JPS5833223A - エレクトロクロミツク表示素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示素子Info
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- JPS5833223A JPS5833223A JP56131818A JP13181881A JPS5833223A JP S5833223 A JPS5833223 A JP S5833223A JP 56131818 A JP56131818 A JP 56131818A JP 13181881 A JP13181881 A JP 13181881A JP S5833223 A JPS5833223 A JP S5833223A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は全同体形エレクトロクロイック表示素（１）
子に係）、とくにイオン導電層がリチウム（Ｌｌ）添加
物質よシ成るエレクトロクロミック表示素子に関するも
ので参る。
物質よシ成るエレクトロクロミック表示素子に関するも
ので参る。
従来、電極間にＷ（ｈ等の遷移金属酸化物のエレクト關
クロミック層と、電解質のイオン導電層を設けたエレク
トロクロミック表示素子に電圧を印加して表示色を得て
いる。このイオン導電層としてリチウム化合物のＬｉＮ
ＩＩ膜、 ＬＩＩ薄展を用い友ものが知られている。
クロミック層と、電解質のイオン導電層を設けたエレク
トロクロミック表示素子に電圧を印加して表示色を得て
いる。このイオン導電層としてリチウム化合物のＬｉＮ
ＩＩ膜、 ＬＩＩ薄展を用い友ものが知られている。
しかし、前者には発火しやすく、蒸着中に分解し申す＜
、また形成された膜が大気中の水分によって分解されや
すい等の欠点がＴｏ、り、を九後者には極度の潮解性が
あるという欠ムがある。
、また形成された膜が大気中の水分によって分解されや
すい等の欠点がＴｏ、り、を九後者には極度の潮解性が
あるという欠ムがある。
本発明の目的はイオン導電層としてリチウム（Ｌｉ）を
用い、しかもリチウム化合物の欠点を除去した安定で高
速なエレクトロクロミック表示素子を提供することであ
る。
用い、しかもリチウム化合物の欠点を除去した安定で高
速なエレクトロクロミック表示素子を提供することであ
る。
前記目的を達成するため、木登ｕＡｏエレクトロクロζ
ツク表示素子は少なくとも遷移金属酸化物から成るエレ
クトロクＥ！ミンク層とイオン導電層（２） とを具え九全固体形のエレクトロクロ電ツク表示素子に
おいて、イオン導電層が電子およびホール不透過性の物
質にリチウム（Ｌｌ）添加して成るか、−＊良は電子不
透過性の物質Ｋ １７チクム（Ｌｉ）添加して成ること
を特徴とするものである。
ツク表示素子は少なくとも遷移金属酸化物から成るエレ
クトロクＥ！ミンク層とイオン導電層（２） とを具え九全固体形のエレクトロクロ電ツク表示素子に
おいて、イオン導電層が電子およびホール不透過性の物
質にリチウム（Ｌｌ）添加して成るか、−＊良は電子不
透過性の物質Ｋ １７チクム（Ｌｉ）添加して成ること
を特徴とするものである。
以下木登＠を実施例につＩ詳述する。
ｊ１１図および第２図は本発明の実施例の構成説明図で
ある。すなわち、第１図に示すように、ガラス基板１上
にネサ電極２．ＷＯｓよ形成るエレクトロクロンツク（
ＥＣ）層！、を解質よ形成るイオン導電層４．対向電極
５が積層される。第２図はさらにその上にＭｇＦ、等か
ら成る保鰻層６が被着される。
ある。すなわち、第１図に示すように、ガラス基板１上
にネサ電極２．ＷＯｓよ形成るエレクトロクロンツク（
