JPS5835456A - 非破壊検査装置 - Google Patents
非破壊検査装置Info
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- JPS5835456A JPS5835456A JP56134125A JP13412581A JPS5835456A JP S5835456 A JPS5835456 A JP S5835456A JP 56134125 A JP56134125 A JP 56134125A JP 13412581 A JP13412581 A JP 13412581A JP S5835456 A JPS5835456 A JP S5835456A
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- internal
- eddy current
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
- G01N29/24—Probes
- G01N29/2412—Probes using the magnetostrictive properties of the material to be examined, e.g. electromagnetic acoustic transducers [EMAT]
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明に被検材の表面欠陥と内部欠陥を検出する非破壊
検査装置に関する。
検査装置に関する。
非接触にて、被検材に存在する欠陥を検出する方法とし
ては、電磁超音波探傷、渦流探傷とがある。しかし、各
々一長一短があり探傷装置とじて満足すべきものでない
。すなわち、電磁超音波探傷では表面欠陥の検出を行え
ず、逆に渦流探傷では内部欠°陥の検出を行えないとい
う欠点を有している。
ては、電磁超音波探傷、渦流探傷とがある。しかし、各
々一長一短があり探傷装置とじて満足すべきものでない
。すなわち、電磁超音波探傷では表面欠陥の検出を行え
ず、逆に渦流探傷では内部欠°陥の検出を行えないとい
う欠点を有している。
以下、これらの従来技術について説明する。
被検体に磁界と渦電流とにより電磁的に超音波を゛発生
させ、探傷を行なう電磁超音波探傷装置は公知であるが
、その−例を第１図に示す。第１図において１は電磁石
鉄心で、その内部には励磁コイル２、検出コイル３が設
けられている。検出コイルφはパルス発生器６及び増幅
器７へ接続されている。増幅器７の出力は表示器８（例
えはンンクロスコープ）へ接続されている。
させ、探傷を行なう電磁超音波探傷装置は公知であるが
、その−例を第１図に示す。第１図において１は電磁石
鉄心で、その内部には励磁コイル２、検出コイル３が設
けられている。検出コイルφはパルス発生器６及び増幅
器７へ接続されている。増幅器７の出力は表示器８（例
えはンンクロスコープ）へ接続されている。
このような構成よりなる装置の動作を第２〜３図全周い
て説明する。コイル２を励磁することにより、被検材５
に磁界が与えられる。この磁界と検出コイル３をパルス
電流で励磁することにより、被検材５にフレミングの法
則に基づくカが作用し、送信波２０が発生する。この送
信波２０１ｄｍ検材５の表面から、はぼ垂直に裏面へ向
って伝搬する。
て説明する。コイル２を励磁することにより、被検材５
に磁界が与えられる。この磁界と検出コイル３をパルス
電流で励磁することにより、被検材５にフレミングの法
則に基づくカが作用し、送信波２０が発生する。この送
信波２０１ｄｍ検材５の表面から、はぼ垂直に裏面へ向
って伝搬する。
被検材５に欠陥が無いとすると、超音波は被検材裏面で
反射さｆ、検出コイル３の下へ戻ってくる。
反射さｆ、検出コイル３の下へ戻ってくる。
この裏面波２２は前記直流磁界との相互作用により、フ
レミングの法則に従がった逆変換を受け、検出コイル３
に電圧として現わ九る。
レミングの法則に従がった逆変換を受け、検出コイル３
に電圧として現わ九る。
−刀、被検材５に欠陥２３が存在すると、欠陥２３で超
音波は反射され、欠陥波２１として戻ってくる。こｎを
とらえることにより、欠陥ｆｆ：検出する。
音波は反射され、欠陥波２１として戻ってくる。こｎを
とらえることにより、欠陥ｆｆ：検出する。
ところが、このような装置には以下に述べるような欠点
がらる。すなわち、検出コイル３をパルス発生器６で励
振する時に、その電圧が増幅器７にも伝わるため、増幅
度を大きくとっている増幅器７は飽和する。それ故に、
この飽和が回復するまでの時間は欠陥波２１が送信波２
０に隠れてしまい、欠陥検出ができない。すなわち、表
面部の欠陥は検出できない欠点を有している。
がらる。すなわち、検出コイル３をパルス発生器６で励
振する時に、その電圧が増幅器７にも伝わるため、増幅
度を大きくとっている増幅器７は飽和する。それ故に、
この飽和が回復するまでの時間は欠陥波２１が送信波２
０に隠れてしまい、欠陥検出ができない。すなわち、表
