JPS5842712B2 - transistor warmer - Google Patents

transistor warmer

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JPS5842712B2
JPS5842712B2 JP50146016A JP14601675A JPS5842712B2 JP S5842712 B2 JPS5842712 B2 JP S5842712B2 JP 50146016 A JP50146016 A JP 50146016A JP 14601675 A JP14601675 A JP 14601675A JP S5842712 B2 JPS5842712 B2 JP S5842712B2
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detection
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JP50146016A
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浩一 森田
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Sanken Electric Co Ltd
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Sanken Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一対のトランジスタを交互に駆動するようにし
たトランジスタ回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a transistor circuit that alternately drives a pair of transistors.

直流−交流変換、又は直流−直流変換装置等にプッシュ
プル接続のトランジスタ回路がしばしば使用される。
Push-pull transistor circuits are often used in DC-AC conversion or DC-DC conversion devices.

第1図はハーフブリッジ型のコンバータであって、一対
のトランジスタ1,2及び一対のコンデンサ3,4が夫
々直流電源5に接続され、一対のトランジスタ1,2の
中間点と一対のコンデンサ3,4の中間点との間に出力
変圧器6が接続されている。
FIG. 1 shows a half-bridge type converter, in which a pair of transistors 1, 2 and a pair of capacitors 3, 4 are connected to a DC power supply 5, respectively, and a midpoint between the pair of transistors 1, 2 and a pair of capacitors 3, 4 are connected to a DC power source 5. An output transformer 6 is connected between the intermediate point of 4 and the intermediate point of 4.

出力変圧器6の出力には整流用のダイオード7.8、及
び平滑用のりアクドル9とコンデンサ10が接続されて
いる。
A rectifying diode 7.8, a smoothing electrode 9, and a capacitor 10 are connected to the output of the output transformer 6.

このインバータに於いては端子11.12を利用してト
ランジスタ1にベース信号を加えることによってトラン
ジスタ1がオンになり、トランジスタ1と変圧器6とコ
ンデンサ4とから成る回路で第1の方向の電流が流れ、
変圧器6の2次巻線に第1の方向の電圧が誘起する。
In this inverter, by applying a base signal to transistor 1 using terminals 11 and 12, transistor 1 is turned on, and the circuit consisting of transistor 1, transformer 6, and capacitor 4 generates a current in the first direction. flows,
A voltage in the first direction is induced in the secondary winding of the transformer 6.

また端子13,14を利用してトランジスタ2にベース
信号を加えることによってトランジスタ2がオンになり
、コンデンサ3と変圧器6とトランジスタ2とから成る
回路で第2の方向の電流が流れ、変圧器6の2次巻線に
第2の方向の電圧が誘起する。
Also, by applying a base signal to transistor 2 using terminals 13 and 14, transistor 2 is turned on, and a current in the second direction flows in the circuit consisting of capacitor 3, transformer 6, and transistor 2, and the transformer A voltage in the second direction is induced in the secondary winding of 6.

これにより、直流電源5の電圧と異なるレベルの出力電
圧を出力端子15.16から得ることが出来る。
Thereby, an output voltage at a level different from the voltage of the DC power supply 5 can be obtained from the output terminals 15 and 16.

上述の如く一対のトランジスタを交互にオン・オフする
回路に於いて、トランジスタのストレージ効果又はその
他の理由で一対のトランジスタ・1゜2が同時にオン状
態となり、短絡回路が形成されてトランジスタが破壊す
ることがある。
In a circuit that alternately turns on and off a pair of transistors as described above, due to the storage effect of the transistors or other reasons, the pair of transistors 1 and 2 turn on at the same time, forming a short circuit and destroying the transistors. Sometimes.

勿論、トランジスタ1,2のベース信号間に充分な無信
号間に充分な無信号期間を設ければ同時にオンになるこ
とはないが、変換周波数を高めることが不可能となる。
Of course, if a sufficient no-signal period is provided between the base signals of the transistors 1 and 2, the transistors will not turn on at the same time, but this will make it impossible to increase the conversion frequency.

またパルス幅制御を大幅に行うことが不可能となる。Furthermore, it becomes impossible to perform significant pulse width control.

本発明は上述の如き欠点を除去すべくなされたものであ
り、ストレージ効果等によって一対のトランジスタが同
時にオンになることがないようにしたトランジスタ回路
を提供することを目的とするものである。
The present invention has been made to eliminate the above-mentioned drawbacks, and it is an object of the present invention to provide a transistor circuit that prevents a pair of transistors from being turned on at the same time due to storage effects or the like.

