JPS5829644B2 - オンパハツシンキ - Google Patents
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- JPS5829644B2 JPS5829644B2 JP49064520A JP6452074A JPS5829644B2 JP S5829644 B2 JPS5829644 B2 JP S5829644B2 JP 49064520 A JP49064520 A JP 49064520A JP 6452074 A JP6452074 A JP 6452074A JP S5829644 B2 JPS5829644 B2 JP S5829644B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/30—Time-delay networks
- H03H9/42—Time-delay networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/326—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator the resonator being an acoustic wave device, e.g. SAW or BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/0296—Surface acoustic wave [SAW] devices having both acoustic and non-acoustic properties
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/74—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on the same frequency or frequency band, to a common load or source
- H03H9/76—Networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は表面音波(SAW)発振器(5urfacea
coustic oscillator )に関するも
のである。
coustic oscillator )に関するも
のである。
このような発振器は、SAW遅延ラインを有していて、
このラインは例えば圧電基板等の上に装置された入カド
ランスデューサおよび少くとも1個の出カドランスデュ
ーサを含み、増巾回路が2個のトランスデユーサに接続
されている。
このラインは例えば圧電基板等の上に装置された入カド
ランスデューサおよび少くとも1個の出カドランスデュ
ーサを含み、増巾回路が2個のトランスデユーサに接続
されている。
電気エネルギーが増巾器に供給される時、増巾器内の雑
音が入カドランスデューサに送られ、従って、基板に種
々の周波数の表面音波(5urface aCoust
icwave ) として送られる。
音が入カドランスデューサに送られ、従って、基板に種
々の周波数の表面音波(5urface aCoust
icwave ) として送られる。
しかし、トランスデユーサの物理的形態およびトランス
デユーサの間の長さが、周波数の許容されるモード以外
の総ての周波数、或いは、好ましくは、中心周波数f。
デユーサの間の長さが、周波数の許容されるモード以外
の総ての周波数、或いは、好ましくは、中心周波数f。
以外の総ての周波数を抑制する。
かくして、遅延ラインは周波数f。
の信号の正フィードバックを増巾器に加えて、増巾器内
の振動を周波数f。
の振動を周波数f。
に維持する。
発振器は所望の中心周波数f。を除く総ての振動モード
を強く抑制するように設計でき、このような発振器の一
例が英国特許出願第7880/73およびエレクトロニ
クス レターズ(Electronics Lette
rs )第9巻第10号(1973年5月17日)19
5頁に記載されている。
を強く抑制するように設計でき、このような発振器の一
例が英国特許出願第7880/73およびエレクトロニ
クス レターズ(Electronics Lette
rs )第9巻第10号(1973年5月17日)19
5頁に記載されている。
JSAW遅延ラインは固有の温度安定性をもつが、増巾
回路は温度によって左右される移相をもつ。
回路は温度によって左右される移相をもつ。
本発明の一目的は、増巾回路を通る温度による移相の効
果を排除し、従って、振動の周波数を遅延ラインのみに
よって決定されるようにすることである。
果を排除し、従って、振動の周波数を遅延ラインのみに
よって決定されるようにすることである。
」 この発明の一実施例の目的は周波数変調されるSA
W発振器を提供することである。
W発振器を提供することである。
本発明によれば、表面音波発振器は音響基板上に装着さ
れた入カドランステ゛ユーサおよび出カドランデューサ
