JPS5842415B2 - カメラノロシユツジヨウホウエンザンカイロ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はカメラなどの露出計に用いられ被写体の明る
さ、フィルム感度、絞り値などの露出情報を写真学的に
演算処理する演算回路に関する。

従来、ＴＴＬ測光による一眼レフカメラの自動露出制御
回路において、被写体の明かるさが非常に広い領域にわ
たるため、明かるさの情報を明かるさの対数に比例する
電圧に変換して扱う、いわゆる対数圧縮法が用いられて
いる。

露出時間は被写体の明かるさの情報とともにフィルム感
度および絞りの情報とにより決定される。

ここでフィルム感度や絞り値は２倍、４倍、８倍・・・
のように指数的に変化するが、これらの量を対数圧縮さ
れた被写体の明かるさの情報とともに上記の制御回路に
のせるために、フィルム感度や絞りの情報もまた対数量
に変換されて用いられる。

対数圧縮された被写体の明かるさ、フィルム感度、絞り
の各情報から露出時間を制御するのに従来から用いられ
ている制御回路は第１図に示すように構成されていた。

Ｖｓは被写体の明るさの対数に比例する電圧Ｖｓを発生
する例えばホトダイオードや太陽電池などの電圧源であ
り、アペックス表示された被写体の明るさの情報Ｂｖは
この電圧源Ｖｓにより表わされる。

ＤＡＩは差動増幅器で非反転入力端子子に上記の被写体
の明るさの情報Ｂｙが入力される。

Ｑｌは差動増幅器ＤＡＩに負帰還をかけるためのトラン
ジスタでそのコレクタは差動増幅器ＤＡ１の反転入力端
子−に接続されている。

ＶＲはフィルム感度、絞り値に従って抵抗値が設定され
る可変抵抗であり、フィルム感度又は絞り値を１段変化
させるとその抵抗値が指数的に変化する特性をもつ。

この可変抵抗ＶＲとダイオードＤ２とは直列にして電源
端子■とアース間に接続されている。

なお端子■とアース間に接続されている電源は図示を省
略しである。

トランジスタＱ２と抵抗Ｒ１とはエミッタホロワ回路を
構成し、ダイオードＤ２に発生する電圧をエミッタに出
力する。

ＤｌはトランジスタＱ１のコレクタとトランジスタＱ２
のエミッタに接続されたダイオードである。

次にこの従来回路の動作を説明すると、差動増幅器ＤＡ
１には、トランジスタＱ１のコレクタから負帰還がかか
りその結果トランジスタＱ１のコレクタとアース間の電
圧■１は被写体の明るさの情報Ｂｙに比例する電圧■８
と等しくなっている。

フィルム感度および絞り値に応じて可変抵抗ＶＲの抵抗
値を設定するとこの抵抗値に応じてダイオ−ドＤ２に電
流が流れる。

ダイオードＤ２の両端にはこの電流の対数に比例する電
圧が発生しこの電圧がトランジスタＱ２と抵抗Ｒ１で構
成されるエミッタホロワ回路への入力信号となる。

可変抵抗ＶＲはその抵抗値が指数的に変化する特性をも
つよう作られ、またダイオードＤ２の両端に発生する電
圧は流れる電流の対数に比例するため、エミッタホロワ
回路の入力電圧は、可変抵抗ＶＲの等角度間隔ごとの変
化に対応するところのフィルム感度および絞り値の１段
当りの変化に対して直線的に変化することになる。

以上のことから抵抗Ｒ１の両端にはフィルム感度および
絞り値の１段当りの変化に対して直線的に変化する電圧
Ｖｒが発生することになり、かくしてフィルム感度およ
び絞り値を対数圧縮した情報は電圧Ｖｒとして抵抗Ｒ１
の両端に現われる。

ここで対数圧縮されたフィルム感度および絞り情報をそ
れぞれアペックス指数ＳＶ、ＡＶで表示する。

一方、前述のようにトランジスタＱ１のコレクタとアー
ス間には明るさの情報Ｂｖに比例する電圧■ｓに等しい
電圧■１がかかつているため、ダイオードＤ１の両端に
は電圧■１から電圧Ｖｒを差し引いた電圧Ｖｄが生じて
いる。