面部の欠陥は検出できない欠点を有している。
一方、渦流探傷においては内部欠陥を検出できないとい
う欠点を有している。これを第４図を用いて説明する。
う欠点を有している。これを第４図を用いて説明する。
第４図において、９は検出コイル３Ａ、３Ｂｉ励磁する
ための発振器で通常０．５ｋＨｚ −２ＭＨ２程度の周
波数である。３Ａ、３Ｂは被検材５上に設けられた検出
コイルで被検体５に渦電流を発生させる。検出コイル３
Ａ、３Ｅと抵 ゛抗１０’Ａ、ＩＯＢとでブリッ
ジ回路を構成している。ブリッジ回路の出力は増幅器１
１を介して位相検波器１２へ接続さｎている。位相検波
器１２の出力は表示器１３へ接続さ几ている。
ための発振器で通常０．５ｋＨｚ −２ＭＨ２程度の周
波数である。３Ａ、３Ｂは被検材５上に設けられた検出
コイルで被検体５に渦電流を発生させる。検出コイル３
Ａ、３Ｅと抵 ゛抗１０’Ａ、ＩＯＢとでブリッ
ジ回路を構成している。ブリッジ回路の出力は増幅器１
１を介して位相検波器１２へ接続さｎている。位相検波
器１２の出力は表示器１３へ接続さ几ている。
このような構成をもつ渦流探傷装置の動作を以下説明す
る。被検材５において検出コイル３Ａ。
る。被検材５において検出コイル３Ａ。
３Ｂの下に欠陥が存在すると、欠陥により被検材５に発
生する渦電流分布が異なり、検出コイル３Ａ、、３Ｂの
インピーダンスが変化する。それ故に、ブリッジ回路が
アンバランス寥なり、疵信号として現われる。
生する渦電流分布が異なり、検出コイル３Ａ、、３Ｂの
インピーダンスが変化する。それ故に、ブリッジ回路が
アンバランス寥なり、疵信号として現われる。
上記した渦流探傷装置には、表面部の欠陥検出しかでき
ないという欠点を有している。すなわち被検体に発生す
る渦電流の浸透深さは、表皮効果により、普通鋼の場合
で考えて周波数５００８Ｚでも０，５ｍｍ程度しか入ら
ない。それ故に、渦流探傷でに原理的に考えて内部欠陥
検出は不可能である。
ないという欠点を有している。すなわち被検体に発生す
る渦電流の浸透深さは、表皮効果により、普通鋼の場合
で考えて周波数５００８Ｚでも０，５ｍｍ程度しか入ら
ない。それ故に、渦流探傷でに原理的に考えて内部欠陥
検出は不可能である。
本発明の目的は上記のような従来技術のもつ欠点を除去
し、被検材の表面欠陥及び内部欠陥全１１１＾１の探触
子で検出する非破壊検査装置を提供することにある。
し、被検材の表面欠陥及び内部欠陥全１１１＾１の探触
子で検出する非破壊検査装置を提供することにある。
本発明は電磁超音波及び渦流両刀式にコイルがあること
に着目し、同一コイルを渦流、電磁超音波用と切り替え
て使用することに工９、同一探触子て表面及び内部欠陥
の検出を可能とするものである。
に着目し、同一コイルを渦流、電磁超音波用と切り替え
て使用することに工９、同一探触子て表面及び内部欠陥
の検出を可能とするものである。
本発明の一実施例を第５図を用いて説明する。
第５図において、その特徴となる７点はパルス発生器６
及び発振器９がタイミング制御回路１９で制御される切
替スイッチ１４を介して検出コイル３Ａ、３Ｂに接続さ
れていること、および増幅器７の出力及び位相検波器１
２の出力がＡ／Ｄ変換器１６Ａ、１６Ｂ、メモリ１７Ａ
、 １７ Ｂ、Ｉ）／Ａ変換器１８Ａ、１８Ｂを介し
て、表示器３１へ接続≧れていることで、その他は第１
図、第４図に示す従来装置と同一である。
及び発振器９がタイミング制御回路１９で制御される切
替スイッチ１４を介して検出コイル３Ａ、３Ｂに接続さ
れていること、および増幅器７の出力及び位相検波器１
２の出力がＡ／Ｄ変換器１６Ａ、１６Ｂ、メモリ１７Ａ
、 １７ Ｂ、Ｉ）／Ａ変換器１８Ａ、１８Ｂを介し
て、表示器３１へ接続≧れていることで、その他は第１
図、第４図に示す従来装置と同一である。
このような構成？もつ装置において、その動作を第６図
のタイムチャートラ用いて説明する。
のタイムチャートラ用いて説明する。
タイミング制御回路１９で制御さｎるスイッチ１４．１
５はＡ側、Ｂ側と所定の周期で切り替わる。Ａ側に入っ
ているときは励磁電源４、パルス発生器６カ：動作し、
電磁超音波にＬ９内部欠陥検出°を行なう。逆にＢ側に
スイッチ１４．１５が入っているときは発、振器９が動
作し、渦流探傷により表面欠陥検出を行なう。内部欠陥
、表面欠陥検出情報はメモｌ７１７Ａ、１７８に書き込
まれ、両刀の情報が所定のタイミングで表示器３１に表
示さｎる。
５はＡ側、Ｂ側と所定の周期で切り替わる。Ａ側に入っ
ているときは励磁電源４、パルス発生器６カ：動作し、
電磁超音波にＬ９内部欠陥検出°を行なう。逆にＢ側に
スイッチ１４．１５が入っているときは発、振器９が動
作し、渦流探傷により表面欠陥検出を行なう。内部欠陥
、表面欠陥検出情報はメモｌ７１７Ａ、１７８に書き込
まれ、両刀の情報が所定のタイミングで表示器３１に表
示さｎる。
第７図には表示器３１の表示面の一例を示す。
表面欠陥大きさ、内部欠陥の大きさおよび深さがレベル
メータに表わされる。
メータに表わされる。
以上説明したように、不発明は１個の探触子に被検材の