ＥＣ）層！、を解質よ形成るイオン導電層４．対向電極
５が積層される。第２図はさらにその上にＭｇＦ、等か
ら成る保鰻層６が被着される。
本発明のイオン導電層としては、リテウＡ（Ｌｉ）を添
加した電子、ホールまたは電子の不透過性物質が用いら
れる。たとえば、ＭｇＦｓ ｌ Ｚｔｓ、−５ｔｏ＃Ｓ
ｉ Ｏｓ ＃ Ｃｒ＊ Ｏｓ ｅ Ｚ ｒｏｔ ｚ
Ｔ’ｓ Ｏｓ ｅ Ｎｉ Ｏｅ ＣａＦ＊ ｌ Ｃｅ０
Ｉ等の絶縁物・高抵抗半導体、筐たはＬｉＦ、 Ｌｉ、
Ｏ。
加した電子、ホールまたは電子の不透過性物質が用いら
れる。たとえば、ＭｇＦｓ ｌ Ｚｔｓ、−５ｔｏ＃Ｓ
ｉ Ｏｓ ＃ Ｃｒ＊ Ｏｓ ｅ Ｚ ｒｏｔ ｚ
Ｔ’ｓ Ｏｓ ｅ Ｎｉ Ｏｅ ＣａＦ＊ ｌ Ｃｅ０
Ｉ等の絶縁物・高抵抗半導体、筐たはＬｉＦ、 Ｌｉ、
Ｏ。
ＬｌｓＣＯｓ ＋ ＬｉＩ Ｇｅｍ５ ｅ Ｌ
ＩＭＯＯ４ｙ Ｌｉｔ ５ｉｎｓ ａ Ｌｌｓ
ＷＯ２ｚ Ｌｌｌ ＺｒＯｓ ＊ ＬｌｔＶｚＯｓ
＊ Ｌｉ１ＴｉＯ１、ＬｉｍＴａ５Ｏｓ ｅ（３） ＬｌｌＮｂａ Ｏｓ ｅ ＬｉＡｊＯｓ ｅ ＬｉＢＯ
ｍ ｅ ＬｔｓＰＯａ等のＬｉ化合物、まえはこれら化
合物の混合物である。
ＩＭＯＯ４ｙ Ｌｉｔ ５ｉｎｓ ａ Ｌｌｓ
ＷＯ２ｚ Ｌｌｌ ＺｒＯｓ ＊ ＬｌｔＶｚＯｓ
＊ Ｌｉ１ＴｉＯ１、ＬｉｍＴａ５Ｏｓ ｅ（３） ＬｌｌＮｂａ Ｏｓ ｅ ＬｉＡｊＯｓ ｅ ＬｉＢＯ
ｍ ｅ ＬｔｓＰＯａ等のＬｉ化合物、まえはこれら化
合物の混合物である。
これらのＬｌ化合−または混合物のうちＬｌｌ伝音示す
もの％あるが、その効率がよくないため従来殆ど顧みら
れなかったが、本発明によ、９ Ｌｌを添加することに
よｐ格段にＬ１導電性を増大するものである。
もの％あるが、その効率がよくないため従来殆ど顧みら
れなかったが、本発明によ、９ Ｌｌを添加することに
よｐ格段にＬ１導電性を増大するものである。
Ｌｉ添加の方法としては、九とえは次のようなものがあ
る。
る。
（１）電子またはホール不透過性物質で脹形成後、Ｌｌ
を蒸増し真中に拡散させる。
を蒸増し真中に拡散させる。
（２）電子またはホール不透過性物質で展形成依、Ｌｌ
ｔ−イオン注入する。
ｔ−イオン注入する。
（３）電子またはホール不透過性物質で展杉ｂＸ、後、
イオンブレーティング等の方法によルＬｌをイオン化し
て膜中に拡散させる。
イオンブレーティング等の方法によルＬｌをイオン化し
て膜中に拡散させる。
（４）電子またはホール不透過性物質とＬＬと１−緒に
蒸着、イオンブレーティング、スノ（ツタリングし、Ｌ
ｉ添加を行なう。
蒸着、イオンブレーティング、スノ（ツタリングし、Ｌ
ｉ添加を行なう。
次に第２図の素子を実現する製造上根の嶺略を（４）
説明すると、ガラス基板１上にネサ電極２ｔ−形成した
後ＷＯｓ層およびＭｇＦｍ層を電、子ビーム （ＥＢ）
蒸着によ）それぞれ４５００Ａ、 １０００Ａ Ｏ厚さ
に形成する。次に九とえはＬｉ５Ｎを′入れたボートを
高温加熱してＬｉ５Ｎを分解し、Ｌ１単体を蒸着させ、
ＭＫＦＩＩＩＩＬ中に約５Ｘ１０”個／ＣＨＩ”のＬｌ
を添加する。
後ＷＯｓ層およびＭｇＦｍ層を電、子ビーム （ＥＢ）
蒸着によ）それぞれ４５００Ａ、 １０００Ａ Ｏ厚さ
に形成する。次に九とえはＬｉ５Ｎを′入れたボートを
高温加熱してＬｉ５Ｎを分解し、Ｌ１単体を蒸着させ、
ＭＫＦＩＩＩＩＬ中に約５Ｘ１０”個／ＣＨＩ”のＬｌ
を添加する。
さらに一対向電極としてパラジウム（Ｐｄ） ｋ ｉ０
０人厚さに、その上に保躾層としてＭｇＦｍ層を１００
ＯＡ厚さに蒸着する。
０人厚さに、その上に保躾層としてＭｇＦｍ層を１００
ＯＡ厚さに蒸着する。
菖３図、第４図はそれぞれ第２図の夷−例における着色
、消色の応答特性を示し、これに対し第５図・ＪＩ６図
