JPS5833192B2 - 炭化ケイ素系耐火物の製造法 - Google Patents
炭化ケイ素系耐火物の製造法Info
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- JPS5833192B2 JPS5833192B2 JP53151074A JP15107478A JPS5833192B2 JP S5833192 B2 JPS5833192 B2 JP S5833192B2 JP 53151074 A JP53151074 A JP 53151074A JP 15107478 A JP15107478 A JP 15107478A JP S5833192 B2 JPS5833192 B2 JP S5833192B2
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、炭化ケイ素系耐火物の製造法に関するもので
ある。
ある。
詳細には、炭化ケイ素粒子、金属ケイ素粉末とピッチか
ら得られる炭化ケイ素系耐火物の製造法に関するもので
ある。
ら得られる炭化ケイ素系耐火物の製造法に関するもので
ある。
炭化ケイ素系耐火物は、アルミニウム製錬用の電解炉の
内張材、製鉄用高炉等の内張用耐火物として用いられる
。
内張材、製鉄用高炉等の内張用耐火物として用いられる
。
炭化ケイ素を骨材として用いると、炭化ケイ素粒子は融
点が高く、硬く、熱伝導性が良好で酸化され難いため、
各種耐火物に用いられている。
点が高く、硬く、熱伝導性が良好で酸化され難いため、
各種耐火物に用いられている。
しかしながら、炭火ケイ素骨材を結合する結合材に適当
なものがなく、また有っても工業的規模で製造すること
が困難であった。
なものがなく、また有っても工業的規模で製造すること
が困難であった。
即ち、炭化ケイ素粒子に若干の粘土を加れて焼成しガラ
ス質化した結合層では耐火性が劣り、耐スラグ性、耐酸
化性、耐スポーリング性等も劣る欠点があった。
ス質化した結合層では耐火性が劣り、耐スラグ性、耐酸
化性、耐スポーリング性等も劣る欠点があった。
ところで、エヌ、アイ、ボロ一二ン(N、 I 。
V、11(ONIN)等がオグノイポリイ(Ogneu
pory)32巻5号(1967)50〜56頁に、S
iC骨材に金属ケイ素、有機質バインダーを混ぜてコー
クス中で1,550℃に焼成すれば、結合層にβ−5i
c、5i2oN2t Si3N4,5io2 を主とし
たものが生成し、上記欠点を避けることができる旨を報
告しているが、小規模な実験室データであり、これを工
業的に実施するには、製造上程々の問題があり、特にコ
ークス粒に埋込まないときは、焼成時の雰囲気の管理が
問題で、少量の02の影響が犬である旨指摘している。
pory)32巻5号(1967)50〜56頁に、S
iC骨材に金属ケイ素、有機質バインダーを混ぜてコー
クス中で1,550℃に焼成すれば、結合層にβ−5i
c、5i2oN2t Si3N4,5io2 を主とし
たものが生成し、上記欠点を避けることができる旨を報
告しているが、小規模な実験室データであり、これを工
業的に実施するには、製造上程々の問題があり、特にコ
ークス粒に埋込まないときは、焼成時の雰囲気の管理が
問題で、少量の02の影響が犬である旨指摘している。
即ち、不純なN2中(02:2咎含有)では、1,40
0℃焼成で金属ケイ素の表面にS i02の酸化皮膜が
生成し、Si3N4やS 12 OH2の生成はなく、
大部分が金属ケイ素として残ること、また、より少量の
02(0,05%)では結合層形成用に用いた金属ケイ
素の殆どが812N4に変化することを報告している。
0℃焼成で金属ケイ素の表面にS i02の酸化皮膜が
生成し、Si3N4やS 12 OH2の生成はなく、
大部分が金属ケイ素として残ること、また、より少量の
02(0,05%)では結合層形成用に用いた金属ケイ
素の殆どが812N4に変化することを報告している。
本願の発明者らは、良質なる炭化ケイ素系耐火物の製造
法を種々研究した結果、少量の02の存在下でも1,4
50℃以下の比較的低温度で結合層にβ−8iC2Si
