JPS5828818A - ホ−ル素子形変流器 - Google Patents
ホ−ル素子形変流器Info
- Publication number
- JPS5828818A JPS5828818A JP56126743A JP12674381A JPS5828818A JP S5828818 A JPS5828818 A JP S5828818A JP 56126743 A JP56126743 A JP 56126743A JP 12674381 A JP12674381 A JP 12674381A JP S5828818 A JPS5828818 A JP S5828818A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hall
- temperature coefficient
- resistor
- hall element
- operational amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
- G01R15/202—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using Hall-effect devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は、ホール素子形質流器の改良に関するものであ
る。
る。
第１図は従来のホール素子形質流器の回路図を示し、１
は一次導体、２は一次導体１が挿通σｎている環状の鉄
心で空隙３，３を有し、各空隙３にはホール素子４が配
設さｒている。５は定電流電源、６は演算増幅器、７は
分圧器、８←Ｊザーミスタでをンる。そして、−次導体
１に流れる電流に比例した磁束密度が鉄心２及び空隙３
に発生し、ホール素子４の他の出力４に磁束Ｗ）度に比
例しだホール電圧Ｖ ｎが生じる。尚、−次導体１によ
る磁界以外の外部磁界による測定誤差ケ小さくするため
、」−記のように鉄心２の２個所以」−に空隙３を設け
、各空隙３にホール素子４を挿入し、演算増幅器６によ
り、ホール電圧＼’ＩＩのｆＩｌ ｆとった出力■。が
ポール素子形変流器の出力どなる。
は一次導体、２は一次導体１が挿通σｎている環状の鉄
心で空隙３，３を有し、各空隙３にはホール素子４が配
設さｒている。５は定電流電源、６は演算増幅器、７は
分圧器、８←Ｊザーミスタでをンる。そして、−次導体
１に流れる電流に比例した磁束密度が鉄心２及び空隙３
に発生し、ホール素子４の他の出力４に磁束Ｗ）度に比
例しだホール電圧Ｖ ｎが生じる。尚、−次導体１によ
る磁界以外の外部磁界による測定誤差ケ小さくするため
、」−記のように鉄心２の２個所以」−に空隙３を設け
、各空隙３にホール素子４を挿入し、演算増幅器６によ
り、ホール電圧＼’ＩＩのｆＩｌ ｆとった出力■。が
ポール素子形変流器の出力どなる。
ホール素子４の出力であるホール電圧Ｖｎに４、周囲の
温度」１眉に従って低下するのが一般的である。このよ
うな周囲温度の変動に」：って、測定値が変動すること
による誤差を小さくするため、ホール電圧Ｖｎｉ分圧し
て取り出す分圧器７の抵抗の一部にザーミスタ等の温度
により抵抗値が変化する素子を用い、温度が上層するに
従い分圧比が増加することで、ホール電圧Ｖｕの温度上
昇による出力低下を補償していた。そして、変流２にの
測定精度全史に良好にするためには、空隙３、ホール素
子４を幅ず必要があるが、それに伴い温度補償の調整を
必要とする分圧器７の必要個数が増力口し、調整に多大
の時間が必要となる欠点がある。
温度」１眉に従って低下するのが一般的である。このよ
うな周囲温度の変動に」：って、測定値が変動すること
による誤差を小さくするため、ホール電圧Ｖｎｉ分圧し
て取り出す分圧器７の抵抗の一部にザーミスタ等の温度
により抵抗値が変化する素子を用い、温度が上層するに
従い分圧比が増加することで、ホール電圧Ｖｕの温度上
昇による出力低下を補償していた。そして、変流２にの
測定精度全史に良好にするためには、空隙３、ホール素
子４を幅ず必要があるが、それに伴い温度補償の調整を
必要とする分圧器７の必要個数が増力口し、調整に多大
の時間が必要となる欠点がある。
本発明は」−記の状況に鑑みなされたものであり、ホー
ル素子の使用個数が増加しても温度補償の調整操作が容
