JPS5837892A - 磁気バブルメモリの消去回路 - Google Patents
磁気バブルメモリの消去回路Info
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- JPS5837892A JPS5837892A JP56135163A JP13516381A JPS5837892A JP S5837892 A JPS5837892 A JP S5837892A JP 56135163 A JP56135163 A JP 56135163A JP 13516381 A JP13516381 A JP 13516381A JP S5837892 A JPS5837892 A JP S5837892A
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- Japan
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- bubble
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- bubbles
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は不要バブルを消去する消去回路に関するＯ
近年、磁気バブルメモリの記憶媒体として動作する磁気
バブル（以下パズル）として直径がレー以下の所ｗナプ
イクロンパズルを用いて記憶容量を増加したメモリデバ
イスの開発が進められておシ、これに“はパブ化の転送
を連接形転送回路により行う方法がとられている。
バブル（以下パズル）として直径がレー以下の所ｗナプ
イクロンパズルを用いて記憶容量を増加したメモリデバ
イスの開発が進められておシ、これに“はパブ化の転送
を連接形転送回路により行う方法がとられている。
この方法はパズルを保持する磁性膜が一定方向の磁化容
易軸を有する第１領域と、この領域を囲みこれと直交し
た磁化容易軸をもつ第２領域とによシ形成され、第１領
域によシバプル情報転送用のメジャ・ループパターンと
パズル情報格納用の数多くのマイカ・ループパターンと
が形成されてなるもので、第２領域はバブル保持膜への
イオン注入或は第１領域とは磁化容易軸の方向が異る磁
性膜の形成などの方法によυ作ることができる。
易軸を有する第１領域と、この領域を囲みこれと直交し
た磁化容易軸をもつ第２領域とによシ形成され、第１領
域によシバプル情報転送用のメジャ・ループパターンと
パズル情報格納用の数多くのマイカ・ループパターンと
が形成されてなるもので、第２領域はバブル保持膜への
イオン注入或は第１領域とは磁化容易軸の方向が異る磁
性膜の形成などの方法によυ作ることができる。
ここでメジャ・ループパターンおよびマイカ・ループパ
タークユ多数のディスク形パターンまたは角形パターン
を連接した形状をとるため、連接形転送回路（コｙティ
ギ、アス・ディスクパターン）と云われている。
タークユ多数のディスク形パターンまたは角形パターン
を連接した形状をとるため、連接形転送回路（コｙティ
ギ、アス・ディスクパターン）と云われている。
第１図および第２図社連接形転送回路の説明図で（２）
は正面図また（６）はＡ−Ａ’線における断面図である
。
は正面図また（６）はＡ−Ａ’線における断面図である
。
パプルメ篭す用徴性膜は非磁性ガーネットであるガドリ
ニウム・ガリウムガーネツ） （ＧｄｓＧＢｍ〜略称Ｇ
ＧＧ）よりなるウェハ１の上にバブル保持膜となる磁性
ガーネット薄膜２を液相エピタキシャル成長させた後、
第１図の場合は転送パターン３を除く部分に水素イオｙ
（ｕ ）＊ヘリウムイオン（Ｈ＠＋）、ネオンイオン
（Ｎｏ＋）などのイオンを注入することにより磁化容易
軸が膜面に対し垂直方向に配列している磁性ガーネット
薄膜２の内イオン注入部４の磁化容易軸の方向を面方向
に倒したものである。
ニウム・ガリウムガーネツ） （ＧｄｓＧＢｍ〜略称Ｇ
ＧＧ）よりなるウェハ１の上にバブル保持膜となる磁性
ガーネット薄膜２を液相エピタキシャル成長させた後、
第１図の場合は転送パターン３を除く部分に水素イオｙ
（ｕ ）＊ヘリウムイオン（Ｈ＠＋）、ネオンイオン
（Ｎｏ＋）などのイオンを注入することにより磁化容易
軸が膜面に対し垂直方向に配列している磁性ガーネット
薄膜２の内イオン注入部４の磁化容易軸の方向を面方向
に倒したものである。
また、＠２図の場合は磁性ガーネット薄膜２の上に磁化
容易軸を面内にもつガーネット例えばイットニクム・ア
イアン・ガーネット（ＹＩＧ）の転送パターンを形成さ
せたもので、イオン注入を施したと同様な特性をもつバ
