JPS583402A - 広帯域２端子アイソレ−タ - Google Patents
広帯域２端子アイソレ−タInfo
- Publication number
- JPS583402A JPS583402A JP10183581A JP10183581A JPS583402A JP S583402 A JPS583402 A JP S583402A JP 10183581 A JP10183581 A JP 10183581A JP 10183581 A JP10183581 A JP 10183581A JP S583402 A JPS583402 A JP S583402A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- isolator
- magnet
- broadband
- electromagnetic shield
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/36—Isolators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高周波用アイソレータ、特に広帯域特性を有
°するアイル−タの改良に関するものである。
°するアイル−タの改良に関するものである。
現在の技術では、一般的に、２種類のタイプす・孟わち
以合型丈−キエレータおよび共鳴吸収型アイソレータに
分類される。これら２種類の素子は、同格のある部分と
次段から分離するために用いられる。を−そ−レータは
、一般には３個あるいけ４個の端子を有する素子である
。
以合型丈−キエレータおよび共鳴吸収型アイソレータに
分類される。これら２種類の素子は、同格のある部分と
次段から分離するために用いられる。を−そ−レータは
、一般には３個あるいけ４個の端子を有する素子である
。
サーキュレータは、第３端子が整合インピーダンスで経
端されているもσ）とす几は、ｔｉｆ１１端子より入っ
たエネルギーは最小の減衰すなわち損失で第２端子に伝
送され、他方、第２端子より入ったエネルギーを第３端
子に伝送させ消費することのできる非可逆素子である。
端されているもσ）とす几は、ｔｉｆ１１端子より入っ
たエネルギーは最小の減衰すなわち損失で第２端子に伝
送され、他方、第２端子より入ったエネルギーを第３端
子に伝送させ消費することのできる非可逆素子である。
したがって第１および第２の端子のみを考えるならば、
サーキュレータはアイソレータとして動作する。
サーキュレータはアイソレータとして動作する。
この種の素子の最大の欠点ば第５端子の整合インピーダ
ンスがりアクタンスを有さなければならず、この、・乞
め周波数に依存するので、必然的に狭帯域である。
ンスがりアクタンスを有さなければならず、この、・乞
め周波数に依存するので、必然的に狭帯域である。
また、公知である共鳴型アイル−タは、７工リ磁性体の
強磁性共鳴により実現されたアイソレーシｌンを有する
２端子非可逆素子である。
強磁性共鳴により実現されたアイソレーシｌンを有する
２端子非可逆素子である。
このような、アイソレータは、フェリ磁性体の共鳴周波
数付近の周波数のみ有効であり１本来的に狭帯埴素子で
ある。さらに１強磁性共鳴は印加磁界の強さｙｃよって
ほとんど決定されるので、この素子の動作は、温度変化
による磁界変化の影響を受ける。このことは、素子の電
力容量を制限する。消失エネルギーが７工リ磁性体内で
消費されるから・である。このため温度が上がりすぎて
キエーリ一温度以上とな９．フェリ磁性体内の交換相互
作用が消失し、７エリ磁性を維持できなくなる怖れがあ
る。
数付近の周波数のみ有効であり１本来的に狭帯埴素子で
ある。さらに１強磁性共鳴は印加磁界の強さｙｃよって
ほとんど決定されるので、この素子の動作は、温度変化
による磁界変化の影響を受ける。このことは、素子の電
力容量を制限する。消失エネルギーが７工リ磁性体内で
消費されるから・である。このため温度が上がりすぎて
キエーリ一温度以上とな９．フェリ磁性体内の交換相互
作用が消失し、７エリ磁性を維持できなくなる怖れがあ
る。
本発明の目的は、広帯域の゛周波数にわたって動作し、
