JPS5832004A - セレン蒸着材料の製造方法 - Google Patents
セレン蒸着材料の製造方法Info
- Publication number
- JPS5832004A JPS5832004A JP13073581A JP13073581A JPS5832004A JP S5832004 A JPS5832004 A JP S5832004A JP 13073581 A JP13073581 A JP 13073581A JP 13073581 A JP13073581 A JP 13073581A JP S5832004 A JPS5832004 A JP S5832004A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- selenium
- vacuum
- crystallized
- heating
- photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真用感光体、撮像管などの光導電層の
形成に用いられるセレン蒸着材料の製造方法に関する。
形成に用いられるセレン蒸着材料の製造方法に関する。
電子写真用感光体は、アルミニウム、銅、ニッケル、ス
テンレスなどの４電性支持体上に、セレンを主成分とす
る感光体層を真空蒸着法などにより被着することにより
製造されてきた。このような電子写真用感光体は、帯１
１を電位の暗減衰速度が小さいこと、光照射時の光減衰
速度が大きいこと。
テンレスなどの４電性支持体上に、セレンを主成分とす
る感光体層を真空蒸着法などにより被着することにより
製造されてきた。このような電子写真用感光体は、帯１
１を電位の暗減衰速度が小さいこと、光照射時の光減衰
速度が大きいこと。
光疲労あ・よび繰返し疲労が小さく残留電位が使用によ
り増加しないことなどの諸性質を備えることが必要とさ
れる。
り増加しないことなどの諸性質を備えることが必要とさ
れる。
ところが蒸着材ネ］であるセレンは、無定形セレンと、
セレン原子ｇ個で環状構造を形成する単斜晶系セレンと
、セレン原子が長鎖状に並んだ構造を有する大方晶系セ
レンとの３つの態様を有する乙とが知られている。そし
て環状構造を有するセレンと長鎖状構造を有するセレン
との混合割合に応じて、得られる感光体の物性たとえば
残留電位の増加などが変化することが、本発明者によっ
て見串された０邊だセレン中には微量ではあるが有機化
合物が含まれて＞シ、この有機化合物が感光体物性に悪
影響を与えることが本発明者によって卯、出された。
セレン原子ｇ個で環状構造を形成する単斜晶系セレンと
、セレン原子が長鎖状に並んだ構造を有する大方晶系セ
レンとの３つの態様を有する乙とが知られている。そし
て環状構造を有するセレンと長鎖状構造を有するセレン
との混合割合に応じて、得られる感光体の物性たとえば
残留電位の増加などが変化することが、本発明者によっ
て見串された０邊だセレン中には微量ではあるが有機化
合物が含まれて＞シ、この有機化合物が感光体物性に悪
影響を与えることが本発明者によって卯、出された。
このため１本発明者は活性炭処理した亜セレン酸液から
粉末セレンを調製し、これを真空蒸留してセレン蒸着材
料を製造する方法あるいはセレンを大気蒸留し、次いで
真空蒸留してセレン蒸着材料を製造する方法を提案して
きた。
粉末セレンを調製し、これを真空蒸留してセレン蒸着材
料を製造する方法あるいはセレンを大気蒸留し、次いで
真空蒸留してセレン蒸着材料を製造する方法を提案して
きた。
（−かじながら上記方法にセレン材料を製造することに
よって得られる感光体の繰返し疲労、残留電位の増加は
一部改善されても、帯電電位の変動などの電気特性のば
らつきは充分には改善されていなかった。感光体中に１
イ気特性のばＣ）つきが生ずると、画像濃度のばらつき
が生じることとなるため好ましくない。
よって得られる感光体の繰返し疲労、残留電位の増加は
一部改善されても、帯電電位の変動などの電気特性のば
らつきは充分には改善されていなかった。感光体中に１
イ気特性のばＣ）つきが生ずると、画像濃度のばらつき
が生じることとなるため好ましくない。
本発明はこの」：うた欠点を解決しようとするものであ
り、繰返し疲労および残留γ［を酢の増加が少なり、シ
かも電気的特性のばらつきの少ない感光体を与えうるセ
レン蒸着相別の製造方法を祈供することを目的としてい
る。
り、繰返し疲労および残留γ［を酢の増加が少なり、シ
かも電気的特性のばらつきの少ない感光体を与えうるセ
