JPS5842978A - 積層セラミツクコンデンサの非破壊試験法 - Google Patents
積層セラミツクコンデンサの非破壊試験法Info
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- JPS5842978A JPS5842978A JP56141977A JP14197781A JPS5842978A JP S5842978 A JPS5842978 A JP S5842978A JP 56141977 A JP56141977 A JP 56141977A JP 14197781 A JP14197781 A JP 14197781A JP S5842978 A JPS5842978 A JP S5842978A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
- G01R27/2605—Measuring capacitance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
- G01R31/64—Testing of capacitors
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は積層セラ電ツクコンデンサにりいて。
非破壊試験法に４とづき内部欠陥を検出する方法に関す
るも、のである。
るも、のである。
積層セラ電ツクコンデンサは小１１．大容量と込う・％
４徴を有し、電子機器の小型化Ｋｆｌ’い近年ますます
汎用されてきている。しかしながら、この積層セラミッ
クコンデンサに故障原因があれば電子機器の機能を停止
させ、信頼性を低下させるととになる。したがって、積
層セラ電ツクコンデン号そのものの信頼性を高めること
は重要な事項である。
４徴を有し、電子機器の小型化Ｋｆｌ’い近年ますます
汎用されてきている。しかしながら、この積層セラミッ
クコンデンサに故障原因があれば電子機器の機能を停止
させ、信頼性を低下させるととになる。したがって、積
層セラ電ツクコンデン号そのものの信頼性を高めること
は重要な事項である。
積層セラミックコンデン５ｔの信頼性を試験する場合、
外観の欠陥は容易Ｋｆｌｉ断がりくが、内部の欠陥ＫＯ
１ｎでは目視では発見する仁とができない。
外観の欠陥は容易Ｋｆｌｉ断がりくが、内部の欠陥ＫＯ
１ｎでは目視では発見する仁とができない。
従来、積層セラきツクコンデンサの内部欠陥を検
−査する方法として昧、大とえば研磨などの手段で内
部を露出し、その露出面を検査する方法があるが、これ
では−立積層セラ電ツクフンデンナを破壊する丸め、試
験し大ものを再び完成品として利用することができず、
非破壊による試験法にもとづく必要がある。
−査する方法として昧、大とえば研磨などの手段で内
部を露出し、その露出面を検査する方法があるが、これ
では−立積層セラ電ツクフンデンナを破壊する丸め、試
験し大ものを再び完成品として利用することができず、
非破壊による試験法にもとづく必要がある。
し九がって、この発明は積層セラミックコンデンサに−
）（へ・Ｃ非破壊試験法にもとづ亀へて内部欠陥を検査
する方法を提供することを目的とする。
）（へ・Ｃ非破壊試験法にもとづ亀へて内部欠陥を検査
する方法を提供することを目的とする。
すなわち、この発明の要旨とするとζろは、積層セラ電
ツクコンデン−？に交流電圧を印加し、積層セラ電ツク
コンデンナ内部の欠陥部分くで生じ九コロナ放電による
パルス電圧を検出し、パルス電圧の発生にもとづ亀＾て
積層セラ電ツク；ンデンサの内部欠陥の有無を検出する
ことを特徴とする積層セラ２ツク；ンデンサの非破壊試
験法である。
ツクコンデン−？に交流電圧を印加し、積層セラ電ツク
コンデンナ内部の欠陥部分くで生じ九コロナ放電による
パルス電圧を検出し、パルス電圧の発生にもとづ亀＾て
積層セラ電ツク；ンデンサの内部欠陥の有無を検出する
ことを特徴とする積層セラ２ツク；ンデンサの非破壊試
験法である。
第１図はこの発明にかかる非破壊試験法により°Ｃ見−
出されるべき欠陥部分を有する積層セラ建ツクコンデン
サの概略断面図である。
出されるべき欠陥部分を有する積層セラ建ツクコンデン
サの概略断面図である。
図にお一＾て、１１は積層セラ電ツクコンデｙ！の本体
、２．３は内部電極で１本体１の側面にその端部が交互
に現われるようＫＩＩｌ電体層４間に介在しＣ％へる。
、２．３は内部電極で１本体１の側面にその端部が交互
に現われるようＫＩＩｌ電体層４間に介在しＣ％へる。
５，６は外部電極で１本体１０側面に形成され、内部電