をもつ表面音波遅延ラインと、入力および出カドランス
デューサに接続された増巾回路と、基板上に装着された
2個のトランスデユーサかる受ける信号の間の位相差を
測定し、この位相差によって定まる出力を与える位相感
応検知器と、位相感応検知器により測定される所望の位
相差を維持するために位相感応検知器によって制御され
増巾回路に補正信号を加える装置とを備えている。
れた入カドランステ゛ユーサおよび出カドランデューサ
をもつ表面音波遅延ラインと、入力および出カドランス
デューサに接続された増巾回路と、基板上に装着された
2個のトランスデユーサかる受ける信号の間の位相差を
測定し、この位相差によって定まる出力を与える位相感
応検知器と、位相感応検知器により測定される所望の位
相差を維持するために位相感応検知器によって制御され
増巾回路に補正信号を加える装置とを備えている。
位相感応検知器は音波回路内の任意の2個のトランスデ
ユーサ(必らずしも主入力および出カドランスデューサ
ではない)の間の位相差を監視し維持するものでよい。
ユーサ(必らずしも主入力および出カドランスデューサ
ではない)の間の位相差を監視し維持するものでよい。
補正信号を加える装置は、増巾回路に補正移相を与える
ために位相感応検知器に接続された可変移相回路網を含
むものでよい。
ために位相感応検知器に接続された可変移相回路網を含
むものでよい。
また、この装置は、SAW遅延ライン上の第2の出カド
ランスデューサおよび増巾回路に可変振巾の位相はずれ
の入力を供給する可変インピーダンスを含むものでよい
。
ランスデューサおよび増巾回路に可変振巾の位相はずれ
の入力を供給する可変インピーダンスを含むものでよい
。
典型的には、その入力は主入力に対して90°位相がは
ずれている。
ずれている。
本発明の一実施例において、位相感応検知器からの出力
には、発振器の周波数変調を生ずる信号vmを加えるこ
とができる。
には、発振器の周波数変調を生ずる信号vmを加えるこ
とができる。
これは、位相感応検知器の出力を差動増巾器への2個の
入力の1つに接続し、信号vmを差動増巾器の他の入力
に加え、差動増巾器の出力を増巾回路に補正信号を加え
る装置に接続することによって達成できる。
入力の1つに接続し、信号vmを差動増巾器の他の入力
に加え、差動増巾器の出力を増巾回路に補正信号を加え
る装置に接続することによって達成できる。
位相感応検知器はその動作範囲にわたって線形の出力を
与えるように配置される。
与えるように配置される。
基板は好ましくは圧電体、例えば石英またはリチウムニ
オバイトで、また、これはトランスデユーサのrまたは
上に付着された圧電材料によって表面音波を発すること
のできるものでよい。
オバイトで、また、これはトランスデユーサのrまたは
上に付着された圧電材料によって表面音波を発すること
のできるものでよい。
次に例として本発明を図面に示す。
第1図はSAW遅延ライン1を示し、これは石英の基板
2と入カドランスデューサT、および出カドランステ゛
ユーサT2を含み、これらのトランスデユーサはいずれ
も単一フィンガ対をもつトランスデユーサとして示され
ているが、典型的にはT1は100フインガ対を有しT
2は60フインが対をもつのがよい。
2と入カドランスデューサT、および出カドランステ゛
ユーサT2を含み、これらのトランスデユーサはいずれ
も単一フィンガ対をもつトランスデユーサとして示され
ているが、典型的にはT1は100フインガ対を有しT
2は60フインが対をもつのがよい。
英国特許願第7880/73に記載されているようなモ
ード選択を与えるために、T1の長さをT1およびT2
の中心間隔に等しくするのがよい。
ード選択を与えるために、T1の長さをT1およびT2
の中心間隔に等しくするのがよい。
トランスデユーサT1.T2ニ接続された増巾器AMP
1およびAMP2を含む増巾回路3は、SAW遅延ライ
ン1内の減衰に打ち勝ち増巾回路3内に振動を維持する
に充分な利得を与える。
1およびAMP2を含む増巾回路3は、SAW遅延ライ
ン1内の減衰に打ち勝ち増巾回路3内に振動を維持する
に充分な利得を与える。
位相感応検知器PSDは、その2つの入力5,6(通常
、「基準」入力および「信号」入力と称される)をトラ
ンスデユーサT1.T2に接続し、その出カフを差動増
巾器30の1つの第1の入力31に接続する。
、「基準」入力および「信号」入力と称される)をトラ
ンスデユーサT1.T2に接続し、その出カフを差動増
巾器30の1つの第1の入力31に接続する。
差動増巾器30の他の入力32に周波数変調された入力
を加えることができる。
を加えることができる。
差動増巾器30からの出力33は可変和回路網に接続さ
れる。
れる。
ラジオ受信機のような従来型の回路に送られる発振器か
らの出力は34で示されている。
らの出力は34で示されている。
成る応用個所においては、差動増巾器30は必要でなく
、位相感応検知器の出カフは直接に可変移相回路網4に
接続される。
、位相感応検知器の出カフは直接に可変移相回路網4に
接続される。
また、差動増巾器30の第2の入力32は接地されても