すなわちＶｄはＶｄ＝Ｖ１−Ｖｒで与えられる。

ここで電圧■１は、明るさの情報Ｂｖに比例し、電圧Ｖ
ｒは絞りの情報ＡＶとフィルム感度の情報８Ｖとの差に
比例する。

従ってＶｄｏｃＢＶ−（ＡＶ−８Ｖ） の関係力城立ち、露出時間の情報ＴＶを与える公知の関
係式ＴＶ＝ＢＶ−（ＡＶ−８Ｖ）により、電圧Ｖｄが露
出時間の情報ＴＶを与えることになる。

この情報ＴＶによって露出時間が制御される。実際には
露出時間の情報を与える電圧Ｖｄを対数伸張して用いら
れる。

すなわちダイオードＤ１には電圧Ｖｄの逆対数に比例す
る電流が流れるが、この電流を積分コンデンサに通じて
電圧に変換する。

このコンデンサの両端の電圧により露出時間が制御され
ることになる。

以上にのべた従来の回路においては、指数的に抵抗値が
変化する可変抵抗を必要とする。

また、抵抗Ｒ１の両端にフィルム感度、絞り値の広範囲
の情報Ｓ■、ＡＶに精度よく比例する電圧を発生させる
ためには、エミッタホロワ回路の特性上トランジスタＱ
２のベースに加える電圧は比較的高くなければならない
。

このためにはダイオードＤ２の数を増したり、電源電圧
を高く設定するなど方法が用いられるが、その結果回路
の消費電力が大きくなるなどの欠点があった。

この発明は上記の欠点を除去した演算回路を提供するこ
とを目的とする。

以下、この発明を図面にもｄｂて詳しく説明する。

第２図はこの発明の原理を示す回路図である。

■ｓは第１図に示す■ｓと同様の電圧源であり、被写体
の明かるさの情報Ｂｖに比例する電圧を発生する。

ＤＡ２は差動増幅器であり、その非反転入力端子＋は電
源Ｖｓと、また反転入力端子−はトランジスタＱ３のエ
ミッタに接続されたポテンショメータＰＭ１の摺動端子
Ｓ１ど接続されている。

ポテンショメータＰＭＩは直線的にその抵抗値を変える
ことの出来るところの一般によく用いられているポテン
ショメータである。

このポテンショメータＰＭ１によってフィルム感度や絞
りの情報ＳＶ、ＡＶを設定する。

トランジスタＱ３とポテンショメータＰＭＩとによりエ
ミッタホロワ回路が構成さへ この回路によって差動増
幅器ＤＡ２の負帰還が行なわれている。

ポテンショメータＰＭ１とアース間に接続されている電
流源■１は例えば同出願人の特願昭４６−９０２０３号
明細書に記述されているところの絶対温度に比例する電
流を流すところの温度依存の定電流源である。

ポテンショメータＰＭ１の両端には出力端子ｏｕｔ１、
ｏｕｔ ２が設けられている。

■はトランジスタＱ３を駆動するための電源を接続する
端子である。

この電源は図示を省略しである。

次に上記の回路の動作を説明する。

電源ｖ８は被写体の明かるさの情報ＢＶに比例する電圧
を発生している。

摺動端子Ｓ１は使用するフィルムの感度および絞り値に
対応してその位置が設定されており、出力端子ｏｕｔ１
と摺動端子Ｓ１の間にはフィルム感度の情報ＳＶと絞り
の情報ＡＶの差すなわち５Ｖ−ＡＶに比例する電圧が生
じている。

差動増幅器ＤＡ２には負帰還がかかつておりその結果摺
動端子Ｓ１とアース間には被写体の明かるさの情報Ｂｙ
に比例する電圧が生じている。

従って端子ｏｕｔ１とアース間の電圧は、摺動端子Ｓ１
の電位に端子ｏｕｔ １と端子Ｓ１間の電圧が加わった
電圧すなわちＢｙ＋５ｖ−Ａｙに比例する電圧に等しく
なる。