ブル転送回路を得ることができ、駆動磁界の回転方向が
時計方向の場合、＠１図囚および第２図囚に示すように
バブル７は駆動磁界の回転に従って連接形転送回路に従
うて順次転送が行われる。
容易軸を面内にもつガーネット例えばイットニクム・ア
イアン・ガーネット（ＹＩＧ）の転送パターンを形成さ
せたもので、イオン注入を施したと同様な特性をもつバ
ブル転送回路を得ることができ、駆動磁界の回転方向が
時計方向の場合、＠１図囚および第２図囚に示すように
バブル７は駆動磁界の回転に従って連接形転送回路に従
うて順次転送が行われる。
かかる連接形転送回路を用いたバブルメモリデバイスに
おいては、シシグルループ構成とメジャ・マイナループ
構成りがあり、後者は転送回路としてパズル情報の書き
込みを行う書き込みメ°ジャライン、読み出しを行なう
読み出しメジャラインおよびパズル情報の格納を行うマ
イナループがある。
おいては、シシグルループ構成とメジャ・マイナループ
構成りがあり、後者は転送回路としてパズル情報の書き
込みを行う書き込みメ°ジャライン、読み出しを行なう
読み出しメジャラインおよびパズル情報の格納を行うマ
イナループがある。
また、導体回路によ）バブル発生器、消去器などの機能
ゲートが作られている。
ゲートが作られている。
さて、かかるバブルメ売りデバイスにおいてバブル情報
の書き込み或いは読み出し操作が終った不要バブルは消
去すゐ必要があシ、従来は電流により消去する方法がと
られていた。
の書き込み或いは読み出し操作が終った不要バブルは消
去すゐ必要があシ、従来は電流により消去する方法がと
られていた。
第３図は耽み出しメジャフィンを転送するバブルを検出
器により検出後、これを消去する従来の消去回路の説明
図、また第４図はこれに流れる電流波形でおる。
器により検出後、これを消去する従来の消去回路の説明
図、また第４図はこれに流れる電流波形でおる。
ここではイオン注入法により連接形転送回路を作為実施
例についで説明する。
例についで説明する。
第３図において、イオン注入によシ磁化容易軸の方向が
面内方向に配向したイオン注入領域８に＠！まれて非イ
オン注入領械よりなる連接形転送パターン９およびバブ
ルストレッ？用パ／−ン１０があ）、この上にはアルミ
・銅（ＭφＣｕ）合金或は金（Ａｕ）からなる蒸着膜に
よシ導体回路１１が設けられており、また、この導体回
路の上には酸化硅素（Ｓｉｎ、）蒸着膜からなる絶縁層
を介してパーマロイからなる磁気抵抗素子１２が設けら
れている。
面内方向に配向したイオン注入領域８に＠！まれて非イ
オン注入領械よりなる連接形転送パターン９およびバブ
ルストレッ？用パ／−ン１０があ）、この上にはアルミ
・銅（ＭφＣｕ）合金或は金（Ａｕ）からなる蒸着膜に
よシ導体回路１１が設けられており、また、この導体回
路の上には酸化硅素（Ｓｉｎ、）蒸着膜からなる絶縁層
を介してパーマロイからなる磁気抵抗素子１２が設けら
れている。
ここで、駆動磁界が反時計方向に回転している場合につ
いて第３図の検出、消去機能を説明すると、連接形転送
パターン９で導体回路１１に隣接するカスブ位置にある
バブル１３は駆動磁界の１回転後次Ｏカズズ位置１４に
移るが、この段階で導体パターン１１にこのヘアピン内
部位置１５のパイアメ磁界が弱まる方向に、第４図に示
すパルス電流１６を加えるとカプス位置１４にあるバブ
ルはストレッチされてヘアピン内部に拡大して磁気抵抗
素子１２によシバプルの存在が検出され、そのりストレ
ッチ電流と逆方向に第４図のパルス電流１７を流し、パ
ズルに加えられているバイアス磁界値をバブルの消減磁
界値にまで増加さすことＫよシ消去が行われていた。
いて第３図の検出、消去機能を説明すると、連接形転送
パターン９で導体回路１１に隣接するカスブ位置にある
バブル１３は駆動磁界の１回転後次Ｏカズズ位置１４に
移るが、この段階で導体パターン１１にこのヘアピン内
部位置１５のパイアメ磁界が弱まる方向に、第４図に示
すパルス電流１６を加えるとカプス位置１４にあるバブ
ルはストレッチされてヘアピン内部に拡大して磁気抵抗
素子１２によシバプルの存在が検出され、そのりストレ
ッチ電流と逆方向に第４図のパルス電流１７を流し、パ
ズルに加えられているバイアス磁界値をバブルの消減磁
界値にまで増加さすことＫよシ消去が行われていた。
以上は読み出しメ、ジャジインにおけるバブルの消去法
であるが、書き込みメジャラインにおいて１７１１回路
により置き換えられた不要バブル情報は第３図において
検出器、を除いた回路を用い、消去パルスを加えること
により消去が行われてい九〇 このように連接形転送回路を用いる従来のバプルメ篭り
