864A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 固体撮像素子の駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5844864A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6016074A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の駆動方法 |
US4912418A (en) * | 1987-06-26 | 1990-03-27 | Pfaudler-Werke Ag | Method and device for detecting the location of a fault within a dielectric layer of an electrically conducting pipe |
FR2726143A1 (fr) * | 1994-10-25 | 1996-04-26 | Suisse Electronique Microtech | Microcircuit comprenant des moyens pour repartir un courant de reference |
-
1981
- 1981-09-11 JP JP56142326A patent/JPS5844864A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6016074A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の駆動方法 |
JPH0444470B2 (ja) * | 1983-07-06 | 1992-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
US4912418A (en) * | 1987-06-26 | 1990-03-27 | Pfaudler-Werke Ag | Method and device for detecting the location of a fault within a dielectric layer of an electrically conducting pipe |
FR2726143A1 (fr) * | 1994-10-25 | 1996-04-26 | Suisse Electronique Microtech | Microcircuit comprenant des moyens pour repartir un courant de reference |
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