JPS5843738B2 - ケイタイヨウコロナデンゲンキヨウキユウカイロ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は携帯用電子写真装置用電源供給回路に関するも
ので、特にこの種装置用として使用する高電圧、低電流
形式のモジュール化した携帯用コロナ電源供給回路に関
するものである。

ゼログラフィツク技術または静電電子記録技術の分野に
おいては、光導電層を有する面上にレンズ系または適当
な手段を用いて投射したパターンに対応した潜像を形成
させており、この場合パターンを投射する前に光導電層
面にコロナ放電を発生させて面またはその近傍に多数の
電子を帯電させておき、光電子の照射によりその帯電が
移動しうるようにしている。

ある形式の電子写真フィルムは、抵抗層をボンドしたポ
リエステル等の基板によりこれを形成し、前記抵抗層面
に無機質の光導電体被膜をボンドしている。

前記フィルムは、それに近傍して配置した電極に約６０
００Ｖの電圧が供給された際形成されるコロナ放電にさ
らされるようこれを形成する。

コロナ放電は光導電体被膜面上またはその近傍に電子の
帯電を生じ、これが光パターンにより照射された際パタ
ーンに応じた電子の放電を生じ潜像を形成する。

ついで、面上にトナー（着色微粉体）を供給するとトナ
ー粒子は面上の彩色吸着され、このような光導電層面へ
のトナー粒子のパターン状吸着により可視像が形式され
る。

小形カメラ状の静電記録装置を製作する必要性が生じた
場合、コロナ電圧供給可能な従来の形式の電源供給回路
は明らかに複雑、高価かつ大容積を要し、上述の手持カ
メラのような携帯用としての必要条件を満足させるには
種々の難点があった。

また、従来の既知のコロナ電圧発生回路はこれを常時電
源に接続しておく必要があり、例えば乾電池のような低
エネルギー電源で使用するには不適当なもめであった。

また、従来の技術による電源供給回路に関連する他の問
題点として、電源供給回路の出力におけるコロナ負荷が
負荷状態から“無負荷“状態に変った場合に、電源供給
回路内の能動素子が過電圧をうけ電源供給回路を破壊に
導くという問題があり、この現象はこの種電源供給回路
で使用する逓昇変圧器により生ずる逆起電力に基因する
ものである。

従来の静電板にトナー現像を行う場合には、帯電される
領域の縁部にトナーが移動する傾向があり、既知のいわ
ゆる端縁効果を生ずる。

これがため、直流バイアスを用いてトナー粒子を光導電
層面に導き、面上に一様なトナー分布を与えるようにし
、端縁効果を除去する必要がある。

したがって、電源供給回路には、このようなバイアスと
して使用しうる電圧を導出するような手段を設けること
が望ましい。

本発明の目的は電子写真フィルムの光導電層面に帯電さ
せるための携帯用小形高圧コロナ電源供給回路を提供せ
んとするにある。

本発明コロナ電源供給回路は、所定時間周期の間パルス
の連続を発生するパルス発生源と、入力および出力を含
み前記パルス発生源よりのパルス連続を整形するパルス
整形回路と、前記パルス整形回路に接続し該整形回路の
出力に応答して整形信号の振幅を大幅に増幅する電圧逓
倍回路と、前記電圧逓倍回路に接続し、該電圧逓倍回路
により駆動するよう形成したコロナ電圧導出機構とを具
えたことを特徴とする。

添付図において符号数字１０は電源供給回路を示し、符
号数字１２は電池１３とそれに並列に結合した蓄電器１
１とを含む電源を示す。

また符号数字１４は電源供給回路を付勢するスイッチン
グ回路を示し、始動スイッチ１５、蓄電器１６ならびに
抵抗１８および２０を含む。

電源１２はリード線２２から抵抗１８を介して前記始動
スイッチ１５の一方の接触端子にこれを結合する。

抵抗２０はリード線２２と蓄電器１６との間にこれを接
続し、前記蓄電器１６はこれを抵抗１８およびスイッチ
１５により形成される共通端子１７と抵抗２０との間に
結合し、スイッチ１５の第２接触端子を基準電位または
大地電位に接続する。