デバイスにおいては、バブルの消去はヘアピン形導体回
路にノくルス電流を加える方法によシ行われているが、
Ａルス電源回路が複雑になるなどの欠点があった。
であるが、書き込みメジャラインにおいて１７１１回路
により置き換えられた不要バブル情報は第３図において
検出器、を除いた回路を用い、消去パルスを加えること
により消去が行われてい九〇 このように連接形転送回路を用いる従来のバプルメ篭り
デバイスにおいては、バブルの消去はヘアピン形導体回
路にノくルス電流を加える方法によシ行われているが、
Ａルス電源回路が複雑になるなどの欠点があった。
本発明は連接形転送回路を用いるデバイスにおいて不要
バブルの消去をガードレールに導くことにより行うこと
を尉的とし、その方法として磁性ガーネットの結晶磁気
異方性を利用したマージ回路を用いるにある。
バブルの消去をガードレールに導くことにより行うこと
を尉的とし、その方法として磁性ガーネットの結晶磁気
異方性を利用したマージ回路を用いるにある。
マージ回路線〒ｅ Ｊ＊ Ｎ５ｌｓｏｎ郷により発表さ
れているが、第５図によりその動作を示すと次のように
なる・ （Ｔ、Ｊ、Ｎ＠１ｓｏｎ ＠ｔ ａｌ、Ｔｈ＠Ｂｓ１ｌ
Ｓｙｓｔｅｍ ＴｅｃｈＪｎｉｃａｌＪｏｕｒｎａｌ
、Ｖｏｌ、５９．Ｎｏ、２．１９８０ ）バブルメモリ
用ガーネット磁性膜は膜面に垂直方向に一軸異方性磁界
（Ｈｋ）をもっていると共に面方向に互にｎψの角をな
して弱い結晶磁気異方性磁界（Ｋ１ ）が存在する。
れているが、第５図によりその動作を示すと次のように
なる・ （Ｔ、Ｊ、Ｎ＠１ｓｏｎ ＠ｔ ａｌ、Ｔｈ＠Ｂｓ１ｌ
Ｓｙｓｔｅｍ ＴｅｃｈＪｎｉｃａｌＪｏｕｒｎａｌ
、Ｖｏｌ、５９．Ｎｏ、２．１９８０ ）バブルメモリ
用ガーネット磁性膜は膜面に垂直方向に一軸異方性磁界
（Ｈｋ）をもっていると共に面方向に互にｎψの角をな
して弱い結晶磁気異方性磁界（Ｋ１ ）が存在する。
それで膜面に形成される連接回路は結６磁気異方性磁界
（Ｋｓ）との向きによりスーパ・トラック■）、バッド
・トラック（ｂ）、グツド・トラック（ｇ）に分けられ
る。
（Ｋｓ）との向きによりスーパ・トラック■）、バッド
・トラック（ｂ）、グツド・トラック（ｇ）に分けられ
る。
ここでスーパ・トラック■）は、バブル転送路のバイア
スマージンが大きく、バブル転送が容易な通路であり、
パッド・トラック（ｂ）はバイアスマージンが最も狭く
バブル転送が行われにくい通路であり、一方、グツド・
トラック（−はバブル転送について中間的動作マージン
を有する通路である。
スマージンが大きく、バブル転送が容易な通路であり、
パッド・トラック（ｂ）はバイアスマージンが最も狭く
バブル転送が行われにくい通路であり、一方、グツド・
トラック（−はバブル転送について中間的動作マージン
を有する通路である。
さて、連接形転送回路が第５図のように形成されており
、下側転送回路がスーパ・トラック［Ｆ］）にパターン
形成されている場合は上清転送回路はバッド・トラック
（ｂ）となる。
、下側転送回路がスーパ・トラック［Ｆ］）にパターン
形成されている場合は上清転送回路はバッド・トラック
（ｂ）となる。
いま、第５図は連接形転送回路が左の転送回路１８と右
の転送回路１９に一定の間隔２０を置いてパターン形成
されてい石とする。
の転送回路１９に一定の間隔２０を置いてパターン形成
されてい石とする。
この場合左側の転送回路１８の下側で反時計方向の駆動
磁界によ〉転送されてきたバブル２１は次の転送Ｋ１１
ｌ、てギャップ２０がそのパズル径で決ｔゐ一定値以内
の間隔をとる場合は、ギャップ２０ａ今ｔでのバブル転
送におけるカスプと同様に働いてパズルを滞留せしめる
と共に、次の駆動磁界によ〕右側Ｏ転送圏路１９へＷＡ
Ｏ夷線矢線矢印２２すように＠送が行われる。
磁界によ〉転送されてきたバブル２１は次の転送Ｋ１１
ｌ、てギャップ２０がそのパズル径で決ｔゐ一定値以内
の間隔をとる場合は、ギャップ２０ａ今ｔでのバブル転
送におけるカスプと同様に働いてパズルを滞留せしめる
と共に、次の駆動磁界によ〕右側Ｏ転送圏路１９へＷＡ
Ｏ夷線矢線矢印２２すように＠送が行われる。
また、右側の転送回Ｍ！１９で上側のパッド・トラツタ
伽）上を右側から左側へ転送されて亀たバブル雪３は駆
動磁界によ）転送回路に副りて転送さ 。
伽）上を右側から左側へ転送されて亀たバブル雪３は駆
動磁界によ）転送回路に副りて転送さ 。
れギャップ２０に到るが、下側の転送回路がスーパ・Ｆ
ツＶりであるため破線矢印２４に示すように左側の転送
回路に転送されることなく下側の転送回路へと転送され
為。
ツＶりであるため破線矢印２４に示すように左側の転送
