JPS5832338A - セルフシフト形ガス放電パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、放電スボツＦの２７４機能をそなえたいわゆ
るセＡ／７８／７）形ガス放電バネｐに関し、特に異常
電荷の偏在によって引き起こされる偶発的誤放電を防止
するようにし九七μフＶフ）形ガス放電パネルの改良に
関するものである。

一般に七μフシフト形のガス放電バネｐは、ＡＣメモリ
駆動形のデヲズマディスプレイに分類され、放電スポッ
トの形で書込まれた情報をそのままのパターンでＶフシ
して所定の位置に静止表示する機能をそ碌えている。し
かして当該パネルの電極はメモリ機能達成のために当然
に該電停層で被覆され九構成を有するのであるが、従来
かかる構成のパネルにおいては動作中に偶発的な異常放
電が発生してパネル内の表示情報が乱されるという問題
を生じていた。このような偶発的異常放電は、隣接した
放電七μ間でのＶフＦ動作に壁電荷の納金を積極的に利
用するようにしたいわゆる壁電荷転送方式の駆動法を採
る場合Ｋ特に著しく、従ってその原因は、Ｖフを動作の
繰返しに伴ってＶフシチャンネルの両端の電極対応誘電
体層表面に異常電荷が分極した状態で蓄積されて行く点
にあり、これが一定値を越えた時に情報に基づかない異
常放電が生ずるものと考えられている。

而して上記のような異常放電を避けるためにはシフトチ
ャンネｐの両端部の電極に異常蓄積電荷の排出機能を持
たさればよく、例えば特開昭４９−４８５８６号に示さ
れた形式のガス放電バネρにおいては、シフトチャンネ
ル両端部の電極全面をガス放電空間に直接露出させて電
荷の蓄積を不能とした構成が採用されている。ところが
上述のごとき露出電極を用いると、放電時のイオン衝撃
によって電極材料がスパッタし、当該電極近傍の放電特
性が変化して動作青金が短いという問題がある。他方・
、このような問題を解消すべく、ＦフＦチャンネμ両端
部の電極端縁部の傾斜を急峻となし、その上にア／ｌ’
ｔす（ＡＪｇＯａ）の誘電体層を蒸着、　　　すること
によって、そｑ）Ｉ！Ｉ電体層の電極端縁部に対応した
部分に電荷排出のための亀裂を設けて電極露出部を形成
する考え方が特願昭５４−１６４８１９号等によって提
案されている。この誘電体層に亀裂のような露出部を設
ける方法は極めて有用なものであるが、バネ／％／ｌｌ
Ｉ造工程中の熱処理工程、特に封止工程時に誘電体層の
電極露出部を通して電極が酸化してガス吸着源となシ、
パネル動作中の放電による加熱によって電極酸化部分に
吸着した炭酸ガス（Ｃｏ＠）、水（Ｈｓｏ）等がガス空
間へ放出され、放電特性を劣化させてバネμの信頼性を
低下させてい丸。

本発明は以上のような従来の状況から、誘電体層に形成
した異常電荷排出のための亀裂の電極露出部を通してパ
ネル製造工程中に生じる電極の酸化を防止し、もって信
頼性の高い偶発的誤放電をすくシた構造の七μフＶフシ
形ガス放電パネルの提供を目的とするものである。簡単
に述べると本発明は、シフＦチャンネμの少なくとも一
端部の放電セルを定める最外端電極対応の誘電体層を第
１のア％／Ｉす蒸着層と硼硅酸ガラス蒸着層および第２
の１Ａ／ミナ蒸着層を順次積層した多層構造で形成して
前記第２のア／Ｌ／ｌす蒸着層の前記最外端り 電極端縁部に対応した部分に蓄積電荷リ一方用の亀裂を
設けてなることを特徴とするものである。

