JPS5829189A - 一層導体型電流駆動磁気バブル素子 - Google Patents
一層導体型電流駆動磁気バブル素子Info
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- JPS5829189A JPS5829189A JP56127060A JP12706081A JPS5829189A JP S5829189 A JPS5829189 A JP S5829189A JP 56127060 A JP56127060 A JP 56127060A JP 12706081 A JP12706081 A JP 12706081A JP S5829189 A JPS5829189 A JP S5829189A
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- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0841—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using electric current
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電流駆動型磁気バブル素子に関するものである
。磁気バブル（以下単にバブルという）を情報の担体と
して用φる記憶素子においてバブルの転送方式は、パー
マロイの如き軟磁性膜でできたシェブロン型やＹＪを呈
したパタンを外部より印加する面内回転磁界によって順
次磁化することＫよりて生じる磁極にバブルを引きつけ
て転送させる、−わゆる磁界駆動方式が一般的であった
。
。磁気バブル（以下単にバブルという）を情報の担体と
して用φる記憶素子においてバブルの転送方式は、パー
マロイの如き軟磁性膜でできたシェブロン型やＹＪを呈
したパタンを外部より印加する面内回転磁界によって順
次磁化することＫよりて生じる磁極にバブルを引きつけ
て転送させる、−わゆる磁界駆動方式が一般的であった
。
し必しながら、この磁界駆動方式は、記憶密度を大吉く
するためにバブル径を小さくするに従ってバブル転送に
必要な面内回転磁界が急激に大吉〈なり、消費電力が大
きくなるとともに面内回転磁界発生用コイルに印加する
電圧が増大し、高速転送に適さなくなるという大きな欠
点を持つ、ていることは、よく知られて−る。このよう
な磁界駆動方式の欠点を克服するためＫは、面内磁界発
生用コイルを用いないバブルの転送方式を実現しなけれ
ばならない。
するためにバブル径を小さくするに従ってバブル転送に
必要な面内回転磁界が急激に大吉〈なり、消費電力が大
きくなるとともに面内回転磁界発生用コイルに印加する
電圧が増大し、高速転送に適さなくなるという大きな欠
点を持つ、ていることは、よく知られて−る。このよう
な磁界駆動方式の欠点を克服するためＫは、面内磁界発
生用コイルを用いないバブルの転送方式を実現しなけれ
ばならない。
面内磁界発生用コイルを用いないバブルの転送方式とし
ては、すでＶｃＷＩｉ性薄膜上に形成された導体線路に
交流電流を流してバブルを駆動する電流駆動方式ｃ以下
、本発明が係わる極く新しい電流駆動方式と区別するた
め、初期電流駆動方式という、）が公知となっている。
ては、すでＶｃＷＩｉ性薄膜上に形成された導体線路に
交流電流を流してバブルを駆動する電流駆動方式ｃ以下
、本発明が係わる極く新しい電流駆動方式と区別するた
め、初期電流駆動方式という、）が公知となっている。
この初期電流駆動方式に対しては、ψ〈らかの改良がな
されたが、導体線路の形状がＩＩ！繍すぎることや、バ
ブルの運動に方向性を持たせるために不可欠なパーマロ
イの薄片とバブルとの磁気的相互作用に起因する捕捉力
に抗してバブルを転送しなければならないこと−などＯ
原因によシ、記憶密度を上げようとすると素子の消費電
力が著しく大吉〈なり実用的ではなかつ九。
されたが、導体線路の形状がＩＩ！繍すぎることや、バ
ブルの運動に方向性を持たせるために不可欠なパーマロ
イの薄片とバブルとの磁気的相互作用に起因する捕捉力
に抗してバブルを転送しなければならないこと−などＯ
原因によシ、記憶密度を上げようとすると素子の消費電
力が著しく大吉〈なり実用的ではなかつ九。