かつ小型で簡単なアイソレータを提供することである。
かつ小型で簡単なアイソレータを提供することである。
本発明の目的は、入力端子と、出力端子と。
基準電圧面を其える本発明のアイソレータによ抄達成さ
れる。第１中心導体を入力端子から基準電圧面に接続し
、第２中心導体を出力端子から基準電圧面に接続する。
れる。第１中心導体を入力端子から基準電圧面に接続し
、第２中心導体を出力端子から基準電圧面に接続する。
この際、第２中心導体の長さ方向は、第１中心導体の長
さ方向に対してほぼ９０°をなすようにする。第１中心
導体を第２中心導体から絶縁するための絶縁体を設ける
。少くとも１個の７工リ磁性°体を中心導体に隣接して
配置する。１個の磁石と２枚の軟磁性体が靜磁界を印加
する。第１および第２中心導体と７工リ磁性体を靜磁界
中に配置し、靜磁界中に配置し、靜磁界がフェリ磁性体
の面に垂直になるようにする。電磁シールドが第１およ
び第２中心導体と、７工リ磁性体と、・１個の磁石と２
枚の軟磁性体とをほぼ取り囲んでおり、この電磁シール
ドを基準電圧面に接続する。第１および第２のコンデン
サを第１および第２の中心導体にそれぞれ並列に接続す
る。抵抗を入力端子と出力端子との間に接続する。
さ方向に対してほぼ９０°をなすようにする。第１中心
導体を第２中心導体から絶縁するための絶縁体を設ける
。少くとも１個の７工リ磁性°体を中心導体に隣接して
配置する。１個の磁石と２枚の軟磁性体が靜磁界を印加
する。第１および第２中心導体と７工リ磁性体を靜磁界
中に配置し、靜磁界中に配置し、靜磁界がフェリ磁性体
の面に垂直になるようにする。電磁シールドが第１およ
び第２中心導体と、７工リ磁性体と、・１個の磁石と２
枚の軟磁性体とをほぼ取り囲んでおり、この電磁シール
ドを基準電圧面に接続する。第１および第２のコンデン
サを第１および第２の中心導体にそれぞれ並列に接続す
る。抵抗を入力端子と出力端子との間に接続する。
巣下１本発明を図面に基づいて詳細に説明するＯ
・ 第１図は１本発明の基礎となった公知のアイソレータの
等価回路図である（参照特開昭５２−１５４５４９ ）
。第２図は本発明の一実施例の断面正面図である。哨３
図は他の実施例の分解断面正面図である。第４図は１本
実施例で帰られた電気性能図である。第１図および第２
図において２つの中心導体あるいけ、網目状導体１０お
よび１１を、結合を最小にするために、長市方向を互い
にほぼ９０＠に配置した状態で示す。これらの導体ある
いは網目状導体は動作周波数によって１本のワイヤある
＾は分割された導体あるいは１巻以上の巻数を有す本コ
イルとすることが可能である。網目状中心導体は、マイ
ラーのような薄いシート状の絶縁材料１２によって互い
に絶縁′される。フェライトの円板１３を網目状中心導
体に隣接して配置し、これら組立品の上方の片側に軟磁
性体１９を介して磁石１４を配置する。中心導体１０の
下方に隣接しても５１つの軟磁性体１９が配置される。
・ 第１図は１本発明の基礎となった公知のアイソレータの
等価回路図である（参照特開昭５２−１５４５４９ ）
。第２図は本発明の一実施例の断面正面図である。哨３
図は他の実施例の分解断面正面図である。第４図は１本
実施例で帰られた電気性能図である。第１図および第２
図において２つの中心導体あるいけ、網目状導体１０お
よび１１を、結合を最小にするために、長市方向を互い
にほぼ９０＠に配置した状態で示す。これらの導体ある
いは網目状導体は動作周波数によって１本のワイヤある
＾は分割された導体あるいは１巻以上の巻数を有す本コ
イルとすることが可能である。網目状中心導体は、マイ
ラーのような薄いシート状の絶縁材料１２によって互い
に絶縁′される。フェライトの円板１３を網目状中心導
体に隣接して配置し、これら組立品の上方の片側に軟磁
性体１９を介して磁石１４を配置する。中心導体１０の
下方に隣接しても５１つの軟磁性体１９が配置される。
この場合、軟磁性体１９はＮｉ −Ｚｖｓ７エライト等
の絶縁体が望ましい。それぞれの中心導体の２端を、中
心導体、フェライト円板および磁石を取り囲む鋼製シー
ルドケース１５に接続して、素子接地面とする。軟鉄製
部材１６が素子を部分的に取り囲んで、磁界“回路的な