上記目的を達成するための本発明に係わるトランジスタ
回路は、第1のトランジスタと第2のトランジスタとを
交互にオン・オフするトランジスタ回路に於いて、第1
のトランジスタのベース信号で充電され前記ベース信号
の消滅後に前記第1のトランジスタに逆バイアス電圧を
印加するように前記第1のトランジスタのベース回路に
接続された第1のコンデンサと、第2のトランジスタの
ベース信号で充電され前記ベース信号の消滅後に前記第
2のトランジスタに逆バイアス電圧を印加するように前
記第2のトランジスタのベース回路に接続された第2の
コンデンサと、前記第1のトランジスタの逆バイアス電
流が実質的に零になったことに基づいてトランジスタの
オフを検出する第1のトランジスタオフ検出回路と、前
記第2のトランジスタの逆バイアス電流が実質的に零に
なったことに基づいてトランジスタのオフを検出する第
2のトランジスタオフ検出回路と、前記第1のトランジ
スタオフ検出回路からオフ検出信号が得られるまでは前
記第2の、トランジスタへのベース信号の供給を阻止し
前記第1のトランジスタオフ検出回路から前記オフ検出
信号が得られたときに前記第2のトランジスタへのベー
ス信号の供給を可能にする第1のゲート回路と、前記第
2のトランジスタオフ検出回路からオフ検出信号が得ら
れるまでは前記第1のトランジスタへのベース信号の供
給を阻止し前記第2のトランジスタオフ検出回路から前
記オフ検出信号が得られたときに前記第1のトランジス
タへのベース信号の供給を可能にする第2のゲート回路
とを設けたことを特徴とするものである。
A transistor circuit according to the present invention for achieving the above object is a transistor circuit that alternately turns on and off a first transistor and a second transistor.
a first capacitor connected to the base circuit of the first transistor so as to be charged with the base signal of the transistor and apply a reverse bias voltage to the first transistor after the base signal disappears; and a second capacitor connected to the base circuit of the first transistor. a second capacitor connected to the base circuit of the second transistor so as to be charged with the base signal of the second transistor and apply a reverse bias voltage to the second transistor after the base signal disappears; a first transistor off detection circuit that detects the off state of the transistor based on the fact that the reverse bias current becomes substantially zero; and a first transistor off detection circuit that detects the off state of the transistor based on the fact that the reverse bias current of the second transistor becomes substantially zero. a second transistor off detection circuit that detects off of the transistor; and a second transistor off detection circuit that blocks supply of a base signal to the transistor until an off detection signal is obtained from the first transistor off detection circuit. a first gate circuit that enables supply of a base signal to the second transistor when the off detection signal is obtained from the first transistor off detection circuit; and off detection from the second transistor off detection circuit. Blocking the supply of the base signal to the first transistor until the signal is obtained, and supplying the base signal to the first transistor when the off detection signal is obtained from the second transistor off detection circuit. The present invention is characterized in that it is provided with a second gate circuit that enables this.

上記本発明に於ける前記第1及び第2のコンデンサは例
えばベース回路に直列に接続されたダイオード等から成
る抵抗回路に並列に接続したコンデンサである。
In the present invention, the first and second capacitors are, for example, capacitors connected in parallel to a resistance circuit consisting of a diode or the like connected in series to a base circuit.

前記第1及び第2のトランジスタオフ検出回路は、例え
ば、ベース回路に接続した変流器又は発光素子とこれ等
の変化に対応した出力を発生する回路とで構成すること
が出来る。
The first and second transistor-off detection circuits can be configured with, for example, a current transformer or a light emitting element connected to a base circuit, and a circuit that generates an output corresponding to a change in these elements.

前記第1及び第2のゲート回路は例えばNANDゲート
で構成し得る。
The first and second gate circuits may be composed of, for example, NAND gates.

本発明では、上述のように逆バイアスを印加するように
構威し、逆バイアス電流が流れている期間に於いてはた
とえもう一方のトランジスタをオンにする信号が発生し
てもトランジスタに送らないようにしているので、両方
のトランジスタが同時にオンにならない。
In the present invention, a reverse bias is applied as described above, and during a period when a reverse bias current is flowing, even if a signal that turns on the other transistor is generated, it is not sent to the transistor. so that both transistors are not turned on at the same time.

次に図面を参照して本発明の実施例に付いて述べる。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第2図は本発明の1実施例に係わるコンバータの駆動回
路を示すものである。
FIG. 2 shows a converter drive circuit according to one embodiment of the present invention.

点線で囲んで示すコンバータ20の内部は第1図の回路
と同一であるので、トランジスタ1,2と出力変圧器6
のみが示されている。
The inside of the converter 20, which is shown surrounded by a dotted line, is the same as the circuit shown in FIG.
only is shown.

左側の第1の制御信号端子21はトランジスタ1をオン
にするためのベース信号供給端子であり、第2の制御信
号端子22はトランジスタ2をオンにするためのベース
信号供給端子である。
The first control signal terminal 21 on the left side is a base signal supply terminal for turning on the transistor 1, and the second control signal terminal 22 is a base signal supply terminal for turning on the transistor 2.

こ\には原則として交互に信号が印加される。In principle, signals are applied alternately to this.

N・ANDゲート23,24は端子21゜22から付与
されるベース信号をそのまXトランジスタ1,2のベー
スに送らずに一定の条件を満足する期間のみ送るための
ゲートである。
The N-AND gates 23 and 24 are gates for not directly sending the base signals applied from the terminals 21 and 22 to the bases of the X transistors 1 and 2, but only for a period that satisfies a certain condition.