2ON2.Si3N4を生成せしめ、優れた耐火物を製
造する方法を見出した。
法を種々研究した結果、少量の02の存在下でも1,4
50℃以下の比較的低温度で結合層にβ−8iC2Si
2ON2.Si3N4を生成せしめ、優れた耐火物を製
造する方法を見出した。
本願発明の要旨は、炭化ケイ素粒子を骨材に使用し、金
属ケイ素粉末および有機系バインダーを結合部形成材と
して使用する耐火物の製造法において、有機系バインダ
ーとしてピンチを金属ケイ素粉末とピッチの残留炭素と
の重量比が3:1乃至6:1の範囲内になるように配合
し、混合物をねつ合したのち成形し、成形体をコークス
粒中に埋込み焼成することに在る。
属ケイ素粉末および有機系バインダーを結合部形成材と
して使用する耐火物の製造法において、有機系バインダ
ーとしてピンチを金属ケイ素粉末とピッチの残留炭素と
の重量比が3:1乃至6:1の範囲内になるように配合
し、混合物をねつ合したのち成形し、成形体をコークス
粒中に埋込み焼成することに在る。
本発明に使用する炭化ケイ素粒子としては、純度90ダ
以上、好ましくは純度95%以上の市販の耐火材料用炭
化ケイ素を使用するのがよく、その粒度は、成形体の大
きさに応じて調整し、最密充填になるように粒度分布を
調整することが好ましい。
以上、好ましくは純度95%以上の市販の耐火材料用炭
化ケイ素を使用するのがよく、その粒度は、成形体の大
きさに応じて調整し、最密充填になるように粒度分布を
調整することが好ましい。
また、金属ケイ素微粉としては純度90φ以上好ましく
は純度95優以上の金属ケイ素を粉砕して、粒度0.1
5 mm以下、好ましくは粒度0.074朋以下にした
ものを使用するのが良い。
は純度95優以上の金属ケイ素を粉砕して、粒度0.1
5 mm以下、好ましくは粒度0.074朋以下にした
ものを使用するのが良い。
ピッチとしては、電極用バインダーピッチならば良いが
、環球法軟化点80〜110℃のものを用いるとさらに
好ましい。
、環球法軟化点80〜110℃のものを用いるとさらに
好ましい。
通常、−次バインダーとしてはポリビニルアルコールや
リグニンマタはフェアノール樹脂が使われているが、こ
れらは成形後、成形体の強度を発現させるまでに乾燥処
理または熱硬化処理が必要である。
リグニンマタはフェアノール樹脂が使われているが、こ
れらは成形後、成形体の強度を発現させるまでに乾燥処
理または熱硬化処理が必要である。
軟化点が80〜110℃のピンチを使用すれば、比較的
低い温度で、ねつ合、成形を容易に行なうことができ、
成形体を50℃以下に冷却しただけで取扱いに充分な強
度を発現するので都合がよい。
低い温度で、ねつ合、成形を容易に行なうことができ、
成形体を50℃以下に冷却しただけで取扱いに充分な強
度を発現するので都合がよい。
また、このピッチは金属ケイ素表面を密に被覆し、ピッ
チから生成した残留炭素は金属ケイ素の酸化を防止する
と同時に高温では金属ケイ素と反応してβ−8iCを作
り易い。
チから生成した残留炭素は金属ケイ素の酸化を防止する
と同時に高温では金属ケイ素と反応してβ−8iCを作
り易い。
以上述べた原料をねつ合し、成形し、焼成する即ち、炭
化ケイ素粒子、金属ケイ素微粉およびピッチを1.20
〜180℃でねっ合したのち、1oO〜160℃で振動
成形法、加圧成形法(加圧成形法では成形体の大きさに
応じ100〜1,0OOKP/は2で加圧成形される)
、静水圧成形法等で所定の形状に成形する。
化ケイ素粒子、金属ケイ素微粉およびピッチを1.20
〜180℃でねっ合したのち、1oO〜160℃で振動
成形法、加圧成形法(加圧成形法では成形体の大きさに
応じ100〜1,0OOKP/は2で加圧成形される)
、静水圧成形法等で所定の形状に成形する。
成形体は冷却後コークス粒中に埋込み加熱する。
ピッチは軟化点以上で一旦溶融したのち、熱分解し45
0℃以上でコークス化する。
0℃以上でコークス化する。
ピンチから生成した残留炭素は、炭化ケイ素および金属
ケイ素の表面を被覆し、金属ケイ素と酸素との接触を防
止している。
ケイ素の表面を被覆し、金属ケイ素と酸素との接触を防
止している。
