JPS5830740B2 - 半導体装置を製造するための装置 - Google Patents

半導体装置を製造するための装置

Info

Publication number
JPS5830740B2
JPS5830740B2 JP50027229A JP2722975A JPS5830740B2 JP S5830740 B2 JPS5830740 B2 JP S5830740B2 JP 50027229 A JP50027229 A JP 50027229A JP 2722975 A JP2722975 A JP 2722975A JP S5830740 B2 JPS5830740 B2 JP S5830740B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor
frame
conductor frame
conductors
split
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP50027229A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS50127571A (ja
Inventor
ウイリアム フエネシー ドナルド
ウオルター シユミツズ ハリー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JPS50127571A publication Critical patent/JPS50127571A/ja
Publication of JPS5830740B2 publication Critical patent/JPS5830740B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0444Apparatus for wiring semiconductor or solid-state device
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P80/00Climate change mitigation technologies for sector-wide applications
    • Y02P80/30Reducing waste in manufacturing processes; Calculations of released waste quantities

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体装置の製造、更に具体的に云えば、プ
ラスチックでカプセル封じされる半導体装置のペレット
の取付は並びにカプセル封じの製造工程の際、導線の組
を支持する方法並びに装置に関する。
一般に半導体装置は環境に対する保護を必要とする。
信頼性のある動作が得られるようにするには、例えば機
械的な酷使、水、水蒸気、溶媒、油、グリース及び酸等
のような多くのもの呈影響に対して保護しなげればなら
ない。
勿論1個の半導体装置が前述の全ての危険にさらされ、
その為にそれら全てからの保護を必要とすることは稀で
あるが、1回のパッケージ方式だけを利用して、大部分
又は全ての共通の潜在的な危険に対して保護するのが経
済的に望ましい。
こうすれば、大量生産が容易になり、コストが下げられ
る。
プラスチックのカプセル封じは比較的安いコストで半導
体装置を物理的並びに電気的に保護する有効な方法であ
ることが判っている。
更にプラスチックのカプセル封じは、半導体装置を形成
する幾つかの部品に対する物理的な支持体となり、この
為、普通は機械的な支持体となるヘッダを省略すること
が出来ると云う利点がある。
然し、従来、プラスチックのカプセル封じの潜在的な利
点は、以下の例を考えれば判るように、十分に活用され
ていなかった。
プラスチックでカプセル封じされる半導体装置を製造す
る1つの方法では、最初に銅の条片を打抜いて導線の一
部分を限定する工程から開始される。
即ち、トランジスタを製造する場合、3本の導線の一部
分が形成されるように銅の条片を打抜く。
銅の条片の内、条片の一体性を保つのに十分な一部分を
そのま呈にしておき、この後の製造過程を好ましくはバ
ッチ式又は大量生産式に行なう。
半導体ペレットが3本−組の導線に取付けられ且つ電気
接続が行なわれた後、ペレットの周囲にある各装置の部
分をカプセル封じする。
典型的には、銅の内、ペレットから最も遠い部分が前述
の工程の間溝線を支持する。
カプセル封じの後、この部分を取去り、こうして個々の
トランジスタ及び導線を条片から切離す。
こうして形成された導線は、銅の条片を打抜く際に角が
形成されるので、それをなくす為の丸め作業にかげる場
合が多い。
この方式の欠点は、必要な工程数が多いこと、並びにか
なりの量の材料のむだが出ることである。
初めの銅の条片の僅かな部分しか最終的には完成された
装置の一部分として作用しないので、むだが生ずる。
条片の残りの部分が材料のむだである。プラスチックで
カプセル封じされたトランジスタを製造する別の方法で
は、何組かの導線を小さなプラスチックの玉に通し、こ