前述の公知の関係式ＴＶ＝Ｂｖ−（ＡＶ−８■）から、
この電圧力Ｓ露出時間の情報ＴＶを与えることがわかる
。

出力端子ｏｕｔ２の電位は端子ｏｕｔｌの電位から端子
ｏｕｔ１、ｏｕｔ２間の電圧を差し引いた電位で表わさ
れる。

端子ｏｕｔ１、ｏｕｔ ２間の電圧は＝定である。

従って端子ｏｕｔ ２とアース間には端子ｏｕｔｌから
定電圧を差し引いた電圧が発生するため、端子ｏｕｔ
２に現われる出力を露出時間の情報ＴＶとして利用する
こともできる。

後述のごとく露出時間情報ＴＶによりシャッタ時間の制
御を行う。

この場合端子ｏｕｔ １、ｏｕｔ ２のいずれの端子に
現われる出力を利用するかはシャッタ時間制御回路の設
計により決められる。

後述の第７図〜第１０図は端子ｏｕｔ １とアース間に
現われる電圧を露出時間情報ＴＶとして利用する場合の
実施例である。

第３図〜第５図は被写体の明るさの対数ＢＶに比例する
電圧ｖｓを発生する測光回路の実施例を示す。

第３図においては、受光素子としてホトダイオードＰＤ
１を用い、その両端を差動増幅器ＤＡ３の入力端子間に
接続する。

差動増幅器ＤＡ３にはダイオードＤ３を通じて負帰還が
かけられている。

以上の構成をもつ回路Ｖｓにより測光回路を構成する。

この回路ＶＳにおいて、差動増幅器ＤＡ３には負帰還が
かかつているた△入力両端子間の電圧はほぼゼロに保た
れている。

ホトダイオードＰＤ１は被写体からの光を受光して受光
量に比例した光電流を発生している。

この光電流はダイオードＤ３を通じて流へダイオードＤ
３の両端には光電流の対数に比例した電圧が発生する。

このようにして差動増幅器ＤＡ３の出力端に被写体の明
るさの情報ＢＶに比例した電圧が発生し、この電圧は差
動増幅器ＤＡ２の非反転入力端子子に入力される。

第４図は第３図の回路を簡略化したもので差動増幅器Ｄ
Ａ３の働きを差動増幅器ＤＡ２により兼ね行なわせたも
のである。

摺動端子Ｓ１からダイオードＤ４を通じて差動増幅器Ｄ
Ａ２に負帰還がかかり、ホトダイオードＰＤ２が接続さ
れている差動増幅器ＤＡ２の入力端子間には電圧は生じ
ていない。

ホトダイオードＰＤ２に発生する光電流はダイオードＤ
４を流へ ダイオードＤ４の両端には被写体の明るさの
情報Ｂｖに比例する電圧が、あられれる。

この場合、光電流はポテンショメータＰＭ１の１部を流
れるが、定電流源■１の電流を大きくとる力＼又は後に
述べる手段によりこの光電流が出力に与える影響をなく
すことができる。

第５図は第４図に示す回路に第２のポテンショメータＰ
Ｍ２と第２の定電流源■２を付加した実施例の回路図で
ある。

第２図〜第４図に示す回路ではフィルム感度と絞りの情
報Ｓ■、ＡＶを１つの情報にまとめ、ポテンショメータ
ＰＭ１により設定したが、第５図に示す回路においては
フィルム感度と絞りの情報Ｓ■、ＡＶをそれぞれ独立に
設定することができる。

