JPS5835828A - 金属イオン源 - Google Patents
金属イオン源Info
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- JPS5835828A JPS5835828A JP13509181A JP13509181A JPS5835828A JP S5835828 A JPS5835828 A JP S5835828A JP 13509181 A JP13509181 A JP 13509181A JP 13509181 A JP13509181 A JP 13509181A JP S5835828 A JPS5835828 A JP S5835828A
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Links
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 7
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 15
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- -1 gallium ions Chemical class 0.000 abstract description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 4
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N chromium iron Chemical compound [Cr].[Fe] UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/26—Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field effect ion sources, thermionic ion sources
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液体金属イオン源着こ関し、$1こ長寿命で安
定なイオンビームを発生することができるイオン源に関
する0 ガリウム等の金属イオンlこよるイオンビームリソグラ
フィが、フォトシスト内でのイオンの拡敵が電子ビーム
によるリングラフィに比較して小さいことから、サブミ
クロン以下の/櫂ターン製作用のリングラフィとして注
目されており、その為各方面1こおいて金属イオン源の
研究か進められている。第1図は液体金属イオン源の一
部を示しており、1は底部に細孔2が設けられたタンタ
ル等の金属で形成されたりサーバであり、該リザー/(
1内部]こは液体金属例えばガリウム6が入れられてい
る。該りず−バ底部の細孔2を貫通してタングステン製
の針状部材4が配賦され該針状部材の一端は該リザーバ
[II Ic1HJえばスポット溶接暑こよって固着さ
れCおり、電解研磨lこより針状番こされた他端は接地
電位の陰極5に対抗して配置される。
定なイオンビームを発生することができるイオン源に関
する0 ガリウム等の金属イオンlこよるイオンビームリソグラ
フィが、フォトシスト内でのイオンの拡敵が電子ビーム
によるリングラフィに比較して小さいことから、サブミ
クロン以下の/櫂ターン製作用のリングラフィとして注
目されており、その為各方面1こおいて金属イオン源の
研究か進められている。第1図は液体金属イオン源の一
部を示しており、1は底部に細孔2が設けられたタンタ
ル等の金属で形成されたりサーバであり、該リザー/(
1内部]こは液体金属例えばガリウム6が入れられてい
る。該りず−バ底部の細孔2を貫通してタングステン製
の針状部材4が配賦され該針状部材の一端は該リザーバ
[II Ic1HJえばスポット溶接暑こよって固着さ
れCおり、電解研磨lこより針状番こされた他端は接地
電位の陰極5に対抗して配置される。
該リザーバ11こはフィラメント6a、6bがスポット
溶接されており、該フィラメント6m 、6b iこは
電源7から加熱電流が供給される。更に該リザーバ1、
針状部材4Iこはtf7A8から正の高電圧が印カロさ
れている。
溶接されており、該フィラメント6m 、6b iこは
電源7から加熱電流が供給される。更に該リザーバ1、
針状部材4Iこはtf7A8から正の高電圧が印カロさ
れている。
1述したイオン源において針状部材4の先端部には強電
界が印加され、その結果リザーバ内部のガリウムは練強
電界によって底部の細孔2を通り、針状部材4先端部6
ζまで引出される。該先端部のガリウムは強電界1こよ
ってティラーの円錐(TaylorCone )と称さ
れる円錐突起を形成する0この円錐突起の先端部lこは
電界が集中し、先端部のガリ・ツムは電界蒸発し、ガリ
ウムイオンとなって引出される0このようなイオン源は
非常に輝度が高いがガリウムの温度がある温度に保持さ
れていないと安定なイオンビームの発生が困難となる。
界が印加され、その結果リザーバ内部のガリウムは練強
電界によって底部の細孔2を通り、針状部材4先端部6
ζまで引出される。該先端部のガリウムは強電界1こよ
ってティラーの円錐(TaylorCone )と称さ
れる円錐突起を形成する0この円錐突起の先端部lこは
電界が集中し、先端部のガリ・ツムは電界蒸発し、ガリ
ウムイオンとなって引出される0このようなイオン源は