NANDゲ゛−)23.24の出力が結合されているセ
ンタタップ形式の変圧器25はトランジスタ1,2のベ
ース駆動用であって、センタタップに電流調整用抵抗2
6aを介して電源端子26が設けられており、NAND
ゲート25の出力が低レベルの期間に正の電源端子26
と1次巻線の上半分27との回路が形成されてトランジ
スタ1を駆動する信号が2次巻線29に誘起し、他方N
ANDゲート24の出力が低レベルの期間に正の電源端
子26と1次巻線の下半分28との回路が形成されてト
ランジスタ2を駆動する信号が2次巻線30に誘起する
ものである。
A center-tap type transformer 25 to which the outputs of NAND gates 23 and 24 are connected is used to drive the bases of transistors 1 and 2, and a current adjustment resistor 2 is connected to the center tap.
A power supply terminal 26 is provided via the NAND terminal 6a.
While the output of the gate 25 is at a low level, the positive power supply terminal 26
A circuit is formed with the upper half 27 of the primary winding and the signal driving the transistor 1 is induced in the secondary winding 29, while the other N
During the period when the output of the AND gate 24 is at a low level, a circuit is formed between the positive power supply terminal 26 and the lower half 28 of the primary winding, and a signal for driving the transistor 2 is induced in the secondary winding 30. .

2次巻線29とトランジスタ1のベースとの間にはトラ
ンジスタ逆バイアス用のコンデンサ31とコンデンサを
充電するためのドロッパ用ダイオード32とから成る並
列回路が接続されている。
A parallel circuit consisting of a capacitor 31 for reverse biasing the transistor and a dropper diode 32 for charging the capacitor is connected between the secondary winding 29 and the base of the transistor 1.

また2次巻線30とトランジスタ2のベースとの間にも
同様にコンデンサ33とダイオード34とから成る並列
回路が接続されている。
Similarly, a parallel circuit consisting of a capacitor 33 and a diode 34 is connected between the secondary winding 30 and the base of the transistor 2.

トランジスタ1と2との夫々のベース回路に結合されて
いる変流器35はトランジスタ1と2との逆バイアス電
流を夫々検出するものであって、その一端は検出用トラ
ンジスタ36のベースに接続され、その他端は検出用ト
ランジスタ37のベースに接続されている。
A current transformer 35 coupled to the base circuits of transistors 1 and 2 detects the reverse bias current of transistors 1 and 2, respectively, and one end of the current transformer 35 is connected to the base of a detection transistor 36. , the other end is connected to the base of the detection transistor 37.

変流器35の一端とアースとの間には逆方向にダイオー
ド38が接続され、その他端とアースとの間にも逆方向
にダイオード39が接続されている。
A diode 38 is connected in the opposite direction between one end of the current transformer 35 and the ground, and a diode 39 is connected in the opposite direction between the other end and the ground.

1トランジスタ36及び37は夫々エミッタ接地されて
いるので、第1の方向の逆バイアス電流が検出されたと
きのみトランジスタ36がオンになり、第2の方向の逆
バイアス電流が検出されたときのみトランジスタ37が
オンになる。
Since the emitters of the transistors 36 and 37 are each grounded, the transistor 36 is turned on only when a reverse bias current in the first direction is detected, and the transistor 36 is turned on only when a reverse bias current in the second direction is detected. 37 is turned on.

トランジスタ36.37の夫夫のコレクタは抵抗4.0
,41を介して正の電源端子40’、41’に接続され
ていると共に、NANDゲート23.24の制御用JK
フリップフロップ42.43のCK端子に夫々接続され
ている。
The collector of transistor 36.37 is resistor 4.0
, 41 to the positive power supply terminals 40', 41', and the JK for controlling the NAND gates 23, 24.
They are connected to the CK terminals of flip-flops 42 and 43, respectively.

フリップフロップ42.43のJ端子は正の電源ライン
44,45に夫々接続され、K端子は負の電源ライン4
6,47に夫々接続されている。
The J terminals of the flip-flops 42 and 43 are connected to the positive power supply lines 44 and 45, respectively, and the K terminals are connected to the negative power supply line 4.
6 and 47, respectively.

またフリップフロップ42.43のCL端子には微分回
路4B、49の出力が結合され、制御信号端子22.2
1から供給されるベース制御信号の立上り(前縁)の微
分パルスが印加されるようになっている。
Further, the outputs of the differentiating circuits 4B and 49 are coupled to the CL terminals of the flip-flops 42.43, and the control signal terminals 22.2
A differential pulse of the rising edge (leading edge) of the base control signal supplied from 1 is applied.

フリップフロップ42.43のQ出力端子はNANDゲ
ート23.24の入力に結合さ札この出力でベース信号
の付与が制御される。
The Q output terminal of the flip-flop 42.43 is coupled to the input of a NAND gate 23.24, and the application of the base signal is controlled by this output.

次に第3図及び第4図に示す第2図の回路の各部の波形
図を参照して回路動作に付いて述べる。
Next, the circuit operation will be described with reference to waveform diagrams of various parts of the circuit of FIG. 2 shown in FIGS. 3 and 4.