以下本発明の寮施例につき図面ｔｅａｔ、て説明する。

第１図は本発明を鳳アンダ電極構造の七ｐフＶフを形ガ
ス放電バネＡ／に適用した場合の１例構成を示す要部断
面図で、バネμの電極配列自体は例えば特開昭５８−８
０５８号等にて周知のような２×８相の構成となってい
る。すなわち、ガス放電空間ｌを社さんで対内配置した
１方のガラス基板８の上に社８相の母線Ｙｌ、Ｙｌに交
互に接続された８群ｆ）ＹＩＩＢ／７）電１［ｙｘｉと
７１１．があシ、表面を誘電体層８で覆われている。ま
た他方のガラス基板番の内面には別の８相の母線ＸＩ、
ＸＳに交互に接続され九Ｘ＠Ｆフシ電１ＭＸ１ｊとｘｓ
ｊがあシ同じく表面を誘電体層６で覆われている。そし
てヒれらＸ　＠　ｖフシ電極とＹ側シフ）電極とは相互
に半ピッチ分オフセットした関係で対向し、それらの間
に順次一方の電極を隣接上μに共用した形のＶフシ放電
七μ配列ａｌ、１）１．Ｑｌ、（１１，ａＪ　−−−−
−を画定している。このようｆｋＶ）Ｆ放電セルの規則
的配列によってＶフシチャンネＡ／６が構成され、さら
に該Ｖフシチャンネμの右側に、端子Ｗに連なる書込み
電１ｉ７が設けられて、最初のｖ７）電極７１１と０間
に書込み放電セ／＆／ｌを構成している０なお書込み電
極７と終端Ｖフシ電極７ＩｎはＯｒ層ｇ、Ｏｕ層９およ
びＯｒ層８゛からな１８層構成となってお如、その他の
シフＦ電極はＯｒ層８を下地としたＣｕ層９からなる８
層構成となっている。

さてことまでの構成は上に参照した特開昭５８−８０６
８号会報記載のバネμ構成とさして変ら危い。

しかしながら本発明においては、前記書込み放電セＡ／
Ｖを含め九シフＦチャンネμの両端部の放電七μ、すな
わち書込み放電セ〜Ｗと終端Ｖフシ放電セ＊ｂｎを画定
する最外端電極？およびｙｅｎの端縁部には傾斜がつけ
られずに急峻な形状に形成してあ〉、それら電極ｙｅｎ
および７に対応する誘電体層８および６は、それぞれ第
１ＯＡｊｍＯｓ蒸着層８＆、　ｌｓ＆と硼硅酸ガツメ蒸
着層８℃、６ｂならびに第８のＡｊｓｏａ蒸着層８０．
５０を順次積層した多層構造で形成して、第８のＡｌ１
１０８蒸着層８Ｃおよび５０の電極端縁部に対応し先部
分に亀裂１０が形成しである。

かくして、上鮎のとと（Ｖ）Ｆチャンネルの両端部電極
対応の誘電体層を第１のＡｊ＠Ｏａ蒸着層。

硼硅酸ガラス蒸着層および第８のＡ１１ｏｔ蒸着層の多
層構造で形成して、第８のＡｊｍＯ１１蒸着層に亀裂１
０を設けておくととＫより、シフトチャンネル両端部の
誘電体層表面に蓄積する異常電荷をこの亀裂１０を通し
て前記書込み電極７および終端Ｖフシ電極ｙｓｎＫ速か
にリークさせることができ、偶発的誤放電の発生を回避
することが可能となる。

また蓄積電荷リーク用の亀裂１０は第２のＡｌＡｌ１１
Ｏ８，５ｃにのみ設けてあり、硼硅酸ガラス蒸着層８ｂ
、８ｏには発生していないので、電極７およびｙｔｉｎ
の端縁部はその硼硅酸ガラス蒸着層で被覆された形とな
って、大気と先金に遮断されることとなる。従ってバネ
Ａ／製造工程中にシける熱処理による電極酸化が防止で
龜ると同時にパネル動作中においても不要ガスのガス放
電空間への放出も防止でき、バネμの償頼性の向上が可
能となるのである。