うして−緒に結合する。
製造中、組の導線をペレットと同じく個々に処理し、と
び出し導線をそれに固着する。
最後に、プラスチックのカプセル対しをやり易くするよ
うに型と協働するラックに何組かの導線を配置する。
カプセル封じ工程の後、プラスチックの玉を導線から取
除いて捨てなげればならない。
今述べた方式の主な欠点は、玉材料がむだになることで
あり、これはヘッダを省略したことによって得られるコ
ストの節約を少なくとも部分的には帳消しにする。
更に、各々の玉及び各組の導線を大部分の製造作業では
個々に処理するので、処理が複雑で多くの工程を必要と
する。
従って、この発明の目的は、安いコストで、最小限の工
程を用い、且つ材料のむだを最小限に抑えて、プラスチ
ックでカプセル封じされた半導体装置を製造する方法並
びに装置を提供することである。
この発明はプラスチックでカプセル封じされた半導体を
製造する方法並びにその方法の実施に適した装置を提供
する。
この発明では、線形配列で複数個の要素を含む再使用し
得る分割式導線枠を用いる。
要素は、その間の間隔を変えることが出来るように弾性
的に接続されている。
各々の要素が、そこから略平行な2列の突片が突出する
面を持つ。
突片が略平行な2列の導線保持溝孔を限定する。
更にこの発明では、椀形型空洞の線形配列を構成する型
を用いる。
各空洞は、導線保持溝孔に保持された導線と近似的に整
合させることが出来るような間隔で配置されている。
分割式導線枠の各々の要素から整合ピンが突出している
複数個の整合開口が型に形成され、各各の椀形型空洞に
隣接して1つの開口がある。
各各の要素がピンを持ち、各々の型空洞に整合開口が付
設され、要素の間の間隔が可変であるから、整合ピンを
整合開口に挿入すると、導線保持溝孔に固定された導線
と椀形型空洞とが正確に整合する。
この為、導線の長さを適当に選ぶことにより、導線の1
端を椀形空洞に正確に位置ぎめし得ることが理解されよ
う。
この為、導線の端に半導体装置を作る場合、分割式導線
枠と型との協働作用により、装置の正確なカプセル封じ
が著しく簡単になる。
更にこの発明では、空間的に相隔たっていて、分割式導
線枠にある導線保持溝孔と略同じ間隔の複数個の導線保
持溝孔を限定する全体的に平行で細長い2つの部材で構
成される再使用し得る主導線枠を用いる。
細長い部材の隔たりは分割式導線枠にある平行な突片の
列の隔たりより若干短い。
この特徴並びにその他の特徴により、細長い部材は分割
式導線枠の突片の間を部分的に摺動することが出来、以
下説明するように、組の導線を一方の導線枠から他方の
導線枠へ移し易くする。
このことは、主導線枠がペレットの取付は並びにボール
・ボンディングのような工程の間、組の導線を保持する
のに特に適しており、これに対して分割式導線枠がカプ
セル封じ過程の間、組の導線を保持するのに特に適して
いるので、有利であると考えられる。
このような適材適所の使い方が得られる特徴を以下説明
する。
好ましい方法を実施する際、複数個の組の導線を再使用
し得る主導線枠に取付ける。
導線枠、従つて導線を支持している間、各組の1本の導
線にペレットを取付け、適当なとび出し導線を所定位置
に結合する。
次に各組の導線を再使用し得る分割式導線枠に移し、各
々の要素が一組の導線を支持するようにする。
型に形成された椀形型空洞に硬化し得る流体カプセル封
じ剤を充填する。
ペレットを支持している導線の端をカプセル封じ剤に浸
漬する。
分割式導線枠の整合ピンを型の整合開口と整合させ、こ
うして各組の導線及び椀形型空洞を適正に整合させる。
型並びに両方の導線枠が再使用し得るものであることを
強調しておきたい。
この為、前に述べた銅の条片の過剰な部分がむだになる
のと較べて、材料のむだがない。
従って、コストは最小限に抑えられる。
更に、以下の説明から明らかになるように、両方の導線
枠並びに型は特に製造の自動化に適しており、装置の単
価を更に切下げることが出来る。
次にこの発明を図面について説明する。
最初に第1図乃至第3図について説明すると、この発明
の方法を利用して便利に作ることが出来る種類のトラン
ジスタ21が示されている。
成型プラスチック本体が平坦にした側面23を持つ上側
円筒形部分22で実質的に構成される。
トランジスタ21の底に円形フランジ24がある。
3本の導線25が円形フランジの底から突出する。
1例として、トランジスタ21を作る場合を以下説明す
る。
第4図及び第5図には、金属の再使用し得る主導線枠3
1が示されている。
これは空間的に隔たり、全体的に平行で細長い2つの金
属部材32及び33で本質的に構成される。
金属部材は燐青銅のような弾性金属で作られ、予定の距
離だけ隔たり、各々が複数個の組の導線保持溝孔35を
限定している。
燐青銅を使う時、金属条片からの型押しによって簡単に
部材を作ることが出来る。
各組の溝孔35は幾分一層広い分離溝孔36によって隔
てられている。
導線枠31は細組かの溝孔を持つ。
例えば、これから説明する装置並びに方法では、1つの
導線枠に25組の溝孔(75個の溝孔)を好便に設ける
ことが出来ることが判った。
この為、好ましい導線枠は第4図に示す溝孔35を25
組有する。