スイッチ１５を閉じる以前には、蓄電器１６の充電値は
Ｏであり蓄電器１６の両電極は＋■ｂで示すリード線２
２の電圧すなわち正電圧に保持される。

したがって、スイッチ１５が閉路またはスイッチオンの
状態になる前には抵抗２０と蓄電器１６により形成され
る共通端子１７′には正電圧があられれ、この正電圧信
号はリード線２３を介して発振回路２４に結合される。

発振回路２４は４つのＮＡＮＤ論理ゲート２６゜２８．
３０，３２、抵抗３４および蓄電器３６を含むＣ−Ｍ
ＯＳ集積回路チップ状にこれを形成する。

ゲート２６および２８は単安定マルチバイブレータを形
成するようこれらを結合し、ゲート３０．３２、抵抗３
４および蓄電器３６は非安定マルチバイフレータを形成
するようこれらを結合する。

前記各ＮＡＮＤゲートはそれぞれ第１および第２の入力
と１つの出力を具える。

ＮＡＮＤゲート２８の第１および第２人力により形成さ
れる共通入力端子とＮＡＮＤゲート２６の出力との間に
、蓄電器４０、抵抗４２および可変抵抗４４を含むタイ
ミング回路３８を結合する。

前記蓄電器４０はＮＡＮＤゲート２６の出力と抵抗４２
との間にこれを結合し、抵抗４２はこれを可変抵抗４４
のワイパに直列に接続し、抵抗４２と大地電位との間に
可変抵抗４４を接続する。

また、ＮＡＮＤゲート２８への共通入力を蓄電器４０お
よび抵抗４２により形成される共通端子に接続する。

ＮＡＮＤゲート２６，２８，３４および３６の作動は次
のとおりである。

すなわち、ＮＡＮＤゲートへの双方の入力に高レベル電
圧または正電圧があられれた場合にはゲートの出力は低
レベルとなり、ＮＡＮＤゲートへの入力にあられれる高
レベル電圧と低レベル電圧の上記以外のすべての組合せ
に対してゲートの出力は高レベルとなる。

ここで、ＮＡＮＤゲート２６の第１人力をリード線２３
に接続してスイッチング回路１４よりの信号を受信しう
るようにし、ＮＡＮＤゲート２６の第２人力をＮＡＮＤ
ゲート２８の出力に接続する。

いま、リード線２３に高レベル信号があられれ、かつ蓄
電器４０の充電値がＯの場合を考えると、抵抗４２およ
び４４はほぼ大地電位でありゲート２８に低レベル入力
を供給しゲート２８から高レベル出力を導出するので、
ゲート２６の出力は低レベルとなる。

すなわち、ゲート２６の双方の入力は高レベルであるた
め、その出力には低レベル出力信号が保持される。

ゲート２６の出力はこれをゲート３０の第２人力に接続
し、ゲート３０の第１人力は蓄電器３６を介してこれを
ゲート３２の出力に結合するほが抵抗３４を介してゲー
ト３０自体の出力にも結合する。

また、ゲート３０の出力をゲート３２の第１および第２
人力により形成される共通入力と出力線４６に接続する
。

ゲート２６の出力からゲート３０の第２人力に低レベル
信号が供給されると、ゲート３０の出力は高レベルとな
り、ゲート３２の出力を低レベルとするので、リード線
４６上には高レベル信号があられれる。

リート裔４６は発振回路２４の出力を形成し、これをパ
ルス整形回路４８に結合する。

パルス整形回路４８はＰＮＰ形トランジスタ５０、ＮＰ
Ｎ形トランジスタ５２，５４、抵抗５６，５８゜６０お
よびツェナーダイオード６２によりこれを形成する。

発振回路２４の出力は抵抗５８を介して基準電位または
大地電位にこれを結合する。

トランジスタ５００ベースにあられれる高レベル信号は
トランジスタ５０をターンオフし、トランジスタ５０の
エミッタ電極よりの低レベル信号を抵抗６０を介してト
ランジスタ５２０ベース電極に供給する。

トランジスタ５２および５４はダーリングトン結合とし
、トランジスタ５２のコレクタ電極をトランジスタ５４
のコレクタ電極に接続し、トランジスタ５２のエミッタ
電極をトランジスタ５４０ベース電極に接続する。