このような磁界駆動方式や初期電流駆動方式で社運は得
なかったこれらの欠点を克服するために近年、二層導体
型電流駆動方式と呼ばれる新しい電流駆動一方式が提案
された。この二層導体型電流駆動方式では、初期電流駆
動方式に比べ非常に単純１ｋＩＩ孔パターンを使用すれ
ばよ−ため、飛躍的に記憶密度を向上させることができ
る。
なかったこれらの欠点を克服するために近年、二層導体
型電流駆動方式と呼ばれる新しい電流駆動一方式が提案
された。この二層導体型電流駆動方式では、初期電流駆
動方式に比べ非常に単純１ｋＩＩ孔パターンを使用すれ
ばよ−ため、飛躍的に記憶密度を向上させることができ
る。
しかしながら、二層導体型電流駆動方式にお−ては、二
層の導体層を各々独立に駆動しなければならな−ため、
消費電力が非常に大きくなる上に周辺−路が著しく複雑
になるという重大な欠点を有して−る。
層の導体層を各々独立に駆動しなければならな−ため、
消費電力が非常に大きくなる上に周辺−路が著しく複雑
になるという重大な欠点を有して−る。
本発明の目的は、非常に簡単な周辺回路を用いて、でき
る＠シ微少な電流でバブルを転送し得る一層導体型電流
駆動磁気バプル素子を提供するととＫある。
る＠シ微少な電流でバブルを転送し得る一層導体型電流
駆動磁気バプル素子を提供するととＫある。
本発明の詳細な説明する前に１次の磁性材料の一般性質
を述べておく。たとえば、エル・シュルツ（Ｌ、 ８ｃ
ｈｌｔｚ）等によって１９７９年１０月にジャーナル・
オプ・アプライド・フイジクス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）結露５０春第１１号
第７Ｂ６２頁〜第７８６４頁に発表された論文に記載さ
れていＵうに、磁歪を有するバブル材料上に設けられた
張力性の薄膜パターンのエツジ部では磁壁エネルギーは
第１図の様に変化する。第１図中、横軸１はａｍの位置
を縦軸２は磁壁エネルギーを、３は磁壁エネルギー分布
を、４は張力性の薄膜パターンを示している。
を述べておく。たとえば、エル・シュルツ（Ｌ、 ８ｃ
ｈｌｔｚ）等によって１９７９年１０月にジャーナル・
オプ・アプライド・フイジクス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）結露５０春第１１号
第７Ｂ６２頁〜第７８６４頁に発表された論文に記載さ
れていＵうに、磁歪を有するバブル材料上に設けられた
張力性の薄膜パターンのエツジ部では磁壁エネルギーは
第１図の様に変化する。第１図中、横軸１はａｍの位置
を縦軸２は磁壁エネルギーを、３は磁壁エネルギー分布
を、４は張力性の薄膜パターンを示している。
本発明は上記の磁性材料の性質を利用した以下の原理に
もとづφて、初期電流駆動方式や二層導体型電流駆動方
式などの従来の電流駆動方式に残されていた重大な欠点
を取抄除くものである。
もとづφて、初期電流駆動方式や二層導体型電流駆動方
式などの従来の電流駆動方式に残されていた重大な欠点
を取抄除くものである。
第２図は本発明の基本原理を示した図である。
第２図にお−て５は、バブル６及び７の矢印はバブル磁
壁が受ける駆動力の方向、８は張力性の薄膜パターンの
境界１４の矢印はバイアス磁界の方向である・バブルが
第２図（！Ｉ）の位置にある場合には薄膜パターン境界
の右側では第１図３に示される磁壁エネルギーが薄膜パ
ターン境界に近づくＫつれて小さくなる丸め薄膜パター
ン境界の右側のバブル磁壁は矢印７で示される向きに駆
動力を受ける・薄膜パターン境界の左側では磁壁エネル
ギーが薄膜パターン境界から遠ざかるにつれて小さくな
るため薄膜パターン境界の左側のバブル磁壁は矢印６で
示される向きに駆動力を受ける。
壁が受ける駆動力の方向、８は張力性の薄膜パターンの
境界１４の矢印はバイアス磁界の方向である・バブルが
第２図（！Ｉ）の位置にある場合には薄膜パターン境界
の右側では第１図３に示される磁壁エネルギーが薄膜パ
ターン境界に近づくＫつれて小さくなる丸め薄膜パター
ン境界の右側のバブル磁壁は矢印７で示される向きに駆
動力を受ける・薄膜パターン境界の左側では磁壁エネル
ギーが薄膜パターン境界から遠ざかるにつれて小さくな
るため薄膜パターン境界の左側のバブル磁壁は矢印６で
示される向きに駆動力を受ける。