よい。
よい。
2個の増巾器AMP、およびAMP2の代りに単一の増
巾器を設けてもよい。
巾器を設けてもよい。
動作の際、差動増巾器30の第2の入力32が零信号の
時(すなわち、入力32が接地される時)、SAW遅延
ライン1および増巾回路3を含む発振器は、主としてS
AW遅延ライン1のパラメータによって決定される周波
数で振動する。
時(すなわち、入力32が接地される時)、SAW遅延
ライン1および増巾回路3を含む発振器は、主としてS
AW遅延ライン1のパラメータによって決定される周波
数で振動する。
増巾器AMP1.AMP2の温度は動作中に変化する可
能性があり、この温度変化、あるいは増巾器に印加され
る電圧の変化、あるいはその両者によって、入力点5,
6の間で移相の変化を生し得る。
能性があり、この温度変化、あるいは増巾器に印加され
る電圧の変化、あるいはその両者によって、入力点5,
6の間で移相の変化を生し得る。
この移相変化は位相感応検知器によって監視され、この
検知器は位相差の変化により定まる出力信号を与え、こ
の信号は可変移相回路網4内に送られて、増巾回路に補
正移相を加えて、トランスデユーサT、、 T2にあ
られれる信号の間に一定の移相を維持する。
検知器は位相差の変化により定まる出力信号を与え、こ
の信号は可変移相回路網4内に送られて、増巾回路に補
正移相を加えて、トランスデユーサT、、 T2にあ
られれる信号の間に一定の移相を維持する。
」実際上、常に、すなわちスイッチオンしてその後ずつ
と、移相回路網に補正信号を加えることができる。
と、移相回路網に補正信号を加えることができる。
移相検知器の時定数は、回路(図示せず)によって発振
器に加えられる高速周波数変調信号によって影響を受け
ないで、増巾器における低速の温度によって定まる移相
変化の補償を与えるために、長いもの、例えば約1秒で
よい。
器に加えられる高速周波数変調信号によって影響を受け
ないで、増巾器における低速の温度によって定まる移相
変化の補償を与えるために、長いもの、例えば約1秒で
よい。
周波数変調される発振器として使用するために、2つの
異なる動作モードを考えることができる。
異なる動作モードを考えることができる。
第1のモードは位相感応検知器PSDからの出カフが大
きい時定数τ、例えば前記のように1秒の時定数をもつ
時に得られる。
きい時定数τ、例えば前記のように1秒の時定数をもつ
時に得られる。
変調電圧vmがτの逆数よりずっと大きい周波数fmを
もつ場合、すなわち、τ−1秒である例でf m >>
I Hzである場合。
もつ場合、すなわち、τ−1秒である例でf m >>
I Hzである場合。
例えば、vmは100Hz−5KHzの帯域のオーディ
オ信号を含む。
オ信号を含む。
このような場合、位相感応器PSDからの出力電圧7は
電圧vmの高圧変化に従うことができず、発振器の平均
周波数における低速(>1秒)変化を補正するだけであ
る。
電圧vmの高圧変化に従うことができず、発振器の平均
周波数における低速(>1秒)変化を補正するだけであ
る。
それ故、発振器からの出力34は補正された中心周波数
f。
f。
を有し、周波数変調のレートはfmで、直線性は電圧を
印加された回路網4を通る移相の直線性lこよって決定
される。
印加された回路網4を通る移相の直線性lこよって決定
される。
この印加電圧は、本質的に、変調電圧vmに増巾器30
の利得を乗したものである。
の利得を乗したものである。
第2の動作モードは、位相感応検知器PSDの時定数τ
が変調周波数fmの逆数に比して短い時に得られる。
が変調周波数fmの逆数に比して短い時に得られる。
例えば、fmが前記のオーディオ帯域をカバーし、τ−
1マイクロ秒である時。
1マイクロ秒である時。
この場合に、位相感応検知器PSDからの出力電圧7は
変調電圧vmに「従動J (to follow )す
る時間をもつ、この動作モードを考えるために、入力電
圧vmのない時、すなわち、増巾器30の入力32が接
地される時に、補正回路4がどのように働くかを思い出
すのが有用である。
変調電圧vmに「従動J (to follow )す
る時間をもつ、この動作モードを考えるために、入力電
圧vmのない時、すなわち、増巾器30の入力32が接
地される時に、補正回路4がどのように働くかを思い出
すのが有用である。
この場合、発振器は周波数f。
で安定され、増巾器30の出力33は(小さい)入力電
圧のG倍(ここでGは増巾器30の大きい電圧利得であ
る)である。
圧のG倍(ここでGは増巾器30の大きい電圧利得であ
る)である。
位相感応検知器PSDからのフィードバックの符号は、
31における電圧を零に向けて減少させるようなもので
あるが、発振器を動作するのに常に小さい誤差信号が必
要であるために、これは全く零に等しくなることはない
。
31における電圧を零に向けて減少させるようなもので
あるが、発振器を動作するのに常に小さい誤差信号が必
要であるために、これは全く零に等しくなることはない
。
この小さい誤差信号は、差動増巾器30の利得Gを増大