かくすれば、トランジスタ５２０ベース電極に電流が誘
起された場合、２つのトランジスタ５２および５４によ
る電流利得は２つのトランジスタの電流増幅率βの積に
ほぼ等しくなる。

トランジスタ５４のコレクタ電極はこれをツェナーダイ
オード６２のカソードに接続し、ツェナーダイオード６
２のアノードをトランジスタ５４のエミッタと基準電位
との共通端子に接続する。

パルス整形回路４８の出力はリード線６４より導出し、
前記リード線６４をトランジスタ５４のコレクタ電極に
結合する。

トランジスタ５２のベースにあられれる発振回路２４の
低レベル電圧はトランジスタ５２および５４をターンオ
フするので、スイッチ１５が開路状態すなわち電源回路
１０が使用されていない状態の下では、トランジスタ５
０．５２および５４はターンオフ状態となり電池１３か
らはエネルギーは引出されない。

また、Ｃ−ＭＯ８技術を使用することによりＮＡＮＤゲ
ート２６ないし３２の消費電流は無視しうる和牛となり
、電池１３よりのエネルギーの流出もさらに制限される
。

スイッチ１５を開いた状態から閉じた状態に変化させた
場合は、蓄電器１６と抵抗１８は大地電位に結合される
。

この電圧の瞬時的変化は容易結合の原理により蓄電器１
６からリード線２３を介して転送され、ＮＡＮＤゲート
２６の第１人力に低レベル信号を供給し、ゲート２６の
出力を高レベル状態に変化させる。

ゲート２６の第１人力は蓄電器１６が抵抗２０を介して
＋ｖｂに充電されるまで低レベル状態を保持する。

ゲート２６の出力の高レベル信号は蓄電器４０を介して
ゲート２８の両入力に供給され、ゲート２８の出力を低
レベルとする。

ゲート２８のこの低レベル状態はリード線２３上の電圧
のいかんにかかわらずゲート２６の出力における高レベ
ル状態を保持する。

ゲート２８の出力は、蓄電器４０がほぼゲート２６の出
力の高レベル電圧に充電されるまでこの低レベル状態を
保持する。

蓄電器４０がゲート２６の出力の高レベル電圧まで充電
されると、ゲート２８の出力は低レベル状態から高レベ
ル状態に変わりゲート２６の出力を低レベル状態に変化
させる。

蓄電器４０の充電時間は蓄電器４０の容量と抵抗４２，
４４の抵抗値とにより決まり、抵抗４４の全抵抗値を変
えることにより調整可能とすることができるので、電源
回路１０に対する正確な時間調整を得ることができる。

ゲート２６゜２８と回路３８の各構成素子との組合せは
単安定マルチバイブレークもしくはトリガワンショット
マルチバイブレータを形成する。

ゲート２６の出力に高レベル信号があられれた場合はゲ
ート３０および３２が作動する。

ゲート３０および３２は非安定マルチバイブレータを形
成するようこれらを結合する。

ゲート３０がその第２人力にあられれる高レベル信号に
より作動状態になると、ゲート３０の出力には低レベル
信号があられれ、ゲート３２を低レベル状態から高レベ
ル状態にスイッチする。

ゲート３２の出力が高レベルになると、ゲート３０の第
１人力は高レベルとなり、蓄電器３６が抵抗３４を介し
てゲート３２の出力にあられれる高レベル電圧に充電さ
れるまで高レベル状態を保持する。

蓄電器３６が高レベル電圧に充電されるまでに要する時
間は蓄電器３６の容量と抵抗３４の抵抗値により決まる
。

蓄電器３６が高レベル電圧に充電されると、ゲート３０
の第１人力は低レベル状態にあるその出力とほぼ同じ電
圧となる。

ゲート３０への第１人力の低レベル電圧はゲート３０の
状態を変え、その出力に高レベル電圧を導出させる。

この高レベル出力はゲート３２をスイッチしてその出力
に低レベル電圧を導出させ、蓄電器３６は逆向きに充電
され、抵抗３４を介して保持されていた充電電荷を放電
させる。