したがつてバブルは全体として薄膜パターンの内側へ向
かうような駆動力を受ける。このためバブルに外力が作
用していない場合には、バブルは第２図（ｍｌで示され
る位置に停留することはできず磁壁エネルギーが最小と
なる位置すなわち第２図伽）で示される安定位置まで移
動する。
かうような駆動力を受ける。このためバブルに外力が作
用していない場合には、バブルは第２図（ｍｌで示され
る位置に停留することはできず磁壁エネルギーが最小と
なる位置すなわち第２図伽）で示される安定位置まで移
動する。
次に上記のような基本原理に基づく本発明の一層導体型
電流駆動磁気バプル素子の動作原理を第３図を用−て、
わか）やすくモデル酌に示す。
電流駆動磁気バプル素子の動作原理を第３図を用−て、
わか）やすくモデル酌に示す。
第３図（１）、８１３図（ｂ）、１３図（Ｃ）、第３図
（ｄ）Ｋｋいて縦軸１１は電流値、横軸１０は時刻、１
２は電流波形、５０．５１．５２．５３．５４．５５．
５６．５７．は横軸１０上の各時刻を表わす。
（ｄ）Ｋｋいて縦軸１１は電流値、横軸１０は時刻、１
２は電流波形、５０．５１．５２．５３．５４．５５．
５６．５７．は横軸１０上の各時刻を表わす。
第３図（ａ）、第３図（ｂ）、第３図（Ｃ）、第３図（
ｄ）において５はバブル、１３．１７の矢印は電流の方
向、１４の矢印はバイアス磁界の方向、１５は張力性の
導体層中に設けた転送用あなあきパターン、１６は導体
層と対面して形成した張力性の非磁性薄膜層中に設けた
あなあきパターンである。
ｄ）において５はバブル、１３．１７の矢印は電流の方
向、１４の矢印はバイアス磁界の方向、１５は張力性の
導体層中に設けた転送用あなあきパターン、１６は導体
層と対面して形成した張力性の非磁性薄膜層中に設けた
あなあきパターンである。
導体層に第３図（場の１２で示されるような両極性のｉ
ｉ流パルスを印加すると第３図（場の５０−５１閏の時
間では転送用あなあきパターンによる電流の乱れに起因
したバイアス磁界分布が生じるため、第３図（ｂ）で示
される位置がバブルの安定点となる０次の５１−５２間
の時間では、導体層に電流が流れていす、電流の乱れに
起因したバイアス磁界分布は消失している丸め、第２図
を用いて説明した基本原ＩＮＫ基づいてバブルは第３図
（Ｃ）に示される位置まで移動する。次の５２−５３間
の時間では、再び電流Ｏ乱れに起因したバイアス磁界分
布が生じるためバブルは磁界勾配による駆動力を受は第
３図（ｄ）に示され５安定点まで移動する。次の５３−
５４間の時間では電流の乱れに起因したバイアス磁界分
布は消失しているため、前記の基本原理に基づいてバブ
ルは第３図（ｅ）に示される位置まで移動する０したが
って、第３図（３０に示されるような両極性電流パルス
列を継絞して導体層に印加することにより、結３図山〕
Ｋ示されるような転送用″＆）なあきパターン及び非磁
性薄膜中に設けたあなあきパターンによって規定される
転送路に沿ってバブルを安定に転送させることができる
・ すなわち、本発明の一層導体型電流駆動磁気バプル素子
は磁気バブルを保持し得る磁性薄膜上に周期的に配列し
丸板送用あなあきパターン列を備え九一層の導体層を形
成し、前記転送用あなあきパターン列と同じ周期を有す
るあなあきパターン列もしくは島状パターン列を備えた
非磁性薄膜層を前記導体層と互いに！１ｌＩＩｌ！シ、
電気的にも絶縁するように対面させて形成し、導体層に
流す交流電流によって生じる時間変調された磁界勾配に
よって磁気バブルを転送することを特徴とする。
ｉ流パルスを印加すると第３図（場の５０−５１閏の時
間では転送用あなあきパターンによる電流の乱れに起因
したバイアス磁界分布が生じるため、第３図（ｂ）で示
される位置がバブルの安定点となる０次の５１−５２間
の時間では、導体層に電流が流れていす、電流の乱れに
起因したバイアス磁界分布は消失している丸め、第２図
を用いて説明した基本原ＩＮＫ基づいてバブルは第３図
（Ｃ）に示される位置まで移動する。次の５２−５３間
の時間では、再び電流Ｏ乱れに起因したバイアス磁界分
布が生じるためバブルは磁界勾配による駆動力を受は第
３図（ｄ）に示され５安定点まで移動する。次の５３−
５４間の時間では電流の乱れに起因したバイアス磁界分
布は消失しているため、前記の基本原理に基づいてバブ