帰還路となる。軟鉄製部材１６畔、より小さな磁石の使
用を可能にすると、同一に外部磁界の影譬を低減させる
。
の絶縁体が望ましい。それぞれの中心導体の２端を、中
心導体、フェライト円板および磁石を取り囲む鋼製シー
ルドケース１５に接続して、素子接地面とする。軟鉄製
部材１６が素子を部分的に取り囲んで、磁界“回路的な
帰還路となる。軟鉄製部材１６畔、より小さな磁石の使
用を可能にすると、同一に外部磁界の影譬を低減させる
。
中心導体１０．１１の非接地端部を鋼製シールドケース
１５から取り出し、抵抗１７によって相互に接続する。
１５から取り出し、抵抗１７によって相互に接続する。
網目状中心導体の間に接続されたこの抵抗は１次に説明
するように、広帯域な周波数にわたって単方向性を与え
る。コンデンサ１８をそれぞれの中心導体と接地の間に
接続する。
するように、広帯域な周波数にわたって単方向性を与え
る。コンデンサ１８をそれぞれの中心導体と接地の間に
接続する。
このコンデンサは、銅製シールドケース１５および軟鉄
＃部材１６の内部あるいは外部に設けられる。また、こ
のコンデン？は１人力および出力のインピーダンス整合
のためのものである。入力接続を入力中心導体１ｏに対
して行い、出力接続を出力中心導体１１に対して行う。
＃部材１６の内部あるいは外部に設けられる。また、こ
のコンデン？は１人力および出力のインピーダンス整合
のためのものである。入力接続を入力中心導体１ｏに対
して行い、出力接続を出力中心導体１１に対して行う。
第５図の実施例は、２枚のフェライト円板１５をそれぞ
れを中心導体１０． Ｉｔを介して対向して配置し、磁
石１４と軟磁性体１９を外側に配置し。
れを中心導体１０． Ｉｔを介して対向して配置し、磁
石１４と軟磁性体１９を外側に配置し。
２つの軟磁ｉｆｆ体１９０間に鋼製シールドケース１５
を配置したこと以外は第２図の実施例と同様である。こ
れら２つの実施例の動作原理は同じであり１周波数応答
のみが多少異なる。この装置は７工ライト円板の強愚性
共鳴点では動作しないので、従来のアイソレータシよび
サーキ凰レータにおける場合のように、磁界１１１４１
は、それほど重畳ではない。フェライト円板１５は、多
結晶ガーネット型マイクロ波フェライトの内で特に一般
的なものの置換型ＹＩＯとすることも可能である。本発
明に適用される乏めの望ましい特性は、かなり低い飽和
磁化（４００〜１，０００ガウス）と、狭いライン幅（
１ｏｏｏ＃以下）と高いキ轟−リ一点（１５５−２５０
”Ｑ ）である。１枚ないし２枚の７工ライト円板１５
が適切な靜磁界によって磁気的にバイアスされていると
きは、挿入損失（曲１ｉ１２０）と逆方向損失（曲１ｆ
ｓ２１）との間には大きな差が生じる（第４図）。
を配置したこと以外は第２図の実施例と同様である。こ
れら２つの実施例の動作原理は同じであり１周波数応答
のみが多少異なる。この装置は７工ライト円板の強愚性
共鳴点では動作しないので、従来のアイソレータシよび
サーキ凰レータにおける場合のように、磁界１１１４１
は、それほど重畳ではない。フェライト円板１５は、多
結晶ガーネット型マイクロ波フェライトの内で特に一般
的なものの置換型ＹＩＯとすることも可能である。本発
明に適用される乏めの望ましい特性は、かなり低い飽和
磁化（４００〜１，０００ガウス）と、狭いライン幅（
１ｏｏｏ＃以下）と高いキ轟−リ一点（１５５−２５０
”Ｑ ）である。１枚ないし２枚の７工ライト円板１５
が適切な靜磁界によって磁気的にバイアスされていると
きは、挿入損失（曲１ｉ１２０）と逆方向損失（曲１ｆ
ｓ２１）との間には大きな差が生じる（第４図）。
第４図の曲４１１２０は、 ８２０〜８５５ Ｍｌｌｓ
の周波数範囲で解いられるように設計した実施例の挿入
損失を示す。曲線２１け、アイソレータの逆方向通過損
失を示す。縦座標の目標けＱ／ｆあり、：ｉ＃入損失と
逆方向通過損失でけ間隔が異なる。第４図の曲線は、挿
入損失と逆方向通過損失では間隔が異なる。第４図の曲
ｌＩＩは、挿入損失と逆方向損失の差を示すだけでなく
１本発明の主要な４！ＦｗＬである広帯域特性を４示し
ている。この特性は従来の素子にはないものである。こ
れは従来の素子が７工リ磁性体の強磁性共鳴吸収を用い