非常に輝度が高いがガリウムの温度がある温度に保持さ
れていないと安定なイオンビームの発生が困難となる。
すなわらガリウムの温度が低いと、針状部材4の表面を
先端部lこ向けて移送される通路の移送抵抗が高くなり
、先端部より電界蒸発に供されるガリウムの流れが不安
定、不連続となり、結果としてイオンビームの不安定性
を招(ことになる。このためフィラメント6m、6b1
こ電流を供給して加熱し、該フィラメントからの伝導熱
によってリザーバ1゜針状部材4.ガリウムを加熱し、
安定に連続してリザーバ内のガリウムが針状部材の先端
部に移送されるようにしでいる。
先端部lこ向けて移送される通路の移送抵抗が高くなり
、先端部より電界蒸発に供されるガリウムの流れが不安
定、不連続となり、結果としてイオンビームの不安定性
を招(ことになる。このためフィラメント6m、6b1
こ電流を供給して加熱し、該フィラメントからの伝導熱
によってリザーバ1゜針状部材4.ガリウムを加熱し、
安定に連続してリザーバ内のガリウムが針状部材の先端
部に移送されるようにしでいる。
さて一般にガリウム等の液体金属は熱拡欽によって物質
表面を移動するが、この拡散速度は温度によって変化し
、高温度では速く、温度が低くなるに従って遅くなり、
ある温度以下では拡敵が生じない0又この拡散は温度の
高い部分から低い部分の方向に生じる。今フィラメント
6g 、6bをタングステンによって形成すると、該タ
ングステンは(−のg抗値〕温度係@(a3X10
”/ ′″C)が大きく、温度が高くあるいは低くなる
に従ってその抵抗値は高くあるいは低くなる。ここで図
面に示したイオン源の製作においてフィラメント6畠と
6bとの淡さや、該フィラメントと他の部分との溶接点
の面積に差があると、通#L1こよって供給される電力
の差1こよってフィラメント6mと6bとで温度の違い
が生じる。前述したようにタングステンは抵抗値の温度
依存が大きく、高温側のフィラメントの抵抗値は更に大
きくなり、両フィラメント間の温度差も大きくなる。こ
の結果例えばフィラメント6aの温度がフィラメント6
bの温度より高いと、該フイラメン)6mからフィラメ
ント6b方向への液状金属の流れが発生する0該フィラ
メント6b表面へのIt状金金属拡#Iこより該フィラ
メント6bの抵抗値は爽に低(なり両フィラメント間の
温度差は著しく大きくなって該液状金属のフィラメント
6bへの流れがより活発化する0このよう盛こ上述した
イオン源ではフィラメント6m側め父゛^温となりフィ
ラメントbb@が低温となってフイラメン)6bilへ
の液状金属の流れが生じるため、針状部材4の針状先端
部からのイオンビームの発生が不安定となると共に、金
属の無駄な消費が多くなり、イオン源の寿命が短(なる
。
表面を移動するが、この拡散速度は温度によって変化し
、高温度では速く、温度が低くなるに従って遅くなり、
ある温度以下では拡敵が生じない0又この拡散は温度の
高い部分から低い部分の方向に生じる。今フィラメント
6g 、6bをタングステンによって形成すると、該タ
ングステンは(−のg抗値〕温度係@(a3X10
”/ ′″C)が大きく、温度が高くあるいは低くなる
に従ってその抵抗値は高くあるいは低くなる。ここで図
面に示したイオン源の製作においてフィラメント6畠と
6bとの淡さや、該フィラメントと他の部分との溶接点
の面積に差があると、通#L1こよって供給される電力
の差1こよってフィラメント6mと6bとで温度の違い
が生じる。前述したようにタングステンは抵抗値の温度
依存が大きく、高温側のフィラメントの抵抗値は更に大
きくなり、両フィラメント間の温度差も大きくなる。こ
の結果例えばフィラメント6aの温度がフィラメント6
bの温度より高いと、該フイラメン)6mからフィラメ
ント6b方向への液状金属の流れが発生する0該フィラ
メント6b表面へのIt状金金属拡#Iこより該フィラ
メント6bの抵抗値は爽に低(なり両フィラメント間の
温度差は著しく大きくなって該液状金属のフィラメント
6bへの流れがより活発化する0このよう盛こ上述した
イオン源ではフィラメント6m側め父゛^温となりフィ
ラメントbb@が低温となってフイラメン)6bilへ
の液状金属の流れが生じるため、針状部材4の針状先端
部からのイオンビームの発生が不安定となると共に、金
属の無駄な消費が多くなり、イオン源の寿命が短(なる
。
本発明はと述した点に#iみてなされたもので、安定な
イオンビームを発生することができ、長寿命のイオン源
を提供することを目的としでいる0本発明に基づくイオ
ン源はイオン化すべき金属を保持するリザーバ部と、該
リザーバ部から液状金属が供給される針状先端部を有し
た針状部材と、該針状先端部に強電界を形成するための
手段と、該リザーバ部あるいは該針状部付に熱的に接続
されイオン化される金属を加熱するためのフィラメント
とを備え、該フィラメント材料としてその抵抗値の温度
係数がα5XlO/C以下の材料を使用したことを特徴
としている0 本発明者は添付図面のイオン連番こおいて、フィラメン
ト6、.6bの材料としてニッケルクロム系合金及び鉄
クロム系合金を用い実験したところ、両フィラメント間
の@直筆は生ぜず、焼時間の使用1こよっても一方のフ
ィラメント方向へのf#、状金属の流れは発生しなかっ
た。このことはニッケルクロム系合金及び鉄クロム系合
金の抵抗値の温度係数がαl−α5XlO/Cとタング
ステン、タンタル、白金等の単体金属のそれと比較し?