回路に転送されることなく下側の転送回路へと転送され
為。
マージ機能はこＯように磁性ガーネットの結晶磁気異方
性を利用してバブル転送を行うものであシ、本発明はこ
れをバブル消去に適用すゐものでマージ回路によシネ要
バブルをガードレールへ導き消去すゐものである。
性を利用してバブル転送を行うものであシ、本発明はこ
れをバブル消去に適用すゐものでマージ回路によシネ要
バブルをガードレールへ導き消去すゐものである。
ここで、ガードレールは転送パターンと同一形状をなし
、バブルメそりデバイスにおいてメモリ回路の周辺にお
かれ不要バブルの掃き出しと消滅の場所として働くもの
で、パーマロイ転送回路を用いゐ従来回路に使用されて
いる。
、バブルメそりデバイスにおいてメモリ回路の周辺にお
かれ不要バブルの掃き出しと消滅の場所として働くもの
で、パーマロイ転送回路を用いゐ従来回路に使用されて
いる。
第６＠は本発明にかかるマージ回路を用いたバブル消去
回路の説明図で、チップ２５０周辺−にはガードレール
２６があシこの中にメジャ拳！イナループよシなる転送
回路がパターン形成されておシ、図では読み出しメジャ
ライ２２７と書き込みメジャ２イン２８の存在位置を示
している。第７図はこＯ部分拡大図で読み出しメジャラ
イン２γ、書き込みメジャライン２Ｂとガードレール２
６てお夛、これから読み出しメジャツイ３／２７と書き
込みメジャライン２８の下側はλ−パ・トラック（８）
であ）、上側はパッド・）？ｙり伽）である。
回路の説明図で、チップ２５０周辺−にはガードレール
２６があシこの中にメジャ拳！イナループよシなる転送
回路がパターン形成されておシ、図では読み出しメジャ
ライ２２７と書き込みメジャ２イン２８の存在位置を示
している。第７図はこＯ部分拡大図で読み出しメジャラ
イン２γ、書き込みメジャライン２Ｂとガードレール２
６てお夛、これから読み出しメジャツイ３／２７と書き
込みメジャライン２８の下側はλ−パ・トラック（８）
であ）、上側はパッド・）？ｙり伽）である。
また、ガードレール２６の両側の転送回路は共にグツド
−トラック（２）上に形成されている。
−トラック（２）上に形成されている。
いま、読み出しメジケライン２フ上を転送されてきた不
要バブル２９は反時ｉｔｔ方向に回転する駆動磁界によ
シギャップ３ｏにまで転送されて来るが、マージ機能に
ょシガートレール２６のグツドトラック（転）Ｋ移シ、
以後ガードレール２６の下端部３１を回って外側部に出
、外側のガードレールを転送する。
要バブル２９は反時ｉｔｔ方向に回転する駆動磁界によ
シギャップ３ｏにまで転送されて来るが、マージ機能に
ょシガートレール２６のグツドトラック（転）Ｋ移シ、
以後ガードレール２６の下端部３１を回って外側部に出
、外側のガードレールを転送する。
次に、書き込みメジキライン２８上の不要バブルも同様
にマージ機能によ〕反対側のバッド・トラック伽）側に
移ることなくガードレール２６の外側へと掃き出される
。
にマージ機能によ〕反対側のバッド・トラック伽）側に
移ることなくガードレール２６の外側へと掃き出される
。
以上のように不要パズルを消去したい回路にマージ回路
を用いることにょシネ要パズルをガードレールへ導くこ
とができ、パー！ロイ転送パターンを用いる従来回路と
同様に消去することができるＯ 本発明は連接形転送回路を用いるバブルメモリデバイス
においては、従来不要バブルの消去を電流パルスを用い
て行っていたのに対し、！−ジ回路により従来と同様に
バブルをガードレールに掃き出すことによシ消去するよ
うにしたもので、これによシネ要バブルの消去が簡単に
行えるようになうた。
を用いることにょシネ要パズルをガードレールへ導くこ
とができ、パー！ロイ転送パターンを用いる従来回路と
同様に消去することができるＯ 本発明は連接形転送回路を用いるバブルメモリデバイス
においては、従来不要バブルの消去を電流パルスを用い
て行っていたのに対し、！−ジ回路により従来と同様に
バブルをガードレールに掃き出すことによシ消去するよ
うにしたもので、これによシネ要バブルの消去が簡単に
行えるようになうた。
ｆｌＩＸ１図および第２図は連接形転送回路の説明図で
囚は正面図、＠はとのＡ−Ａ’ 線における断面図、第
３図は従来のバブル検出消去器、第４図はこれに使用す
るパルス波形、第５図社マージ機能の説明図、第６図は
ガードレールとメジャラインとの関係図、また第７図は
本発明にかかるバブルの消去回路の説明図である。 ラッタ、（哨はグツド・トラフ、２６はガードレール、
２７は読み出しメジャライン２８は書き込みメジャツイ
ン、３０はギャップ。 代理人 弁理士 松 岡 宏四毅ケ懺阜 １ に− （Ａ）
