JPS5840827A - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法Info
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- JPS5840827A JPS5840827A JP13935381A JP13935381A JPS5840827A JP S5840827 A JPS5840827 A JP S5840827A JP 13935381 A JP13935381 A JP 13935381A JP 13935381 A JP13935381 A JP 13935381A JP S5840827 A JPS5840827 A JP S5840827A
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- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C09D133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
- C09D133/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＩＣ又はＬＳＩなどの半導体装置の微細加工に
使用するレジスト・やターン、特に向ｊドライエツチン
グ性ポジ形レジスト・ヤターンの形成方法に関する。
使用するレジスト・やターン、特に向ｊドライエツチン
グ性ポジ形レジスト・ヤターンの形成方法に関する。
ＩＣやＬＳＩなど数ミクロン以下のバタン寸法をもつ微
細加工では従来の湿式エツチング法を用いると、アンダ
ーカットの媚°が精度に対して無視でき々い値となるた
め、もっばらドライエツチングが用いられるようになっ
てきた。これにともなってこれらの微細加工に用いられ
るレゾスト材料にも新たにドライエツチング耐性が重要
な性能として要求されている。
細加工では従来の湿式エツチング法を用いると、アンダ
ーカットの媚°が精度に対して無視でき々い値となるた
め、もっばらドライエツチングが用いられるようになっ
てきた。これにともなってこれらの微細加工に用いられ
るレゾスト材料にも新たにドライエツチング耐性が重要
な性能として要求されている。
レジスト材料のうち、ネガ形材料では分子設計上電子線
、Ｘ線等の放射線に対する感度解像性とドライエ、チン
グ耐性を分離した分子構造とすることかり能であるがデ
ジ形材料ではドライエツチング耐性と放射線に対する感
度がどちらとも主鎖の分解のしやすさに関係し、従って
両性能が相反する傾向を持っているため両性能を同時に
満足するレジスト材料は実現していない。このため高感
度であるがドライエ、チング耐性の低い材料もしくはド
ライエツチング耐性は高いが感度の低い材料を使用せざ
るを得ない丸めサブミクロンドライプロセスのネックと
なっていた。
、Ｘ線等の放射線に対する感度解像性とドライエ、チン
グ耐性を分離した分子構造とすることかり能であるがデ
ジ形材料ではドライエツチング耐性と放射線に対する感
度がどちらとも主鎖の分解のしやすさに関係し、従って
両性能が相反する傾向を持っているため両性能を同時に
満足するレジスト材料は実現していない。このため高感
度であるがドライエ、チング耐性の低い材料もしくはド
ライエツチング耐性は高いが感度の低い材料を使用せざ
るを得ない丸めサブミクロンドライプロセスのネックと
なっていた。
一方ベンゼン壌ヲＩＩＩ ｆｉに待つｙｌｅリフェニル
ノタアクリレートやポリベンノルメタアクリレ−）１．
ＮＩＪ−α−メチルスチレンなどはベンゼン環を肩する
ポジ形しジスＩ・でありベンゼン環の内部保護効果のた
め、高いドライエツチング１制性を有する。しかし、γ
線照射により測定した主鎖分解のＧ値がそれぞれ０．８
６ 、０．３７ 、 （１，２３と代表的なボッ形電子
線レジストであるポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭ
Ａ）の２，２３に比べて小さく、従って電子線やＸ線に
対して、低感度であることが知られている。
ノタアクリレートやポリベンノルメタアクリレ−）１．
ＮＩＪ−α−メチルスチレンなどはベンゼン環を肩する
ポジ形しジスＩ・でありベンゼン環の内部保護効果のた
め、高いドライエツチング１制性を有する。しかし、γ