はそれぞれ同条件でＬｉ添加のない場合の着色・消色Ｏ
応答特性を比較のため示し友ものである。
、消色の応答特性を示し、これに対し第５図・ＪＩ６図
はそれぞれ同条件でＬｉ添加のない場合の着色・消色Ｏ
応答特性を比較のため示し友ものである。
すなわち、籐Ｓ図は横軸に時間（Ｓ）を、縦軸に色彩の
光学的磯ｆ （０，０）の所定単位をとル、印加電圧ｔ
−ＩＶ、２Ｖ、５Ｖ、４Ｖに変化した時の着色の応答特
性を示したものである。第５図と比較して分るように、
本発明のＬｉ添加によｐ数倍に増大されている。
光学的磯ｆ （０，０）の所定単位をとル、印加電圧ｔ
−ＩＶ、２Ｖ、５Ｖ、４Ｖに変化した時の着色の応答特
性を示したものである。第５図と比較して分るように、
本発明のＬｉ添加によｐ数倍に増大されている。
（５）
ｉ九、＠４図は横軸に印加電圧（Ｖ）を、縦軸に消色時
間（８）をとル、印加電圧を１ｖ〜４ｖに変化した時の
消色の応答特性を示したものである。館６図と比較して
明らかなように、Ｌｉ添加により約１桁の高速化が実現
されている。
間（８）をとル、印加電圧を１ｖ〜４ｖに変化した時の
消色の応答特性を示したものである。館６図と比較して
明らかなように、Ｌｉ添加により約１桁の高速化が実現
されている。
第７図は本発明の他の実施例の構成説明図である。
第２図のイオン導電層４が一様にＬｉ添加するのに対し
、同図のイオン導電層４′に示すように対向電極付近で
Ｌｉ添加一度を高＜ｔ、ＥＣ層付近で低くするように層
厚方向に制御し、特性を制御するとともに、自然着色を
防止し安定性を高めることができる。このようなＬｉ添
加１１１に３Ｍ）深さ側鉤はイオン注入技術等によシ容
易に可能である。
、同図のイオン導電層４′に示すように対向電極付近で
Ｌｉ添加一度を高＜ｔ、ＥＣ層付近で低くするように層
厚方向に制御し、特性を制御するとともに、自然着色を
防止し安定性を高めることができる。このようなＬｉ添
加１１１に３Ｍ）深さ側鉤はイオン注入技術等によシ容
易に可能である。
１ｐｌＢ図は本発明のさらに他の実施例の構成説明図で
ある。
ある。
同図に示すように、第２図のイオン導電層４０代多に複
数層、たとえば同図に示すイオン制御層４にとイオン伝
導層４意とイオン供給層４１を設ける。
数層、たとえば同図に示すイオン制御層４にとイオン伝
導層４意とイオン供給層４１を設ける。
イオン供給層４ｍとイオン伝導層４３は第７図と同（６
） 様の特性制御を層構成で行なうものでＴｏシ、イオン制
御層４１社素子の自然着色を防止し、しきい値特性、メ
モリ特性を制御する層でＴｏ〕、前述の絶縁性（筐九は
高抵抗）物質およびそれらにＬｌを適量添加し九ものが
適する。このように構成した素子は前述のＬｉ導電性、
高速応答性の＃１か４１性の安定性を向上することがで
きる。
） 様の特性制御を層構成で行なうものでＴｏシ、イオン制
御層４１社素子の自然着色を防止し、しきい値特性、メ
モリ特性を制御する層でＴｏ〕、前述の絶縁性（筐九は
高抵抗）物質およびそれらにＬｌを適量添加し九ものが
適する。このように構成した素子は前述のＬｉ導電性、
高速応答性の＃１か４１性の安定性を向上することがで
きる。
以上説明したように、本発明によれば、イオン導電層が
イオン、電子ｔたは電子不透過性物質にＬｌ添加するこ
とによル、前述のとおＪ、Ｌｉ導電性を増大し着色効果
を高め、消色応答特性の高速化が行なわれるとともに、
自然着色を防止した安定し九動作特性が確保される。
イオン、電子ｔたは電子不透過性物質にＬｌ添加するこ
とによル、前述のとおＪ、Ｌｉ導電性を増大し着色効果
を高め、消色応答特性の高速化が行なわれるとともに、
自然着色を防止した安定し九動作特性が確保される。
鶴ＩＦＩＡ、籐２図紘それぞれ本発明の実施例の構成説