ているか、あるいけ素子を周波数に対してかなり変化す
るりアクタンスを有するインピーダンス整合回路を有し
ているからである。
の周波数範囲で解いられるように設計した実施例の挿入
損失を示す。曲線２１け、アイソレータの逆方向通過損
失を示す。縦座標の目標けＱ／ｆあり、：ｉ＃入損失と
逆方向通過損失でけ間隔が異なる。第４図の曲線は、挿
入損失と逆方向通過損失では間隔が異なる。第４図の曲
ｌＩＩは、挿入損失と逆方向損失の差を示すだけでなく
１本発明の主要な４！ＦｗＬである広帯域特性を４示し
ている。この特性は従来の素子にはないものである。こ
れは従来の素子が７工リ磁性体の強磁性共鳴吸収を用い
ているか、あるいけ素子を周波数に対してかなり変化す
るりアクタンスを有するインピーダンス整合回路を有し
ているからである。
本発明の代表的な応用例は、覗圧制御発振器と次段の増
幅器を・切り離すこと？、増幅器の出力とアンテナ回路
との間に入れ、混変ｌ！ｌ特性を改善すること等である
。広帯域特性を有すること、外部エネルギー消費型であ
ること、および磁界調整の重要度が小さいことは、゛小
型でコンパクトな素子にはＩＷＦに必要なことである。
幅器を・切り離すこと？、増幅器の出力とアンテナ回路
との間に入れ、混変ｌ！ｌ特性を改善すること等である
。広帯域特性を有すること、外部エネルギー消費型であ
ること、および磁界調整の重要度が小さいことは、゛小
型でコンパクトな素子にはＩＷＦに必要なことである。
本発明アイソレータ夕は少なくとも数１０にＨｍから２
０００ＭＨｚの周波数箭囲にわたって動作できることは
明らかである。
０００ＭＨｚの周波数箭囲にわたって動作できることは
明らかである。
第１図は、本発明の基礎となった公知のアイソレータの
等価回路図、第２ｂ！Ｊは一実施例の断面正面図、第５
図は他の実施例の分解断面正面図、縞４図は本発明のア
イソレータの２方向における損失を示す図である。 １０．１１ ；網目状中心導体 １２；薄いシート状絶縁物 １３；７工ライト円板 １４；、磁石１５；銅製シ
ー ルドヶース 、 １６；械鉄製部材 １７；抵抗 、１８；コンデンサー１９
；軟磁性体 ・ 牙 ｆ 図 オキ閉 ８１ｍ （ＭＨｌ） ′ｊ５・許庁長宮殿 補市をする者 、＝ｌｌｆｔとの関η １￥ 許 出 願 人＋１
Ｔ４ｒ 東京都千代Ｌ＋１区丸の内２丁目１番２号
−ｒ、 待 淘８）日立金属株式会社代表゛者河野
夫夫 代 ・理 人 ？＋ｎ市の対象 補市の内容 別紙の通り 補正の内容 ■ ＠縦書の「特ＬＩ！ｆ＃１１求の範囲」の膚を次の
通り訂正する〇 特許請求の範囲 Ｌ 入力端子および出力′端子を具え、接地となる基準
電圧面と、前期入力端子とこの基準電圧面′との間に接
続した第１中心導体と、前期出力端子と基準電圧面との
間に接続され、その長軸方向を前期１１’ｌ中心導体の
長軸方向に対しはｒｔｅｄ’とした１ｉｌ！！！中心導
体と１前期第１中心導体を前期第２中心導体から絶縁す
るための絶縁体と、前期第１中心導体および第２中心導
体に密接して配置した少くとも１個の７．９磁性体と１
静磁界を供給するための１個の磁石と２枚の軟磁性体と
、前期第１中心導体および第２中心導体のそれぞれに並
列にｌ！統′された１１１１１および第２コンデンサと
、前記入力層子と出力端子との間に接続された抵抗を組
み合わせて具え、前期第１および第８中心導体と前期７
８り磁性体とを前期２枚の軟磁性体の間に配置し、この
静磁界を前期７８り磁性体の面に重度となるようにした
ことを特徴とする高周波無線装置に用いられる広帯域２
端子アイソレータ・ き 電磁シールドを具え、この電磁シールド内に、第１
および第８中心導体と７．り磁性体全段け、前期電磁シ
ールドを基準電圧面と同電位にしたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の広帯域８端子アイソレータ。 ａ ａ石を電磁シールド内に設けたことを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の広帯域２端子アイソレータ◎ 本 磁石が、この磁石の磁界のために軟磁性体の帰環磁