ここではポテンショメータＰＭ１によりフィルム感度の
情報ＳＶをまたポテンショメータＰＭ２により絞りの情
報ＡＶを設定する。

■１及び■２はそれぞれ絶対温度比例の定電流を流す回
路である。

スイッチＳＷ１は開放測光と絞り込み測光とを切り換え
るスイッチであり、絞り込み測光の時は開放さＦＬ、開
放測光の時は閉じられる。

絞り込み測光の場合はホトダイオードの受光量の中に絞
りの情報Ａｖを含んでいるため、ポテンショメータＰＭ
２によりあらためて絞りの情報ＡＶを設定する必要はな
く、したがってポテンショメータＰＭ２の回路を開放し
、トランジスタＱ３のエミッタ電位を出力として取り出
す。

スイッチＳＷ１を開くと、出力端子ｏｕｔ３にはこのエ
ミッタ電位があられれる。

第６図は電源Ｖｓを構成する第３の実施例を示す回路図
である。

ホトダイオードＰＤ３はポテンショメータＰＭ３の摺動
端子Ｓ３と差動増幅器ＤＡ２の非反転入力端子子との間
に接続されており、被写体の明るさの情報Ｂ■に比例す
る電圧を発生している。

すなわち電圧源ＶｇとしてホトダイオードＰＤ３の開放
電圧を利用したものでみる。

■３は前述の定電流源１１と同種の電流源でありポテン
ショメータＰＭ３と直列にして電源端子■とアース間に
接続されている。

フィルム感度および絞りの情報Ｓ Ｖ ｔ ＡＶの設定
をこのポテンショメータＰＭ３により行うことができる
。

またフィルム感度と絞りの情報８ Ｖ ｙ Ａ Ｖとを
ポテンショメータＰＭ３とＰＭｌとを用いて独立に設定
することもできる。

次に以上においてのべたこの発明を実施した具体的回路
を説明する。

第７図は第５図に示す原理に基づいた第１の実施例を示
す回路図である。

この図において第５図の回路と同一の素子には同じ符号
をつけている。

電界効果トランジスタＦＥＴ１ 、ＦＥＴ２とトランジ
スタＱ４．Ｑ５と抵抗Ｒ２〜Ｒ１とから構成される回路
ＤＡ２は公知の差動増幅器であり、電界効果トランジス
タＦＥＴＩ 、ＦＥＴ２のそれぞれのゲートが反転入力
端子−及び非反転入力端子子となっている。

トランジスタＱ６．Ｑ７と抵抗Ｒ８とから成る回路Ｃ１
は、ダイオードＤ４を流れる光電流を摺動端子Ｓ１から
直接取り入れることを避けるために設けられている。

トランジスタＱ７のコレクタ電流を光電流より大きい値
に設定し、更にこのコレクタ電流を一定に保つように′
しておくと、 トランジスタＱ６のベース、エミッタ電
圧ＶＢＥ６は光電流の大きさにかかわらず一定となる。

ここでこのベース、エミッタｔＥＶＢＥ６によりトラン
ジスタＱ６にベース電流が流れるが、トランジスタＱ８
のコレクタ電流を大きくとっておくならばこのベース電
流による演算誤差は無視出来る。

０・３は抵抗Ｒ１２，Ｒ１３とトランジスタＱ１１とで
構成される回路であり、この回路Ｃ３はトランジスタＱ
８と抵抗Ｒ９とともに定電流源回路■１を構成している
。

加えて、この回路Ｃ３はトランジスタＱ９と抵抗Ｒ１０
とともに定電流源回路■２をも構成している。

回路Ｃ１と対称的に設けられたトランジスタＱ１２．Ｑ
１０と抵抗Ｒ１１とから成る回路Ｃ２はトランジスタＱ
１２のベース、エミッタ電圧ＶＢＥ １２によりトラン
ジスタＱ６のベースエミッタ電圧ＶＢＥ６を打ち消す働
きをしている。

その結果、ダイオードＤ４のプラス側に現われるところ
の差動増幅器ＤＡ２の出力電圧がそのまま端子ｏｕｔ３
に出力される。

この出力電圧はスイッチＳＷ２とアース間に設けられた
記憶コンデンサーＣＭにおいて記憶される。

コンデンサＣＭの後にはトランジスタＱ１３とスイッチ
ＳＷ３からなる列数伸張回路、積分回路を形成するコン
デンサＣ１とスイッチＳＷ４及びマグネットＭｇを備え
たスイッチング回路ＳＣが接続されている。

