SU602994A1 - Устройство дл регистрации цилиндрических магнитных доменов - Google Patents

Description

ти ж«, разрез «о сло м; на фиг, 3-5 - чрохожп :11ие доменов Б окрестност х датчиков при ;:.азлнч1плх иаправлеииах вектора пол  управлиии ; на фиг, 6 - форма счнташшго си1-и апа от прохождени  одного домена.

Устройство дл  регистрации ЦМД содержит магаиторезистивнын датчик 1, расположенный в верхнем ферромшчгитном слое 2 у одних концов полушевронов 3 ферромаг - нитных аппликаций продвижени  и расширени ЦАЩ, разделенных слоем 4 из немагнитного материа ш, и подключенный одной стороной к общей шине 5. К этой же шине подключен мшниторезистивньш датчик 6, располох енны во втором (нижнем ) ферромагнитном слое 7 у других концов тех же полушевронов. Полушевроны 2 верхнего сло  расположены таким образом, что вход т с зазором между полушевронами 8 нижнего .

Датчики Д. и 6 подключены по мостовой схеме с помощью резисторов 9 и 10 к балансному усилителю 11 шинами 12 и 13. Ферромагнитные аппликации расширени  и продвигкени  ДМД расположены на разделительном немагнитном слое 14, нанесенном на магнитоодноосную гшенку 15 с ДМД 16, например эпитаксиальную феррит гранатовую пленку, выращенную на немагнитном гранате 17, Источник питани  18 подключен одним полюсом к общей шине 5 и к сред ней точке усилител  11, а другим полюсом к резистором 9 и 10.

НМД 16, двига сь по аппликации продвижени  и расширени  ЦМД под вли нием пол  управлени  Ну . вращающегос  в плоскости пленки по часовой стрелке, проходит последовательно в-моменты времени t положени , показанные на фиг. 3, 4, 5. Ириблийш сь к устройству считывани  (фиг. НМД 16 регистрируетс  датчиком 1, дат чик 6 еще не чувствует присутстви  доме- -:а, и поэтому баланс мостовой схемы нару« шаетс  и по вл етс  сигнал положительной пол рности (фиг. 6а). При дальнейшем перемещении ЦМД 16 он попадает в пространство между датчиками 1 и 6 (фиг. 4, момент времени t ) и поскольку воздействи  на датчики одинаковы, сигнала не будет

(фиг. 66). Продвига сь , ИМД 16

проходит в момент времени k j в положение , показанное на фиг. 5. Датчик 6 поД воздействием домена измен ет свое сопротивление , воздействие домена на датчик 1 ослаблено, поэтому мост оказываетс  снова разбалансироваиным, причем в противоположную сторону от случа , показанного на фиг. 3. Соответственно, сиг-нал будет противоположной пол рности (фиг. 6в).

Расположение датчиков в разных сло х облегчает технологию изготовлени  устройства дл  ЦМД малых (менее 5 мкм) раэмеров , так как минимальные зазоры между элементами аппликаций (полуШевронов) возрастают примерно вдвое, поскольку сами элементы, составл юише одну аппликацию, расположены в разных сло х.

Claims (1)

1. Патент Японии N 5О-13614, кл. 11 4 А 512, 21.5.75.

k.Bobe1 A.H.et о(е.,гос.о tbe lEEE.v

N 8, 1975, p. 1176. in. . .ГТ« ч 1. , .: T /7/7/ /7/

5

b«

i Ve

. ti

.16

M,t,

1 l

.