線照射により測定した主鎖分解のＧ値がそれぞれ０．８
６ 、０．３７ 、 （１，２３と代表的なボッ形電子
線レジストであるポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭ
Ａ）の２，２３に比べて小さく、従って電子線やＸ線に
対して、低感度であることが知られている。
例えばポリフェニルメタアクリレートはｉＫ子線感度１
００μＣ／ｃｍ２が報告されている。、＋５ノ形レジス
トでは溶解性の強い現像溶媒を使用することにより高感
度とすることが可能である。
００μＣ／ｃｍ２が報告されている。、＋５ノ形レジス
トでは溶解性の強い現像溶媒を使用することにより高感
度とすることが可能である。
上記ベンゼン壌含有レジストでも強溶媒現像で、高感度
となるがこの場合分子量に対する選択的溶媒溶解性が低
いため解像性劣化を引きおこし、実用的加工はできない
欠点があった。
となるがこの場合分子量に対する選択的溶媒溶解性が低
いため解像性劣化を引きおこし、実用的加工はできない
欠点があった。
本発明の目的は面Ｊドライエツチング剛性を有し、基板
との接着性に優れ電子線やＸ線に対して高感度でかつ高
解像性のホゾ形しゾストの・ぐターン形成方法を提供す
ることである。
との接着性に優れ電子線やＸ線に対して高感度でかつ高
解像性のホゾ形しゾストの・ぐターン形成方法を提供す
ることである。
本発明によれば６０モル％〜９０モル係のフェニルメタ
アクリレートと４０モル係〜１０モル慢のメタアクリル
酸との共重合体から成るホゾ形しソスト膜を形成する工
程；上記レノスト膜にエネルギービームを照射して潜像
を形成する工程；および極性有機溶媒を含有する現像液
を用いて上記潜像を現像する工程を具備するレジストパ
ターンの形成方法が提供される。
アクリレートと４０モル係〜１０モル慢のメタアクリル
酸との共重合体から成るホゾ形しソスト膜を形成する工
程；上記レノスト膜にエネルギービームを照射して潜像
を形成する工程；および極性有機溶媒を含有する現像液
を用いて上記潜像を現像する工程を具備するレジストパ
ターンの形成方法が提供される。
上記極性有機溶媒としては１．４− 、：／オキサン、
テトラヒドロフラン、又はツメチルホルムアミドが好ま
し２く用いられ、これらは現像液の良溶媒を構成する。
テトラヒドロフラン、又はツメチルホルムアミドが好ま
し２く用いられ、これらは現像液の良溶媒を構成する。
本発明において現像液の貧溶媒としてはシイツブチルケ
トン又けｎ−ヘキサンがｔｊｆ ｔしく用いられる。
トン又けｎ−ヘキサンがｔｊｆ ｔしく用いられる。
本発明におけるベンゼン項含有フェニルメタアクリレー
ト−メタアクリル酸共重合体は、一般に知られている塊
状重合法、溶液重合法および乳化重合法等を用い通常の
手法により製造することができる。
ト−メタアクリル酸共重合体は、一般に知られている塊
状重合法、溶液重合法および乳化重合法等を用い通常の
手法により製造することができる。
重合体中のベンゼン項含有メタアクリレ−１・とメタア
クリル酸の組成比の制御は、重合仕込比による方法が最
も簡便である。この場合、共重合体の組成比は重合仕込
時の単坩体モル比で制御可能である。また、本発明にお
ける共重合体の分子量制御は重合開始剤の濃度および重
合温度の調節による方法が比較的容易である。
クリル酸の組成比の制御は、重合仕込比による方法が最
も簡便である。この場合、共重合体の組成比は重合仕込
時の単坩体モル比で制御可能である。また、本発明にお
ける共重合体の分子量制御は重合開始剤の濃度および重
合温度の調節による方法が比較的容易である。
次に本発明による共重合体ポリマを使用して被加工体の
微細加工を行う方法について説明する。
微細加工を行う方法について説明する。
まず、本発明による共重合体ポリマを適当カ溶媒例えば
モノクロルベンゼン、メチルインブチルケトン、キシレ
ン、ジオキサンまたはこれらの混合溶媒に溶解して溶液
としたのち被加工体面に均−被Ｉｌ！ｉ￥を形成する。
モノクロルベンゼン、メチルインブチルケトン、キシレ
ン、ジオキサンまたはこれらの混合溶媒に溶解して溶液
としたのち被加工体面に均−被Ｉｌ！ｉ￥を形成する。
次にこれを空気中１８０℃以上２５０℃以下ノ温度で３
０分間プリベーキングを行えば高分５− 子間に酸無水物よシなる分子間架橋が形成される。この
ような手順で被加工体表面に形成したレジスト膜に微細