明ｉ！！ｌ、譲５図、第４聞扛第２図の実施例の効果を
示す特性説明図、ｌｋ５図、第６図紘それぞれ第５図、
第４図と比軟して示す従来例の特性説明図、！７図、１
ｇ８図はそれぞれ本発明の他の実施例の構成＊＃４ＦＩ
Ａであ９１図中、１紘ガラス基板、（７） ２はネサ電極、５はエレクトロクロミック層、４゜４′
はイオン導電層、４１はイオン制鉤層、４＊Ｆｉ、イオ
ン伝導順、４ｍはイオン供給層、５は対向電極、６は保
鏝層を示す。 ム 特許出願人 富士通株式金社 復代理人 弁珈士 １）板 畳 重 （８） ￥１図 イ５ 第２図 第３図 時間（Ｓ） 第４図 第５図 時間（Ｓ）
明ｉ！！ｌ、譲５図、第４聞扛第２図の実施例の効果を
示す特性説明図、ｌｋ５図、第６図紘それぞれ第５図、
第４図と比軟して示す従来例の特性説明図、！７図、１
ｇ８図はそれぞれ本発明の他の実施例の構成＊＃４ＦＩ
Ａであ９１図中、１紘ガラス基板、（７） ２はネサ電極、５はエレクトロクロミック層、４゜４′
はイオン導電層、４１はイオン制鉤層、４＊Ｆｉ、イオ
ン伝導順、４ｍはイオン供給層、５は対向電極、６は保
鏝層を示す。 ム 特許出願人 富士通株式金社 復代理人 弁珈士 １）板 畳 重 （８） ￥１図 イ５ 第２図 第３図 時間（Ｓ） 第４図 第５図 時間（Ｓ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 少なくとも遷移金属酸化物から成るエレクトロ
クロ（ツク層とイオン導電層とを具えた全同体形のエレ
クトロクロミック表示素子において、イオン導電層が電
子およびホール不透過性の物質にリチウム（Ｌｌ）添加
して成るか、または電子不透過性の物質Ｋ ＩＪテクム
（Ｌｌ）添加して成ることを特徴とするエレクトロクロ
（ツク表示素子。 Ｑ）前記イオン導電層がＬｉ添加量を膜厚方向に沿って
異ならせて成ることを特徴とする特許請求の＠８第１項
記載のエレクトロクｇイツタ表示素子。 （３）前記イオン導電層が複数のＬ１添加層を積層して
成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のエレ
クトワク０１ツ２表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56131818A JPS5833223A (ja) | 1981-08-22 | 1981-08-22 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56131818A JPS5833223A (ja) | 1981-08-22 | 1981-08-22 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5833223A true JPS5833223A (ja) | 1983-02-26 |
Family
ID=15066814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56131818A Pending JPS5833223A (ja) | 1981-08-22 | 1981-08-22 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833223A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013525860A (ja) * | 2010-04-30 | 2013-06-20 | ビュー， インコーポレイテッド | エレクトロクロミックデバイス |
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