することによって無視可能のものとなし得る。
することによって無視可能のものとなし得る。
変調電圧が32に加えられると、出力33は31と32
の間の電圧差に比例する。
の間の電圧差に比例する。
この場合にも、利得Gは大きくフィードバックは正しい
向きにあるので、安定状態は31および32の間に小さ
い差が得られる状態である。
向きにあるので、安定状態は31および32の間に小さ
い差が得られる状態である。
すなわち、31における電圧は32における電圧に従い
、32が接地された場合には31における電圧は零に向
う傾向をもつことになる。
、32が接地された場合には31における電圧は零に向
う傾向をもつことになる。
ここで、出カフはf。
からの周波数の偏れに比例しく少くとも、小さい偏れに
対して)、動作の際、このf。
対して)、動作の際、このf。
からの偏れが32の入力電圧に比例するようになる。
かくて、発振器は実質的に線形の周波数変調をもつ周波
数変調発振器で、その直線性は第6図に示す如<PSD
の直線性によって決定される。
数変調発振器で、その直線性は第6図に示す如<PSD
の直線性によって決定される。
第1図の変型(図示せず)においては、可変位相回路網
4は、トランスデユーサT2と増巾器AMP2および位
相感応検知器の間の接続部との間に接続される。
4は、トランスデユーサT2と増巾器AMP2および位
相感応検知器の間の接続部との間に接続される。
その時、位相感応検知器は遅延ラインにおける温度変化
を補正し、発振器の周波数は増巾器特性によって定まる
。
を補正し、発振器の周波数は増巾器特性によって定まる
。
第2図は本発明の変型を示し、これはSAW遅延ライン
8を含み、このラインは、石英の基板9、入カドランス
テ゛ユーサT1および2個の出カドランスデューサT2
.T3を含み、T2.T3はT2よりもT3がT1から
余分に離隔するように配置されている。
8を含み、このラインは、石英の基板9、入カドランス
テ゛ユーサT1および2個の出カドランスデューサT2
.T3を含み、T2.T3はT2よりもT3がT1から
余分に離隔するように配置されている。
これは、T3の受ける信号がT2の受ける信号よりも遅
延されるようにT3の遅延時間を増大する。
延されるようにT3の遅延時間を増大する。
T2とT3の間の間隔は4分の1波長で、90°の移相
を与える。
を与える。
またT2がT3よりも長い或いは短いフィンガをもち従
ってT2の受ける信号よりも大または小となるように、
フィンガ対の長さを変えてもよい。
ってT2の受ける信号よりも大または小となるように、
フィンガ対の長さを変えてもよい。
トランスデユーサT2は固定インピーダンスZ、を通し
て増巾器AMPの入力に接続され、この増巾器の出力は
入カドランスデューサT1に接続される。
て増巾器AMPの入力に接続され、この増巾器の出力は
入カドランスデューサT1に接続される。
トランスデユーサT3は可変インピーダンスZ2を通し
て増巾器入力に接続される。
て増巾器入力に接続される。
位相感応検知器PSDの2つの入力がトランスデユーサ
T1.T2に接続され、その出力は差働増巾器30の第
1の入力31に接続される。
T1.T2に接続され、その出力は差働増巾器30の第
1の入力31に接続される。
第2の入力32には周波数変調信号vmを加えることが
できる。
できる。
出力増巾器からの出力33は可変インピーダンスZ2に
接続される。
接続される。
第3図は第2図のSAW遅延ラインの出力のベクトルダ
イアグラムである。
イアグラムである。
図において、T2の出力は■2であられされる。
T3の出力は4分の1波長、すなわち90°、T2の出
力から遅延し、■3であられされる。
力から遅延し、■3であられされる。
合成ベクトルRは、■2と■3の和で、トランスデユー
サT1の入力とトランスデユーサT2の出力の間に一定
位相を維持するために、■3の長さ、すなわち、Z2か
らの出力を変えることによって変化される。
サT1の入力とトランスデユーサT2の出力の間に一定
位相を維持するために、■3の長さ、すなわち、Z2か
らの出力を変えることによって変化される。
可変インピーダンスZ2は可変抵抗でよく、例えば、電
界効果トランジスタ(FET)または増巾器でよい。
界効果トランジスタ(FET)または増巾器でよい。
第4図は、それぞれ基板12上に装着された入力および
出カドランスデューサT1.T2を含む発振器11の本
発明の他の形態を示す。
出カドランスデューサT1.T2を含む発振器11の本
発明の他の形態を示す。
増巾器AMPおよび可変移相回路網13がT1およびT
2の間に直列接続される。
2の間に直列接続される。
第3のトランスデユーサT3がT、から送られる音波の
通路内にT1から間隔を隔って基板12上に装着される
。
通路内にT1から間隔を隔って基板12上に装着される
。
位相感応検知器PSDの2つの入力はトランスデユーサ
T7.T3に接続され、その出力は差動増巾器30の第
1の入力31に接続される。
T7.T3に接続され、その出力は差動増巾器30の第