パタンを形成する方法について以下実施例により詳細に
説明する。
０分間プリベーキングを行えば高分５− 子間に酸無水物よシなる分子間架橋が形成される。この
ような手順で被加工体表面に形成したレジスト膜に微細
パタンを形成する方法について以下実施例により詳細に
説明する。
実施例１
プロトン−ＮＦＪＲで分析した本発明による共重合レジ
スト（メタアクリル酸成分３０モルｉ４−セント、ジオ
キサン中３０℃で測定した溶液粘度〔η］ ＝ ２．３
） １：モノクロルベンゼン／メチルインブヂルケト
ン＝１／１容積比の溶媒に約７％溶解し、これを表面熱
酸化シリコンウエノ・に膜厚約０．９ ｔｉｍとなるよ
うに、スピンコーティングする。つぎに空気中２００℃
で１時間プリベーキングを行う。ノリベーキング後の膜
厚は約０．７５μｍとなる。このレゾスト試料に照射量
を変えて電子線を照射したあと、１，４−ゾオキサン／
ゾインブチルケトン２５／７５容積比よシなる現像紗に
室温でに「定時間浸漬し、現像を行った。
スト（メタアクリル酸成分３０モルｉ４−セント、ジオ
キサン中３０℃で測定した溶液粘度〔η］ ＝ ２．３
） １：モノクロルベンゼン／メチルインブヂルケト
ン＝１／１容積比の溶媒に約７％溶解し、これを表面熱
酸化シリコンウエノ・に膜厚約０．９ ｔｉｍとなるよ
うに、スピンコーティングする。つぎに空気中２００℃
で１時間プリベーキングを行う。ノリベーキング後の膜
厚は約０．７５μｍとなる。このレゾスト試料に照射量
を変えて電子線を照射したあと、１，４−ゾオキサン／
ゾインブチルケトン２５／７５容積比よシなる現像紗に
室温でに「定時間浸漬し、現像を行った。
第１図は、この場合の感度曲線を示したもので（Ｄ■■
■はそれぞれ、現像時間が５分、１〇６− 分、２０分および３０分間に対応する。レジスト膜は３
０分間現像においても膨潤や変形が閣められず、感度５
μＣ／ｃｒｎ２、γ値（解像性指標）２．０が得られた
。
■はそれぞれ、現像時間が５分、１〇６− 分、２０分および３０分間に対応する。レジスト膜は３
０分間現像においても膨潤や変形が閣められず、感度５
μＣ／ｃｒｎ２、γ値（解像性指標）２．０が得られた
。
実施例２
共重合体ポリマ（メタアクリル酸成分１０モルＡ−セン
ト、ジオキサン中３０℃で測定した溶液粘度〔η） −
２，１、テトラヒドロフラン溶液ヲ使用し、デルパーミ
ェーションクロマトグラフィで測定した重量平均分子（
］ Ｍｙ ＝ ２．９×１０６）を本発明の共重合体レ
ジストとじて使用し、実施例１と同様の条件で塗布ノリ
ベーキング、電子線照射を行ったあと、１．４−ソオキ
サン／ノイソプチルケトンー１５／８５容積比よりなる
現像液を使用し、室温で２０分間現像を行い感度７μＣ
／ｃｍ２を得た。
ト、ジオキサン中３０℃で測定した溶液粘度〔η） −
２，１、テトラヒドロフラン溶液ヲ使用し、デルパーミ
ェーションクロマトグラフィで測定した重量平均分子（
］ Ｍｙ ＝ ２．９×１０６）を本発明の共重合体レ
ジストとじて使用し、実施例１と同様の条件で塗布ノリ
ベーキング、電子線照射を行ったあと、１．４−ソオキ
サン／ノイソプチルケトンー１５／８５容積比よりなる
現像液を使用し、室温で２０分間現像を行い感度７μＣ
／ｃｍ２を得た。
実施例３
実施例１と同じレジストを使用し、同様の膜厚の膜を形
成し、シリベーキングを実Ｍ１ｊシ、ついで電子線の照
射幅と照射−鼠を変えて電子線照射を行った後、１，４
−ジオキサン／シイツブチルケトン−２５／フ５容積比
の現像液で６分間現像を行った。このあと走査形電子顕
微鏡によりレジスト断面を観察し、基板面１でレジスト
が完全に除去されノ？タン変形の々い照射幅に対する最
小照射量を求めた。壕だ、高い解像性をもつヂソ形電子
線し・シストとして知られているＰ「ｖｌＭＡも同様の
方法によシ比較した。すなわち、巴ＵＪＡにけ）ＩＪ販
品エルバーサイ） ２０４１を使用し、こｔｌｆモノク
ロルベンゼンとメチルイソブチルケトンの同容積比混合
溶液に溶解したのちスピンコーティングし、１７０℃３
０分間ノリベーキングＩ−だ。電子線照射後の現像はＰ
ＭＭＡの標準現像条件として知られているメチルイソブ
チルケトン／イソノロピルアルコ・−ルー’／３ 容積
比の現像液を使用し２１℃で２分間浸ｔｆ７ した。
成し、シリベーキングを実Ｍ１ｊシ、ついで電子線の照
射幅と照射−鼠を変えて電子線照射を行った後、１，４