ゲート３０の出力に導出されるパルスの周波数は蓄電器
３６と抵抗３４０時定数の約２倍であり、ここでは約５
ＫＨｚ に選定しである。

ゲート３０の出力が低レベルになると、トランジスタ５
０はターンオンされてトランジスタ５２に電流を供給す
るので、トランジスタ５２はターンオンされ、ついでト
ランジスタ５４もターンオンされる。

したがって、トランジスタ５４のコレクタ電極はほぼ基
準電位まで引下げられる。

また、ゲート３０の出力が高レベルになると、トランジ
スタ５０はターンオンされ、したがってトランジスタ５
２および５４もターンオンされる。

このように非安定、ツウチバイブレークが作動したとき
は、リード線６４上にはパルスの連続が発生する。

蓄電器４００両端の電圧によりゲート２８の出力が高レ
ベル状態にスイッチされゲート２６の出力とゲート３０
の第２人力に低レベル状態があられれると、ゲート３０
および３２を含む非安定マルチバイブレータは不能とな
り、トランジスタ５００ベースに結合されていたパルス
連続は中断され、トランジスタ５０はオフ状態に保持さ
れる。

以上の説明はパルスの連続を含むＡ、 Ｃ，信号を所定
時間周期の間リード線６４に供給するに必要な始動回路
、タイミング回路およびパルス整形回路の作動に関する
ものである。

リード線６４はパルス整形回路の出力を電圧逓倍回路６
６に結合させる。

電圧逓倍回路６６は一次巻線端子７０゜７２および二次
巻線端子７４，７６を有する逓昇変圧器６８．６つのダ
イオード７８．８０．８２゜８４．８６，８Ｂならびに
６つの蓄電器９０゜９２．９４，９６，９８，１００を
含む。

電圧逓倍回路６６においてはその構成素子を次のように
接続している。

すなわち、端子ＴＯはこれをリード線６４に接続し、端
子７２はリード線２２を介してこれを電池１３に結合す
る。

ダイオード７８のカソードは蓄電器９０と同様にこれを
端子１０２に接続する。

蓄電器９０，９２および９４は端子７６とともに共通端
子を形成する。

蓄電器９６は端子７４とダイオード８２のアノードとの
間にこれを接続し、前記ダイオード８２０カソードはダ
イオード８０のアノードおよび蓄電器９２とともに共通
端子を形成する。

また、ダイオード８００カソードはこれを端子７４に接
続する。

蓄電器９８はこれをダイオード８２のアノードとダイオ
ード８６のアノードとの間に結合する。

前記ダイオード８６のカソードはこれを蓄電器９４とダ
イオード８４のアノードに結合し、ダイオード８４０カ
ソードはこれをダイオード８２のアノードに結合する。

また、ダイオード８８のカソードはこれをダイオード８
６のアノードに接続し、ダイオード８８のアノードはこ
れを高圧コロナ出力線１０４に接続し、ダイオード８８
のアノードと端子１０２との間には蓄電器１００を接続
する。

ここで、電圧逓倍回路・６６の作動を説明するため端子
１０２はこれを基準電位または大地電位に結合しである
ものとする。

電圧逓倍回路６６の作動は以下のとおりである。

すなわち、リード線６４上に正のパルスが生じた場合は
変圧器６８の端子７４は高レベルとなる。

変圧器６８は約５０：１の巻線比を有する商品名ＴＲＩ
ＡＤ ＴＹ６２Ｘにより形成できるので、端子７０お
よび７２の両端にあられれるパルス電圧を約５０倍に増
倍し、この電圧を端子７４゜７６間に導出させる。

本実施例において端子７４と７６の両端に発生する電圧
は約１０００Ｖである。

この電圧はダイオード７８の順方向バイアスのため蓄電
器９０に貯えられる。

端子７４と７６の極性が逆になった場合は、ダイオード
８０の順方向バイアスにより端子７４および７６に並列
に蓄電器９２が結合され、前記蓄電器９２０両端には約
１０００Ｖの電圧が貯えられる。