導線枠31の図に示してない反対側は、第4図に示す端
の鏡像である。
割出し接続体集成体37が導線枠31の夫々の端で2つ
の部材32及び33を接続する。
割出し接続体集成体37は第5図に一番よく示されてい
る。
ピン38が各々の部材32及び33の開口を通抜げる。
ピン38の夫々の端の近くに切込んだ溝に押え用のC字
形リング39をはめる。
部材32及び33の適正な隔たりが得られるようにする
為、ピン38が外側割出しスリーブ41の中を通る。
スリーブの長さは部材32及び330間の所望の隔たり
に対応する。
好ましくは一方のリング39を第5図に示すように皿形
にして、ばね作用を持たせる。
スリーブ41及びピン38を一体の材料にしてもよいこ
とは勿論である。
スリーブの寸法は、スリーブ410周縁が第5図に示す
ように細長い部材32及び33の端に接するように選ぶ
ことが好ましい。
こうするのは、後で説明するように、導線枠31の端を
割出しに使うからである。
接するようにすると、割出しの為に一層大きな端の表面
積が得られる。
第4図に示すように、各組の導線保持溝孔35に一組の
導線42a)b、cを入れる。
各々の導線はl端が、ボール・ボンディング及びペレッ
トの取付けのような工程をやり易くするように平坦にし
であることが認められる。
金属部材32及び33は溝孔35に導線42a乃至Cを
装入し易くする為に幾分弾力性を持つようにする。
更に、分離溝孔36は、溝孔を限定する指片が適切に横
方向に移動する場所が得られるように保証する。
第6図及び第7図には、導線42a乃至Cを導線保持溝
孔35に装入する導線装入装置45が示されている。
導線42が巻取り46からくせ取り及び案内用の2つの
開口47,48を通って基部部材50上の装入箇所に通
される。
開口の間に平坦な床部分があり、こ工で導線42は露出
している。
図にはソレノイド51に装着した爪49として概略的に
示した導線送り装置が平坦な床部分で導線42にのつか
る。
ソレノイド51を作動すると、爪49が右へ移動し、導
線42を一緒に連行する。
ソレノイド51を不作動にすると、爪49が左へ移動す
るが、導線は動かずにいる。
75個の導線保持溝孔35の各々に別々の導線が供給さ
れるから、巻取り46は導線42075個の巻取りの内
の1つにすぎないことに注意されたい。
数多くの平行な導線を逐次的に前進させる様な市場で入
手し得る装置としては、イリノイ州マシン・ツウールズ
・アンド・エンジニアリング・カンパニからラピッドエ
アの商品名で販売されるワイヤ送り装置がある。
勿論、ソレノイド51及び爪490代りにこう云う装置
を用いてもよい。
第7図には、軸53及びラム54によって垂直方向に可
動になっている細長い部材52が示されている。
第6図に見られるように、部材52が溝路55を限定し
、その一部分が2つの肩56によって限定される。
肩はピン38の両端と相互作用し、主導線枠31が図示
の如く溝路内に摺動自在に保持されるようにする。
溝路55の土壁が垂直方向に摺動し得るプラテン43に
よって限定され、これがばね44(2つしか示してない
)により、細長い部材32及び33の上部に押付けられ
る。
導線枠31を出し入れする際、垂直方向の摺動の間、プ
ラテン43が基部部材50に対して略平行のま工であっ
て、引つかよることがないように保証する為、複数個の
ばね44が設げられる。
第7図にはっきりと示されているように、細長い部材5
2は大体2つの導線枠31の端を突き合せた長さに等し
い。
右側に選択的に解放し得る蝶番式掛金57があり、これ
は第7図に示す位置にある時、導線枠31が部材52の
右側の端から滑り出ないようにする。
然し、掛金57を第7図に破線で示す位置に回転すると
、導線枠31は部材52の右側の端から自由に滑り出る
普通に利用し得る任意の装置により、掛金部材57を制
御することが出来る。
主導線枠31を入れ易くする為、溝路55の左側の端は
若干広げであることが第8図から認められよう。
第6図を見れば、導線42は開口48を出た後、切断部
58を通ることが判る。
こSで部材52に設げた切断刃部分59が、部材52が
垂直下向きに移動する際、導線を切断する。
導線の端は2つのた工きつぶしダイス63及び640間
にはさまれる。
75本の導線42が複図個のリプ66によって限定され
た複図個の溝孔65を通ることが第8図から判る。
更に、枠を適正に位置ぎめした時、溝孔65が導線枠3
1にある導線保持溝孔35と整合することが理解されよ
う。
部材52の中に2つの導線枠31を用いることにより、
導線枠の大体の位置ぎめが行なわれる。
右側の枠(第7図)を掛金57に当てつげ、左側の枠を
右側の枠の端に突き合せると、大体の整合が得られる。
更に精密な整合は頂面に切欠きをつけた位置ぎめシリン
ダ67によって行なわれる。
このシリンダはばね69の荷重を受ける。
第8図に一番はっきりと示されているように、部材52
が上側位置にある時、割出しスリーブ41はシリンダ6
7から離れ、この為、導線枠31が細長い部材52の中
を摺動し得る。
然し、ラム54を作動し、細長い部材52が下げられる
と、スリーブ41がシリンダ67と係合しく第7図)、
導線保持溝孔35と溝孔65とを精密に整合させる。
スリーブ41がシリンダ69のV字形の頂面に一杯に係