−ジオキサン／シイツブチルケトン−２５／フ５容積比
の現像液で６分間現像を行った。このあと走査形電子顕
微鏡によりレジスト断面を観察し、基板面１でレジスト
が完全に除去されノ？タン変形の々い照射幅に対する最
小照射量を求めた。壕だ、高い解像性をもつヂソ形電子
線し・シストとして知られているＰ「ｖｌＭＡも同様の
方法によシ比較した。すなわち、巴ＵＪＡにけ）ＩＪ販
品エルバーサイ） ２０４１を使用し、こｔｌｆモノク
ロルベンゼンとメチルイソブチルケトンの同容積比混合
溶液に溶解したのちスピンコーティングし、１７０℃３
０分間ノリベーキングＩ−だ。電子線照射後の現像はＰ
ＭＭＡの標準現像条件として知られているメチルイソブ
チルケトン／イソノロピルアルコ・−ルー’／３ 容積
比の現像液を使用し２１℃で２分間浸ｔｆ７ した。
第２図は解像できる照射幅とこれを得るに必要な最小電
子線照射量との関係を示したものである。■は本発明に
よる共重合体レゾスト、■ば［）ＭＭＡである。本発明
による共重合体レジストは現像液中のソオキサンの混合
比を高く【−ていくと高感度となる１、４−ソオキザン
／ゾイソブチに’ｉ ） ７＝ ２５／７５容積比の現
像液を使用した用台、ＰＭＭＡに比べて約５倍高い実用
風ＩＲｊで設ｎ１値０．１２５μｍ以上の照射幅が解イ
１！できることを第２図は示している。
子線照射量との関係を示したものである。■は本発明に
よる共重合体レゾスト、■ば［）ＭＭＡである。本発明
による共重合体レジストは現像液中のソオキサンの混合
比を高く【−ていくと高感度となる１、４−ソオキザン
／ゾイソブチに’ｉ ） ７＝ ２５／７５容積比の現
像液を使用した用台、ＰＭＭＡに比べて約５倍高い実用
風ＩＲｊで設ｎ１値０．１２５μｍ以上の照射幅が解イ
１！できることを第２図は示している。
実施例４
実施例１と同じ共重合体レゾストおよび実が１１例３と
同様のＰＭＭＡレソストを使用し、８００℃４時間空気
中で熱処理した表面熱酸化シリコンウェハを室温冷却し
た直後にそれぞれのレジストをスピンコーティングした
。この後、本発明による共重合体レゾストは２００℃１
時間、ＰＭＭＡは１７０℃３０分間ノリベーキングを行
った。グリベーキング後のレソスト膜厚幻いずれも０．
７μｍであった。つぎに、実施例３の第２図における解
像できる照射幅２．０μｍにおける電子線照射量で、現
像後に所定の長さの辺全もつ正方形のレジストパタンが
１００個残るような照射を行ったあと、本発明による共
重合１．トレソ９− ストでは１，４−ゾオキサン／シイツブチルケトン＝２
５／７５容積比よりなる現像液で６分間、ＰＭＭＡでは
メチルイソブチルケトン／イソゾロビルアルコール−１
７３容積比よりなる現像液で２分間それぞれ現像を行っ
たのち、・ぐタンを赤査形市子顕微境で観察した第１表
は、それぞれの大きさの正方形パタンに対する各レゾス
トの様子を示したものである。これらの結果により本発
明による共重合体レゾストは基板への接着性に晴れてい
ることが明らかである。
同様のＰＭＭＡレソストを使用し、８００℃４時間空気
中で熱処理した表面熱酸化シリコンウェハを室温冷却し
た直後にそれぞれのレジストをスピンコーティングした
。この後、本発明による共重合体レゾストは２００℃１
時間、ＰＭＭＡは１７０℃３０分間ノリベーキングを行
った。グリベーキング後のレソスト膜厚幻いずれも０．
７μｍであった。つぎに、実施例３の第２図における解
像できる照射幅２．０μｍにおける電子線照射量で、現
像後に所定の長さの辺全もつ正方形のレジストパタンが
１００個残るような照射を行ったあと、本発明による共
重合１．トレソ９− ストでは１，４−ゾオキサン／シイツブチルケトン＝２
５／７５容積比よりなる現像液で６分間、ＰＭＭＡでは
メチルイソブチルケトン／イソゾロビルアルコール−１
７３容積比よりなる現像液で２分間それぞれ現像を行っ
たのち、・ぐタンを赤査形市子顕微境で観察した第１表
は、それぞれの大きさの正方形パタンに対する各レゾス
トの様子を示したものである。これらの結果により本発
明による共重合体レゾストは基板への接着性に晴れてい
ることが明らかである。
第１表
＝１０−
実施例５
実施例１と同様の共重合体レジストを用い、同様の条件
で表面熱酸化シリコン表面にレジスト膜を形成し、グリ
ベーキングを行ったのち、各種・９タンの電子線照射を
行い、１，４−ジオキサン／シイツブチルケトン−２５
