JPS5839584U - 希ガスサンプリング装置 - Google Patents

希ガスサンプリング装置

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Publication number
JPS5839584U
JPS5839584U JP1981133750U JP13375081U JPS5839584U JP S5839584 U JPS5839584 U JP S5839584U JP 1981133750 U JP1981133750 U JP 1981133750U JP 13375081 U JP13375081 U JP 13375081U JP S5839584 U JPS5839584 U JP S5839584U
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JP
Japan
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vial
sampling
conduit
tank
valve
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Application number
JP1981133750U
Other languages
English (en)
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JPS6132349Y2 (ja
Inventor
清治 山口
山内　英嗣
河野　悦雄
山佐　哲
室　亨
尾川　滋
野田　雄二
哲 今井
Original Assignee
富士電機株式会社
北海道電力株式会社
関西電力株式会社
四国電力株式会社
九州電力株式会社
日本原子力発電株式会社
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Publication date
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
    • Y02E30/30—Nuclear fission reactors

Landscapes

  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Monitoring And Testing Of Nuclear Reactors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
図は本考案の一実施例の概略構成図である。 ６・・・サンプリングタンク、９Ａ、　　９Ｂ、　　９
Ｃ。 ９Ｄ・・・サンプＩＪ　７グ導管、１０Ａ、　　１０Ｂ
、　　Ｉ　ＯＣ・・・バイアルびん、ＩＩＡ、ＩＩＢ、
Ｔｉｃ・・・圧力発信器、１２Ａ〜１２Ｍ・・・電磁弁
、１５Ａ。 １５Ｂ、１５Ｃ・・・希釈槽。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）希ガスを含むサンプル空気が案内される配管に分
    岐接続されたサンプリング導管と、このサンプリング導
    管に弁を介して接続されたバイアルぴんと、このバイア
    ルびんの弁の前記サンプリング導管への接続部を挾んで
    、前記サンプリング導管の上流側および下流側にそれぞ
    れ配置された弁と、前記バイアルびんの弁の接続部の後
    のサンプリング導管に弁を介してそれぞれ接続された容
    積の異なる複数個の希釈槽と、前記バイアルびんの弁の
    接続部の後のキンプリング導管に弁を介して接続された
    別のバイアルぴんと、前記希釈槽および前記別のバイア
    ルびんの前段のサンプリング導管に分岐接続された希釈
    ガス供給管と、前記希釈槽および前記別のバイアルびん
    の接続部の後のサンプリング導管に配設された前記バイ
    アルびん、別のバイアルヒンおよび希釈槽を真空にする
    ための真空ポンプとを備え、真空にされた前記バイアル
    びんに前記サンプル空気を取入れ、そのサンプル空気中
    の希ガス濃度が高い涙金には、前記バイアルびん中のサ
    ンプル空気を、前記希釈ガス供給管を介して供給される
    希釈ガスにより、前記希釈槽にて希釈した後に前記別の
    バイアルびん中に導入することを特徴とする希ガスサン
    プリング装置。
  2. （２）実用新案登録請求の範囲第１項記載のサンプリン
    グ装置において、前記配管にはサンプリングタンクが配
    設され、前記サンプリング導管はこのサンプリングタン
    クの後の配管に分岐接続されることを特徴とする希ガス
    サンプリング装置。
  3. （３）実用新案登録請求の範囲第１項または第２項記載
    のサンプリング装置において、前記配管には希ガス濃度
    のレベルを監視するレベルモニタが設けられていること
    を特徴とする希ガスサンプリング装置。
JP1981133750U 1981-09-09 1981-09-09 希ガスサンプリング装置 Granted JPS5839584U (ja)

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JPS5839584U true JPS5839584U (ja) 1983-03-15
JPS6132349Y2 JPS6132349Y2 (ja) 1986-09-20

Family

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013019883A (ja) * 2011-06-15 2013-01-31 Toshiba Corp 原子炉格納容器内雰囲気監視装置および原子炉格納容器内雰囲気監視方法
JP2017078578A (ja) * 2015-10-19 2017-04-27 富士電機株式会社 試料採取装置及び試料採取方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013019883A (ja) * 2011-06-15 2013-01-31 Toshiba Corp 原子炉格納容器内雰囲気監視装置および原子炉格納容器内雰囲気監視方法
JP2017078578A (ja) * 2015-10-19 2017-04-27 富士電機株式会社 試料採取装置及び試料採取方法

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JPS6132349Y2 (ja) 1986-09-20

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