Ｅは電流 ＳＷＯは電源スィッチである。

次にこの回路の動作を説明する。

今、電界効果トランジスタＦＥＴ１のゲートの電位がア
ース電位よりも増加すれば、トランジスタＱ５のコレク
タ電位が下がり、これに対応してトランジスタＱ３Ｑ６
のエミッタ電位も下がることになり、電界効果トランジ
スタＦＥＴ１のゲート電位の増加を打ち消すように動作
する。

このように負帰還がほどこされている差動増幅器ＤＡ２
の両入力端には電位差が生じていない。

従って電界効果トランジスタＦＥＴ１のゲート電位はほ
ぼアース電位と等しくなる。

この結果ホトダイオードＰＤ１に発生した光電流はダイ
オードＤ４を流れ、ダイオードの両端すなわちトランジ
スタＱ６のエミッタとアース間には被写体の明るさの情
報Ｂｖに比例する電圧が生じる。

ところでこの実施例におけるように光電流の対数に比例
する電圧をダイオードＤ４の両端から取り出す場合、ダ
イオードＤ４の電圧、電流特性の温度依存を補償しなけ
ればならない。

ダイオードＤ４の温度依存性は基本的には２つに分類さ
れる。

第１はダイオードＤ４を流れる電流が一定であっても両
端に発生する電圧が温度によって変化することであり、
第２はある動作点におけるダイオードＤ４の抵抗すなわ
ち電流の変化分に対する電圧の変化分の割合が温度に依
存することである。

第１の点に関しての補償は対数伸張用トランジスタＱ１
３のベース、エミッタのダイオード特性の温度依存性を
利用して成される。

第２の点に関しては、定電流源回路１１．Ｉ２からポテ
ンショメータＰＭＩ 、ＰＭ２に絶対温度に比例する電
流を供給することにより補償される。

この補償法に関しては出願人の先願特開昭４８−５３７
２０において詳しく説明されている。

前述したようにフィルム感度と絞りの情報ＳＶ。

ＡＶはそれぞれポテンショメータＰＭＩ、ＰＭ２により
設定される。

摺動端子Ｓ１に現われる電圧はトランジスタＱ６のエミ
ッタにあられれる演算出力電圧より電圧ＶＢＥ６だけ高
いが、この電圧ＶＥＢ６はトランジスタＱ１２のベース
、エミッタ電圧ＶＢＥ１２によりレベルダウンされる。

その結果トランジスタＱ６のべ一＾ エミッタ電圧■Ｂ
Ｅ６はキャンセルされて端子ｏｕｔ３に演算出力が与え
られる。

この出力はコンデンサＣＭに記憶され、トランジスタＱ
１３により対数伸張されてコンデンサＣＩを所定のレベ
ルまで充電する。

コンデンサＣＩの電圧によりスイッチング回路ＳＣが動
作し、マグネットを働かせて露出時間を制御する。

第８図はこの発明の第２の具体的実施例を示す回路であ
る。

電界効果トランジスタＦＥＴＩ 、ＦＥＴ２とトランジ
スタＱ４．Ｑ５と抵抗Ｒ２〜Ｒ７からなる回路ＤＡ３は
第１の実施例における回路ＤＡ２を転用したもので、出
力段にトランジスタＱ１６と抵抗Ｒ２２を付加して第３
図に示す差動増幅器・ＤＡ３を構成している。

トランジスタＱ１６のエミッタと抵抗Ｒ２２の接続点が
産動増幅器ＤＡ３の出力端子である。

ＰＮＰ トランジスタＱ１７゜Ｑ１８、ＮＰＮ Ｉ−ラ
ンジスタＱ１９〜Ｑ２１、抵抗Ｒ２３，Ｒ２４からなる
回路ＤＡ２は第３図に示す回路ＤＡ２に相当する差動増
幅器である。