／フ５容積比より々る現像溶媒で６分間現像を行った。
で表面熱酸化シリコン表面にレジスト膜を形成し、グリ
ベーキングを行ったのち、各種・９タンの電子線照射を
行い、１，４−ジオキサン／シイツブチルケトン−２５
／フ５容積比より々る現像溶媒で６分間現像を行った。
良好な解像性を示すそれぞれのパタンに対する最小電子
線照射量を第２表に示す。
線照射量を第２表に示す。
なお第２表におけるラインはレジスト残存部であシス（
−スは電子線を照射したレゾスト除去部である。
−スは電子線を照射したレゾスト除去部である。
第２表
１１−
（注１）残存膜厚は半分程度
つぎに第２表に示したパタンを有する酸化シリコン基板
を５−の酸素を含む四フッ化炭素ガスにより平行平板型
反応性ス・やツタエツチング装置−ｃ エツチングを行
った。この場合のエツチング条件は１３．５６ ＭＨｚ
高周波印加、パワー１５０Ｗ、ガス流ｔ １０ ＳＣＣ
Ｍ、ガス圧力６０ ｍＴｏｒｒ ％エツチング時間７分
であった。各ノやタンに対して基板酸化シリコンは２３
００ Ｘ、本発明による共重合体レゾストの膜減り量は
２５ｏｏＸであった。共ｆｆｉ 合体レゾストのエツチ
ングによるパタンの変形は全くみられなかった。この残
存する共重合体レゾスト膜はプラズマアッシンダで容易
に除去され、精度の高い酸化シリコン加工面が得られた
。またＰＭＭＡを使用し、同様のパタンで同一条件の反
応性スパッタエッチングヲ行った場合ＰＭＭＡの膜減り
量は５３００ Ｘとなるほが、残存するＰＭＭＡ ｔ４
タンは凹凸や変形がはげしく、レノスト除去後の酸化シ
リコン加工バタンはレジスト・臂タンと著しく異な多質
形したものが得１２− られた。
を５−の酸素を含む四フッ化炭素ガスにより平行平板型
反応性ス・やツタエツチング装置−ｃ エツチングを行
った。この場合のエツチング条件は１３．５６ ＭＨｚ
高周波印加、パワー１５０Ｗ、ガス流ｔ １０ ＳＣＣ
Ｍ、ガス圧力６０ ｍＴｏｒｒ ％エツチング時間７分
であった。各ノやタンに対して基板酸化シリコンは２３
００ Ｘ、本発明による共重合体レゾストの膜減り量は
２５ｏｏＸであった。共ｆｆｉ 合体レゾストのエツチ
ングによるパタンの変形は全くみられなかった。この残
存する共重合体レゾスト膜はプラズマアッシンダで容易
に除去され、精度の高い酸化シリコン加工面が得られた
。またＰＭＭＡを使用し、同様のパタンで同一条件の反
応性スパッタエッチングヲ行った場合ＰＭＭＡの膜減り
量は５３００ Ｘとなるほが、残存するＰＭＭＡ ｔ４
タンは凹凸や変形がはげしく、レノスト除去後の酸化シ
リコン加工バタンはレジスト・臂タンと著しく異な多質
形したものが得１２− られた。
本発明によるフェニルメタアクリレート−メタアクリル
酸共重合体はこれをジクロルエチルエーテル、モノクロ
ルベンゼン、ジクロルベンゼン、１，２−ジクロルエタ
ンなどの１素含有溶媒やメチルセロソルイ酢酸インアミ
ルなどを良溶媒として含有する現像液で現像した場合、
実施例１と同程度の感度を得ることができるが、実施例
３以下に示したような微細・量タンの現像では・臂タン
エッゾが丸くなる傾向を示し高い形状比（形状比−・量
タンの１１さ／・ぞタンの幅）のレジストパタンを形成
することはできない。
酸共重合体はこれをジクロルエチルエーテル、モノクロ
ルベンゼン、ジクロルベンゼン、１，２−ジクロルエタ
ンなどの１素含有溶媒やメチルセロソルイ酢酸インアミ
ルなどを良溶媒として含有する現像液で現像した場合、
実施例１と同程度の感度を得ることができるが、実施例
３以下に示したような微細・量タンの現像では・臂タン
エッゾが丸くなる傾向を示し高い形状比（形状比−・量
タンの１１さ／・ぞタンの幅）のレジストパタンを形成
することはできない。
本発明による共重合体レジストの溶媒溶解性は通常のポ
リメタアクリル酸エステルと異なり、プリメタアクリル
酸無水物の溶解性に類似することから、極性溶媒である
１、４−ノオキザンを現像液の良溶媒として用いると酸
無水物基との相互作用により溶解が進行するため分子針
に対する選択性が向上し、解像性の高い−ｔＪｉｊ像を
司Ｒ１シとするものである。従って同じ柚類の極性溶媒
、１３− 例えばテトラヒドロフランやジメチルホルムアミド々と
であっても本発明による効果は実現できる。
リメタアクリル酸エステルと異なり、プリメタアクリル
酸無水物の溶解性に類似することから、極性溶媒である
