JPS5842228A - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents
電子ビ−ム露光装置Info
- Publication number
- JPS5842228A JPS5842228A JP13967181A JP13967181A JPS5842228A JP S5842228 A JPS5842228 A JP S5842228A JP 13967181 A JP13967181 A JP 13967181A JP 13967181 A JP13967181 A JP 13967181A JP S5842228 A JPS5842228 A JP S5842228A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- image
- pattern
- dotted pattern
- dot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電子ビーム露光装置にかかり、円形電子ビー
ム（ガウス形ビーム）によって描画を行なう電子ビーム
露光装置に関する。
ム（ガウス形ビーム）によって描画を行なう電子ビーム
露光装置に関する。
最近ＩＣ，ＬＳＩの高密度化によりこれらのパターンも
高度の微細化が要望される傾向にある。このパターンの
超微細化を達成するには、例えばレチクルや基板上に被
着された感光性被膜に電子ビーム走査を施して所望のパ
ターンに形成する方法がとられている。これには円形電
子ビーム（ガウス形ビーム）を用い、集積回路パターン
をドツトパターン変換して描画を行なう手法が知られて
いる。この手法につき第１図およびＷＩｚ図ζ二よって
説明する。図において、（１）は設計された形状のビー
ム輪郭図形で、この内ｓ＆二二極径ｒの電子ビーム（２
ｍ）、 （２ｂ）−を内接させ、これらの各中心を結ん
で形成されるビーム中心図形（３）（破線で表示）とは
相似で両図形における対応する各辺はｒなる距離だけず
れている。このドツトパターン変換において量子化誤差
を最小にするためにはきめ細かな処理が必要である。従
来は上記ビーム輪郭図形（設計パターン）からビーム中
心図形への変換と量子化誤差補正をデータ変換プログラ
ムによって行なっていたが、ＩＣ集積度が増大して図形
データ量が、例えば数百万個にもなるとこの処理のだ重
大な欠点がある。
高度の微細化が要望される傾向にある。このパターンの
超微細化を達成するには、例えばレチクルや基板上に被
着された感光性被膜に電子ビーム走査を施して所望のパ
ターンに形成する方法がとられている。これには円形電
子ビーム（ガウス形ビーム）を用い、集積回路パターン
をドツトパターン変換して描画を行なう手法が知られて
いる。この手法につき第１図およびＷＩｚ図ζ二よって
説明する。図において、（１）は設計された形状のビー
ム輪郭図形で、この内ｓ＆二二極径ｒの電子ビーム（２
ｍ）、 （２ｂ）−を内接させ、これらの各中心を結ん
で形成されるビーム中心図形（３）（破線で表示）とは
相似で両図形における対応する各辺はｒなる距離だけず
れている。このドツトパターン変換において量子化誤差
を最小にするためにはきめ細かな処理が必要である。従
来は上記ビーム輪郭図形（設計パターン）からビーム中
心図形への変換と量子化誤差補正をデータ変換プログラ
ムによって行なっていたが、ＩＣ集積度が増大して図形
データ量が、例えば数百万個にもなるとこの処理のだ重
大な欠点がある。
ｊＯ発明は上に述べた従来の欠点を改良するためのもの
で、電子ビーム露光を施す予定パターンであるビーム輪
郭図形を電子ビームの半径分縮小したビーム中心図形へ
変換するとともにドツトパターンデータに変換する描画
ドツトパターン発生器を内装したことを特徴とする電子