1の入力31に接続される。
周波数変調される信号vmを差動増巾器30の第2の入
力32に加えることができ、この差動増巾器の出力33
は可変移相回路網13に接続される。
力32に加えることができ、この差動増巾器の出力33
は可変移相回路網13に接続される。
トランスデユーサT、およびT3の間のSAW通路の長
さは、T1とT2の間よりずっと大きくして、位相制御
の感度を増大することができる。
さは、T1とT2の間よりずっと大きくして、位相制御
の感度を増大することができる。
vm=Oであると、T1とT3の間の長さを可能な限り
大きくできる。
大きくできる。
しかし、変調される信号vm−0が適用される時、T1
およびT3の間に2πより大きい位相変化が生じないよ
うに注意を払はなければならないので、すなわち、vm
がπ/2以上に変調されると、T、からT3への長さは
T1からT2の長さの4倍となり得る。
およびT3の間に2πより大きい位相変化が生じないよ
うに注意を払はなければならないので、すなわち、vm
がπ/2以上に変調されると、T、からT3への長さは
T1からT2の長さの4倍となり得る。
同様に、vmがπ/4以上に変調されるとT1からT2
の長さの8倍にもなり得る。
の長さの8倍にもなり得る。
動作の際、vm−cであれば、トランスデユーサT、T
2および増巾器AMPを含む発振器11は主としてSA
W遅延ラインによって決定される周波数で振動する。
2および増巾器AMPを含む発振器11は主としてSA
W遅延ラインによって決定される周波数で振動する。
例えば、増巾器における温度の変化によって生ずる位相
変化は、SAW遅延ラインにおける振動の周波数を変化
する。
変化は、SAW遅延ラインにおける振動の周波数を変化
する。
トランスデユーサT1.T2の間のSAWの周波数はT
1.T3の間と同じで、従って、発振回路における所望
の周波数からの周波数変化は、それ自体、T1とT3の
間の移相の変化としてあられれる。
1.T3の間と同じで、従って、発振回路における所望
の周波数からの周波数変化は、それ自体、T1とT3の
間の移相の変化としてあられれる。
これは、位相感応検知器によって検出され、この検知器
は可変移相回路網に補正信号を与える。
は可変移相回路網に補正信号を与える。
vm\O(変調される)時、発振器は第1図について説
明したように働く。
明したように働く。
第5図はSAW発振器の他の形態を示し、この場合、発
振器14は基板内の全体的音波の影響を排除するために
補正回路15から電気的に分離されている。
振器14は基板内の全体的音波の影響を排除するために
補正回路15から電気的に分離されている。
図示のように、発振器14は、基板16に装着された入
力および出カドランスデューサT1およびT2を含む。
力および出カドランスデューサT1およびT2を含む。
増巾器AMPおよび可変位相回路網17がトランスデユ
ーサT1.T2に直列に接続される。
ーサT1.T2に直列に接続される。
T1.T2の間の音波通路18を横切って、マルチスト
リップカプラー19(英国特許願13125/71およ
び749/72に記載されているもの)が配置され、こ
れはSAWのいくらかを第2の音波回路20に結合する
。
リップカプラー19(英国特許願13125/71およ
び749/72に記載されているもの)が配置され、こ
れはSAWのいくらかを第2の音波回路20に結合する
。
この第2の音波通路20内に2つの監視用トランスデユ
ーサT3.T4が設けられ、それらの出力は位相感応検
知器PSDの入力に接続される。
ーサT3.T4が設けられ、それらの出力は位相感応検
知器PSDの入力に接続される。
差動増巾器30の第2の入力32には周波数変調される
信号vmを加えることができる。
信号vmを加えることができる。
差動増巾器の出力33は可変移相回路網17に接続され
る。
る。
動作の際、vm−=0であると、トランスデユーサT3
.T4は発振器14の回路内のSAWの周波数を監視し
、所望の周波数における変化は′T3およびT4の間に
位相変化を生ずる。
.T4は発振器14の回路内のSAWの周波数を監視し
、所望の周波数における変化は′T3およびT4の間に
位相変化を生ずる。
これは、位相感応検知器内で検知され、この検知器は可
変移相回路網17に補正信号を加える。
変移相回路網17に補正信号を加える。
vm″==、Oの時(変調される)、発振器は第1図に
関して説明したように働く。
関して説明したように働く。
第1. 2. 4. 5図に示した位相感応検知器はダ
ブル、バランスド、ミキサでよい。
ブル、バランスド、ミキサでよい。
第1.4.5図に示した可変移相回路は、3個の固定イ
ンピーダンスとバラクタ(VARACTOR)のような
可変キャパシタを使用するブリッジ回路でよい。
ンピーダンスとバラクタ(VARACTOR)のような
可変キャパシタを使用するブリッジ回路でよい。
また、可変移相回路は、可変DCバイアスが加えられる
PINダイオードを含むものでよく、PINダイオード
の可変抵抗は固定キャパシタンス、例えばトランスデユ