ルは第３図（ｅ）に示される位置まで移動する０したが
って、第３図（３０に示されるような両極性電流パルス
列を継絞して導体層に印加することにより、結３図山〕
Ｋ示されるような転送用″＆）なあきパターン及び非磁
性薄膜中に設けたあなあきパターンによって規定される
転送路に沿ってバブルを安定に転送させることができる
・ すなわち、本発明の一層導体型電流駆動磁気バプル素子
は磁気バブルを保持し得る磁性薄膜上に周期的に配列し
丸板送用あなあきパターン列を備え九一層の導体層を形
成し、前記転送用あなあきパターン列と同じ周期を有す
るあなあきパターン列もしくは島状パターン列を備えた
非磁性薄膜層を前記導体層と互いに！１ｌＩＩｌ！シ、
電気的にも絶縁するように対面させて形成し、導体層に
流す交流電流によって生じる時間変調された磁界勾配に
よって磁気バブルを転送することを特徴とする。
次に第′４図を用いて本発明の実施例を示す。
第４図において、２０の矢印は導体層に流す両′極性ペ
ルス電流の方向、１４の矢印はバイアス磁界の方向、５
はバブルである。第４図（場の実施例において１５はバ
ブルを保持し得る磁性Ｍ膜上に形成した張力性の導体層
中に設けた転送用あなあきバタ゛−ン１６は前記導体層
の上側に導体層と対面して形成した張力性の非磁性薄膜
中に設けたあな′ｆｂきパターンである。第４図（ωの
実施例にもとづき、゛張力性の導体層として厚さ一２５
０ＯＡ程炭のＡＩ Ｃｕ合金を蒸着により形成し、１５
００ＡＭ度のスペーサーを介し、前記導体層と対面して
ＧｏｏｏＡＮ度のＡｌＣｕ合金を蒸着により形成して実
際に本発明の一層導体型電流駆動磁気バプル素子を作製
したところ駆動電流３Ｗμｍでバブルが安定に転送され
ることが実験的にも確認された。第４図（ロ）は圧縮性
の非磁性薄膜中の島状パターン２５を用い友実施の一例
である。圧縮性の非磁性￥ＩＩ膜を用いた場合、パター
ン境界付近の磁壁エネルギー分布は、第１図の３のａ壁
エネルギー分布を縦軸２に関して折り返したような分布
になる。したがって非磁性薄膜を用いる場合には、パタ
ーンの形状を島状パターンにすることにより第３図を用
いて説明した動作原理と同様の１理の動作原理にもとづ
いてバブルの転送を行なうことができる。第４図（Ｃ）
は第４図（ｍｌのパターン形状を楕円形にした実施例で
ある。
ルス電流の方向、１４の矢印はバイアス磁界の方向、５
はバブルである。第４図（場の実施例において１５はバ
ブルを保持し得る磁性Ｍ膜上に形成した張力性の導体層
中に設けた転送用あなあきバタ゛−ン１６は前記導体層
の上側に導体層と対面して形成した張力性の非磁性薄膜
中に設けたあな′ｆｂきパターンである。第４図（ωの
実施例にもとづき、゛張力性の導体層として厚さ一２５
０ＯＡ程炭のＡＩ Ｃｕ合金を蒸着により形成し、１５
００ＡＭ度のスペーサーを介し、前記導体層と対面して
ＧｏｏｏＡＮ度のＡｌＣｕ合金を蒸着により形成して実
際に本発明の一層導体型電流駆動磁気バプル素子を作製
したところ駆動電流３Ｗμｍでバブルが安定に転送され
ることが実験的にも確認された。第４図（ロ）は圧縮性
の非磁性薄膜中の島状パターン２５を用い友実施の一例
である。圧縮性の非磁性￥ＩＩ膜を用いた場合、パター
ン境界付近の磁壁エネルギー分布は、第１図の３のａ壁
エネルギー分布を縦軸２に関して折り返したような分布
になる。したがって非磁性薄膜を用いる場合には、パタ
ーンの形状を島状パターンにすることにより第３図を用
いて説明した動作原理と同様の１理の動作原理にもとづ
いてバブルの転送を行なうことができる。第４図（Ｃ）
は第４図（ｍｌのパターン形状を楕円形にした実施例で
ある。
第４図（ｅ） において２６は、張力性の導体層中に設
は走転送用楕円形あなあきパターン、２７は張力性の非
磁性薄膜中に設けた楕円形あなあきパターンである。こ
のように楕円形のパターンを用いた場合パターン境界は
ある曲率を有することになるが、楕円パターン列の中心
軸上での磁壁エネルギー分布は、第Ｈｉｌｌの３０ａｑ
工ネルギー分布と定性的には等しくなるため、第３図を
用いて説明した動作原理と同様の動作原理によってバブ
ルの転送を行なうことができる。
は走転送用楕円形あなあきパターン、２７は張力性の非
磁性薄膜中に設けた楕円形あなあきパターンである。こ
のように楕円形のパターンを用いた場合パターン境界は