第3図及び第4図に於いてA−Jは電圧波形を示し、K
及びLは電流波形を示す。
In Figures 3 and 4, A-J indicates voltage waveforms, and K
and L indicate the current waveform.

時点t1 で第3図Aに示す如く端子21に高レベル
のベース制御信号が付与されるとこれがNANDゲート
23の入力となると共に微分回路49に付与され、第3
図Cに示す如くベース制御信号の立上り(前縁)で微分
パルスが発生し、これがリセット信号とし、てフリップ
フロップ43のCL端子に付与される。
When a high level base control signal is applied to the terminal 21 at time t1 as shown in FIG.
As shown in FIG. C, a differential pulse is generated at the rising edge (leading edge) of the base control signal, and this is applied as a reset signal to the CL terminal of the flip-flop 43.

この結果、今迄高レベル状態であったフリップフロップ
43のQ出力端子が第3図Gに示す如く低レベルに転換
し、NANDゲート24の動作を不可能にする。
As a result, the Q output terminal of the flip-flop 43, which has been at a high level until now, changes to a low level as shown in FIG. 3G, making the NAND gate 24 inoperable.

即ちたとえ端子22からベース信号が付与されてもこれ
を伝達しないようにする。
That is, even if a base signal is applied from the terminal 22, it is not transmitted.

t、に旗)でもう一方のフリップフロップ42のQ出力
端子は第3図Hに示す如く高レベルに保持されているの
で、NANDゲート23は動作可能であり、tlで端子
21から第3図Aに示すベース信号を受けてその出力が
第3図■に示す如く低レベルに転換する。
At t, the Q output terminal of the other flip-flop 42 is held at a high level as shown in FIG. Upon receiving the base signal shown in A, its output changes to a low level as shown in FIG.

この結果、電源端子26と1次巻線の上半分27とNA
NDゲート23とから戒る回路が形成され、2次巻線2
9にトランジスタ1をオンにする電圧が誘起される。
As a result, the power supply terminal 26 and the upper half 27 of the primary winding and the NA
A circuit is formed from the ND gate 23, and the secondary winding 2
A voltage is induced at 9 that turns on transistor 1.

これにより、トランジスタ1のベースには第3図Kに示
す如くベース電流工 が流れ、トランジスタ1がオンに
なる。
As a result, a base current flows through the base of transistor 1 as shown in FIG. 3K, and transistor 1 is turned on.

この時トランジスタ2には第3図りに示す如くベース電
流が供給されず、オフである。
At this time, as shown in the third diagram, transistor 2 is not supplied with base current and is off.

トランジスタ1にダイオード32を介してベース電流I
B1が流れると、ダイオード32の順方向電圧降下に基
づいてコンデンサ31が図示の極性で充電される。
Base current I is applied to transistor 1 through diode 32.
When B1 flows, the capacitor 31 is charged with the illustrated polarity based on the forward voltage drop of the diode 32.

端子21から付与されるベース制御信号。が時点t2で
消滅するとコンデンサ31の電圧によってトランジスタ
1が逆バイアスされる。
Base control signal applied from terminal 21. disappears at time t2, the voltage across capacitor 31 reverse biases transistor 1.

ベース信号が消滅し且つ逆バイアス電圧が印加されても
直ちにトランジスタ1はオフにならず、ストレージ効果
に、よってベース電流が流れ続け、t2以後もトランジ
スタ1がオンに保たれる。
Even when the base signal disappears and a reverse bias voltage is applied, transistor 1 does not turn off immediately; the base current continues to flow due to the storage effect, and transistor 1 is kept on even after t2.

t3になっても正方向のベース電流が立下った後のt3
からt4の期間では逆方向のベース電流が逆バイアス電
流として第3図Kに示す如く流れる。
t3 after the base current in the positive direction falls even at t3
During the period from t4 to t4, a base current in the reverse direction flows as a reverse bias current as shown in FIG. 3K.

変流器35はトランジスタ1と2とのベース電流を常に
検出しており、tlからt3の期間に於いては検出用ト
ランジスタ36をオフにしトランジスタ37をオンにす
るような出力を発生し、従ってトランジスタ36のコレ
クタ電位は第3図Fに示す如く高レベルとなり、トラン
ジスタ3・7のコレクタ電位は第3図Eに示す如く低し
永ルとなる。
The current transformer 35 constantly detects the base currents of the transistors 1 and 2, and generates an output that turns off the detection transistor 36 and turns on the transistor 37 during the period from tl to t3. The collector potential of the transistor 36 becomes a high level as shown in FIG. 3F, and the collector potentials of the transistors 3 and 7 remain low as shown in FIG. 3E.

t3からt4の期間に於いてはトランジスタ1のベース
回路に第3図Kに示す如く逆バイアス電流が流れるので
、今度は検出用トランジスタ36がオンになり、検出用
トランジスタ37がオフになる。
During the period from t3 to t4, a reverse bias current flows through the base circuit of the transistor 1 as shown in FIG. 3K, so the detection transistor 36 is turned on and the detection transistor 37 is turned off.