なお前記のような誤放電防止のメカニズムを駆動法の面
から今少し具体的に説明すると、第２図は書込み電極端
子Ｗと各シフＦ用母線に印加する駆動電圧波形をそれぞ
れ符号を対応させて示す図で、ＳＰは書込みおよびＶフ
Ｆ期間、ＤＰは表示期間である。この第８図の駆動電圧
波形から明らかなように、期間Ｔｏの書込み時には、書
込み電極７に正極性の書込み電圧ＶＷが印加されて書込
み放電が生じるから、当該書込み電Ｉｉ７対応の第２の
Ａｊ８０Ｂ蒸着層５０の上にはマイナスの壁電荷が形成
”され、対向するＶフシ電極ｙ１１対応の第２のＡＪｇ
Ｏｓ蒸着層８０の上にはプラスの壁電荷が形成された状
態となる。そして以後のシフを動作は、引続くレフト電
極の電圧をｖｓｈのシフ）電位から順次接地電位に落し
てプラスの壁電荷を転送して行く形となるから、シフト
後めセル表面にはマイナスの電荷が取残されることとな
る。そしてこのような書込み動作とシフＦ動作を繰返し
て行く内に、従来の構成であると中間のシフト放電セル
では毎回極性反転による壁電荷の中和消滅がなされるの
で、残留電荷の累積作用はわずかであるが書込み電極対
応部ではマイナス電荷が滞留累積して亀に帯電し、シフ
ト終端部では転送されたプラス電荷が累積して正に帯電
して行くわけである。

第８図はそのような電荷の蓄積態様を模式的に示した図
で、横軸がシフ）チャンネル方向の距離に対応し、縦軸
が蓄積電荷の量に対応している。

しかるに本発明のように書込み電極７と終端Ｖ転送され
先玉の電荷がその亀裂１０を通して端部電極にリークす
るようになり、誤放電を生じるような異常な電荷の蓄積
は起こらない。

さて次に前記のような多層構造の誘電体層の形成方法に
ついて、書込み電ｆ！７を例にとって説明する。ｔず４
図に示すようにＯｒ層８．Ｏｕ層９゜Ｏｒ層８′の８層
構造の書込み電極７を形成したガラス基板４を用意する
。なおこの書込み電極７の端縁部は急峻な傾斜に形成し
である。そして書込み電極７管形成したガラス基板４上
方から層厚が例えばα６μ解の第１のＡｊｓＯｓ蒸着層
６ａを電子ビーム蒸着法で蒸着する。この際、第１ＯＡ
ｌｓＯｓ蒸着層６ａの電極７端縁部に対応した部分には
亀裂１０’が発生する。なおこの第１ＯＡｊｇＯａ蒸着
層６ａは、Ｏｒ層８′と次に積層する硼硅酸ガラス蒸着
層との密着性の向上ならびにＣ’ｕ層９が硼硅酸ガラス
蒸着層と直接接することＫよ？）　Ｃｕ層９０表面形成
した基板４の上方から層厚が例えばα１μｍ〜αｂμ解
の硼硅酸ガラス蒸着層５ｂを同じく電子ビーム蒸着法で
蒸着する。この際、硼硅酸ガラス蒸着層６ｂは第１のＡ
Ｊ８０１蒸着層６ａに発生した亀裂内部にまで入り込ん
で形成されるので、電極７はその硼硅酸ガラス蒸着層５
１）で被覆されることとなシ、その硼硅酸ガラス蒸着層
５ｔは電極７と大気との遮断をなす役割を有する。そし
てこのような硼硅酸ガラス蒸着層５１）を被着し九ガヲ
ス基板４上方から第６図に示すように層厚約４μｍ〜８
μｍの第８のＡｌｔｏｓ蒸着層６Ｃを蒸着するとその蒸
着層６０の書込み１４Ｍ７端縁部に対応した部分に蓄積
電荷リーク用の亀裂が発生する。