１、４−ノオキザンを現像液の良溶媒として用いると酸
無水物基との相互作用により溶解が進行するため分子針
に対する選択性が向上し、解像性の高い−ｔＪｉｊ像を
司Ｒ１シとするものである。従って同じ柚類の極性溶媒
、１３− 例えばテトラヒドロフランやジメチルホルムアミド々と
であっても本発明による効果は実現できる。
本発明による共重合体ｌ／シストはレジストを被加工体
表面に塗布後、熱処理によりカル？ン酸２分子反応によ
る酸無水物の形成による分子間架橋を形成する。これに
より現像液への耐性が向上し膨−■や変形が起こりにく
く々るため強溶媒現像が可能と々り結果として高感度を
実現したものである。本発明による共重合体レゾスト’
ｔ［４０〜１０モルパーセントのメタアクリル酸成分と
したときにその効果が十分に発揮できる。メタアクリル
酸成分が４０モルノＪ？−セントを超えると感度および
ドライエツチング耐性の低下を招き１０モルパーセント
未満では解像性や耐熱性の低下がおこる。なかでもメタ
アクリル酸成分が３０モルパーセント前後の共重合体レ
ジストでは感度、解像性、耐熱性、耐ドライエ、チング
性などにおいて実用的にバランスのとれたレノストを得
ることができる。
表面に塗布後、熱処理によりカル？ン酸２分子反応によ
る酸無水物の形成による分子間架橋を形成する。これに
より現像液への耐性が向上し膨−■や変形が起こりにく
く々るため強溶媒現像が可能と々り結果として高感度を
実現したものである。本発明による共重合体レゾスト’
ｔ［４０〜１０モルパーセントのメタアクリル酸成分と
したときにその効果が十分に発揮できる。メタアクリル
酸成分が４０モルノＪ？−セントを超えると感度および
ドライエツチング耐性の低下を招き１０モルパーセント
未満では解像性や耐熱性の低下がおこる。なかでもメタ
アクリル酸成分が３０モルパーセント前後の共重合体レ
ジストでは感度、解像性、耐熱性、耐ドライエ、チング
性などにおいて実用的にバランスのとれたレノストを得
ることができる。
１４−
本発明による共重合体レジストはノリベーキングによる
熱処理で高いガラス転移点Ｔｇおよび熱分解点を有する
ポリマを生成する。
熱処理で高いガラス転移点Ｔｇおよび熱分解点を有する
ポリマを生成する。
第３表はこれらの値をそれぞれの４１独ポリマと比較し
たものである。
たものである。
第３表
（注１）Ｔｇは２５０℃１０分間熱処理後測定。
本発明による共重合体レゾストは熱処理によシ優れた熱
的性質を示す。これにより現像液中での膨潤や変形が押
えられて高解像性を示すほかドライエツチングで生じる
高温でも変形を生じない特徴がある。この性質は特に高
温となる高融点金属のリフトオフ工程などへ応用すれば
精度の高い加工が可能となる。
的性質を示す。これにより現像液中での膨潤や変形が押
えられて高解像性を示すほかドライエツチングで生じる
高温でも変形を生じない特徴がある。この性質は特に高
温となる高融点金属のリフトオフ工程などへ応用すれば
精度の高い加工が可能となる。
本発明による共重合体レゾストはカルｄ？ン酸基を有す
ることから、酸化シリコン、シリコン、酸化クロムなど
への親和性が高く従って、実施例４に示したように優れ
た基板への接着性を示す。特に微細バタンでは・臂タン
の接着面積が小さくなることより接着性の悪いレジスト
では・ぐタンの流れや変形を生じやすいのに対し本発明
による共重合体レゾストはサブミクロン微細バタン形成
で有利となる。
ることから、酸化シリコン、シリコン、酸化クロムなど
への親和性が高く従って、実施例４に示したように優れ
た基板への接着性を示す。特に微細バタンでは・臂タン
の接着面積が小さくなることより接着性の悪いレジスト
では・ぐタンの流れや変形を生じやすいのに対し本発明
による共重合体レゾストはサブミクロン微細バタン形成
で有利となる。
第１図は本発明の方法によって形成されたレゾストパタ
ーンにおける規格化残膜率と電子線照射量との関係を示
すグラフ、第２図は本発明および従来例の方法によって
それぞれ形成されたレノストノ！ターンにおける電子線
照射量と解像できる電子線照射幅との関係を示すグラフ
である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦＝１７−
ーンにおける規格化残膜率と電子線照射量との関係を示
すグラフ、第２図は本発明および従来例の方法によって
