JPS5842629A - プラスチツクチユ−ブ或いはパイプの架橋方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、プラスチックチューブ或いはパイプ（以下こ
れらをまとめて単にチューブという。）の、高エネルギ
ー騙照射による架橋方法に関する。

一般に、プラスチック製熱収縮性チューブを麹造するに
け、架橋可能なプラスチックからなるチューブに域子線
を照射し、分子鎖間を架−した後、チューブ内部の空隙
部に加圧した空気等を充填しつつ軟化点以上の温度に加
熱して、チューブを径方向に膨張させる方式が採られて
いる。これらの胸造工程のうち、成子梅等の高エネルギ
ー放射機照射による架橋工程においては、従来から以下
に述べるような神々の間−があった。

すなわち、第１表に示すように、これらのチューブに用
いられるプラスチックは高いガス透過性を有し、これは
プラスチック内部へのガスの溶解、拡散によるものと考
えられる〇 第　　　　１　　　表 （ム８’ｆ’ＭＤＩ４３４法により２５℃の温度で測定
を行なった・表中の単位はｃ　ｃ／１００　ｓｑ　ｉ　
ｎ／ｍｉ　１　／２４　ｈ　ｒ／ａ　ｔｍである。）“
　従って、通常の雰囲気中に置かれたこれらのプラスチ
ックチューブの内部特に表面層近くには、上記溶解、拡
散現象によって包含された窒素や酸素が微量残存するた
め、ポリエチレンのような架橋型ポリマーからなるチュ
ーブにおいても、酸素による酸化劣化のため照射後の外
表［ｉＮＩのゲル分率が着るしく低くなるという問題が
あった。また、フッ素樹脂のような崩壊型ポリマーから
なるチューブにおいては、前述のようにプラスチックの
内部に溶解、拡散している微量、の酸素等の１響で、分
子鎖の切断反応が優先するため、通常の雰囲気中では着
るしく劣化反応が進行し、照射架橋を行なうことができ
ないという問題があった。

このような問題解決のため、ガラス転移点以上の温度に
保った窒素ガス雰囲気中で、フッ素樹脂に放射−を照射
し架橋する方法も、既に提案されているが、この方法に
部いては、熱収縮性チューブ製造のための連続照射加工
の場合、照射峯全体を封鎖し不活性ガスを充填すること
が困離であるという欠点があった。従って、この方法を
用いる場合には、チューブを短尺に切断し、これを照射
室に一定時間入れて照射を行なった後、次の工程に移ら
なければならず、作業を連続的に行なうことができない
ばかりでなく、長尺のものを得ることができず、コスト
も高くなるという欠点があった。

本発明はこれらの欠点を解消するためになされたもので
、架橋可能なプラスチックからなるチューブの中央空Ｗ
ｔ部に、不活性ガスを封入した後、高エネルギー放射線
を照射して架橋することを特徴とするプラスチックチュ
ーブの架橋方法に関する。本発明においてチューブを構
成するプラスチツタ材料としては、ポリエチレン、ポリ
塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン等の高エネル
ギー放射線の照射により、架橋ロエ能なプラスチックは
全て用いることができるが、特にフッ素樹脂のような崩
壊型ポリマーを用いたチューブにおいては、本発明の方
法により酸化劣化を生じることがなく、架橋反応を進行
させることができる。

本発明にイａいてこれらのチューブの中央の空隙部に封
入する不活性ガスとしては、窒素ガスが最適し、１気圧
程度に加圧したものを充填することが９ましい。また、
封入された不活性ガスは、照射工程中次第にチューブを
構成するプラスチックの内部に溶解、拡散し殉留する酸
素を追い出してゆくため圧力が減少してゆくが、これを
防ぎ、空隙部の不活性ガスの圧力を一定に保つために、
ボビン等にユニバーサルジヨイント等を取りつけて不活
性ガスを補充するのが好ましい。