この結果、トランジスタ36のコレクタ電位は低レベル
となり、トランジスタ37のコレクタ電位は第3図Eに
示す如く高レベルとなる。
As a result, the collector potential of transistor 36 becomes low level, and the collector potential of transistor 37 becomes high level as shown in FIG. 3E.

第3図Eに示す如<t3からt4で高レベル信号が発生
するとこれがフリップフロップ43のCK端子に付与さ
れフリップフロップ43のQ出力端子は第3図Eの高レ
ベル信号の立下り(後縁)時点t4で第3図Gに示す如
く低レベルから高レベルに転換する。
As shown in FIG. 3E, when a high level signal is generated from t3 to t4, it is applied to the CK terminal of the flip-flop 43, and the Q output terminal of the flip-flop 43 is connected to the falling edge (trailing edge) of the high level signal in FIG. 3E. ) At time t4, the low level changes to the high level as shown in FIG. 3G.

従ってt4以後はNANDゲート24が動作可能状態と
なる。
Therefore, after t4, the NAND gate 24 becomes operational.

換言すればトランジスタ1がコンデンサ31による逆バ
イアスで完全にオフした後にはNANDゲート24が動
作可能となり、いつでも他方のトランジスタ2をオンす
ることが可能な状態となる。
In other words, after the transistor 1 is completely turned off by the reverse bias applied by the capacitor 31, the NAND gate 24 becomes operational, and the other transistor 2 can be turned on at any time.

第3図の波形図ではトランジスタ1のベース信号の後に
トランジスタ2をオンにする信号が直ちに加えられず、
t、になって加えられている。
In the waveform diagram of FIG. 3, the signal to turn on transistor 2 is not added immediately after the base signal of transistor 1,
It has been added as t.

t5 で第3図Bに示す如く端子22にベース制御信号
を加えると、これがNANDゲート24と微分回路48
とに付与される。
At t5, when a base control signal is applied to the terminal 22 as shown in FIG.
and will be granted.

NANDゲート24は前述の如く動作可能状態にあるの
でその出力がt5からt6まで低レベルに転換し、電源
端子26と1次巻線の下半分28との回路に電流が流れ
、2次巻線30にベース駆動信号が発生する。
Since the NAND gate 24 is in the operable state as described above, its output changes to a low level from t5 to t6, and current flows in the circuit between the power supply terminal 26 and the lower half 28 of the primary winding, and the secondary winding A base drive signal is generated at 30.

この時微分回路48からは第3図りに示す如く微分パル
スが発生し、これがフリップフロップ42にリセットパ
ルスとして加えられ、Q出力端子はt5で低レベルに転
換し、一方のNANDゲート23を動作可能な状態に保
つ。
At this time, a differential pulse is generated from the differentiating circuit 48 as shown in the third diagram, which is applied to the flip-flop 42 as a reset pulse, and the Q output terminal is switched to a low level at t5, allowing one NAND gate 23 to operate. keep it in good condition.

2次巻線30の電圧によってトランジスタ2はオンに保
たれ、この時にダイオード34のドロップでコンデンサ
33が充電される。
The voltage across the secondary winding 30 keeps the transistor 2 on, and at this time the drop across the diode 34 charges the capacitor 33.

ベース信号がt6でなくなってもストレージでベース電
流が流れ続け、t7〜t、の期間で逆方向のベース電流
即ち逆バイアス電流が第3図りに示す如く流れると、今
度は検出用トランジスタ36のコレクタ電位第3図Fに
示す如く高レベルとなり、これがフリップフロップ42
に印加されているので、この高レベル信号の立下り時点
t8まではフリップフロップ42のQ出力端子のレベル
は転換せず、NANDゲート23を動作可能に保つ。
Even when the base signal disappears at t6, the base current continues to flow in the storage, and during the period from t7 to t, when the base current in the reverse direction, that is, the reverse bias current flows as shown in Figure 3, this time the collector of the detection transistor 36 flows. The potential becomes high level as shown in FIG.
, the level of the Q output terminal of the flip-flop 42 does not change until the fall time t8 of this high level signal, keeping the NAND gate 23 operable.

しかし、t8 になればQ出力端子のレベルが反転し、
NANDゲート23が動作可能になる。
However, at t8, the level of the Q output terminal is reversed,
NAND gate 23 becomes operational.

従ってt8以後に再びトランジスタ1をオンにすること
が可能になる。
Therefore, it becomes possible to turn on transistor 1 again after t8.

上述の如き動作の繰返しによって一対のトランジスタ1
,2は交互にオン・オフし、同時にオンすることはない
By repeating the above operation, a pair of transistors 1
, 2 are turned on and off alternately, and are never turned on at the same time.

即ち今までオンしていた変換用トランジスタ1又は2に
逆バイアス電流が流れた後に次にオンになるトランジス
タ2又は1のベース信号が付与されるので、両方が同時
にオンすることはない。
That is, after a reverse bias current flows through the conversion transistor 1 or 2 that has been turned on, the base signal of the transistor 2 or 1 that will be turned on next is applied, so that both transistors will not be turned on at the same time.