1.100℃以上になると金属ケイ素と残留炭素が反応
し始め、β−8iCの微結晶が生成する。
し始め、β−8iCの微結晶が生成する。
本来、金属ケイ素と炭素粒子との反応は、金属ケイ素の
融点1.410℃以下では両者の接触が不充分なため、
進行し難いとされているが、ピンチからの残留炭素は金
属ケイ素表面に密着しているために反応し易い。
融点1.410℃以下では両者の接触が不充分なため、
進行し難いとされているが、ピンチからの残留炭素は金
属ケイ素表面に密着しているために反応し易い。
生成したβ−8iCの微結晶は網目構造を形成し、炭化
ケイ素粒子を強固に結合する。
ケイ素粒子を強固に結合する。
空気中の窒素はコークス粒子間隙を通って成形体に到達
する。
する。
一方、空気中の酸素は1,000℃以上では殆どコーク
ス粒子と反応して一酸化炭素に変化する。
ス粒子と反応して一酸化炭素に変化する。
金属ケイ素と窒素との反応は1,000℃から始まるが
、反応速度が極めて遅く、目立って反応するようになる
のは1,100℃以上が必要である。
、反応速度が極めて遅く、目立って反応するようになる
のは1,100℃以上が必要である。
生成した窒化ケイ素Si3N4は強固な繊維状組織を形
成し、炭化ケイ素粒子を包絡し、結合する。
成し、炭化ケイ素粒子を包絡し、結合する。
窒素ガス中に一酸化炭素が共存すると、金属ケイ素は窒
化ケイ素を生成すると同時に酸窒化ケイ素S i 2
OH2も生成し、生成した酸窒化ケイ素は炭化ケイ素粒
子表面と化学的に反応して強固な結合を形成する。
化ケイ素を生成すると同時に酸窒化ケイ素S i 2
OH2も生成し、生成した酸窒化ケイ素は炭化ケイ素粒
子表面と化学的に反応して強固な結合を形成する。
コークス粒中を自己拡散して来る窒素源だけでは窒素が
不足するおそれがあり、上記窒素化合物の生成のため、
1,000℃以上では空気、窒素、アルカリ洗浄した燃
焼廃ガスを単独で、あるいは空気と窒素ガスまたは空気
と燃焼廃ガスの混合気をコークス粒中に吹込むことが好
ましい。
不足するおそれがあり、上記窒素化合物の生成のため、
1,000℃以上では空気、窒素、アルカリ洗浄した燃
焼廃ガスを単独で、あるいは空気と窒素ガスまたは空気
と燃焼廃ガスの混合気をコークス粒中に吹込むことが好
ましい。
本発明において、金属ケイ素微粉末とピッチの残留炭素
の重量比が3:1乃至6:1の範囲内にあることが必要
である。
の重量比が3:1乃至6:1の範囲内にあることが必要
である。
ここに、残留炭素とは、JI−8K−2421により測
定したピッチの固定炭素分とピッチの使用重量部数との
積として定義された量である。
定したピッチの固定炭素分とピッチの使用重量部数との
積として定義された量である。
上記比率範囲は、β−8iC。Si3N4およびS 1
2ON2による複合結合の効果を発揮させるために規定
される。
2ON2による複合結合の効果を発揮させるために規定
される。
即ち、SiCを形成させるためのSiとCとの理論重量
比は2.3:1であるが、金属ケイ素と残留炭素の重量
比が3=1より小さい場合には、β−8iCの生成は充
分であっても、Si3N4およびS 12ON2 を
生成するための金属ケイ素量が不足するので、強固な複
合結合が得られない。
比は2.3:1であるが、金属ケイ素と残留炭素の重量
比が3=1より小さい場合には、β−8iCの生成は充
分であっても、Si3N4およびS 12ON2 を
生成するための金属ケイ素量が不足するので、強固な複
合結合が得られない。
また金属ケイ素と残留炭素の比が6二1より大きいとピ
ッチの添加量が少なすぎて、ねつ合物の可塑性が低下し
、成形体のカサ比重が小さくなると同時に、金属ケイ素
表面に形成される残留炭素の被覆が少なくなり、金属ケ
イ素が焼成初期に酸化され易く、また、β−8iCの生
成が少なくなり、複合結合の効果が小さくなる一方、窒
化時間を長く必要とするようになるからである。
ッチの添加量が少なすぎて、ねつ合物の可塑性が低下し
、成形体のカサ比重が小さくなると同時に、金属ケイ素
表面に形成される残留炭素の被覆が少なくなり、金属ケ
イ素が焼成初期に酸化され易く、また、β−8iCの生