ある曲率を有することになるが、楕円パターン列の中心
軸上での磁壁エネルギー分布は、第Ｈｉｌｌの３０ａｑ
工ネルギー分布と定性的には等しくなるため、第３図を
用いて説明した動作原理と同様の動作原理によってバブ
ルの転送を行なうことができる。
導体層及び非磁性薄膜中のパターン形状としては、第４
図に示した実施例以外にも種々の形状のものが考えられ
るが、第３図を用いて説明した知合動作原理によりバブ
ルを転送し得る形状であれば、すべて本発明に含まれる
ことはいうまでもない。父、非磁性薄膜として導体、絶
縁体材料のいづれを用いても良いことは勿論である。
図に示した実施例以外にも種々の形状のものが考えられ
るが、第３図を用いて説明した知合動作原理によりバブ
ルを転送し得る形状であれば、すべて本発明に含まれる
ことはいうまでもない。父、非磁性薄膜として導体、絶
縁体材料のいづれを用いても良いことは勿論である。
３１１図は、エル・シュルヅらの論文に示されている説
明図の一部であＳ。横軸１は磁壁の位置、縦軸２は磁壁
エネルギー、３は磁壁エネルギー分布、４は張力性のＭ
ＰＡパターンを示す。 第２図は本発明の基本原理を示す図である。 ４は張力性の薄膜パターン、５はバブル、６，７はバブ
ル磁壁が受ける駆動力の方向、８は薄膜パターンの境界
、１４の矢印はバイアス磁界の方向である。 第３図は本発明の動作原理を、わ力）りやすくモデル釣
に示した図である。横軸１Ｇは時間、縦軸１１は電流値
、１２は電流波形、５０．５１．５＆ ５３．５４ｓ翫
ｓａ、 ｓｙは機軸１０上の各時刻、１はバブル１３ｘ
ｙｏ矢印は電流は電流の方向、１４の矢印はバイアス磁
界の方向、１５は張力性の導体層中に設けた転送用あな
あきパターン、１６は張力性の非磁性薄膜中に設けえあ
なあきパターンである。 第４図は本発明の実施例を示す図である。Ｓはパブｋ、
１４の矢印はバイアス磁界の方向、２０の矢印は電流の
不向、１５は張力性の導体層中に設は九あなあ自パター
ン、１６は張力性の非磁性薄膜中に設は九あなあきパタ
ーン、２５は圧縮性の非磁性薄膜中に設は九島状パター
ン、２６は張力性の導体層中に設けた転送用楕円用楕円
形あなあ禽パターン２７は張力性の非磁性薄膜中に設け
た楕円形あなあきパターンである。 第３図 第４図 （α） ↓２０■／ｑ
明図の一部であＳ。横軸１は磁壁の位置、縦軸２は磁壁
エネルギー、３は磁壁エネルギー分布、４は張力性のＭ
ＰＡパターンを示す。 第２図は本発明の基本原理を示す図である。 ４は張力性の薄膜パターン、５はバブル、６，７はバブ
ル磁壁が受ける駆動力の方向、８は薄膜パターンの境界
、１４の矢印はバイアス磁界の方向である。 第３図は本発明の動作原理を、わ力）りやすくモデル釣
に示した図である。横軸１Ｇは時間、縦軸１１は電流値
、１２は電流波形、５０．５１．５＆ ５３．５４ｓ翫
ｓａ、 ｓｙは機軸１０上の各時刻、１はバブル１３ｘ
ｙｏ矢印は電流は電流の方向、１４の矢印はバイアス磁
界の方向、１５は張力性の導体層中に設けた転送用あな
あきパターン、１６は張力性の非磁性薄膜中に設けえあ
なあきパターンである。 第４図は本発明の実施例を示す図である。Ｓはパブｋ、
１４の矢印はバイアス磁界の方向、２０の矢印は電流の
不向、１５は張力性の導体層中に設は九あなあ自パター
ン、１６は張力性の非磁性薄膜中に設は九あなあきパタ
ーン、２５は圧縮性の非磁性薄膜中に設は九島状パター
ン、２６は張力性の導体層中に設けた転送用楕円用楕円
形あなあ禽パターン２７は張力性の非磁性薄膜中に設け
た楕円形あなあきパターンである。 第３図 第４図 （α） ↓２０■／ｑ
Claims (1)
- 磁気バブルを保持し得る０でな一磁歪定数を有する磁性
薄膜上に１周期的に配列した転送用あなあ禽パターン列
を備えた一層の導体層を形成し前記転送用あなあきパタ
ーン列と同じ周期を有するあなあきパターン列もしくは
島状パターン列を備え九非硯性薄震層を前記導体層と互
いに隔離し電気的にも絶縁するように対面させて形成し
、導体層に流す交流電流によりて生じる時間変調された
磁界勾配によって磁気バブルを転送することを特徴とし