蓄電器９０および９２はそれぞれダイオード７８および
８０の逆方向バイアスのため交番する半サイクルの間放
電することはない。

端子７４が再び正になると、端子７４，７６間の電圧は
ダイオード８２の順方向バイアスにより蓄電器９６を約
２０００Ｖの値にまで充電する。

端子７４が再び負電圧になると、ダイオード８４が導通
し蓄電器９４を約３０００Ｖの値に充電する。

端子７４が再度正電圧になると、ダイオード８６の順方
向バイアスにより蓄電器９６と９８の両端には約５００
０Ｖの電圧が発生し、さらに端子７４が再度負電圧にな
ると、ダイオード８８の順方向バイアスにより蓄電器９
６と９８の両端の５０００Ｖと端子７４と７６間の１０
００Ｖが結合されて蓄電器１００を充電し、端子１０４
と基準電位または大地電位との間に約６０００Ｖのコロ
ナ出力電圧を導出する。

この出力電圧は電源回路１００所要コロナ出力電圧であ
り、回路６６は実際上電圧６逓倍器として働くことにな
る。

出力回路１０６はこれをリード線１０４と大地電位との
間に結合する。

前記出力回路１０６は線１０４上の回路６６の出力と大
地との間に結合した直列接続抵抗１０８および１１０を
含み、前記抵抗１１０と並列にネオンランプ１１２を接
続する。

ランプ１１２は約８０ないし９０Ｖの放電開始電圧を有
する。

抵抗１０８および１１０はこれらをきわめて高抵抗とな
るよう選定するとともに、抵抗１１００両端の電圧をラ
ンプ１１２を放電させるに充分な値としたとき、リード
線１０４にあられれるコロナ出力電圧が３０００Ｖ以上
となるようこれら両抵抗の比を選定する。

ランプ１１２０点弧は電源回路１０が正しく作動してい
ることを意味する。

電圧逓倍回路６６の出力と大地間には負荷１１４を結合
する。

負荷１１４は電子写真フィルムに隣接して配置したコロ
ナ電極の抵抗をあられし、前記フィルムにはコロナ電極
よりのコロナ放電が結合される。

負荷１１４に大きなコロナ電圧が結合された場合は、フ
ィルムの表面に所要の帯電を与えるに充分なフィルム面
の空気のイオン化が行われる。

無負荷状態のもとでは、電圧逓倍回路６６により端子７
０の電圧は不安定となり、また変圧器７０の逓起電力に
より制御不能な程度にまで上昇する。

この現象によるトランジスタ５４の破壊を保護するため
、ツェナーダイオード６２を図示のように配置し、トラ
ンジスタ５４のコレクタ接続点とエミッタ接続点の間に
結合される電圧がトランジスタ５４の破壊電圧より僅か
に低い僅となるようにする。

例えば、トランジスタ５４の破壊電圧が５０Ｖの場合に
は、ツェナーダイオードとしては約４７Ｖの破壊電圧を
有する商品名ＶＲ４７Ａ形ツェナーダイオードを選定す
る。

コロナ電圧が負荷１１４に供給された場合は、トナー排
出面にバイアス電位を供給するようにすることが望まし
い。

このバイアス電位は種々の任意の点から導出することが
できる。

以下そのうち３つの例について説明する。

テ般に、符号数字１１６で示すり、Ｃ，バイアス回路は
蓄電器１１８およびこれと並列に接続したツェナーダイ
オード１２０を含み、前記ダイオードのカソードを回路
１１６の出力とする。

本実施例においてはダイオード１２０のカソードを電圧
逓倍回路６６の端子１０２と大地電位との間に接続する
ことができる。

ダイオードのカソードにおけるバイアス電圧はツェナー
ダイオードの破壊電圧により決まる。

例えば、ダイオード１２０の破壊電圧が４７Ｖの場合は
、端子１０２には４７Ｖのり、Ｃ，バイアスが与えられ
る。

この場合には、端子１０２を前述のトナー排出面（図示
を省略）に結合させることができる。

Ｄ、Ｃ，バイアス回路１１６は浮動アースを使用してお
り、したがって、端子１０２は低電圧ツェナー１２０に
より基準電圧以上に高められ、コロナ電圧の低下をきた
す合成直流バイアスが導出される。

本実施例の場合、コロナ電圧の低下は１％以下であり、
負荷１１４に供給されるコロナ電圧に与える影響は無視
しうる程度である。

蓄電器１１８の容量は約１０ｎＦ（ＩＯＸＩＯ−９Ｆ）
の小容量で、高圧コロナに際してしばしば発生するスパ
イクまたは弧絡（アークオーバ）により損傷を受けない
ようツェナーダイオード１２０を保護する働きをする。