成が少なくなり、複合結合の効果が小さくなる一方、窒
化時間を長く必要とするようになるからである。
このようにして得られた炭化ケイ素耐火物は、炭化ケイ
素粒子がβ−8i Cy S 12N4および812O
N 2で強固に複合結合されており、熱間強度と熱転導
度が大きく、耐磨耗性、耐スポーリング性および耐スラ
グ性に優れており、アルミニウム電解炉の側壁、高炉朝
顔、同シャフト部、その他の工業炉の内張材として好適
である。
素粒子がβ−8i Cy S 12N4および812O
N 2で強固に複合結合されており、熱間強度と熱転導
度が大きく、耐磨耗性、耐スポーリング性および耐スラ
グ性に優れており、アルミニウム電解炉の側壁、高炉朝
顔、同シャフト部、その他の工業炉の内張材として好適
である。
以下、本発明を実施例について、さらに説明する。
実施例 1
0.25m1l〜015朋の粒度の耐火材用一級品炭化
ケイ素(SiC;97.7ダ)と、0.044朋以下に
粉砕した金属ケイ素(Si:99.1%)および軟化点
86℃の石油ピンチ(固定炭素分;52.4%漁イを、
それぞれ表−1に示す割合で配合し、140℃でねつ合
し120℃で圧力100 Kp/Cm、”で型込成形し
、直径40朋、高さ50mmの円柱状成形体を作成した
。
ケイ素(SiC;97.7ダ)と、0.044朋以下に
粉砕した金属ケイ素(Si:99.1%)および軟化点
86℃の石油ピンチ(固定炭素分;52.4%漁イを、
それぞれ表−1に示す割合で配合し、140℃でねつ合
し120℃で圧力100 Kp/Cm、”で型込成形し
、直径40朋、高さ50mmの円柱状成形体を作成した
。
この成形体を4〜2rnmのコークス粒中に埋め込んで
、5℃/分の速度で1,400℃まで昇温させ、1,4
00℃に3時間保持した。
、5℃/分の速度で1,400℃まで昇温させ、1,4
00℃に3時間保持した。
1.000℃以上では、成形体の下方15σのコークス
粒中に、0.2517分の速度で空気を送入した。
粒中に、0.2517分の速度で空気を送入した。
これらの結果を表−1に示す。比較例S−1は、β−8
iCの生成率が最も高いがSi2ON2結合およびS
i3N4 結合の寄与が少なく、強度が弱い。
iCの生成率が最も高いがSi2ON2結合およびS
i3N4 結合の寄与が少なく、強度が弱い。
また、比較例S−4は、ねっ合物の充填性が悪く、焼成
品のカサ比重がやや小さく、強度も本発明品に比べて劣
る。
品のカサ比重がやや小さく、強度も本発明品に比べて劣
る。
X線回析によればS−4には、少量のα−8102とS
i が認められた。
i が認められた。
これに対し、本発明品のS−2とS−3は、抗圧力が大
きく、X線回析では、α−8iC。
きく、X線回析では、α−8iC。
β−8iC,α−812N4 +β−8i3N4,51
2ON2が検出された。
2ON2が検出された。
実施例 2
耐火材用一級品炭化ケイ素の2.4〜0.5朋粒を30
重量部、同じ<0.25〜0037馴粒を37重量部、
金属ケイ素を0.074mm以下に粉砕した微粉を23
重量部を良く混合したのち、軟化点84℃のコールター
ルピンチ(固定炭素分;55.2%)10重量部を加え
て140℃でねっ合し、圧力400 KF!/crrt
2. 温度120℃で型込成形し、厚さ120mm幅
200mm高さ400mmの直方体状成形体を作成した
。
重量部、同じ<0.25〜0037馴粒を37重量部、
金属ケイ素を0.074mm以下に粉砕した微粉を23
重量部を良く混合したのち、軟化点84℃のコールター
ルピンチ(固定炭素分;55.2%)10重量部を加え
て140℃でねっ合し、圧力400 KF!/crrt
2. 温度120℃で型込成形し、厚さ120mm幅
200mm高さ400mmの直方体状成形体を作成した
。
金属ケイ素と残留炭素の比率は4.2二1であった。
この成形体を5〜1鼎のコークス粒中に埋め込み、20
℃/ h rの速度で1,400℃まで昇温し、1.4
00℃に30時間保持した。
℃/ h rの速度で1,400℃まで昇温し、1.4
00℃に30時間保持した。
1,000℃以上では下方のコークス粒中に2137分