合すると、導線枠31のそれ以上の下向きの動きばばね
69によって吸収される。
頑丈な導線枠を利用すれば、スリーブ41又は導線枠3
1の端だけを割出すことにより、全ての溝孔35を正し
く位置ぎめすることか出来ることが理解されよう。
この為、組立て装置は比較的簡単な設計にすることが出
来る。
ソレノイド51及びラム54は普通の装置によって制御
されるが、こう云う装置はこ工で説明する必要がない。
導線42a乃至42cを再使用し得る主導線枠31に装
入するのは次のように行なわれる。
細長い部材52が上側位置にある状態(第8図)で、2
つの導線枠31を溝路55の中に端を突き合せて配置す
る。
掛金57が第7図に示す位置にあると、位置決めシリン
ダ67とスリーブ41との大体の整合が得られる。
ソレノイド51(又は他の導線送り装置)を作動して、
導線42を第6図に示す位置まで伸び出させる。
その後、ラム54を作動する。細長い部材52が下向き
に移動する際、導線枠31を構成する2つの部材32及
び33が導線42に係合し、部材32及び330弾力性
並びに基部、50による導線の下向きの移動に対する拘
束により、導線42が主導線枠によって捕捉される。
溝孔65が導線の太さより若干広いから、この後、細長
い部材52が上向きに移動する際、導線を持上げるのに
何等拘束はない。
導線保持溝孔35に導線42を受入れてから少し後、切
断刃59が導線42を適当な長さに切断する。
切断の後、切断刃59が基部の面内の溝に対する行過ぎ
を完了する間、た工きつぶしダイス63及び64が互い
に接近して、第4図に示す様に、導線42a乃至42c
の端に平坦化部分を形成する。
平坦化作業の後、ラム54が後退し、この時切断されて
いる導線が、細長い部材52の上向きの移動の際、溝孔
65から持上げられる。
ラム54の垂直方向の後退に続いて、機械の操作員が掛
金57を第7図に破線で示す位置へ移す。
この後、2つの導線枠31を右に移動し、前には右側に
あった導線枠を溝路から取出す。
この導線枠の移動は、溝路55に左側から別の導線枠3
1を装入することによって行なうのが、最も容易である
右側の導線枠31を溝路から取出した時、操作員が掛金
57を第7図に示す位置へ戻す。
組の導線42a乃至42cを受取ったばかりの導線枠3
1が、新たに装入された導線枠に対して大体の割出しを
行なう。
この導線装入サイクルが繰返される。
各サイクルにより、導線枠31には25個の半導体装置
を製造する為の25組の導線が供給される。
第9図には、この発明の方法に従ってトランジスタを製
造するこの後の段階に使われる金属材料の条片11の一
部分が示されている。
この条片は例えばコバール(KOVAR)のような材料
で作ることが出来る。
条片71に沿って、半導体装置の能動素子を形成する半
導体装置チップ72が間隔をおいて設けられる。
チップ720間で、間隔をおいて割出し用ぼっち73が
条片に形成される。
コバールの条片71は、普通の装置により、ぼつちを設
け、そしてチップ72を取付げることが出来る。
第10図には、条片71の一部分を導線42bに溶接す
る装置75が示されている。
基部76が2つのリブ77及び78を支持し、これらの
リフが主導線枠31を摺動自在に保持する溝路な限定す
る。
導線枠31を位置ぎめする為の割出しは、第6図乃至第
8図に示した割出し装置と同様にするのが好ましい。
更に、図に示したのは装置75の一部分だけであること
に注意されたい。
実際には、各々の導線42bに対して条片を1つずつ、
合計25個の条片71を供給する25個の同様な装置が
ある。
台79が点溶接機81の一方の電極を構成し、この点溶
接機が第2の電極82に結合されている。
導線42bの平坦にした端及び条片71の端が電極79
及び820間に配置されることが認められよう。
条片71は第9図に示す材料の巻取り70から構成され
る装置ぎめの部材83がソレノイド85によって駆動さ
れるカッタ84と協働して、条片71を位置ぎめすると
共に、条片の一部分を導線42bに溶接した後、この部
分を切断する。
第6図に示す場合と同様に、プラテン86がソレノイド
87及び爪88と協働する。
右へ移動する時(第10図で見て)、爪88がぼつち7
3に押付げられ、条片71を予定の距離(ソレノイドの
行程によって決まる)だけ右へ移動させる。
ぼつち73はソレノイドの行程より若干短な距離だけ隔
たっている。
この為、ソレノイドの復帰行程の後、爪88がぼつちの
直ぐ左側(第10図で見て)で停止する。
この為、各行程中のごく早い時に爪がぼつちとぶつかる
装置75の動作中、導線枠31を第10図に示す位置へ
摺動自在に装入する。
普通の装置によってソレノイド87を作動し、条片γ1
の端を移動させて、それが導線42bの平坦にした部分
と重なるようにする。
次に、溶接機81を作動して、条片71の端及び導線4
2bの平坦にした部分を溶接する。
最後に、ソレノイド85を普通の装置によって作動し、
条片71の溶接された部分を条片の残りの部分から切断
する。
切断作業の後、主導線枠31を装置75から摺動によっ
て取出す。
導線枠31を溶接電極79及び820近くにある間に垂
直方向に移動させると、溶着部又は条片71上のベレッ