易にできるホール素子形変流器を提供することを目的と
したものである。
ル素子の使用個数が増加しても温度補償の調整操作が容
易にできるホール素子形変流器を提供することを目的と
したものである。
本発明のホール素子形変流器は、内部に一次導体が挿通
され２個以」−の空隙が設けられて環状に形成さ扛だ鉄
心と、」二記空隙内にそれぞれ収容され定電流電源に接
続されたホール素子と、これらのホール素子に発生する
出力電圧の和に比例した出力を得る演算増幅器とを備え
てなり、上記演算増幅器の帰還抵抗の一部に抵抗温度係
数の絶対値がホール素子出力電圧の温度係数の絶対値以
」二の半導体抵抗及び金属被膜抵抗等からなる抵抗体を
挿入するものである。
され２個以」−の空隙が設けられて環状に形成さ扛だ鉄
心と、」二記空隙内にそれぞれ収容され定電流電源に接
続されたホール素子と、これらのホール素子に発生する
出力電圧の和に比例した出力を得る演算増幅器とを備え
てなり、上記演算増幅器の帰還抵抗の一部に抵抗温度係
数の絶対値がホール素子出力電圧の温度係数の絶対値以
」二の半導体抵抗及び金属被膜抵抗等からなる抵抗体を
挿入するものである。
以下不発明のホール素子形変流器の一実施例を従来と同
部品は同符号で示し同部分の説明は省略し第２図により
説明する。ホール素子４の出力は一定の１」（抗９でケ
υ絡を扛／−後、出力の和をΔ１γ）する演算増幅器６
の人力に接ＩヅｌゴＩ］ている。演算増幅器６の帰敵抵
抗の−：’ＳＢｔ／Ｃｉｌ：、’／ ’Ｊコン゛１筆１
９体の半導体抵抗１０が挿入されている。従って、合成
さＩ″１．／こ帰１″＃ｔＩ丁（接値ｎ、＋に１：周囲
１！＋７１度の上昇にｈｊＬで」−眉し、増幅率が上昇
するので、ホール電圧ＶＩ＋の低下が補償され周囲温度
の変化に利し一定の変流器出力■。生得ることがで外ろ
１、合成したＩｋｉ！還抵抗１（５，の１丁の温度係数
は、］１（抗９で短絡し）こ状態のホール電圧Ｖｎの和
の３１７均的な負の譚１度係数に合わせる必要があり、
このため、ノリ′：ｒン半・、１４体等の正の温１現係
数と１７てば、少なくともホール電圧Ｖ＋＋の負の温度
係数Ｊ：りも絶１１顧が大きいことが必要である。ホー
ル電圧Ｖ＋＋の侃１度係数としては、１Ｃ当り一０１ツ
、以下であるものが多く、シリコン半導体のＩ’ｌｌｔ
度係数ｒｊ：＋ １ ％以」−は容易に実現できる。シ
リコン半導体１０とａｌｌ）度係数が非常に小σい金属
破膜ＩＪＶ抗等を絹み合一１４７ にとにより、合成し
た帰還抵抗ＩＬの温度係数を＋０．１ ％程度に調整す
ることばγを易である。
部品は同符号で示し同部分の説明は省略し第２図により
説明する。ホール素子４の出力は一定の１」（抗９でケ
υ絡を扛／−後、出力の和をΔ１γ）する演算増幅器６
の人力に接ＩヅｌゴＩ］ている。演算増幅器６の帰敵抵
抗の−：’ＳＢｔ／Ｃｉｌ：、’／ ’Ｊコン゛１筆１
９体の半導体抵抗１０が挿入されている。従って、合成
さＩ″１．／こ帰１″＃ｔＩ丁（接値ｎ、＋に１：周囲
１！＋７１度の上昇にｈｊＬで」−眉し、増幅率が上昇
するので、ホール電圧ＶＩ＋の低下が補償され周囲温度
の変化に利し一定の変流器出力■。生得ることがで外ろ
１、合成したＩｋｉ！還抵抗１（５，の１丁の温度係数
は、］１（抗９で短絡し）こ状態のホール電圧Ｖｎの和
の３１７均的な負の譚１度係数に合わせる必要があり、
このため、ノリ′：ｒン半・、１４体等の正の温１現係
数と１７てば、少なくともホール電圧Ｖ＋＋の負の温度
係数Ｊ：りも絶１１顧が大きいことが必要である。ホー
ル電圧Ｖ＋＋の侃１度係数としては、１Ｃ当り一０１ツ
、以下であるものが多く、シリコン半導体のＩ’ｌｌｔ
度係数ｒｊ：＋ １ ％以」−は容易に実現できる。シ
リコン半導体１０とａｌｌ）度係数が非常に小σい金属
破膜ＩＪＶ抗等を絹み合一１４７ にとにより、合成し
た帰還抵抗ＩＬの温度係数を＋０．１ ％程度に調整す
ることばγを易である。
」−記゛１′−導体抵抗］０は、正の抵抗温度係数を持
った他の半導体抵抗、例えば、ゲルマニウム等で置換す
ること、あるいはニッケル等の抵抗温度係数の大きい金
属を使用することも可能である。
った他の半導体抵抗、例えば、ゲルマニウム等で置換す
ること、あるいはニッケル等の抵抗温度係数の大きい金
属を使用することも可能である。
この」：うに本実施例のホール素子形変流器においては