この第１回路はツェナーダイオードの選択により多数の
直流バイアスを選択することができ、またその直流バイ
アス電圧はツェナーダイオードにより確実にこれを調整
することができる。

符号数字１２２で示す第２バイアス回路は端子１２４、
ダイオード１２６および蓄電器１２７を含み、ダイオー
ド１２６のカソードと大地電位との間に蓄電器１２７を
接続しダイオード１２６のアノードを端子１２４に接続
する。

端子１２４はパルス整形回路４８内のツェナーダイオー
ド６２０カソードの所に配置した端子Ａに結合可能とす
る０また、第２バイアス回路１２２の出力はダイオード
１２６のカソードより導出する。

かくすれば、変圧器６８の一次巻線の両端の電圧と変圧
器６８の逆起電力とにより、ツェナーダイオード６２０
カソードには誘起電圧があられれ、電池１３の電圧およ
び端子７０．７２間にあられれる電圧とともに総計的３
０Ｖの電圧がダイオード６２０カンードにあられれる。

この電圧はダイオード１２６を介して蓄電器１２７を充
電するので、ダイオード１２６のカソードには約３０Ｖ
のバイアス電圧が発生する。

符号数字１２８で示す第３バイアス回路は入力端子１３
０，１３２、蓄電器１３４，１３６およびダイオード１
３８，１４０，１４２を含む。

端子１３０はこれを端子Ａに結合可能とし、端子１３２
は線２２上の端子Ｂにおいて電池１３に接続可能とする
。

蓄電器１３４はダイオード１３８のアノードと端子１３
０間にこれを接続し、ダイオード１３８および１４０の
カソードはダイオード１４２のアノードとともに共通端
子を形成する。

ダイオード１４０のアノードはこれを端子１３２に接続
し、ダイオード１４２０カソードはこれを蓄電器１３６
に接続する。

前記蓄電器１３６はこれをダイオード１４２０カンード
と基準電位または大地電位との間に接続する。

第３バイアス回路１２８の出力はダイオード１４２のカ
ソードより導出するようにする。

端子１３２はそれに結合した電池１３により＋■ｂの電
圧値を有する。

トランジスタ５４のコレクタ電極がほぼ大地電位まで引
下げられた場合は端子１３０の電位も引下げられ蓄電器
１３４および１３６は約＋Ｖｂの電圧値に充電される。

トランジスタ５４がターンオフ状態になると、約３０Ｖ
の電圧は蓄電器１３４、ダイオード１３８およびダイオ
ード１４２を介して蓄電器１３６に転送され、蓄電器１
３６の既充電値に約３０Ｖの充電値が追加される。

蓄電器１３４はダイオード１４０の逆バイアスにより放
電されることはなく、したがってダイオード１４２のカ
ソードには約４２Ｖの直流バイアス電圧が導出される。

コロナ電源供給回路１０の各構成素子は相補回路すなわ
ち負論理により作動可能とすることもできる。

例えば、ＮＡＮＤゲー）２６，２８，３０および３２の
代りにＡＮＤゲートを使用し、リード線４６上に高レベ
ル、低レベルシーケンス信号の代りに低レベル、高レベ
ルシーケンス信号を導出させるようにすることもできる
。

この場合はパルス整形回路４８のトランジスタを相補ト
ランジスタにより形成する。

すなわち、トランジスタ５０をＮＰＮ形トランジスタと
し、トランジスタ５２および５４をＮＰＮ形トランジス
タのままとする。

また、蓄電器１００の両端にあられれる電圧は変圧器の
整相による影響をうけないので、変圧器６８の線７０．
γ２および７４．７６は任意に整相することができる。

電源供給回路１０を含む各構成素子を相互に適宜結合さ
せることによりこれらを約２．５４ｃｒｆＬＸ２．５４
ＣｒＩＬＸ ２．５４−０．６３５ｃｒｒＬ（ｆＸ １
”Ｘ ｌ −１７４”’Ｊのモジュール状に形成するこ
とができる。