（８）で ）２ 図 （Ａ）
（１３）早 ３ 口 ２ ４− 案５ ロ ６３６ ／６ ／６
囚は正面図、＠はとのＡ−Ａ’ 線における断面図、第
３図は従来のバブル検出消去器、第４図はこれに使用す
るパルス波形、第５図社マージ機能の説明図、第６図は
ガードレールとメジャラインとの関係図、また第７図は
本発明にかかるバブルの消去回路の説明図である。 ラッタ、（哨はグツド・トラフ、２６はガードレール、
２７は読み出しメジャライン２８は書き込みメジャツイ
ン、３０はギャップ。 代理人 弁理士 松 岡 宏四毅ケ懺阜 １ に− （Ａ）
（８）で ）２ 図 （Ａ）
（１３）早 ３ 口 ２ ４− 案５ ロ ６３６ ／６ ／６
Claims (1)
- 磁気バブルを保持すゐ磁性膜が一定方向の磁化容易軸を
有する第１領域と該第１領域を囲み、且つその磁化容易
軸とほぼ直交した磁化容易軸を有する第２領域とを有し
、前記第１領域により磁気パズル情報転送用パターンが
形成された磁気パズルメモリデバイスにおいて、不要と
なった磁気バブルを結晶磁気異方性を利用した！−ジ回
路を用いてガードレールに導き消去させることを特徴と
する磁気バブルメモリの消去回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135163A JPS5837892A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気バブルメモリの消去回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135163A JPS5837892A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気バブルメモリの消去回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837892A true JPS5837892A (ja) | 1983-03-05 |
| JPS634277B2 JPS634277B2 (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=15145291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56135163A Granted JPS5837892A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気バブルメモリの消去回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837892A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182183A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | バブル素子 |
| JPS58182182A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | バブル素子 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0454382U (ja) * | 1990-09-18 | 1992-05-11 |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP56135163A patent/JPS5837892A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182183A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | バブル素子 |
| JPS58182182A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | バブル素子 |
| JPS6038790B2 (ja) * | 1982-04-20 | 1985-09-03 | 電子計算機基本技術研究組合 | バブル素子 |
| JPS6038789B2 (ja) * | 1982-04-20 | 1985-09-03 | 電子計算機基本技術研究組合 | バブル素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS634277B2 (ja) | 1988-01-28 |
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