気回路をさらに有することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の広帯域２端子アイソレータ。 巳 帰環磁気回路を電磁シールドに近接して配置され、
この電磁シールドを部分的もしくは全体的に取り囲む軟
磁性体としたことを特徴とする特許請求の範囲第４項記
載や広帯域ａ端子アイソレータ。 ＆ ７！゛り磁性体を多結晶ガーネット型マイクロ波７
．ライト円板としたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の広帯域２端子アイソレータ＠ ■ 明細書の「発明の詳細な説明」の欄の記載を下記の
通り訂正する。 記 Ｌ 明細書第３頁第１５行の「経端」を「終端」に訂正
する。 ２ 同書第８頁第１４行から第１５行の［静磁界中に配
置し、」を削咳する〇 工 同書第８頁第７行の「鋼製」を「銅製」に訂正する
。 ｔ 同書第９頁第８行の「目標はαβであり」を「目盛
はαβであり」に訂正する。 ＆ 同書同頁第９行から第１Ｏ行の「第４図の曲線は、
挿入損失と逆方向通過損失では間隔が異なる＠」を削除
する。 以 上
等価回路図、第２ｂ！Ｊは一実施例の断面正面図、第５
図は他の実施例の分解断面正面図、縞４図は本発明のア
イソレータの２方向における損失を示す図である。 １０．１１ ；網目状中心導体 １２；薄いシート状絶縁物 １３；７工ライト円板 １４；、磁石１５；銅製シ
ー ルドヶース 、 １６；械鉄製部材 １７；抵抗 、１８；コンデンサー１９
；軟磁性体 ・ 牙 ｆ 図 オキ閉 ８１ｍ （ＭＨｌ） ′ｊ５・許庁長宮殿 補市をする者 、＝ｌｌｆｔとの関η １￥ 許 出 願 人＋１
Ｔ４ｒ 東京都千代Ｌ＋１区丸の内２丁目１番２号
−ｒ、 待 淘８）日立金属株式会社代表゛者河野
夫夫 代 ・理 人 ？＋ｎ市の対象 補市の内容 別紙の通り 補正の内容 ■ ＠縦書の「特ＬＩ！ｆ＃１１求の範囲」の膚を次の
通り訂正する〇 特許請求の範囲 Ｌ 入力端子および出力′端子を具え、接地となる基準
電圧面と、前期入力端子とこの基準電圧面′との間に接
続した第１中心導体と、前期出力端子と基準電圧面との
間に接続され、その長軸方向を前期１１’ｌ中心導体の
長軸方向に対しはｒｔｅｄ’とした１ｉｌ！！！中心導
体と１前期第１中心導体を前期第２中心導体から絶縁す
るための絶縁体と、前期第１中心導体および第２中心導
体に密接して配置した少くとも１個の７．９磁性体と１
静磁界を供給するための１個の磁石と２枚の軟磁性体と
、前期第１中心導体および第２中心導体のそれぞれに並
列にｌ！統′された１１１１１および第２コンデンサと
、前記入力層子と出力端子との間に接続された抵抗を組
み合わせて具え、前期第１および第８中心導体と前期７
８り磁性体とを前期２枚の軟磁性体の間に配置し、この
静磁界を前期７８り磁性体の面に重度となるようにした
ことを特徴とする高周波無線装置に用いられる広帯域２
端子アイソレータ・ き 電磁シールドを具え、この電磁シールド内に、第１
および第８中心導体と７．り磁性体全段け、前期電磁シ
ールドを基準電圧面と同電位にしたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の広帯域８端子アイソレータ。 ａ ａ石を電磁シールド内に設けたことを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の広帯域２端子アイソレータ◎ 本 磁石が、この磁石の磁界のために軟磁性体の帰環磁
気回路をさらに有することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の広帯域２端子アイソレータ。 巳 帰環磁気回路を電磁シールドに近接して配置され、
この電磁シールドを部分的もしくは全体的に取り囲む軟
磁性体としたことを特徴とする特許請求の範囲第４項記
載や広帯域ａ端子アイソレータ。 ＆ ７！゛り磁性体を多結晶ガーネット型マイクロ波７
．ライト円板としたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の広帯域２端子アイソレータ＠ ■ 明細書の「発明の詳細な説明」の欄の記載を下記の
通り訂正する。 記 Ｌ 明細書第３頁第１５行の「経端」を「終端」に訂正