回路１０をこのように小形化できるということは、携帯
用電子写真装置全体としての価格を減少させることは勿
論装置の大きさを設計通りに減少させうるという点でさ
らに有理となる。

また、発振回路２４よりパルスを発生する時間を制御す
る可変抵抗４４を設けたことにより、負荷１１４にコロ
ナ電圧を供給しようとする時間を容易に調整しうるとい
う利点を与える。

このコロナ帯電所要時間は使用する電子写真フィルムの
形式により種々変える必要があることが判明している。

また、本発明電源供給回路１０は、例えばコロナ電圧発
生中に誤って負荷１１４と電源供給回路との接続が切れ
たような場合にも回路が破壊されることのないようこれ
を保護している。

さらに回路１０を含む各構成素子を非セルフ形構成素子
により形成しているので特殊な造材は構造とするを要し
ない。

本発明コロナ電源供給回路１０の一実施例において使用
した各構成素子を例示すると次のごとくである。

上述の各構成素子により形成した電源供給回路１０によ
るときは、１／３秒から約１秒の間の可変時間の間にリ
ード線１０４を介してり、Ｃ，約６０００Ｖ、約２００
ｍＡの電力を負荷１１４に供給することができる。

なお、上記の各パラメータは例示のためのものに過ぎな
Ｌ−ｏ本発明の実施態様を列挙すると次の如くである。

（１） コロナ電源供給回路において、逓倍回路６６
は入力および出力を含み出力に直流高電圧を発生させる
ようにし、入力に逓倍されるべきパルス連続を受信する
該逓倍回路はパルス連続の１サイクルの一部の間のみエ
ネルギーを引出すよう形成したこと。

（２）コロナ電源供給回路において、逓倍回路６６はパ
ルス連続の１サイクルの一部の間のみ直流電圧源１２に
よりエネルギーを引出すようにしたこと。

【図面の簡単な説明】

添付図面は本発明コロナ電源供給回路の一実施例を示す
回路図である。 １０・・・・・・電源供給回路、１２・・・・・・電源
、１３・・・・・・電池、ＩＣｌ３，３６，４０，９０
，９２゜９４．９６，９８，１００，１１８，１２７゜
１３４．１３６・・・・・・蓄電器、１４・・・・・・
スイッチング回路、１５・・・・・・始動スイッチ、１
８，２０゜３４．４２，５６，５８，６０，１０８，１
１０・・・・・・抵抗、１７ 、１７’−・・・・・共
通端子、２２，２３゜４６．６４，１０４・・・・・・
リード線、２４・・・・・・発振回路、２６，２８，３
０，３２・・・・・・ＮＡＮＤゲート、３８・・・・・
・タイミング回路、４４・・・・・・可変抵抗、４８・
・・・・・パルス整形回路、５０・・・・・・ＰＮＰ形
トランジスタ、５２，５４・・・・・・ＮＰＮ形トラン
ジスタ、６２．１２０・・・・・・ツェナーダイオード
、６６・・・・・・電圧逓倍回路、６８・・・・・・逓
昇変圧器、７０，７２・・・・・・−次巻線端子、７４
，７６・・・・・・二次巻線端子、７８．８０，８２，
８４，８６，８８，１２６゜１３８．１４０，１４２・
・・・・・ダイオード、１０２゜１２４．１３０，１３
２．Ａ、Ｂ・・・・・・端子、１０６・・・・・・出力
回路、１１２・・・・・・ネオンランプ、１１４・・・
・・・負荷、１１６，１２２，１２８・・・・・・Ｄ、
Ｃ，バイアス回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 電子写真フィルムの光導電層面に帯電するための高
   圧コロナ電源回路において、所定時間長の間パルスの連
   続を発生するパルス発生源１２゜２４と、入力４６およ
   び出力６４を含み該パルス発生源よりのパルス連続を整
   形するパルス整形回路４８と、該パルス整形回路４８に
   結合し、該整形回路４８の出力に応答して接続している
   コロナ導出機構を駆動する逓倍回路６６とを具え、該パ
   ルス整形回路４８は該パルス連続を受信したとき以外は
   回路を不作動とするとともに、該パルス連続の各サイク
   ルの二部の間だけ回路を作動させるよう形成したことを
   特徴とする携帯用コロナ電源供給回路。