極２−３と電気的に接続されて−る。かかる積層セラミ
ックコンデンサには故障原因となる。たとえばボイド７
や層ハガレ８が存在して（へる。
極２−３と電気的に接続されて−る。かかる積層セラミ
ックコンデンサには故障原因となる。たとえばボイド７
や層ハガレ８が存在して（へる。
ボイド７や層ハガレ８．が存在する積層セラ電ツクコン
デンサに交流電圧を印加すると、がイド７や層ハガレ８
の個所に空−が形成され°いるため。
デンサに交流電圧を印加すると、がイド７や層ハガレ８
の個所に空−が形成され°いるため。
この空＠における気体が放電電圧に達りし九ときに絶縁
破壊を起し、コロナ放電を発生するととくなる。
破壊を起し、コロナ放電を発生するととくなる。
かかるコロナ放電はパルス電圧とし′Ｃ把握することが
でき、積層セランツクコンデン？に交流電圧を印加する
ととｋよって、・パルス電圧の発生にもとづｂてその内
部の欠陥を発見することができる。
でき、積層セランツクコンデン？に交流電圧を印加する
ととｋよって、・パルス電圧の発生にもとづｂてその内
部の欠陥を発見することができる。
もちろん内部欠陥がなければパルス電圧の発生は見られ
ない。
ない。
第２図はこの発明ｋかかる積層セラζツクコンデンサの
非破壊試験法に用−へる回路例である・第２図中、一点
鎖線ムで囲まれ大部分は検出回路、一点鎖線Ｂで８まれ
た部分は測定回路である。
非破壊試験法に用−へる回路例である・第２図中、一点
鎖線ムで囲まれ大部分は検出回路、一点鎖線Ｂで８まれ
た部分は測定回路である。
検出回路は、交流電源１１．チ冒−クコイル１２、試料
である七う電ツクコンデンサ１３．検出用抵抗器１４お
よび側路コンデンサ１５から構成されＣ偽る。
である七う電ツクコンデンサ１３．検出用抵抗器１４お
よび側路コンデンサ１５から構成されＣ偽る。
また測定回路は、検出用抵抗器１４０両端から整合回路
２１．同軸ケーブル２２．Ｐ波器２３゜増幅器２４およ
び指暴装置２５が接続され九構成となってＩＡる。
２１．同軸ケーブル２２．Ｐ波器２３゜増幅器２４およ
び指暴装置２５が接続され九構成となってＩＡる。
亀へ１．資料１５に交流を印加すると１ボイド中層ハガ
レの個所における空隙の絶縁強度以上の交流電圧値にあ
る場合、この空１１にお−でコロナ放電が発生する。こ
の放電は検出用抵抗器１４０両端に現われ、コロナパル
スのみを堆〕出すため一波器２５に伝送される。Ｐ波器
２５に伝送する場合１図示しえものでは同軸ケーブル２
２を用−てお砂、この同軸ケーブル２２は通常７５〜８
０ｆｌであるからインピーダンス整置を行う丸め、Ｆ波
器２３の前段に整合回路２１が接続されて（へる、Ｆ波
器２３かちのコロナパルスは非常に微少な光め。
レの個所における空隙の絶縁強度以上の交流電圧値にあ
る場合、この空１１にお−でコロナ放電が発生する。こ
の放電は検出用抵抗器１４０両端に現われ、コロナパル
スのみを堆〕出すため一波器２５に伝送される。Ｐ波器
２５に伝送する場合１図示しえものでは同軸ケーブル２
２を用−てお砂、この同軸ケーブル２２は通常７５〜８
０ｆｌであるからインピーダンス整置を行う丸め、Ｆ波
器２３の前段に整合回路２１が接続されて（へる、Ｆ波
器２３かちのコロナパルスは非常に微少な光め。
このパルスを増幅する丸め増幅器２４に伝送される。増
幅器２４にで増幅されたパルスを測定する九めＫｌｉ示
装置２５が用亀＾られる。この指示装置２５としては具
体的に計数率計、オシ冒スコープ。
幅器２４にで増幅されたパルスを測定する九めＫｌｉ示
装置２５が用亀＾られる。この指示装置２５としては具
体的に計数率計、オシ冒スコープ。
あるいは電圧針などが用りられるが、−ずれの装置を用
晩＾てもよい、このうち計数率針は：Ｉロナパルスの波
高をパラメータとして単位時間当走り発生する個数を意
味する。
晩＾てもよい、このうち計数率針は：Ｉロナパルスの波
高をパラメータとして単位時間当走り発生する個数を意
味する。
以上この発＠ｆｃよれば、試料となる積層セラ電ツクコ
ンデンサに交流電圧を印加し、内部欠陥個所に歯大る空
隙にお鬼へ・Ｃ１絶縁破壊電圧以上に達りしたとき、コ
ロナ放電によるパルス電圧を発生せしめ、このパルス電
圧が発生したとき内部に欠陥があることを判定するとＩ
ｎう方法であり、試料を破壊することなく積層セラミッ
クコンデンサの欠陥を検査することができ、ｔたこの試
験法を実施するための装置そのものも安価で４り、非破
壊試験法としてきわめて有用なものである。
ンデンサに交流電圧を印加し、内部欠陥個所に歯大る空
隙にお鬼へ・Ｃ１絶縁破壊電圧以上に達りしたとき、コ
ロナ放電によるパルス電圧を発生せしめ、このパルス電
圧が発生したとき内部に欠陥があることを判定するとＩ