第3図で点線で示す波形はベース制御信号のパルス幅を
増大した場合を示す。
The waveform shown by the dotted line in FIG. 3 shows the case where the pulse width of the base control signal is increased.

第4図はこのパルス幅を更に増大した状態を示す。FIG. 4 shows a state in which this pulse width is further increased.

第4図の場合にはtlで第4図Aに示す端子21から供
給されるベース制御信号が立下った後のt2 で第4図
Bに示す如く端子22からベース制御信号が供給されて
いる。
In the case of FIG. 4, after the base control signal supplied from the terminal 21 shown in FIG. 4A falls at tl, the base control signal is supplied from the terminal 22 as shown in FIG. 4B at t2. .

そして、tl からt2までの間隔は極めて小さい。The interval from tl to t2 is extremely small.

従来の装置に於いてtl からt2 までの間隔が
トランジスタ1のストレージタイムより短かければ、t
2 の時点でトランジスタ1と2との両方が同時にオ
ン状態となり、過電流が流れてトランジスタ1,2が破
壊する。
In the conventional device, if the interval from tl to t2 is shorter than the storage time of transistor 1, then t
At time point 2, both transistors 1 and 2 are turned on at the same time, causing an overcurrent to flow and destroying transistors 1 and 2.

これに対して、本装置ではtlまでの期間が短かくとも
、トランジスタ2にはt2でベース信号が印加されず、
第3図J及びLに示す如くトランジスタ1が完全にオフ
になった後のt3でベース信号が印加されている。
In contrast, in this device, even though the period up to tl is short, the base signal is not applied to transistor 2 at t2,
As shown in FIGS. 3J and 3L, the base signal is applied at t3 after transistor 1 is completely turned off.

即ち、第4図Kに示す如くトランジスタ1に於ける逆バ
イアス電流が消滅する時点t3 が検出用トランジスタ
37によって検出され、この時点t3でフリップフロッ
プ43のQ出力端子が第4図Gに示す如く高レベルに転
換し、NANDゲート24を動作可能にし、トランジス
タ2にベース信号が印加されている。
That is, as shown in FIG. 4K, the detection transistor 37 detects a time t3 at which the reverse bias current in the transistor 1 disappears, and at this time t3, the Q output terminal of the flip-flop 43 changes as shown in FIG. 4G. The base signal is applied to transistor 2, switching to a high level and enabling NAND gate 24.

これにより、トランジスタ1と2とが同時にオンするこ
とはなく、トランジスタ1,2が過電流で破壊すること
はない。
As a result, transistors 1 and 2 will not be turned on at the same time, and transistors 1 and 2 will not be destroyed by overcurrent.

次に第5図を参照して本発明の第2の実施例に付いて述
べる。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

但し、第2図と共通する部分には同一の符号を付してそ
の説明を省略する。
However, parts common to those in FIG. 2 are given the same reference numerals and their explanations will be omitted.

この実施例の回路に於けるベース信号伝達回路部分は第
1の実施例のそれと同時に構成されているが、検出制御
回路部分が変形されている。
The base signal transmission circuit section in the circuit of this embodiment is constructed at the same time as that of the first embodiment, but the detection control circuit section is modified.

変換用のトランジスタ1,2のベース・エミッタ間に逆
極性で発光ダイオード51,52と抵抗53.54とか
ら成る回路が接続されている。
A circuit consisting of light emitting diodes 51 and 52 and resistors 53 and 54 with opposite polarity is connected between the base and emitter of the conversion transistors 1 and 2.

発光ダイオード51.52とフォトカプラを構成する検
出用フォトトランジスタ55.56はエミッタ接地され
、そのコレクタは抵抗57.58を介して正の電源端子
59,60に夫々接続されていると共にインバータ61
.62の入力となっている。
Detection phototransistors 55 and 56 forming photocouplers with light emitting diodes 51 and 52 have their emitters grounded, and their collectors are connected to positive power supply terminals 59 and 60 via resistors 57 and 58, respectively, and are connected to inverter 61.
.. There are 62 inputs.

インバータ61.62の出力はNANDゲート23,2
4の入力に夫々結合されている。
The outputs of inverters 61 and 62 are NAND gates 23 and 2
4 inputs, respectively.

次に上述の回路の動作を第6図及び第7図の波形図を参
照して説明する。
Next, the operation of the above-mentioned circuit will be explained with reference to the waveform diagrams of FIGS. 6 and 7.

第6図及び第7図に於いてA−Fは電圧波形を示し、G
及びHは電流波形を示す。
In Figures 6 and 7, A-F indicates voltage waveforms, and G
and H indicate the current waveform.

第6図Aに示す如< 11〜t2の期間に端子21から
トランジスタ1のベース制御が印加されると、この期間
ではNANDゲート23が閉じているので、そのま\ベ
ース信号が印加され、第6図Gに示すべくベース電流I
が流れる。
As shown in FIG. 6A, when the base control of the transistor 1 is applied from the terminal 21 during the period from 11 to t2, since the NAND gate 23 is closed during this period, the \base signal is applied as is, 6 As shown in Figure G, the base current I
flows.

t2でベース制御信号がなくなってもストレージで13
まで正のベース電流が流れ続け、t3からt4の期
間には第1の実施例と同様に逆バイアス電流が流れる。
Even if the base control signal disappears at t2, 13
A positive base current continues to flow until t4, and a reverse bias current flows during the period from t3 to t4 as in the first embodiment.