本発明において、チューブの架橋のために照射する尚エ
ネルギー放射線としては、電子樺が最も適当であり、従
来の方法におけるのとほぼ同じ装置を照射する。

次に本発明の実！ｌ１ｌｉ例について比軟例と共に記載
する。

実ＩＩＡ例１ ＮＵＯ９０２５（日本二二カ社製低密度ポリエチレンの
商品名、メルトインデックス２．０、密度０．９２０）
から押出法により製造した、直径６．０腸、厚さ０．５
閣のチューブの片端から１気圧の窒　５− 素ガスを充填し、他端を封止した。このチューブを窒素
ガス補光用のユニバーサルジヨイントの取り付けられた
サプライボビンに巻き、ここから連続的に引き出し５０
０ｋＶＡの電子線照射装置により、線量１５　Ｍ　ｒａ
ｄの電子線を照射した。

実１１１ｉｔ１４２ 実−例１と同じポリエチレンチューブの空ｌｌＩ部に、
同様に１気圧の窒素ガスを封入し、１０Ｍｒａｄの電子
線を照射した。

比［Ｍｌ 実施例１と同じポリエチレンチューブに、そのｔ　ｔ　
１５　Ｍ　ｒａｄの電子線を照射した。

実ｋＨ１，実施Ｈ２および比較Ｎ１で照射架橋されたチ
ューブのゲル分率を測定した。滴定結果を第２表に示す
。

１２表 実施ｅ１３ テフロンＦｇＰ（デュポン社製西フフ化エチレンと六７
ツ化プロピレンの共電合体の商品名）からなる直径６閤
、厚さ０．６１１１１１１のチューブの中央空１ｌＩｓ
に、実施ｅ１ｔと同様にして１気圧の窒素ガス−を封入
し、これをサプライボビンに巻いた状態で、赤外巌ラン
プで１００”Ｃに保持された保温槽内に設置した。この
サプライボビンからチューブを照射室内に連続的に送り
込み、１０　Ｍ　ｒａｄの電子機を照射した。

比較例２ 実施例３と同じテフロンチューブに、そのまま１０　Ｍ
　ｒａｄの電子機を照射した。

実１例３および比較例２で得られたチューブの抗張力と
伸びを、常温および２５０℃で測定した測定結果を第３
表に示す。

以下余白 第　　　　３　　　　表 一実施例４ 一燃性架橋ポリエチレンからなる直径８−１厚さ０．５
■のチューブの空ｌｌＩ部に、１気圧の窒素ガスを封入
し、４０　Ｍ　ｒａｄの電子機を照射した。

比較例３ 実施例４と同じ難燃性架橋ポリエチレンチューブに、４
０　Ｍ　ｒａｄの電子機を照射した＠実１１８１１４お
よび比較例３で得られたチューブのゲル分率を測定した
。測定結果を第４表に示す◎第　　　４　　　表 以上の実施例からも明らかなように、本発明の方法によ
れば、フッ素樹脂のような崩埃型ポリ！−からなるチュ
ーブにおいても、嶋価な不活性ガスの気密室等を設ける
必要がなく、極く少鮒の不活性ガスを中空部に封入する
のみで、通常の架偏型ポリマーからなるチューブと同様
に、容易に照射架鶴を行なうことができる。

また、ポリエチレンのような架橋梨ポリマーチューブの
場合にも、本発明の方法によれば、酸化劣化によるポリ
マー分子鎖の切断反応が抑制されるので、照射効率が２
０〜４０襲向上するばかりでなく、チューブ外表面層の
ゲル分率も従来のものに比べて増大する。

さらに、チューブの内部が不活性ガスにより、常に加圧
された状態になるので、チューブの断面形状も真円に近
くなり、照射室内のターンシープ部でのチューブの移動
が容易になる。従って、照射むらがほとんどなくなり、
均一な照射を行なうことができるという利点がある。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、架橋可能なプラスチックから６るチューブ或いはパ
   イプの中央空隙部に、不活性ガスを′封入した後、−エ
   ネルギー放射線を照射して架橋することを特徴とするプ
   ラスチックチューブ或いはパイプの架橋方法。 ２、架橋可能なプラスチックは、フッ素樹脂であること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラスチック
   チューブ或いはパイプの架橋方法。 ３、高エネルギー巌は電子婦であることを特徴とする特
   許−求の範囲第１項記載のプラスチツタチューブ或いは
   パイプの架橋方法。