の速度で窒素含有産ガスを送入した。
の速度で窒素含有産ガスを送入した。
この廃ガスは、燃焼廃ガスをアルカリ洗浄したものでN
2が主体で02;5.8%、 co ; i、o饅を含
んでいた。
2が主体で02;5.8%、 co ; i、o饅を含
んでいた。
得られた耐火物のX線回析によれば、α−8iC,β〜
SiC,α−813N4 +β−813N4およびS
t2ON2が検出された。
SiC,α−813N4 +β−813N4およびS
t2ON2が検出された。
次に、本発明による耐火物と他の耐火物との特性の比較
結果を表−2に示す。
結果を表−2に示す。
試験方法として耐磨耗性はサンドブラスト法で比較し、
耐スポーリング性は25X25X100醒試験片の先端
5 Q mmを1,500℃の溶銑に浸漬し、試験片の
破壊状態を調べる方法で比較した。
耐スポーリング性は25X25X100醒試験片の先端
5 Q mmを1,500℃の溶銑に浸漬し、試験片の
破壊状態を調べる方法で比較した。
耐スラグ性は1,000℃の氷晶石塔(CaF2;5優
、A4,03; 5%を含む)に40時間浸漬し、侵食
率で比較した。
、A4,03; 5%を含む)に40時間浸漬し、侵食
率で比較した。
Claims (1)
- 1 炭化ケイ素粒子を骨材に使用し、金属ケイ素粉末お
よび有機系バインダーを結合部形成材として使用する耐
火物の製造法において、有機系バインダーとしてピッチ
を金属ケイ素粉末とピンチの残留炭素との重量比が3:
1乃至6:1の範囲内になるように配合し、混合物をね
つ合したのち成形し、成形体をコークス粒中に埋込んだ
後、1000℃以上において、空気、燃焼廃ガスまたは
窒素を単独で、あるいは空気と燃焼廃ガスまたは空気と
窒素の混合気をコークスね中に吹込みながら焼成するこ
とを特徴とする炭化ケイ素系耐火物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53151074A JPS5833192B2 (ja) | 1978-12-08 | 1978-12-08 | 炭化ケイ素系耐火物の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53151074A JPS5833192B2 (ja) | 1978-12-08 | 1978-12-08 | 炭化ケイ素系耐火物の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5580779A JPS5580779A (en) | 1980-06-18 |
| JPS5833192B2 true JPS5833192B2 (ja) | 1983-07-18 |
Family
ID=15510731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53151074A Expired JPS5833192B2 (ja) | 1978-12-08 | 1978-12-08 | 炭化ケイ素系耐火物の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833192B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2537567B1 (fr) * | 1982-12-08 | 1986-07-18 | Savoie Electrodes Refract | Produits refractaires lies par des residus carbones et du silicium metal en poudre et procede de fabrication |
-
1978
- 1978-12-08 JP JP53151074A patent/JPS5833192B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5580779A (en) | 1980-06-18 |
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