ト72をきずつげる惧れがあるので、摺動によって取出
すのが好ましい。
普通の装置を用いて半導体装置に適当な導線をボール・
ボンディングによって結合するのに同様な割出しを用い
る。
第11図乃至第14図には、相互に弾性的に取付けられ
ていて線形配列を形成する複数個の要素92を持つ再使
用し得る弾性的な分割式導線枠91が示されている。
各々の要素92は、後で説明するように、−組の導線4
2a乃至42cを支持するようになっている。
組の導線42a乃至42cは、ペレット72を導線42
a及び42cに電気的に結合するとび出し導線を適用し
た後、導線枠91に移されろ。
導線枠31を前に示したのと同様な方法によって支持並
びに割出す間、とび出し導線を普通の方法によって取付
ける。
枠91は弾性プラスチックで成型され、要素92の間に
溝孔93力廼己置されている為、それらを寄せ集めたり
或いは離すことが出来る。
各々の要素の面上にある突片96の全体的に平行な2列
94及び95が、各々の要素に3つの導線を保持する溝
孔9702つの群を形成する。
列94及び95は、導線枠31の金属部材32及び33
の隔たりとは異なる予定の距離だけ隔たっている。
導線保持溝孔97は導線枠31にある導線保持溝孔35
と略同じ間隔である。
この為、これから説明するように、組の導線を主導線枠
31から分割式導線枠91に移すのが容易になる。
複数個の整合ピン98が枠91から、導線枠にある時の
組の導線42a乃至42cと略平行な方向に突出する。
整合ピン98の作用は後の説明から明らかになる。
第13図に一番はっきりと示されているように、各々の
要素92から位置ぎめ片99が伸び出しているが、その
目的は後で説明する。
導線がどのように保持されるかをはっきりと説明する為
に、以上の説明では分割式導線枠91の所定位置に導線
を配置した場合を示した。
次に、組の導線を主導線枠31かも分割式導線枠91に
移す装置を説明する。
第15図及び第16図に、主導線枠31から分割式導線
枠91に組の導線を移す装置101が概略的に示されて
いる。
最初に分割式導線枠を装置10101つの部材102に
挿入する。
部材102(その一部分を第15図に示す)は複数個の
7字形溝孔を持ち、それが支持位置ぎめ片99を受入れ
る。
溝孔の斜めの部分は位置ぎめ片を案内するのを助け、真
直ぐな部分が位置ぎめ片を捕捉し、それらが確実に支持
されるようにする。
7字形溝孔の間隔は、導線保持溝孔970間隔が導線枠
31にある導線保持溝孔350間隔と略等しくなるよう
に、慎重に選ぶ。
要素920間の弾性結合により、7字形溝孔が正確な間
隔を定めることが出来る。
導線なしの分割式導線枠91を部材102に挿入した後
、第15図及び第16図に示すように、ペレットを取付
は且つボール・ポンディングを行なった組の導線を持つ
主導線枠31を部材111の切欠き104に配置する。
部材102の7字形溝孔及び切欠き104は、導線保持
溝孔35及び97が整合するように保証するっ部材11
2を導線枠31の背後から近づけると、ばね荷重のパッ
ド113により、導線枠が切欠き104に入る。
2つの軸114に接続されたラムが部材112を移動さ
せる。
この為、導線枠91が第15図及び第16図に示す位置
に押込まれ、突片96が部材32及び33と部分的に重
なる時、導線が前は空であった導線枠91の溝孔97に
押込まれるが、溝孔35にも保持されている。
導線枠を第15図及び第16図に示すように配置した後
、2つのラム115を作動して、導線枠31及びパッド
113を導線枠91から離す。
部材112は不動であり、この為導線42は溝孔97に
入ったま工になっている。
次に部材112を引込めて、切欠き104から導線枠3
1を取外す。
この為、前述の工程の後、組の導線が第14図に示すよ
うに分割式導線枠91に保持される。
この後、導線42を持つ導線枠91を7字形溝孔から取
外す。
第17図乃至第19図には、椀形型空洞1060線形配
列を限定するプラスチック型105が示されている。
型105は、分割式導線枠91と略同じ熱膨張係数を持
つプラスチック材料で作るのが好ましい。
椀形空洞106は、第1図乃至第3図に22で示すプラ
スチック本体を形成し易いような形になっていることが
第17図乃至第19図から認められよう。
各々の椀形空洞に整合開口107が設げられている。
成型過程の間、第12図及び第14図に示す整合ピン9
8が整合開口107に入る。
カプセル封じ過程の最初、椀形空洞106にエポキシの
ような液体プラスチックのカプセル封じ剤を充填する。
次に、組の導線を持つ分割式導線枠91を第20図及び
第21図に示すように、プラスチック型105の上に配
置する。
整合ピン98が整合開口107と整合し、導線の端が椀
形空洞の上方に配置された時、分割式導線枠91を第2
2図及び第23図に示す位置まで、下向きに移動する。
分割式導線枠91及び型105を第22図及び第23図
に示すように並置した状態で、プラスチックのカプセル
封じ剤を硬化させる。
多者の要素が関連した型空洞106にピン98及び開口
107によって結合され、こうして要素間の可変の間隔
の調節が自動的に行なわれるので、組の導線と椀形空洞