する。 ２ 同書第８頁第１４行から第１５行の［静磁界中に配
置し、」を削咳する〇 工 同書第８頁第７行の「鋼製」を「銅製」に訂正する
。 ｔ 同書第９頁第８行の「目標はαβであり」を「目盛
はαβであり」に訂正する。 ＆ 同書同頁第９行から第１Ｏ行の「第４図の曲線は、
挿入損失と逆方向通過損失では間隔が異なる＠」を削除
する。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 入力端子および出力端子を具え、接地となる基準電
圧面と、＃記入力端子とこの基準電圧面との間に接続し
た第１中心導体と、前期出力端子と基□準電圧面とのｒ
ｉｌｌＩＫ接続され、その長軸方向を前期第１中心導体
の長軸方向に対しはｉ゛９０°とし九第２中心導体と、
前期第１中心導体を前期ｊＩ２中心導体から絶縁するた
めの絶縁体と、前記＃１１中心導体および＠２２中心導
に密接して配置した少くとも１個のフェリ磁性体と、靜
磁界を供給゛するため゛の１個の磁石と２枚の軟磁性体
と、前記第１中心導体および第２中心導体のそれぞれに
並列に＠続された第１および＠２コンデンサと、前期入
力端子と出力端子との間に接続された抵抗を組み合わせ
て＾え、ｉ期第１および第２中心導体と前期７工リ磁性
体とを前記２枚の軟磁性体の間に配置し、この静磁界を
前期フェリ磁性体の面に垂直どなるようにしたことを特
徴とする高周波無線装置に用いられる広帯域２端子アイ
ソレータ。 ２ 電磁シールドを具え、この電磁シールド内に、第１
シよび第２中心導体と７工リ磁性体を設け、前期電磁シ
ールドを基準電圧面と同電位にしたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の広帯域２端子アイソレータ。 ３、 磁石を電磁シールド内に設けたことを特 ′
微とする特許請求の範囲第２項記載の広帯礒２端子アイ
ソレータ。 ４、 磁石が、この磁石の磁界のために軟磁性体の帰還
磁気回路をさらに有することを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の広帯域２端子アイツレ゛−タ。 ５、帰還磁気回路を、電磁シールドに近接し １て配
置され、この電磁シールドを部分的もしくは全体的に取
り囲む軟磁性体としたことを特徴とする特許請求のａＳ
第４項記載の広帯域２端子アイソレータ。− ＆ ７工リ磁性体と、多結晶ガーネット型マイクロ波フ
ェライト円板としたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の広帯域２端子アイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10183581A JPS583402A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 広帯域２端子アイソレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10183581A JPS583402A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 広帯域２端子アイソレ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583402A true JPS583402A (ja) | 1983-01-10 |
Family
ID=14311134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10183581A Pending JPS583402A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 広帯域２端子アイソレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583402A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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