ｎう方法であり、試料を破壊することなく積層セラミッ
クコンデンサの欠陥を検査することができ、ｔたこの試
験法を実施するための装置そのものも安価で４り、非破
壊試験法としてきわめて有用なものである。
第１図はこの発Ｉｊ１ｋかかる非破壊試験法によって見
１へ出されるべき欠陥部分を有する積層セラ電ツクコン
デンサの概略断面図、第２図はこの発明方法を実施する
ための回路例である。 １−８１１層七ライツクコンデンサの本体−２ｔ３−内
部電Ｉ１．５． ６−外部電極、７−がイド−８一層ハ
ガレ、１１−交流電源、１３−試料、１４−検出用抵抗
器、２５−ｆｓ波器、２４−増幅器。 ２５−指示装置。 特許出願人 株式会社村田製作所 第１（ｆＥＩ 第２図 ｊｆｆｌＩ１１’＋ｊ０６− ’ｉｔＪ／６ （Ｑ〕
手続補補正 間和５７年２月２ｒ；日 特許庁長官殿 （） 事件の表示 昭和５６年特許願 第１４１９’７７号発明の名称 積層セラミックコンデンサの非破壊試験法補正をする者 ５、補正により増加する発明の数 ２補正の内容 別紙のとおシ。
１へ出されるべき欠陥部分を有する積層セラ電ツクコン
デンサの概略断面図、第２図はこの発明方法を実施する
ための回路例である。 １−８１１層七ライツクコンデンサの本体−２ｔ３−内
部電Ｉ１．５． ６−外部電極、７−がイド−８一層ハ
ガレ、１１−交流電源、１３−試料、１４−検出用抵抗
器、２５−ｆｓ波器、２４−増幅器。 ２５−指示装置。 特許出願人 株式会社村田製作所 第１（ｆＥＩ 第２図 ｊｆｆｌＩ１１’＋ｊ０６− ’ｉｔＪ／６ （Ｑ〕
手続補補正 間和５７年２月２ｒ；日 特許庁長官殿 （） 事件の表示 昭和５６年特許願 第１４１９’７７号発明の名称 積層セラミックコンデンサの非破壊試験法補正をする者 ５、補正により増加する発明の数 ２補正の内容 別紙のとおシ。
Claims (1)
- 積層セラζツク−コンデンサに交流電圧を印加し積層セ
ラミックコンデンサ内部の欠陥部分にて生じ虎コロナ放
電によるパルス電圧を検出し、／クルスミ圧の発生にも
とづいて積層上う電ツク、コンデンサの内部欠陥の有無
を検出することを特徴とする積層、セラミックコンデン
、ナの非破壊試験法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141977A JPS5842978A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 積層セラミツクコンデンサの非破壊試験法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141977A JPS5842978A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 積層セラミツクコンデンサの非破壊試験法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842978A true JPS5842978A (ja) | 1983-03-12 |
Family
ID=15304516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56141977A Pending JPS5842978A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 積層セラミツクコンデンサの非破壊試験法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842978A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102654554A (zh) * | 2012-02-14 | 2012-09-05 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 一种电容器发生自愈性击穿的检测方法 |
-
1981
- 1981-09-08 JP JP56141977A patent/JPS5842978A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102654554A (zh) * | 2012-02-14 | 2012-09-05 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 一种电容器发生自愈性击穿的检测方法 |
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