106との適正な同心性が保証される。
頑丈な導線枠と調節自在の分割式の型とを用いても、自
動調節の同じ利点を実現し得ることは勿論である。
カプセル封じ剤が硬化した後、分割式導線枠91の突片
95をつかみ、第24図に示すように上向きに摺動させ
る。
型105は完成されたトランジスタを保持している。
第25図に示すように、各々の椀形空洞の下部をソレノ
イド及びプランジャ109によって同時に変形しながら
、締付げ装置108で導線42をつかんで引張ることに
より、完成されたトランジスタが型105から取出され
る。
ソレノイド109は、型105とカプセル封じ剤との間
に封じが形成されていても、それを破り、こうして締付
は装置108がトランジスタを引出すことが出来るよう
にする。
導線枠31,91及び型105はいづれは疲労して取替
えを必要とするが、従来の装置に較べて材料のむだが著
しく減少することが理解されよう。
以上述べた所から、当業者にはこの発明の種々の変更が
考えられよう。
例えばトランジスタ以外の装置を作ることが出来るし、
エポキシ以外のカプセル封じ剤を使うことが出来る。
また、多数の導線を比較的頑丈な導線枠に支持しながら
半導体装置を作り、型と協働する調節自在の導線枠に支
持されている間に装置のカプセル封じを行なうと云う広
義の考えは、多くの相異なる設計の導線枠及び型を用い
て実施することが出来ることも勿論である。
この発明は特許請求の範囲2の記載に関連して次の実施
態様をとり得る。
(イ)各々の要素が全体的に平行な2列の突片を持ち、
各列が一組の導線保持溝孔を形成し、各々の要素にある
2列が第1の予定の距離だけ隔たること。
(ロ)前戦イ)項に於て、整合手段が各々の要素から1
つずつ突出する複数個の突出した整合ピンと、型に限定
された整合開口とで構成され、各々の椀形空洞に隣接し
て1つずつの整合開口が設けられ、1つの整合ピンを受
入れること。
←→ 前記(ロ)項に於て、導線が溝孔の中にある時、
整合ピンが組の導線と略平行であること。
に)前減口)項に於て、再使用し得る分割式導線枠及び
型がプラスチック材料で作られ、分割式導線枠の熱膨張
係数が型の熱膨張係数と大体等しいこと。
(川 前記(ロ)項に於て、半導体装置を製造する間、
複数個の組の導線を線形配列で保持する再使用し得る主
導線枠を設け、該主導線枠は線形配列で複数個の組の導
線受入れ溝孔を限定する空間的に隔たって全体的に平行
な2つの細長い部材で構成され、該細長い部材は前記第
1の予定の距離とは異なる第2の予定の距離だけ隔たり
、主導線枠にある溝孔の間隔が分割式導線枠にある溝孔
の間隔と略等しく、その為導線を一方の枠から他方の枠
へ移すことが出来るようになっていること。
(ハ)前=改(1)項に於て、第1の予定の距離が第2
の予定の距離より大きく、この為、導線を移す際、突片
が部分的に細長い部材を部分的に囲むこと。
(ト)前記(ホ)項に於て、相隔たる2つの細長い部材
の両端が割出し接続体によって結合されること。
(力 前1Q=−]=4項に於て、細長い部材が各組の
導線保持溝孔を隔てる分離溝孔を持つこと。
(力 前言a刀項に於て、分離溝孔が組の導線保持溝孔
を形成する溝孔より幅が広いこと。
(ヌ)前記(剖項に於て、細長い部材が弾力性を持つこ
と。
(10前記呼)項に於て、細長い部材が金属で構成され
ること。
(ヲ)前言a力項に於て、各々の要素が関連した1つの
要素を別々に支持し且つ位置ぎめする位置ぎめ手段を持
つこと。
())前記イ)項に於て、半導体装置を製造する間、複
数個の組の導線を線形配列で保持する再使用し得る主導
線枠を設け、該主導線枠が線形配列で複数個の組の導線
受入れ溝孔を限定する空間的に隔たって全体的に平行な
2つの細長い部材で構成され、該細長い部材は第1の予
定の距離とは異なる第2の予定の距離だけ隔たり、主導
線枠にある溝孔の間隔が分割式導線枠にある溝孔の間隔
と略等しく、その為、導線を一方の枠から他方の枠へ移
すことが出来るようになっていること。
(力 半導体装置を製造する間、複数個の組の導線を線
形配列で支持し、各組で別々の半導体装置が製造される
ようにする導線枠手段と、半導体装置をプラスチックで
カプセル封じする為、複数個の椀形型空洞を線形配列で
限定する型手段と、導線枠手段及び型手段と協働して組
の導線を椀形型空洞と整合させる間隔調節手段とを設け
て、半導体を製造する装置を構成すること。
(ヨ)前記力積に於て、間隔調節手段が弾性的に取付け
られた要素の線形配列で構成された分割式導線枠を持ち
、各々の要素が導線枠手段からの一組の導線を受入れ且
つ装置をカプセル封じする間該−組の導線を支持するよ
うになっており、要素の間の間隔が、導線枠手段からの
組の導線を受入れ且つ組の導線が椀形型空洞と整合する
ように保証する為眠調節自在であること。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図はこの発明に従って製造されたプラス
チックでカプセル封じされたトランジスタを示す平面図
並びに側面図、第4図は細組かの導線を収めた再使用し
得る主導線枠の一部分の斜視図、第5図は第4図に示し
た導線枠の断面図、第6図は第4図及び第5図に示した
導線枠に導線を挿入する為に使われる装置の一部分を断