逆バイアス電流が流れてt4でトランジスタ1が完全に
オフになると、今までトランジスタ1によって実質的に
短絡されていた発光ダイオード51にコンデンサ31か
ら電圧が加わり、t4で発光ダイオード51が発光する
When a reverse bias current flows and the transistor 1 is completely turned off at t4, a voltage is applied from the capacitor 31 to the light emitting diode 51, which has been substantially short-circuited by the transistor 1, and the light emitting diode 51 emits light at t4.

この発光ダイオード51の発光は次の周期でトランジス
タ1がオンする期間まで保持される。
The light emission from the light emitting diode 51 is maintained until the period when the transistor 1 is turned on in the next cycle.

発光ダイオード51がt4 で発光するとフォトトラ
ンジスタ55がオンになり、インバータ61の入力が低
レベルとなるため、その出力は第6図りに示す如く高レ
ベルとなり、NANDゲート24が動作可能状態となる
When the light emitting diode 51 emits light at t4, the phototransistor 55 is turned on and the input of the inverter 61 becomes low level, so its output becomes high level as shown in FIG. 6, and the NAND gate 24 becomes operational.

この結果、第6図Bに示す如< 15 で端子22か
らベース制御信号が供給されると、NANDゲート24
を介してベース制御信号が伝達されてトランジスタ2が
オンする。
As a result, when the base control signal is supplied from the terminal 22 with < 15 as shown in FIG. 6B, the NAND gate 24
A base control signal is transmitted through the transistor 2, and the transistor 2 is turned on.

t6でベース信号が無くなってもトランジスタ2はスト
レージでオンに保たれ、t7からは逆バイアス電流が流
れ始める。
Even if the base signal disappears at t6, transistor 2 is kept on by the storage, and a reverse bias current begins to flow from t7.

t8になってトランジスタ2が完全にオフになって逆バ
イアス電流も零になると、発光ダイオード52が発光し
、フォトトランジスタ56がオンになり、インバータ6
2の出力が第6図Cに示す如く高レベルとなり、NAN
Dゲート23が動作可能になる。
At t8, when the transistor 2 is completely turned off and the reverse bias current becomes zero, the light emitting diode 52 emits light, the phototransistor 56 is turned on, and the inverter 6
The output of 2 becomes high level as shown in Figure 6C, and the NAN
D gate 23 becomes operational.

第6図で点線で示す波形はベース制御信号のパルス幅を
変えた場合を示している。
The waveform shown by the dotted line in FIG. 6 shows the case where the pulse width of the base control signal is changed.

第7図は端子21に供給するベース制御信号と端子22
に供給するベース制御信号とが極めて接近した状態の波
形図である。
FIG. 7 shows the base control signal supplied to terminal 21 and the terminal 22.
FIG. 4 is a waveform diagram showing a state where the base control signal supplied to the base control signal and the base control signal are very close to each other.

この場合にはtlでトランジスタ1のベース制御信号が
なくなってストレージでトランジスタ1がオンしている
期間にトランジスタ2のベース制(財)信号が供給され
ている。
In this case, the base control signal of the transistor 2 is supplied during the period when the base control signal of the transistor 1 disappears at tl and the transistor 1 is turned on in the storage.

トランジスタ2のベース制御信号をt2で供給しても、
NANDゲート24によって阻止されて直ちにトランジ
スタ2に供給されない。
Even if the base control signal of transistor 2 is supplied at t2,
It is blocked by NAND gate 24 and is not immediately supplied to transistor 2.

トランジスタ1の逆バイアス電流が零になって発光ダイ
オード51が発光する時点t3においてNANDゲート
24が動作可能になってトランジスタ2にベース信号が
付与される。
At time t3, when the reverse bias current of the transistor 1 becomes zero and the light emitting diode 51 emits light, the NAND gate 24 becomes operational and a base signal is applied to the transistor 2.

従って、同時にトランジスタ1.2がオンすることはな
い。
Therefore, transistors 1 and 2 are not turned on at the same time.

以上本発明の実施例に付いて述べたが、本発明は上述の
実施例に限定されるものではなく、更に変形可能なもの
である。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and can be further modified.

例えばダイオード32゜34の代りに抵抗を接続しても
よい。
For example, a resistor may be connected in place of the diodes 32 and 34.

要するにコンデンサ31.33を充電することが出来る
ものであれば何んでもよい。
In short, anything can be used as long as it can charge the capacitors 31 and 33.

また第2図では1つの変流器35でトランジスタ1と2
との両方のベース電流を検出するようになっているが、
夫々独立に変流器を設けてもよい。
In addition, in FIG. 2, one current transformer 35 is used to connect transistors 1 and 2.
It is designed to detect the base current of both
A current transformer may be provided independently.

更に、ベース電流の検出及びベース制御信号の伝達制御
は実施例以外の回路で行ってもよい。
Furthermore, detection of the base current and control of transmission of the base control signal may be performed by a circuit other than the embodiment.