ビーム露光装置を提供する。
で、電子ビーム露光を施す予定パターンであるビーム輪
郭図形を電子ビームの半径分縮小したビーム中心図形へ
変換するとともにドツトパターンデータに変換する描画
ドツトパターン発生器を内装したことを特徴とする電子
ビーム露光装置を提供する。
次にこの発明を１実施例につき図面を参照して詳細に説
明する。第３図はｌ実施例のラスタースキャン方式の電
子ビーム露光装置の構成図である。
明する。第３図はｌ実施例のラスタースキャン方式の電
子ビーム露光装置の構成図である。
まず、コントロールコンピュータαηより設計パターン
のビーム輪郭図形がインターフェイスａ−を経由してこ
のインターフェイスに接続された描画データ記憶装置α
Ｊに格納される０次に前記描画データ記憶装置に接続さ
れた描画ドツトパターン発生器ａ４によってビーム輪郭
図形からドツトパターン変換を量子化誤差の木目細かな
処理を施しながら行ってこれを描画ドツトパターン記憶
装置ａＳに格納する。なお、前記描画ドツトパターン発
生６鱒の機能はのちに詳述する。前記描画データ記憶装
置峙、描画ドツトパターン発生器Ｉおよび描画ドツトパ
ターン記憶装置α騰Ｏ夫々に接続された制御部Ｑηは、
前記描画ドツトパターン記憶装置の次段に設妙られ、か
つ鎗画試料舖のステージ制御に同期した読出し部■にも
接続されて各装置の動作を制御し描画試料ａに所望とす
る設計パターンを形成させる。
のビーム輪郭図形がインターフェイスａ−を経由してこ
のインターフェイスに接続された描画データ記憶装置α
Ｊに格納される０次に前記描画データ記憶装置に接続さ
れた描画ドツトパターン発生器ａ４によってビーム輪郭
図形からドツトパターン変換を量子化誤差の木目細かな
処理を施しながら行ってこれを描画ドツトパターン記憶
装置ａＳに格納する。なお、前記描画ドツトパターン発
生６鱒の機能はのちに詳述する。前記描画データ記憶装
置峙、描画ドツトパターン発生器Ｉおよび描画ドツトパ
ターン記憶装置α騰Ｏ夫々に接続された制御部Ｑηは、
前記描画ドツトパターン記憶装置の次段に設妙られ、か
つ鎗画試料舖のステージ制御に同期した読出し部■にも
接続されて各装置の動作を制御し描画試料ａに所望とす
る設計パターンを形成させる。
次に第４図にこの実施例の一部の描画ドツトパターン発
生器の演算部を示す。また第５図および四捨五入する。
生器の演算部を示す。また第５図および四捨五入する。
なお、ＩＣ設計パターンはすべて台形図形（４辺のうち
２辺は軸、たとえばＸ軸に平行）を単位図形とする描画
データであり、図形の高さ、たとえばＹ方向（η−Ｙｌ
）が電子ビーム１ドツト以下ならば図形を描画しない
。ただしり。
２辺は軸、たとえばＸ軸に平行）を単位図形とする描画
データであり、図形の高さ、たとえばＹ方向（η−Ｙｌ
）が電子ビーム１ドツト以下ならば図形を描画しない
。ただしり。
は第５図に示される）を１ドツトとを比較し。
Ｙ、−η≦１ドツトなればビーム中心図形はすでに消滅
するので次Ｏ図形の処理へ移行させる段階（至）に入る
。ｔた、比較値で一一ηが１ドツトを超える場合は次Ｏ
Ｙｍ ｗｘ Ｙｔとおく初期段階ｏ４に移る。次に、第
６図に示すように図形データなＹ方向に１から１ドツト
幅ζ；順次スライスを施す。従ってＹＢ −Ｙｌ＋１ド
ツト四となる。ついで、７１ ： Ｙｌを判定（至）し
、ｈ≧５で［１図形のドツトバタン変換を終了し次の図
形の処理へ匈」移行する。またＹｍ ＜ Ｙ鵞ならｄス
ライスしたラスター１本の一端（第６図ζ−おける左端
） ＯＸＢ＊と、他端（第６図における右端）のｘｌ、
とを夫々四捨五入する（２）。
するので次Ｏ図形の処理へ移行させる段階（至）に入る
。ｔた、比較値で一一ηが１ドツトを超える場合は次Ｏ
Ｙｍ ｗｘ Ｙｔとおく初期段階ｏ４に移る。次に、第
６図に示すように図形データなＹ方向に１から１ドツト