トランジスタＱ１７．Ｑ１８のコレクタには、それぞれ
トランジスタＱ１９とダイオード接続されたトランジス
タＱ２０とが共通ベースにして接続されているが、この
接続により温度によって差動増幅器ＤＡ２のバランス点
が変動するのを防いでいる。

第３図においてはフィルム感度と絞りの情報ＳＶ、ＡＶ
を１つのポテンショメータＰＭＩにより設定したが、第
８図に示す実施例では第７図の実施例と同様にポテンシ
ョメータＰＭ１．ＰＭ２を設け、フィルム感度と絞りの
情報ＳＶ、ＡＶを独立に設定できるようにしである。

トランジスタＱ３ 、Ｑ８ 、Ｑ９ 、Ｑｌ １ 、抵
抗Ｒ９，ＲＩＯ。

Ｒ１２，Ｒ１３、コンデンサＣＭ、スイッチ５ＷＩＳＷ
２など第７図と同じ符号で示した素子は第１の実施例と
同じ働きをする素子である。

なお第８図においては記憶コンデンサーＣＭに接続され
るべき対数伸張回路やスイッチング回路は図示を省略し
である。

次にこの第２の実施例の動作を説明する。

第３図の原理回路において説明したように被写体の明る
さの情報Ｂｙに比例した電圧が差動増幅器ＤＡ３の出力
端子すなわちトランジスタＱ１６のエミッタにあられれ
る。

この信号電圧が差動増幅器ＤＡ２の非反転入力端子子で
あるＰＮＰトランジスタのベースに入力される。

この入力電圧は通常の被写体の明るさに対して０．２Ｖ
〜０．７ Ｖ程度の低いレベルにあるため、低い入力レ
ベルで動作しうるＰＮＰトランジスタＱ１７．Ｑ１８を
用いて差動増幅器を構成している。

今、差動増幅器ＤＡ３の出力によりトランジスタＱ１７
の電位が増大したとすると、トランジスタＱ１７のコレ
クタ電流は減少し、その結果トランジスタＱ２１のベー
スに供給されるベース電流が減少する。

このためトランジスタＱ２１のコレクタ電流も減少し、
トランジスタＱ３のベース及びエミッタ電位が増大する
。

このようにして摺動端子Ｓ１に接続されているトランジ
スタＱ１８の電位が増大してトランジスタＱ１７とトラ
ンジスタＱ１８のそれぞれのベース電位が等しくなる。

トランジスタＱ１８のベース電流をポテンショメークＰ
ＭＩに流れる電流に比べて無視できる程度に小さくする
ことが出来るため、 トランジスタＱ１８のベース電流
による演算誤差はほとんどなくなり、また摺動端子Ｓ１
の接触抵抗による電圧降下も無視できる。

以上のようにして測光出力が精度よく摺動端子Ｓ１に移
され、モして摺動端子Ｓ２に演算出力が現われる。

尚、 トランジスタＱ２１のベースバイアスはトランジ
スタＱ１９のコレクタ、エミッタ間電圧により決まるが
、 トランジスタＱ１７とＱ１８とがバランスする状態
において、トランジスタＱ２１のベースバイアス電圧は
回路定数の選定によって０．５Ｖ程度となるように設定
されている。

このようにしておけば、 トランジスタＱ１７．Ｑ１８
は飽和に近い領域で使用されることになる。

第９図は被写体の明るさの情報ＢＶとしてホトダイオー
ドＰＤ３の開放電圧を利用したこの発明の第３の具体的
な実施例を示す回路図である。

この回路は第６図に示す原理回路にならって構成された
ものである。

電界効果トランジスタＦＢＴ１ 。ＦＥＴ２、トランジ
スタＱ４．Ｑ５、抵抗Ｒ２〜Ｒ７により構成される回路
ＤＡ２は第７図、第８図の実施例に示した回路ＤＡ２
、ＤＡ３と同様の差動増幅器である。