1桁以上も小さいこと1とよるものである。
イオンビームを発生することができ、長寿命のイオン源
を提供することを目的としでいる0本発明に基づくイオ
ン源はイオン化すべき金属を保持するリザーバ部と、該
リザーバ部から液状金属が供給される針状先端部を有し
た針状部材と、該針状先端部に強電界を形成するための
手段と、該リザーバ部あるいは該針状部付に熱的に接続
されイオン化される金属を加熱するためのフィラメント
とを備え、該フィラメント材料としてその抵抗値の温度
係数がα5XlO/C以下の材料を使用したことを特徴
としている0 本発明者は添付図面のイオン連番こおいて、フィラメン
ト6、.6bの材料としてニッケルクロム系合金及び鉄
クロム系合金を用い実験したところ、両フィラメント間
の@直筆は生ぜず、焼時間の使用1こよっても一方のフ
ィラメント方向へのf#、状金属の流れは発生しなかっ
た。このことはニッケルクロム系合金及び鉄クロム系合
金の抵抗値の温度係数がαl−α5XlO/Cとタング
ステン、タンタル、白金等の単体金属のそれと比較し?
1桁以上も小さいこと1とよるものである。
このよう5こ本@明においてはフィラメント材料として
抵抗値の温度係数がαsx*o /C以下のニッケル
クロム系合金、鉄クロム系合金あるいは池の材料を使用
するので、フィラメント間の温度をバランス良く保つこ
とができ、液状金属の一方のフィラメントへの流れを抑
止することができるので、長寿命で安定なイオンビーム
を発生することができる金属イオン源が提供される0尚
本発明はイオン化する金属としてガリウム以外のセシウ
ム等地の金属を用いる場合、あるいはリザーバ部tcl
状金属を入れる臘のイオン源のみならず、例えばセシウ
ム化合物の如き粉末状の物質をリザーバ部に入れ、該物
質を加熱すること4こよって液状として針状先端部lこ
供給するようにした臘のイオン臨書こも適用し得る0又
針状先端部を有した部材の一部をコイル状とし、該コイ
ル状部曇こ液状金属を保持し、該部材にフィラメントを
取り付けるよう着こした構造のイオン連番こも本発明を
使用し得る0
抵抗値の温度係数がαsx*o /C以下のニッケル
クロム系合金、鉄クロム系合金あるいは池の材料を使用
するので、フィラメント間の温度をバランス良く保つこ
とができ、液状金属の一方のフィラメントへの流れを抑
止することができるので、長寿命で安定なイオンビーム
を発生することができる金属イオン源が提供される0尚
本発明はイオン化する金属としてガリウム以外のセシウ
ム等地の金属を用いる場合、あるいはリザーバ部tcl
状金属を入れる臘のイオン源のみならず、例えばセシウ
ム化合物の如き粉末状の物質をリザーバ部に入れ、該物
質を加熱すること4こよって液状として針状先端部lこ
供給するようにした臘のイオン臨書こも適用し得る0又
針状先端部を有した部材の一部をコイル状とし、該コイ
ル状部曇こ液状金属を保持し、該部材にフィラメントを
取り付けるよう着こした構造のイオン連番こも本発明を
使用し得る0
添付図面は本発明が使用されるイオン源の一部を示1図
である。 1:リザーバ、2:、ill孔、6:ガリウム、4:針
状部材、5:陰極、6..6b:フィラメント、7:加
熱電源、8:高圧電源、9:支持体。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者加勢忠雄
である。 1:リザーバ、2:、ill孔、6:ガリウム、4:針
状部材、5:陰極、6..6b:フィラメント、7:加
熱電源、8:高圧電源、9:支持体。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者加勢忠雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 L イオン化すべき金属を保持するリザーバ部と、該リ
ザーバ部から液状金属が供給される針状先端部を有した
針状部材と、該針状先端部に強電界を形成するための手
段と、該リザーバ部あるいは該針状部材に熱的に接続さ
れイオン化される金属を加熱するためのフィラメントと
を備え、該フィラメント材料としてその抵抗値の温度係
数が05X10 /C以下の材料を使用したことを特
徴とする金属イオン源。 2− 該リザーバ部は底部に細孔を有した容器であり、
該細孔を貫通して該針状部材が配置されている特許請求
の範囲第1項記載の金属イオン源。 & 該針状部材の一部がイオン化すべき金属を保持する
リザーバ部となっている特許請求の範囲第1項記載の金
属イオン源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13509181A JPS5835828A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 金属イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13509181A JPS5835828A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 金属イオン源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5835828A true JPS5835828A (ja) | 1983-03-02 |
Family
ID=15143620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13509181A Pending JPS5835828A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 金属イオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5835828A (ja) |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP13509181A patent/JPS5835828A/ja active Pending
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