またベース電流の検出を変圧器25の1次側で行っても
よい。
Alternatively, the base current may be detected on the primary side of the transformer 25.

またハーフブリッジ型変換器のみならず、ブリッジ接続
の変換器、プッシュプル増幅回路、及びトランジスタを
交互にオンオフするあらゆる回路に適用可能である。
Moreover, it is applicable not only to half-bridge type converters but also to bridge-connected converters, push-pull amplifier circuits, and any circuits that alternately turn on and off transistors.

要するに一対または複数のトランジスタが同時にオン状
態になっては困るあらゆる回路に適用可能である。
In short, the present invention can be applied to any circuit in which it is difficult for a pair or a plurality of transistors to be turned on at the same time.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は直流−直流変換器の回路図、第2図は本発明の
第1の実施例に係わるコンバータの駆動制御部の回路図
、第3図及び第4図は第2図の各部の電圧及び電流の波
形図、第5図は本発明の第2の実施例に係わるコンバー
タの駆動制御部の回路図、第6図及び第7図は第2図の
各部の電圧及び電流の波形図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、1,2はトラン
ジメタ、21,22は制御信号端子、23.24はNA
NDゲート、25は変圧器、31はコンデンサ、32は
ダイオード、33はコンデンサ、34はダイオード、3
5は変流器、36.37はトランジスタ、42,43は
フリップフロップである。
Fig. 1 is a circuit diagram of a DC-DC converter, Fig. 2 is a circuit diagram of a drive control section of a converter according to the first embodiment of the present invention, and Figs. 3 and 4 are diagrams of each part of Fig. 2. Voltage and current waveform diagrams; FIG. 5 is a circuit diagram of the drive control section of the converter according to the second embodiment of the present invention; FIGS. 6 and 7 are voltage and current waveform diagrams of each part of FIG. 2. It is. In addition, in the symbols used in the drawings, 1 and 2 are transistors, 21 and 22 are control signal terminals, and 23 and 24 are NA
ND gate, 25 is a transformer, 31 is a capacitor, 32 is a diode, 33 is a capacitor, 34 is a diode, 3
5 is a current transformer, 36 and 37 are transistors, and 42 and 43 are flip-flops.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 第1のトランジスタと第2のトランジスタとを交互
にオン・オフするトランジスタ回路に於いて、前記第1
のトランジスタのベース信号で充電されこのベース信号
の消滅後に前記第1のトランジスタに逆バイアス電圧を
印加するように前記第1のトランジスタのベース回路に
接続された第1のコンデンサと、 前記第2のトランジスタのベース信号で充電されこのベ
ース信号の消滅後に前記第2のトランジスタに逆バイア
ス電圧を印加するように前記第2のトランジスタのベー
ス回路に接続された第2のコンデンサと、 前記第1のトランジスタの逆バイアス電流が実質的に零
になったことに基づいて前記第1のトランジスタのオフ
を検出する第1のトランジスタオフ検出回路と、 前記第2のトランジスタの逆バイアス電流が実質的に零
になったことに基づいて前記第2のトランジスタのオフ
を検出する第2のトランジスタオフ検出回路と、 前記第1のトランジスタオフ検出回路からオフ検出信号
が得られるまでは前記第2のトランジスタへのベース信
号の供給を阻止し前記第1のトランジスタオフ検出回路
から前記オフ検出信号が得られたときに前記第2のトラ
ンジスタへのベース信号の供給を可能にする第1のゲー
ト回路と、前記第2のトランジスタオフ検出回路からオ
フ検出信号が得られるまでは前記第1のトランジスタへ
のベース信号の供給を阻止し前記第2のトランジスタオ
フ検出回路から前記オフ検出信号が得られたときに前記
第1のトランジスタへのベース信号の供給を可能にする
第2のゲート回路とを設けたことを特徴とするトランジ
スタ回路。
[Claims] 1. In a transistor circuit that alternately turns on and off a first transistor and a second transistor, the first
a first capacitor connected to the base circuit of the first transistor so as to be charged with a base signal of the transistor and apply a reverse bias voltage to the first transistor after the base signal disappears; a second capacitor connected to the base circuit of the second transistor so as to be charged with a base signal of the transistor and apply a reverse bias voltage to the second transistor after the base signal disappears; and a second capacitor connected to the base circuit of the second transistor. a first transistor off detection circuit that detects that the first transistor is off based on the fact that the reverse bias current of the second transistor becomes substantially zero; a second transistor off detection circuit that detects whether the second transistor is off based on the fact that the second transistor is turned off; a first gate circuit that blocks the supply of the signal and enables supply of the base signal to the second transistor when the off detection signal is obtained from the first transistor off detection circuit; The supply of the base signal to the first transistor is blocked until an OFF detection signal is obtained from the transistor OFF detection circuit, and when the OFF detection signal is obtained from the second transistor OFF detection circuit, the supply of the base signal to the first transistor is blocked. A transistor circuit characterized in that it is provided with a second gate circuit that enables supply of a base signal to the transistor.
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