ーサT1の固定キャパシタンスと結合して位相を変える
。
PINダイオードを含むものでよく、PINダイオード
の可変抵抗は固定キャパシタンス、例えばトランスデユ
ーサT1の固定キャパシタンスと結合して位相を変える
。
また、可変移相回路は、印加されるDC信号によって可
iバイアスされるVARACTORダイオードを含むも
のでよく、vARACTORダイオードの可変キャパシ
タンスは固定抵抗、例えば増巾器の固定抵抗と結合して
位相を変化する。
iバイアスされるVARACTORダイオードを含むも
のでよく、vARACTORダイオードの可変キャパシ
タンスは固定抵抗、例えば増巾器の固定抵抗と結合して
位相を変化する。
上記の総ての形態において、基板内を移動する音波は表
面波であった。
面波であった。
成る応用個所においては、表面波の代りに、全体波(b
ulk wave )を使用してもよく、表面波を同調
し、或いは基板表面上の吸収体によって減衰してもよい
。
ulk wave )を使用してもよく、表面波を同調
し、或いは基板表面上の吸収体によって減衰してもよい
。
成る全体波(例えば、石英リチウム、タンタレート、ま
たは遅延の温度係数が零の他の圧電体内における)の1
つの利点は、遅延ライン自体の温度安定性が改良される
ことで、これは前記の回路と組合されて、特に温度安定
性の犬なる発振器を生ずる。
たは遅延の温度係数が零の他の圧電体内における)の1
つの利点は、遅延ライン自体の温度安定性が改良される
ことで、これは前記の回路と組合されて、特に温度安定
性の犬なる発振器を生ずる。
上記の総ての装置において、補正信号の符号は、要求さ
れる安定動作を与えるように正しく選択されなければな
らない。
れる安定動作を与えるように正しく選択されなければな
らない。
間違った符号が使用されると誤差が減少されないで増巾
されることとなる。
されることとなる。
第1図は本発明の一形態を示すブロックダイアグラムで
ある。 第2図は本発明の他の形態を示すブロックダイアグラム
である。 第3図はベクトルダイアダラムである。 第4図は本発明の他の形態を示すブロックダイアグラム
である。 第5図はマルチストリップカプラーを含む本発明の他の
形態を示すブロックダイアグラムである。 第6図は位相感応検知器からの典型的な出力を示す。 1・・・・・・SAW遅延ライン、2・・・・・・基板
、3・・・・・・増巾回路、4・・・・・・可変移相回
路網、5,6・・・・・・入力、7・・・・・・出力、
8・・・・・・SAW遅延ライン、9・・・・・・基板
、10・・・・・・増巾回路、11・曲・発振器、12
・・・・・・基板、13・・・・・・可変移相回路網、
14・・・・・・発振器、15・・・・・・補正回路、
16・・開基板、17・・・・・・可変移相回路網、1
8・・・・・・音波通路、19・・・・・・マルチスト
リップカプラー 20・・曲音波通路、30・・・・・
・差働増巾器、31・・・・・・入力、32・・・・・
・入力、33・・・・・・出力、34・・・・・・発振
器の出力)’r、、 ’r2. T3t T4・・・・
・・トランスデユーサ、AMPl、AMP2.AMP・
・・・・・増巾器、PSD・・・・・・位相感応検知器
、Z、・・・・・・インピーダンス、Z2・・・・・・
可変インピーダンス。
ある。 第2図は本発明の他の形態を示すブロックダイアグラム
である。 第3図はベクトルダイアダラムである。 第4図は本発明の他の形態を示すブロックダイアグラム
である。 第5図はマルチストリップカプラーを含む本発明の他の
形態を示すブロックダイアグラムである。 第6図は位相感応検知器からの典型的な出力を示す。 1・・・・・・SAW遅延ライン、2・・・・・・基板
、3・・・・・・増巾回路、4・・・・・・可変移相回
路網、5,6・・・・・・入力、7・・・・・・出力、
8・・・・・・SAW遅延ライン、9・・・・・・基板
、10・・・・・・増巾回路、11・曲・発振器、12
・・・・・・基板、13・・・・・・可変移相回路網、
14・・・・・・発振器、15・・・・・・補正回路、
16・・開基板、17・・・・・・可変移相回路網、1
8・・・・・・音波通路、19・・・・・・マルチスト
リップカプラー 20・・曲音波通路、30・・・・・
・差働増巾器、31・・・・・・入力、32・・・・・
・入力、33・・・・・・出力、34・・・・・・発振
器の出力)’r、、 ’r2. T3t T4・・・・
・・トランスデユーサ、AMPl、AMP2.AMP・
・・・・・増巾器、PSD・・・・・・位相感応検知器
、Z、・・・・・・インピーダンス、Z2・・・・・・
可変インピーダンス。
Claims (1)
- 1 音響基板上に装着された入カドランスデューサおよ
び出カドランスデューサを持つ表面音波遅延ラインと、
入力および出カドランスデューサに接続された増巾回路
と、上記基板上に装着された2個のトランスデユーサか
ら受ける信号の間の位相差を測定しこの位相差によって
定まる出力を与える位相感応検知器と、該位相感応検知
器によって制御され、この位相感応検知器により測定さ