幅ζ；順次スライスを施す。従ってＹＢ −Ｙｌ＋１ド
ツト四となる。ついで、７１ ： Ｙｌを判定（至）し
、ｈ≧５で［１図形のドツトバタン変換を終了し次の図
形の処理へ匈」移行する。またＹｍ ＜ Ｙ鵞ならｄス
ライスしたラスター１本の一端（第６図ζ−おける左端
） ＯＸＢ＊と、他端（第６図における右端）のｘｌ、
とを夫々四捨五入する（２）。
次にＸｍｔ ： Ｘｍｔ １ドツトを判定翰し、Ｘｌ
ｌ≧Ｘ社−１ｄｏｔ Ｏときは前記「Ｙｍ −Ｙｍ ＋
１ ｄｏｔ Ｃ！５４に戻す。
ｌ≧Ｘ社−１ｄｏｔ Ｏときは前記「Ｙｍ −Ｙｍ ＋
１ ｄｏｔ Ｃ！５４に戻す。
Ｘｌｌ ＜ Ｘｍｔ （ｄｏｔ） Ｏときは「ドツトパ
ターンメモリーの所定エリヤ（Ｙｍ、 Ｘｍｔ ）から
（Ｙｍ、Ｘ恥）ｔで＠ｌ”にセットする（至）」を施し
たのち、前記ｒ Ｙｍ−Ｙｍ ＋ １ ｄｏｔ ＠ Ｊ
に戻す。亀お、上記Ｘｍｔ −１（ムｔ）にお轄る１
ｄ・ｔは、第７図（糾亀二示されるビーム輪郭図形（１
りとビーム中心図形（３りとにおけるビーム中心図形を
同図（ｂ）に示すようにＸ、Ｙ方向に寄せて（図（ＩＬ
）において周辺にとられている工ｄｏｔ０間隔を各に〇
−力方向寄せて）ビーム中心図形（３’）としてｍ屏で
きる。
ターンメモリーの所定エリヤ（Ｙｍ、 Ｘｍｔ ）から
（Ｙｍ、Ｘ恥）ｔで＠ｌ”にセットする（至）」を施し
たのち、前記ｒ Ｙｍ−Ｙｍ ＋ １ ｄｏｔ ＠ Ｊ
に戻す。亀お、上記Ｘｍｔ −１（ムｔ）にお轄る１
ｄ・ｔは、第７図（糾亀二示されるビーム輪郭図形（１
りとビーム中心図形（３りとにおけるビーム中心図形を
同図（ｂ）に示すようにＸ、Ｙ方向に寄せて（図（ＩＬ
）において周辺にとられている工ｄｏｔ０間隔を各に〇
−力方向寄せて）ビーム中心図形（３’）としてｍ屏で
きる。
この発明は集積回路の設計パターンを電子ビーム露光装
置のための描画データに変換するデータ変換プログラム
題二必費とされる次にあげる機能、（１）単位図形デー
タの集合とする図形分割。
置のための描画データに変換するデータ変換プログラム
題二必費とされる次にあげる機能、（１）単位図形デー
タの集合とする図形分割。
（２）描画単位面積境界での図形分割。
（３）単位図形データのソーティング（所定の項目に基
づいて一定の順序に配列し直し）。
づいて一定の順序に配列し直し）。
（４）単位図形データをビーム輪郭図形からビーム中心
図形への変換。
図形への変換。
（５）量子化誤差を最小にするためのきめ細かな処理。
（６）描画図形データとするためのフォーマツティング
。
。
０うち、４Ｉに上記第（４）項とｊｌ（５）項の機能を
電子ビーム露光装置ζ二持たせる。このためデータ変換
プ田グ２ムの変換所要時間を大幅に短縮するという顕著
な利点を備え為。
電子ビーム露光装置ζ二持たせる。このためデータ変換
プ田グ２ムの変換所要時間を大幅に短縮するという顕著
な利点を備え為。
４１１面の簡単１辺明
第１ＩＩおよび第２図はいずれもビーム輪郭図形とビー
ム中心図形との関係を示す図、第３図はと 九の発
明にかかる１実施例のラスタース中ヤン方式 怒の電
子ビーム露光装置の構成図、第４図は１実施例の描画ド
ツトパターン発生器の演算部の構成図、 加第５図、
ＩＪ６図および第７図（ａ）、 （ｂ）はいずれも第
γ４図を説明するための図である。
ム中心図形との関係を示す図、第３図はと 九の発
明にかかる１実施例のラスタース中ヤン方式 怒の電
子ビーム露光装置の構成図、第４図は１実施例の描画ド
ツトパターン発生器の演算部の構成図、 加第５図、
ＩＪ６図および第７図（ａ）、 （ｂ）はいずれも第
γ４図を説明するための図である。
１ ビーム輪郭図形 錫
２ｍ 、 ２ｂ・・・ 電子ビーム
四３ ビーム中心図形
（資）１１ コントロールコンピュー
タ臆 インターフェイス Ｂ 描画データ記憶装置 １４ 描画ドツトパターン発生器１５
