SU763964A1 - Датчик дл считывани цилиндрических магнитных доменов - Google Patents

Датчик дл считывани цилиндрических магнитных доменов Download PDF

Info

Publication number
SU763964A1
SU763964A1 SU782646866A SU2646866A SU763964A1 SU 763964 A1 SU763964 A1 SU 763964A1 SU 782646866 A SU782646866 A SU 782646866A SU 2646866 A SU2646866 A SU 2646866A SU 763964 A1 SU763964 A1 SU 763964A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
sensor
magnetoresistors
magnetoresistor
reading
output signal
Prior art date
Application number
SU782646866A
Other languages
English (en)
Inventor
Татьяна Федоровна Мартыненко
Михаил Иванович Гришечкин
Марина Ивановна Королева
Калерия Серафимовна Шифрин-Крыжаловская
Юрий Иванович Игнатенко
Original Assignee
Предприятие П/Я М-5769
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я М-5769 filed Critical Предприятие П/Я М-5769
Priority to SU782646866A priority Critical patent/SU763964A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU763964A1 publication Critical patent/SU763964A1/ru

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)

Description

Изобретение относитс  к вычислительной технике и предназначено дл  применени  в устройствах хранени  и обработки информации, в частности в запоминающих устройст зах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).
Известен датчик дл  считывани  ЦМД, содержащий магнитоодноосную Ю пленку, на поверхности которой расположены магниторезистори. Толщина магниторезистора в этом датчике 0,,5 мкм 1.
Недостатком  вл етс  малое изме- 5 нение сопротивлени  датчика от внешного пол  рассе ни  ЦМД, определ емое наличием больших иескомпенсированных размагничивающих полей в магнитном слое такой толщины.20
Наиболее близким техническим решением к данному изобретению  вл етс  датчик дл  считывани  ЦМД, который содержит магнитоодноосную плен-25 ку, магниторезисторы, расположенные на поверхности магнитоодноосной пленки друг над другом, и разделительные слои, расположенные между магниторезисторами {2.
Недостатком этого датчика  вл етс  его относительна  сложность и низкий уровень выходного сигнала..
Цель изобретени  - повышение уровн  выходного сигнала датчика дл  считывани  ЦМД
Поставленна  цель достигаетс  тем, что в датчике разделительные слои выполнены из немагнитного металла.
На чертеже схематически изображен предложенный датчикдл  считывани  ЦМД.
Датчик дл  считывани  ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на поверхности которой расположен диэлектрический слой 2, и магниторезистог л 3 и 4,-между которыми расположен разделительный слой 5 из немагнитного металла. Толщина магниторезисторов 0,15-0,2 мкм. Толщина разделительного сло  5 должна быть достаточной дл  того, чтобы исключить обменное взаимодействие между магниторезисторами 3 и 4.

Claims (2)

  1. При условии исключени  обменного взаимодействи , взаимное расположение векторов 6 намагниченности в отдельных участках магниторезисторов 3 и 4, определ емое магнитостатичесКИМ взаимодействием, будет встречг ное. В этбм случае нескрмпенсированно . поле, преп тствующее повороту векто ра нг1магниченности в магниторезисто рах 3 и 4, уменьшитс  по сравнению со случаем однослойного датчика и дл  каждого магнитореэистора равно разности собственного размагничиваю щего пол  сло  и внешнего пол  рассе ни  ( другого магниторезистора. Вследствие этого, под действием пол рассе ни  ЦМД увеличитс  угол поворота вектора намагниченности магнит резисторов и величина изменени  сопротивлени  датчика в целом, что в свою очередь приводит к увеличению уровн  выходного сигнала при считыв нии информации. Формула изобретени  Датчик дл  считывани  цилиндрических магнитных доменов, содержащий магнитоодноосную пленку, магниторезисторы , расположенные на поверхности магнитоодноосной пленки друг над другом, и разделительные слои, расположенные между магниторезисторами , отличающийс  тем, что, с целью повьЕиени  уровн  выходного сигнала датчика, разделительные слои выполнены из немагнитного металла. Источники информации, прин тые во внимание п1ж экспертизе 1.Патент США № 40191-77, кл. 340-174, 1977.
  2. 2.Авторское свидетельство СССР 485500, ;кл. G 11 С 7/00, 1972 (прототип ) ,
SU782646866A 1978-07-13 1978-07-13 Датчик дл считывани цилиндрических магнитных доменов SU763964A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782646866A SU763964A1 (ru) 1978-07-13 1978-07-13 Датчик дл считывани цилиндрических магнитных доменов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782646866A SU763964A1 (ru) 1978-07-13 1978-07-13 Датчик дл считывани цилиндрических магнитных доменов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU763964A1 true SU763964A1 (ru) 1980-09-15

Family

ID=20777986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782646866A SU763964A1 (ru) 1978-07-13 1978-07-13 Датчик дл считывани цилиндрических магнитных доменов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU763964A1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4754431A (en) * 1987-01-28 1988-06-28 Honeywell Inc. Vialess shorting bars for magnetoresistive devices
US4857418A (en) * 1986-12-08 1989-08-15 Honeywell Inc. Resistive overlayer for magnetic films
US4918655A (en) * 1988-02-29 1990-04-17 Honeywell Inc. Magnetic device integrated circuit interconnection system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4857418A (en) * 1986-12-08 1989-08-15 Honeywell Inc. Resistive overlayer for magnetic films
US4754431A (en) * 1987-01-28 1988-06-28 Honeywell Inc. Vialess shorting bars for magnetoresistive devices
US4918655A (en) * 1988-02-29 1990-04-17 Honeywell Inc. Magnetic device integrated circuit interconnection system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5005096A (en) Magnetoresistive read transducer having hard magnetic shunt bias
US5159513A (en) Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
Tumanski Thin film magnetoresistive sensors
MY136486A (en) Antiferromagnetic exchange coupling in magnetoresistive spin valve sensors
CN1064132C (zh) 自旋阀磁致电阻传感器及采用此传感器的磁记录系统
MY110737A (en) Current biased magnetoresistive spin valve sensor
CA2054580A1 (en) Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect
JPH0261572A (ja) 強磁性薄膜を有する磁場センサ
JPS58154615A (ja) 磁気検出装置
US9389286B2 (en) Magnetic sensor with reduced effect of interlayer coupling magnetic field
US11340317B2 (en) Magnetic sensor device
US4849696A (en) Apparatus for determinig the strength and direction of a magnetic field, particularly the geomagnetic field
JP2002525889A (ja) カッドgmrサンドイッチ
US7016160B2 (en) Differential CPP reader for perpendicular magnetic recording
US4488194A (en) Magnetoresistant transducer for reading very high-density data
CN1195294C (zh) 边缘偏置的磁阻传感器、其制作方法及包括它的磁存储系统
JPH11288504A (ja) スピンバルブ型感磁素子及びこれを用いた磁気ヘッド 並びに磁気ディスク装置
SU763964A1 (ru) Датчик дл считывани цилиндрических магнитных доменов
JP5254514B2 (ja) 減少した電磁切換え磁場を持つ磁気抵抗検知器又は記憶素子
KR100532795B1 (ko) 물체의 위치를 무접촉 방식으로 검출하기 위한 장치
US4184631A (en) Device for reading information magnetically coded on a carrier
US3735369A (en) Magnetic memory employing force detecting element
US7545602B1 (en) Use of grating structures to control asymmetry in a magnetic sensor
TW200416682A (en) Storage system using electromagnetic array
JP2000516724A (ja) ホイートストンブリッジを有するセンサ