差動増幅器ＤＡ２の非反転入力端子子をなす電界トラン
ジスタＦＥＴ１のゲートにホトダイオードＰＤ３の開放
電圧が加わる。

また反転入力端子−はポテンショメータＰＭ１の摺動端
子Ｓ１と直接接続している。

反転入力端子−と摺動端子Ｓ１の間には光電流ば流れな
いたべ第７図の実施例における回路ＣＩ 、Ｃ２は不要
である。

この回路においても第７図と同様に対数伸張回路、スイ
ッチング回路を省略しである。

この回路の動作について説明すると、ホトダイオードＰ
Ｄ３に被写体の明るさの情報Ｂｖに比例する電圧が発生
する。

この電圧により電界効果トランジスタＦＥＴ１のゲート
電位が増大すると、トランジスタＱ３のベース及びエミ
ッタ電位があがり、そして電界効果トランジスタのゲー
ト電位もあがることになる。

このようにして電界効果トランジスタＦＢＴ１ 、ＦＥ
Ｔ２のゲート電位が等しくなって差動増幅器はバランス
する。

その結果、摺動端子Ｓ１に被写体の明るさの情報Ｂｙに
比例する電圧があられれ、以下束１．第２の実施例に示
したように出力端ｏｕｔ３に所望の出力信号があられれ
る。

第１０図は第１〜第３の実施例において、トランジスタ
Ｑ３とポテンショメータＰＭ１との間に出力レベル調節
用の可変抵抗Ｒ２０と、抵抗Ｒ２１とサーミスタＲＴの
並列接続からなる温度補償回路Ｃ５とを設けた回路図の
一部を示したものである。

抵抗Ｒ２０の抵抗値を変えることにより、トランジスタ
Ｑ３のエミッタ電圧を、したがって出力端ｏｕｔ３の電
位を変化させることが出来る。

また温度補償回路Ｃ５はポテンショメータＰＭ１が温度
により変化するのを補償する働きをなす。

このような温度補償を行うことにより広い範囲にわたっ
て温度が変化しても、十分に精度のよい露出制御をお゛
こなうことができる。

以上においてのべたようζζ本発明によれば、露出値制
御の演算回路を目的に応じて種々に変形して利用するこ
とができ、そのため自由に回路設計を行うことができる
。

この発明は従来の回路のように例えば指数的に抵抗値が
変化する可変抵抗などの特殊な素子を必要とせず、少な
い回路部品と少ない消費電力で高精度の露出制御が行え
るという利点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例を示す回路図、第２図はこの発明を説明
するための原理回路図である。 第３図〜第６図はこの発明の実施例を示す回路図、第７
図〜第１０図はこの発明のさらに具体的実施例の回路図
である。 図において、ＦＥＴ１ 、ＦＥＴ２・・・・・・電界効
果トランジスタ、ＰＤ１〜ＰＤ３・・・・・・ホトダイ
オード、Ｑ１〜Ｑ２１・・・・・・トランジスタ、ＰＭ
ｌ 。 ＰＭ２・・・・・・ポテンショメータ、ＣＩ 、ＣＭ・
・・・・・コンデンサ、ＳＣ・・・・・・スイッチング
回路、ＤＡＩ〜ＤＡ３・・・・・・差動増幅器、■１〜
■３・・・・・・定電流発生回路、ｏｕｔ １ 、ｏｕ
ｔ２ 、ｏｕｔ３・・・・・・露出時間情報出力端子。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 摺動端子が所定の露出情報に応じて摺動されるポテ
   ンショメータの１端に負帰還増幅器の出力を接続し、該
   ポテンショメータの他端に定電流回路を接続し、上記ポ
   テンショメータの摺動端子を介して上記負帰還増幅器に
   負帰還をかけ、上記摺動子と基準電位点との間に被写体
   の明るさの対数に比例する電圧を与えるごとく上記負帰
   還増幅器に受光回路を接続し、上記ポテンショメータの
   固定点に演算出力を取り出すための出力端子を設けたこ
   とを特徴とするカメラの露出情報演算回路。