なお前述のように書込み電ｌｉｔ？端緻部をＡ１ｍＯｓ
材料で適度に被覆する方法としては、ガラス基板７を蒸
発源に対して自転させながら公転させるようないわゆる
デラネタ方弐による蒸着法が考えられるが、この方式で
は装置制約を受け、大形バネμの製作や、量産性に欠点
がある。それに対し、本発明ではそのような問題点がな
く、きわめて実用的である。

また第１図で示した各第８０Ａ＃ｓＯ８蒸着層８０゜６
０上に、さらにＭｇｏの表面層を形成して亀よいことは
勿論でＴｏゐ。

なお前述の実施例では書込み電極および終端Ｖフ［電極
対応の第３の７μミナ蒸着層に電荷リーク用の亀裂を設
は先例一ついて説明したが、その他、駆動浄態ヤ他の対
策との組合せによっていずれか一方の端部電極対応の第
８の１μ電す蒸着層にのみ亀裂を設けることも勿論可能
であゐ。

は、ｙフシチャンネルの少なくとも一端部の放電上μを
史める最外端電極対応の誘電体層を第１のア／Ｉ’這す
蒸着層と硼硅酸ガヲヌ蒸菅層および第８の１ｐ繊す蒸着
層を順次積層し大壷層構造で形成して前記第８のアルミ
ナ蒸着層の前記最外端電極端縁部に対応した部分に蓄積
電荷リーク用の亀裂を設けることにより、電荷の異常な
偏在を防止するとともにバネ／Ｉ／ｌ！造工程中におけ
ゐ電極酸化を防止でき、電極酸化に起因する障書が除去
し得て、特性が安定で信頼性の高いＡＣメモリ駆動形式
の七μ）Ｖフシ形ガス放電バネμの実現にきわめて有効
であゐ。

【図面の簡単な説明】

第１図社・本発明を適用したミアンメ電極構造の七μフ
ｌ’７）形ガス放電パネルを示す要部断面図、第８図往
動作を説明、するための駆動波形を示す図、第８図は蓄
積電荷の分布を模式的に示す図、ｊＩ４図〜第６図線本
発明によゐセμフＶフシ形ガス放電パキμの製造方法を
説明するための要部断面図で順次に示し九工程図である
。 ｌ；ガス放電空間、９．４；ガラス基板、Ｓｅ２；誘電
体層←多層構造）、９Ｊ５ａ−第１のアルミナ蒸着層、
８１）、　５ｂ：硼硅酸ガラヌ蒸着層、Ｂ　ｏ　ｅ　５
　ｏ　：第８の７／Ｉ’ｌす蒸着層、６：＄’７）チャ
ンネル、フ；書込み電極、ｌＯ：第２のアルミナ蒸着層
に設けた蓄積電荷リーク用の亀裂。 第３図 第４図 第５「η 　９８ 一一一「−ノ 第６閃 ゝ−−−−ｒ−−′

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 複数の母線に順次規則的に接続され九Ｖフト電極を誘電
   体層で被覆してガス放電空間に対面させ、各電極の対向
   領域ごとに画定される複数のＶフ）放電層〜の規則的配
   列でＶフトチャンネμを構成するとともに該Ｖフシチャ
   ンネμの一端に書込み電極を設けて書込み放電層μを構
   成してなる七μフＶフ）形ガス放電パネルにおいて、前
   記書込み放電層〜を含んだＶフシチャンネルの少なくと
   も一端部の放電セルを定める最外端電極対応の誘電体層
   を第１のアμミナ蒸着層と硼硅酸ガラス蒸着層および第
   ８のアｌｖｔす蒸着層を順次積層し九多層構造で形成し
   て前記第８のアＡ／ｌす蒸着層の前記最外端電極端縁部
   に対応した部分に蓄積電荷リーク用の亀裂を設けてなゐ
   ことを特徴とする七ｐフシフ）形ガス放電バネμ。