JPS5829834U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5829834U
JPS5829834U JP1981124277U JP12427781U JPS5829834U JP S5829834 U JPS5829834 U JP S5829834U JP 1981124277 U JP1981124277 U JP 1981124277U JP 12427781 U JP12427781 U JP 12427781U JP S5829834 U JPS5829834 U JP S5829834U
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JP
Japan
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pellet
semiconductor equipment
view
semiconductor
plan
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Application number
JP1981124277U
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English (en)
Inventor
幸孝 徳本
Original Assignee
日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/011—Apparatus therefor
    • H10W72/0113—Apparatus for manufacturing die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
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    • H10W72/931—Shapes of bond pads

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  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は一般的なペレットマウント装置の概略側面図、
第２図及び第３図は正常なペレットマウンド時の被ペレ
ットマウント部での平面図及びＩ−Ｉ線断面図、第４図
は第３図の不良なペレットマウント時での平面図、第５
図及び第６図は本考案の第１実施例を示す被ペレットマ
ウント部の平面図及びｎ−ｎ線断面図、第７図及び第８
図は第５図の被ペレットマウント部での正常な半田供給
時の平面図及び■−■線断面図、第９図及び第１０図は
第５図の被ペレットマウント部での不良な半田供給時の
平面図及び皿−皿線断面図、第１１図及び第１２図は尿
考案の第２実施例を示す被ペレットマウント部の半田供
給時でめ平面図及び■−Ｖ線断面図、第１３図及び第１
４図は本考案の第３実施例を示す被ペレットマウント部
の半田供給時での平面図及びＶｌ−ＶＩ線断面図、第１
５図、及び第１６図は第１３図の不良なペレット供給時
での平面図及び■−■線断面図である。 １１・・・・・・金属基板（放熱板）、１２・・・・・
・半田、１３・・・、半導体ペレット−％　ｎ・・・・
・・被ペレットマウント部、ａ、　　ｂ、　　ｃ・・・
・・・突起。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 金属基板の被ペレットマウント部に半導体ペレットを半
    田で固着した半導体装置において、前記金属基板の被ペ
    レットマウント部或はその近傍に所定のパターンで複数
    の突起を一体に突設したことを特徴とする半導体装置。
JP1981124277U 1981-08-21 1981-08-21 半導体装置 Pending JPS5829834U (ja)

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JPS5829834U true JPS5829834U (ja) 1983-02-26

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