面で示した側面図、第7図は第6図に示した装置の一部
分を断面で示す正面図、第8図は第1図の一部分を示す
詳細図、第9図は半導体ペレットを取付けたコバール条
片の一部分の斜視図、第10図はコバール条片の一部分
を主導線枠にある導線に結合する為に用いる装置の側面
図、第11図乃至第14図は成る処理工程の間、導線を
支持する弾性的な分割式導線枠を示す図、第15図及び
第16図は導線を主導線枠から弾性的な分割式導線枠に
移す方法を例示する図、第17図乃至第19図はこの発
明の方法に従って製造される装置のカプセル封じに使わ
れる弾性的なプラスチック型を示す図、第20図乃至第
25図はカプセル封じ過程を例示する図である。 主な符号の説明、31:主導線枠、42 a 、b)C
:導線の組、72:ペレツト、91:分割式導線枠、9
2:要素、98:整合ピン、105:型、106:型空
洞、107:整合開口。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 各々の要素が一組の導線を保持するようになってい
    て且つ線形配列で互いに弾性的に結合されている複数個
    の要素92を持つ再使用し得る分割式導線枠91と、各
    々前記導線枠に保持された導線の一組と略整合するよう
    に相隔てて配置された椀形型空洞106の線形配列を構
    成する型105と、前記導線枠及び前記型に設けられて
    いて、前記導線の各組と前記椀形型空洞とを夫々整合さ
    せるための整合手段98,107とを有する、半導体装
    置を製造するための装置。 2、特許請求の範囲第1項に記載の半導体装置を製造す
    るための装置に於て、更に、導線の各組に夫々1つの半
    導体装置を取付ける際に複数組の導線を線形配列で保持
    するための再使用し得る実質的に堅い主導線枠31を有
    し、該主導線枠は線形配列の複数組の導線受入れ溝孔3
    5を持ち、そして更に前記主導線枠の前記導線受入れ溝
    孔が、前記主導線枠から前記分割式導線枠へ導線を移す
    ことが出来るように、前記分割式導線枠の要素にある導
    線保持溝孔970間隔と実質的に等しい間隔で配置され
    ている、半導体装置を製造するための装置。
JP50027229A 1974-03-08 1975-03-07 半導体装置を製造するための装置 Expired JPS5830740B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/449,550 US3941532A (en) 1974-03-08 1974-03-08 Apparatus for manufacturing semiconductor devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS50127571A JPS50127571A (ja) 1975-10-07
JPS5830740B2 true JPS5830740B2 (ja) 1983-07-01

Family

ID=23784584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP50027229A Expired JPS5830740B2 (ja) 1974-03-08 1975-03-07 半導体装置を製造するための装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US3941532A (ja)
JP (1) JPS5830740B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4877387A (en) * 1984-03-06 1989-10-31 Asm Fico Tooling, B.V. Automatic continuously cycleable molding system
US5400123A (en) * 1992-07-31 1995-03-21 Ricoh Company, Ltd. Image forming apparatus capable of erasing an image recorded in a sheet
US6141869A (en) * 1998-10-26 2000-11-07 Silicon Bandwidth, Inc. Apparatus for and method of manufacturing a semiconductor die carrier
TWI314790B (en) * 2006-09-13 2009-09-11 Ind Tech Res Inst Light-emitting diode packaging apparatus, mold base and supporting piece thereof

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1628434A (en) * 1924-04-26 1927-05-10 Schnaier Milton Mold support