、演算増幅器の帰還抵抗の一部に、抵抗温度係数の絶対
値がホール素子出力電圧の温度係数の絶対値以」二の抵
抗体全挿入しだので、ホール素子の使用個数が増力口し
ても、温度補償を１個所で行うので調整操作が簡単容易
となる。
、演算増幅器の帰還抵抗の一部に、抵抗温度係数の絶対
値がホール素子出力電圧の温度係数の絶対値以」二の抵
抗体全挿入しだので、ホール素子の使用個数が増力口し
ても、温度補償を１個所で行うので調整操作が簡単容易
となる。
以−１−記述した如く本発明のホール素子形変流器は、
ホール素子の使用個数が増力口しても温度補償の調整操
作が容易にできる効果を有するものである。
ホール素子の使用個数が増力口しても温度補償の調整操
作が容易にできる効果を有するものである。
第１図は従来のホール素子形変流器の回路図、第２図は
本発明のホール素子形変流器の実施例の回路図である。
本発明のホール素子形変流器の実施例の回路図である。
Claims (1)
- １、内部に一次導体が挿通され２［固以上の空隙が設け
られて環状に形成された鉄心と、上記空隙内にそれそ汎
収容され定電流電源に接続さｆだホール素子と、これら
のホール素子に発生する出力電圧の和に比例した出力を
得る演算増幅器とを備えたホール素子形質流器において
、上記演算増幅器の帰還抵抗の一部に抵抗温度係数の絶
対値がホール素子出力電圧の温度係数の絶対ｆ直埋上の
半導体抵抗及び金属破膜抵抗等からなる抵抗体を挿入し
たことを特徴とするホール素子形質流器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56126743A JPS5828818A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | ホ−ル素子形変流器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56126743A JPS5828818A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | ホ−ル素子形変流器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5828818A true JPS5828818A (ja) | 1983-02-19 |
Family
ID=14942802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56126743A Pending JPS5828818A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | ホ−ル素子形変流器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5828818A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2919730A1 (fr) * | 2007-08-02 | 2009-02-06 | Abb France | Capteur de courant destine a mesurer le courant circulant dans au moins un conducteur |
-
1981
- 1981-08-14 JP JP56126743A patent/JPS5828818A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2919730A1 (fr) * | 2007-08-02 | 2009-02-06 | Abb France | Capteur de courant destine a mesurer le courant circulant dans au moins un conducteur |
| WO2009027603A1 (fr) * | 2007-08-02 | 2009-03-05 | Abb France | Capteur de courant destine a mesurer le courant circulant dans au moins un conducteur |
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