JPS5840521Y2 - ビ−ム直進形マイクロ波管装置 - Google Patents

ビ−ム直進形マイクロ波管装置

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JPS5840521Y2
JPS5840521Y2 JP12102577U JP12102577U JPS5840521Y2 JP S5840521 Y2 JPS5840521 Y2 JP S5840521Y2 JP 12102577 U JP12102577 U JP 12102577U JP 12102577 U JP12102577 U JP 12102577U JP S5840521 Y2 JPS5840521 Y2 JP S5840521Y2
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JP
Japan
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annular
tube device
microwave tube
shim
envelope
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JP12102577U
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JPS5447356U (ja
Inventor
勝利 藤田
Original Assignee
株式会社東芝
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案はビーム直進形マイクロ波管装置の改良に関す
る。
一般にビーム直進形マイクロ波管装置例えば進行波管装
置においては、電子銃から放射された電子ビームを集束
するために磁界を用いているが、主として中出力以下の
螺旋形進行波管には極性の異る環状磁石を重ね合わせる
ことによって生ずる周期的磁界を用いている。
これはコイルによる磁界に比べ、小形にして消費電力を
要しない利点があり、一種の短焦点磁気レンズを形成し
、電子ビームの発散を防いでいる。
このような進行波管装置の要部を示すと、従来、第1図
のようになり、進行波管の外囲器1の外周には複数の環
状シム2が軸方向に所定間隔で並設され、この各環状シ
ム2間に環状磁石3が配設されている。
この場合、両端の環状シム(図示せず)は断面り字形に
形成され、両端以外の環状シム2は図からも明らかなよ
うに断面丁字形に形成されており、約20個使用してい
る。
ところで上記のような従来の進行波管装置においては環
状シム2と環状磁石3の機械製作上の精度で軸上中心磁
界分布が固定され、精度誤差による磁界分布の修正が困
難である。
そして環状シム2及び環状磁石3の磁気抵抗を変化させ
ることによる軸上中心磁界を可変することができず、こ
れにより、電子ビーム透過・集束は進行波管の軸上機械
精度に左右される。
又、環状シム2と環状磁石3を組み合せる際、環状磁石
3が同極のため反発作用を起して外れたり、環状シム2
の位置が不安定となって外囲器1への環状磁石3の組込
みが困難という欠点がある。
この考案は上記従来の欠点を除去したもので、環状シム
及び電子ビーム集束用環状磁石を遅波回路外囲器の軸上
任意の位置に可変固定し、磁気抵抗の変化によって生じ
る電子ビーム集束と、電子ビームと電磁波の相互作用を
良好にするビーム直進形マイクロ波管装置を提供するこ
とを目的とする。
以下、図面を参照してこの考案の一実施゛例を詳細に説
明する。
ビーム直進形マイクb波管装置として進行波管装置を例
にとれば、この考案は第2図及び第3図に示すように構
成される。
即ち、従来例と同一個所は同一符号を付すことにすると
、進行波管の遅波回路外囲器1の外周には複数の環状シ
ム2が軸方向に所定間隔で並設され、この各環状シム2
間にはそれぞれ環状磁石3が配設されている。
この場合、外囲器1の外周及び環状シム2の内周にはそ
れぞれねじ溝4,5が刻設されており、環状シム2を回
転させることにより、環状シム2は軸方向に移動自在と
なっている。
環状シム2が移動自在ということは、勿論、環状磁石3
も軸方向に移動自在ということである。
更に、この考案では環状シム2に管軸にほぼ垂直な面で
且つ円周方向に切込み6を設け、スプリング作用を生じ
させている。
この考案のビーム直進形マイクロ波管装置(進行波管装
置)は、上記説明及び図示のように構成され、外囲器1
の外周及び環状シム2の内周にそれぞれねじ溝4,5を
設けているので外囲器1の任意の位置に環状シム2を固
定することができる。
即ち、環状シム2を環状磁石3と良く密着した状態で円
周方向に回転させ、軸方向に外囲器1外周上を任意に位
置を変えると集束磁界分布も変えることができる。
更に環状シム2を円周方向に回転させ、環状磁石3との
間に間隙を設け、この間隙を環状シム2で調整すると磁
気抵抗を可変することができ、軸上中心磁界をも変える
ことができる。
このようにこの考案では、簡単な方法で磁気抵抗をも微
調整可能とし、部品精度誤差による磁界強度のバラツキ
をなくして良好な電子ビーム集束、電磁波と電子ビーム
との相互作用が得られるという利点がある。
更に、この考案では、環状シム2に切込み6を設けてス
プリング作用を生じさせている。
従って、磁気抵抗の可変の場合は環状シム2を回転させ
、又、切込み6のスプリング作用により、磁気抵抗の微
調整も可能である。
即ち、シム2を回転して軸方向に移動すれば、シム2に
設けた切込み6の間隙寸法が変化し、このシム2を通っ
て管軸方向に導かれる磁力線に対する磁気抵抗を変える
ことができ、従って、管軸上の周期磁界の周期幅及び磁
界強度の値を微細に調整することができる。
ちなみに進行波管においては、切込み6の間隙寸法がQ
、05mm以上の微調整が実用上必要な値であり、シム
2の板厚に対して極めて僅かの寸法の可変範囲で十分で
ある。
以上説明したようにこの考案によれば、実用的価値大な
るビーム直進形マイクロ波管装置を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図a、l)は従来のビーム直進形マイクロ波管装置
(進行波管装置)の要部を示す断面図と側面図、第2図
はこの考案の一実施例に係るビーム直進形マイクロ波管
装置(進行波管装置)の要部を示す断面図、第3図はそ
の要部拡大図である。 1・・・・・・外囲器、2・・・・・・環状シム、3・
・・・・・環状磁石、4゜5・・・・・・ねじ溝、7・
・・・・・支持筒。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ビーム直進形マイクロ波管の外囲器の外周に直接又は支
    持筒を介して軸方向に所定間隔で複数の環状シムを並設
    し且つ環状シム間に環状磁石を配設してなるビーム直進
    形マイクロ波管装置において、前記環状シム内周にねし
    溝を設けると共に前記外囲器外周又は前記支持筒外周に
    もねし溝を設け、更に上記環状シムに管軸にほぼ垂直な
    面で且つ円周方向に切込みを設けたことを特徴とするビ
    ーム直進形マイクロ波管装置。
JP12102577U 1977-09-08 1977-09-08 ビ−ム直進形マイクロ波管装置 Expired JPS5840521Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12102577U JPS5840521Y2 (ja) 1977-09-08 1977-09-08 ビ−ム直進形マイクロ波管装置

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JP12102577U JPS5840521Y2 (ja) 1977-09-08 1977-09-08 ビ−ム直進形マイクロ波管装置

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Publication Number Publication Date
JPS5447356U JPS5447356U (ja) 1979-04-02
JPS5840521Y2 true JPS5840521Y2 (ja) 1983-09-12

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ID=29077781

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JP12102577U Expired JPS5840521Y2 (ja) 1977-09-08 1977-09-08 ビ−ム直進形マイクロ波管装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58109145U (ja) * 1982-01-20 1983-07-25 日本電気株式会社 進行波管装置

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JPS5447356U (ja) 1979-04-02

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