れた所望の位相差を一定に維持するように可変移相を上
記増巾回路に与える装置とを備えた音波発振器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB2709573 | 1973-06-06 | ||
GB1965374*[A GB1451664A (en) | 1973-06-06 | 1974-05-03 | Surface acoustic wave oscillators |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5033756A JPS5033756A (ja) | 1975-04-01 |
JPS5829644B2 true JPS5829644B2 (ja) | 1983-06-24 |
Family
ID=26254166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP49064520A Expired JPS5829644B2 (ja) | 1973-06-06 | 1974-06-06 | オンパハツシンキ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3936765A (ja) |
JP (1) | JPS5829644B2 (ja) |
DE (1) | DE2427374C2 (ja) |
FR (1) | FR2232875B1 (ja) |
GB (1) | GB1451664A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6158250U (ja) * | 1984-12-24 | 1986-04-19 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS519360A (ja) * | 1974-07-12 | 1976-01-26 | Nippon Telegraph & Telephone | Danseihyomenhahatsushinsochi |
JPS51142028U (ja) * | 1975-05-08 | 1976-11-16 | ||
US4115744A (en) * | 1975-08-26 | 1978-09-19 | National Research Development Corporation | Programable frequency acoustic wave discriminator |
GB1539462A (en) * | 1976-05-28 | 1979-01-31 | Marconi Co Ltd | Oscillators |
US4070635A (en) * | 1976-05-28 | 1978-01-24 | Westinghouse Electric Corporation | Delay line oscillator with phase locked loop for reducing phase fluctuations |
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FR2367377A1 (fr) * | 1976-10-07 | 1978-05-05 | Brossard Pierre | Modulateurs de frequence pour systemes de transmission a faisceaux hertziens |
US4160183A (en) * | 1978-05-26 | 1979-07-03 | Hewlett-Packard Company | Oscillator having a quartz resonator cut to compensate for static and dynamic thermal transients |
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FR2492193B2 (fr) * | 1980-06-10 | 1987-11-27 | France Etat | Filtre recursif a ondes elastiques de surface utilisant une ligne a retard a bouclage actif |
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US4590442A (en) * | 1982-05-25 | 1986-05-20 | Nippon Telegraph & Telephone Corporation | Variable high frequency oscillator |
US4636747A (en) * | 1985-03-11 | 1987-01-13 | Ifr, Inc. | System and method for wideband, continuous tuning of an oscillator |