ｇ画ドツトパターン記憶装置１６ 読
出し部 １７ 制御部 功 描画試料 ２１ Ｙ方向座標値四捨五入段階２２
η−Ｙ＊ ： １ ｄｏｔ比較段階１）
図形消滅し次の図形へ移行段階−＝Ｙ１とお（段階 図形データをＹ、から１方向に１ド ツト幅でスライスする段階 Ｙ、 ： Ｙ宮を比較する段階 Ｙｓ≧Ｙ！で１図形のドツトバタン変換終了 ｌラスタの両端＆四捨五入する段階 ｘ１． ： ｘ勧−１を比較する段階 ドツトパターンメモリの所定エリア な＠ｌ”にセットする段階 代理人 弁理士 井 上 −男 第 １ 図
２ｍ 、 ２ｂ・・・ 電子ビーム
四３ ビーム中心図形
（資）１１ コントロールコンピュー
タ臆 インターフェイス Ｂ 描画データ記憶装置 １４ 描画ドツトパターン発生器１５
ｇ画ドツトパターン記憶装置１６ 読
出し部 １７ 制御部 功 描画試料 ２１ Ｙ方向座標値四捨五入段階２２
η−Ｙ＊ ： １ ｄｏｔ比較段階１）
図形消滅し次の図形へ移行段階−＝Ｙ１とお（段階 図形データをＹ、から１方向に１ド ツト幅でスライスする段階 Ｙ、 ： Ｙ宮を比較する段階 Ｙｓ≧Ｙ！で１図形のドツトバタン変換終了 ｌラスタの両端＆四捨五入する段階 ｘ１． ： ｘ勧−１を比較する段階 ドツトパターンメモリの所定エリア な＠ｌ”にセットする段階 代理人 弁理士 井 上 −男 第 １ 図
Claims (1)
- 円形電子ビームを用いて描画を行なう電子ビーム露光装
置において、電子ビーム露光を施す予定パターンである
ビーム輪郭図形を、電子ビームの半径分縮小したビーム
中心図形に変換するとともにドツトパターンデータに変
換する描画ドツトパターン発生器を内装したことを特徴
とする電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13967181A JPS5842228A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 電子ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13967181A JPS5842228A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 電子ビ−ム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842228A true JPS5842228A (ja) | 1983-03-11 |
Family
ID=15250704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13967181A Pending JPS5842228A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842228A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0687760U (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-22 | 株式会社椿本チエイン | 割出機と減速機とを組合わせた多分割割出装置 |
-
1981
- 1981-09-07 JP JP13967181A patent/JPS5842228A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0687760U (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-22 | 株式会社椿本チエイン | 割出機と減速機とを組合わせた多分割割出装置 |
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