US1973117A (en) * 1933-04-17 1934-09-11 Micamold Radio Corp Resistor molding apparatus
US2276380A (en) * 1937-12-24 1942-03-17 Du Pont Electric blasting initiator
US2418823A (en) * 1945-02-07 1947-04-15 Columbia Protektosite Company Apparatus for molding wire core temples
US3584106A (en) * 1969-08-11 1971-06-08 Universal Mfg Co Method for potting electrical devices
US3793709A (en) * 1972-04-24 1974-02-26 Texas Instruments Inc Process for making a plastic-encapsulated semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US3941532A (en) 1976-03-02
JPS50127571A (ja) 1975-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5737835A (en) Method and apparatus for manufacturing a wire crimping receptacle connector
US11569152B2 (en) Electronic device with lead pitch gap
JP7346521B2 (ja) プラグを製造するための方法および射出成形金型
JPS5830740B2 (ja) 半導体装置を製造するための装置
CN107685107B (zh) 一种触头支撑座成型工装
US5412861A (en) Apparatus for laying a wire in a junction box
US3420086A (en) Hand tool for crimping terminals
US4109373A (en) Method for manufacturing semiconductor devices
EP0041815A1 (en) Apparatus for, and a method of, serially manufacturing electrical harness assemblies
US3133981A (en) Apparatus and method for feeding, forming and swaging panel inserts
US5166098A (en) Method of manufacturing an encapsulated semiconductor device with a can type housing
JP2003045749A (ja) アルミ電解コンデンサの成形方法、仮曲げダイス、仮曲げリ−ドガイド、本曲げダイスおよび自動加工機での製造方法
JP2649790B2 (ja) ワイヤハーネス組立装置のためのワイヤ搬送切断組立体
US20230042407A1 (en) Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device
US5023702A (en) Semiconductor device, method of manufacturing the same, and apparatus for carrying out the method
US3004565A (en) Device for indexing, guiding and severing a plurality of wires
JP3125014B2 (ja) ワイヤ圧着ハーネスの製造装置
US5232463A (en) Apparatus for manufacturing a semiconductor device
JP2769247B2 (ja) ワイヤ圧着ハーネスの製造方法
US3829949A (en) Pin forming and inserting machine
US3429030A (en) Method of fabricating semiconductor devices
US3978579A (en) Automatic assembly of semiconductor devices
US3698061A (en) Apparatus for forming and testing electrical components
US4888867A (en) Method of manufacturing electrical harnesses
US6269723B1 (en) Method and apparatus for enhancement of a punch guide/receptor tool in a dambar removal system