レン蒸着相別の製造方法を祈供することを目的としてい
る。
本発明によるセレン蒸着材料は、セレン材料を非酸化雰
囲気中で加熱して結晶化させ、次いで減圧蒸留すること
により製ｊ名さｉ］るξとを！１１？徴とし７ている。
囲気中で加熱して結晶化させ、次いで減圧蒸留すること
により製ｊ名さｉ］るξとを！１１？徴とし７ている。
原料セレンは粉末状またけペレット状のいずれでもよい
。一般にセレンの結晶化温度（Ｔｃ） ｌ、Ｌ。
。一般にセレンの結晶化温度（Ｔｃ） ｌ、Ｌ。
１１０〜ｉｒｏ℃であるので、粉末状捷たｔ：１．ベレ
ット状セレンを、非酸化雰囲気中で／３０〜．！００℃
の温度で０．！−ｊ時間加熱することによシ、セレンを
結晶化する。「非酸化雰囲気」とは、酸素を含有し、な
い雰囲気を意味し、具体的には、ヘリウム。
ット状セレンを、非酸化雰囲気中で／３０〜．！００℃
の温度で０．！−ｊ時間加熱することによシ、セレンを
結晶化する。「非酸化雰囲気」とは、酸素を含有し、な
い雰囲気を意味し、具体的には、ヘリウム。
ネオン、アルゴンあるいは窒素などの不活性ガス中また
け真空中などを意味する。
け真空中などを意味する。
このようにして結晶化したセレンを、冷却して大気温度
とし、酸素吸着による影響をできるだけ少なくする。次
いで結晶化されたセレンを真空蒸留装置中に移し、装置
内を１０−１１〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空度に保持して
、２！ｒＯ〜３２０℃の温度で蒸留することによって、
不純物が除去されしかも優れた電気！特性を与えうるセ
レン蒸着材料が得られる。結晶化されたセレン中の有機
化合物などの不純物は、真空蒸留装置中にアルゴンなど
の不活性ガスを導入１〜て真空蒸留装置中の真空度を低
下させ、約夕Ｏθ℃程度の温度で蒸留することによって
一層除去することができる。
とし、酸素吸着による影響をできるだけ少なくする。次
いで結晶化されたセレンを真空蒸留装置中に移し、装置
内を１０−１１〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空度に保持して
、２！ｒＯ〜３２０℃の温度で蒸留することによって、
不純物が除去されしかも優れた電気！特性を与えうるセ
レン蒸着材料が得られる。結晶化されたセレン中の有機
化合物などの不純物は、真空蒸留装置中にアルゴンなど
の不活性ガスを導入１〜て真空蒸留装置中の真空度を低
下させ、約夕Ｏθ℃程度の温度で蒸留することによって
一層除去することができる。
このようにして製造したセレン蒸着材料を用いて、電子
写真用感光体を製造すると、帯電電位の低下などの繰返
し疲労が少なく、かつ残留電位が使用により増加せず、
しかも電気特性のばらつきの少ない感光体が得られる。
写真用感光体を製造すると、帯電電位の低下などの繰返
し疲労が少なく、かつ残留電位が使用により増加せず、
しかも電気特性のばらつきの少ない感光体が得られる。
以下本発明を例により説明するが１本発明はこれらに限
定されるものではｆ［い。
定されるものではｆ［い。
例／
繰返し使用による残留’！−１を位の増加の大きいセレ
／材ＲＡを用意した。このセレン材ネ：１をアルゴン中
で、／３０”Ｃ、／１０℃、 ｉｇｏ℃の温度で、それ
ぞれ１時間熱処理して結晶化させた。次いで結晶化した
セレン材料全冷却した後、真空蒸留装置中に移し、１０
”１１Ｔｏｒｒの真空度で３００”Ｃ，にて蒸留するこ
とによシ、セレン蒸着材料を製造した。このセレン蒸着
材料を／ Ｘ １０’ Ｔｏｒｒの真空度で、蒸着ボー
ト温度λり０℃、アルミ基板下地温度６５℃、蒸着時間
ＳＯ分の条件下で常法に従ってアルミ基板上に真空蒸着
法によυＳＯμｍの膜厚で積層させて感光体を製造した
。なふ・比較例として、結晶化処理および蒸留処理を施
さずにその１捷アルミ基板上に積層したものを示す。
／材ＲＡを用意した。このセレン材ネ：１をアルゴン中
で、／３０”Ｃ、／１０℃、 ｉｇｏ℃の温度で、それ
ぞれ１時間熱処理して結晶化させた。次いで結晶化した
セレン材料全冷却した後、真空蒸留装置中に移し、１０
”１１Ｔｏｒｒの真空度で３００”Ｃ，にて蒸留するこ
とによシ、セレン蒸着材料を製造した。このセレン蒸着
材料を／ Ｘ １０’ Ｔｏｒｒの真空度で、蒸着ボー
ト温度λり０℃、アルミ基板下地温度６５℃、蒸着時間
ＳＯ分の条件下で常法に従ってアルミ基板上に真空蒸着
法によυＳＯμｍの膜厚で積層させて感光体を製造した
。なふ・比較例として、結晶化処理および蒸留処理を施
さずにその１捷アルミ基板上に積層したものを示す。