それぞれ形成されたレノストノ！ターンにおける電子線
照射量と解像できる電子線照射幅との関係を示すグラフ
である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦＝１７−
Claims (2)
- （１）６００モルチル９モル係のフェニルメタアクリレ
ートと４０モル％〜１０モルチのメタアクリル酸との共
重合体から成るＩソ形しゾスト膜を形成する工程；上記
レゾスト膜に放射線を照射して潜像を形成する工程；お
よび極性有機溶媒を含有する現像液を用いて上記潜像を
現像する工程を具備するレゾス） ａＪ？ターンの形成
方法。 - （２）極性有機溶媒は１．４−ジオキサン、テトラヒド
ロフランおよびジメチルホルムアミドから選ばれる特許
請求の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13935381A JPS5840827A (ja) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | レジストパタ−ンの形成方法 |
| US06/339,414 US4430419A (en) | 1981-01-22 | 1982-01-15 | Positive resist and method for manufacturing a pattern thereof |
| GB8201246A GB2093048B (en) | 1981-01-22 | 1982-01-18 | Positive resist copolymer and method for manufacturing a pattern therewith |
| CA000394565A CA1211600A (en) | 1981-01-22 | 1982-01-20 | Positive resist and method for manufacturing a pattern thereof |
| NLAANVRAGE8200211,A NL186119C (nl) | 1981-01-22 | 1982-01-21 | Werkwijze voor het vormen van een patroon voor een positieve resist. |
| DE19823201815 DE3201815A1 (de) | 1981-01-22 | 1982-01-21 | Positives resistmaterial und verfahren zur herstellung eines musters daraus |
| FR8200936A FR2498198B1 (fr) | 1981-01-22 | 1982-01-21 | Revetement resistant positif et procede pour la formation d'un dessin de ce revetement sur un substrat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13935381A JPS5840827A (ja) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840827A true JPS5840827A (ja) | 1983-03-09 |
| JPH0157779B2 JPH0157779B2 (ja) | 1989-12-07 |
Family
ID=15243345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13935381A Granted JPS5840827A (ja) | 1981-01-22 | 1981-09-04 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840827A (ja) |
-
1981
- 1981-09-04 JP JP13935381A patent/JPS5840827A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0157779B2 (ja) | 1989-12-07 |
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