た一層導体型電流駆動磁気パプル素子・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56127060A JPS5829189A (ja) | 1981-08-13 | 1981-08-13 | 一層導体型電流駆動磁気バブル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56127060A JPS5829189A (ja) | 1981-08-13 | 1981-08-13 | 一層導体型電流駆動磁気バブル素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5829189A true JPS5829189A (ja) | 1983-02-21 |
| JPH0232707B2 JPH0232707B2 (ja) | 1990-07-23 |
Family
ID=14950593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56127060A Granted JPS5829189A (ja) | 1981-08-13 | 1981-08-13 | 一層導体型電流駆動磁気バブル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5829189A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4818244A (en) * | 1986-12-30 | 1989-04-04 | Naigai Special Dyeing Co., Ltd. | Cloth washing machine |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0428805U (ja) * | 1990-06-30 | 1992-03-09 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS567180A (en) * | 1979-06-28 | 1981-01-24 | Fujitsu Ltd | Character recognizing method for optical character reader |
| JPS5693171A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Nec Corp | Current access bubble magnetic domain element |
| JPS5693172A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Nec Corp | Bubble magnetic domain element of current access type |
| JPS5694570A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-31 | Nec Corp | Bubble magnetic domain element of current access type |
-
1981
- 1981-08-13 JP JP56127060A patent/JPS5829189A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS567180A (en) * | 1979-06-28 | 1981-01-24 | Fujitsu Ltd | Character recognizing method for optical character reader |
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|---|---|---|---|---|
| US4818244A (en) * | 1986-12-30 | 1989-04-04 | Naigai Special Dyeing Co., Ltd. | Cloth washing machine |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0232707B2 (ja) | 1990-07-23 |
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