CA1279899C (en) * | 1985-08-13 | 1991-02-05 | Notifier Company | Security system with saw transmitter |
DE3730107A1 (de) * | 1987-09-08 | 1989-03-16 | Siemens Ag | Oszillatorschaltung mit oberflaechenwellenfilter |
JPH01256802A (ja) * | 1988-04-07 | 1989-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波発振器 |
US4991915A (en) * | 1988-08-04 | 1991-02-12 | Imperial Chemical Industries PLC Manchester Polytechnic | Microwave moisture sensing arrangement |
US6448513B1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-09-10 | Circuits & Systems Inc. | Electronic weighing apparatus utilizing surface acoustic waves |
AUPO359096A0 (en) | 1996-11-13 | 1996-12-05 | Lonsdale, Anthony | Apparatus for tracking resonant frequency |
US6653906B1 (en) | 2002-06-24 | 2003-11-25 | Cts Corporation | Controllable SAW oscillator component |
KR100699862B1 (ko) | 2005-08-26 | 2007-03-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 이중 기준 입력 수신기 및 이의 입력 데이터신호 수신방법 |
US20070096839A1 (en) * | 2005-11-02 | 2007-05-03 | Vern Meissner | Temperature compensation circuit for a surface acoustic wave oscillator |
NO328202B1 (no) * | 2006-02-21 | 2010-01-04 | Elkem Solar As | Fremgangsmåte og apparatur for fremstilling av silan |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3582540A (en) * | 1969-04-17 | 1971-06-01 | Zenith Radio Corp | Signal translating apparatus using surface wave acoustic device |
-
1974
- 1974-05-03 GB GB1965374*[A patent/GB1451664A/en not_active Expired
- 1974-06-04 US US05/476,275 patent/US3936765A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-06-06 JP JP49064520A patent/JPS5829644B2/ja not_active Expired
- 1974-06-06 DE DE2427374A patent/DE2427374C2/de not_active Expired
- 1974-06-06 FR FR7419551A patent/FR2232875B1/fr not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6158250U (ja) * | 1984-12-24 | 1986-04-19 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1451664A (en) | 1976-10-06 |
FR2232875B1 (ja) | 1978-05-05 |
DE2427374C2 (de) | 1983-09-01 |
FR2232875A1 (ja) | 1975-01-03 |
JPS5033756A (ja) | 1975-04-01 |
US3936765A (en) | 1976-02-03 |
DE2427374A1 (de) | 1975-01-02 |
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