このようにして製造した感光体の以下の諸物性を≠サン
プルについて測定して求めた。
プルについて測定して求めた。
Ｉ） Ｓ （ｌｘ、ｓｅｅ ）
１０ＯＯＶの帯電電位を与え、／Ｑルックスの光を照射
して５ｏｖ−４で光減衰させるのに必要な光ｔ。
して５ｏｖ−４で光減衰させるのに必要な光ｔ。
ＩＩ） ＶＲ１６（ｖｏｌｔ ）
１０θＯｖよシ光減衰させ、／を砂径の残留電位。
ｌ１ｌ） ＶＤ （ｖｏｌｔ ）
５００回繰返し使用した後の蓄積電位０結果を表に示す
。
。
例コ
別のセレン材料Ｂを用いて、例１と同様にして感光体を
製造した。このセレン材料Ｂは、各バッチ間の電気特性
のばらつきが大きいものであった。
製造した。このセレン材料Ｂは、各バッチ間の電気特性
のばらつきが大きいものであった。
結果を表に示す。
例３
別のセレン材料Ｃを用いて、例１と同様にして感光体を
製造した。このセレン材料Ｃは、残留電位の大きいもの
であった。
製造した。このセレン材料Ｃは、残留電位の大きいもの
であった。
結果を表に示す。
マ；≠サンプルの平均イ１１４
ａ；標章偏差
Ｒ；最大値と最小値の差
表かられかるように、セレン材料を非酸化雰囲気中で加
熱して結合化させ、次いで減圧蒸留することによシ、感
度などのばらつきが少なくかつ残留疲労が小さくしかも
蓄積電位の小さい感光体が得られる。
熱して結合化させ、次いで減圧蒸留することによシ、感
度などのばらつきが少なくかつ残留疲労が小さくしかも
蓄積電位の小さい感光体が得られる。
出願人代理人 猪 股 清
Claims (1)
- セレン材料を非酸化雰囲気中で加ｎ４０，５て結晶、化
させ、次いで減圧蒸留することｌ ｌｐ徴とするセレン
蒸着材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13073581A JPS5832004A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | セレン蒸着材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13073581A JPS5832004A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | セレン蒸着材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832004A true JPS5832004A (ja) | 1983-02-24 |
Family
ID=15041369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13073581A Pending JPS5832004A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | セレン蒸着材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832004A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03255458A (ja) * | 1990-03-05 | 1991-11-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光導電素子用非晶質セレン膜の製造方法 |
| JP2009263212A (ja) * | 2008-03-29 | 2009-11-12 | Mitsubishi Materials Corp | 結晶質セレンとその結晶化方法および粉末化方法 |
-
1981
- 1981-08-20 JP JP13073581A patent/JPS5832004A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03255458A (ja) * | 1990-03-05 | 1991-11-14 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光導電素子用非晶質セレン膜の製造方法 |
| JP2009263212A (ja) * | 2008-03-29 | 2009-11-12 | Mitsubishi Materials Corp | 結晶質セレンとその結晶化方法および粉末化方法 |
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