表面欠陥と内部欠陥を検出する欠陥検出手段を設けてい
るので、検査を短時間で行え作業能率を著しく向上させ
ることができる。また、表面欠陥と内部欠陥をそれぞｎ
探傷する設ａを設ける必要がなく装置を小型、安価にで
きる。
表面欠陥と内部欠陥を検出する欠陥検出手段を設けてい
るので、検査を短時間で行え作業能率を著しく向上させ
ることができる。また、表面欠陥と内部欠陥をそれぞｎ
探傷する設ａを設ける必要がなく装置を小型、安価にで
きる。
なお、上述の説明では表面欠陥を内部欠陥の探傷の切換
えを・スイッチを用いて行っているが、タイミング制御
回路などを用いても行えるのは明らかであろう。
えを・スイッチを用いて行っているが、タイミング制御
回路などを用いても行えるのは明らかであろう。
第１図は従来の電磁超音波探傷装置の一例を示す構成図
、第２図は電磁超音波探傷の原理説明図、第３図は同じ
く波形図、第４図は渦流探傷装置の一例を示す構成図、
第５図は不発明の一実施例を示す構成図、￥６図はその
動作説明用のタイツ、チャート、第７図（１欠陥表示の
一例を示す表示状態図でるる。 １・・・電磁石鉄心、２・・・励砒コイル、３・・・検
出コイル、４・・励已電源、５・・・被検体、６・・・
パルス発生器、７・・増幅器、９・・・発振器、１０・
・・抵抗、１１・・増幅器、１２・・・位相検波器、１
４・・・切替スイッチ、１５・・切替スイッチ、１６・
・Ａ／Ｄ変換器、１７・・・メモリ、１８・・Ｄ／Ａ変
換器、１９・・タイミング制御回路、３０−・・カウン
タ、３１・・・表示−一第１図 第３■
、第２図は電磁超音波探傷の原理説明図、第３図は同じ
く波形図、第４図は渦流探傷装置の一例を示す構成図、
第５図は不発明の一実施例を示す構成図、￥６図はその
動作説明用のタイツ、チャート、第７図（１欠陥表示の
一例を示す表示状態図でるる。 １・・・電磁石鉄心、２・・・励砒コイル、３・・・検
出コイル、４・・励已電源、５・・・被検体、６・・・
パルス発生器、７・・増幅器、９・・・発振器、１０・
・・抵抗、１１・・増幅器、１２・・・位相検波器、１
４・・・切替スイッチ、１５・・切替スイッチ、１６・
・Ａ／Ｄ変換器、１７・・・メモリ、１８・・Ｄ／Ａ変
換器、１９・・タイミング制御回路、３０−・・カウン
タ、３１・・・表示−一第１図 第３■
Claims (1)
- １、被検材に対向配置さ、れる１個の探触子に設けられ
た前記破検相の表面欠陥と内部欠陥を検出する欠陥検出
手段と、該欠陥検出手段にエネルギーを供給するエネル
ギー供給手段と、前記欠陥検出手段の検出信号を処理す
る信号処理手段と、該信号処理手段から得られる表面欠
陥信号と内部欠陥信号を記憶する記憶手段と、表面欠陥
信号と内部欠陥信号全それぞれ独立に識別して表示する
表示手段とを具備し、前記表示手段は表面欠陥と内部欠
陥を同時に表示することを特徴とする非破壊検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56134125A JPS5835456A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 非破壊検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56134125A JPS5835456A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 非破壊検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5835456A true JPS5835456A (ja) | 1983-03-02 |
Family
ID=15121042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56134125A Pending JPS5835456A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 非破壊検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835456A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383806U (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-26 |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP56134125A patent/JPS5835456A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383806U (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-26 |
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