JPS5828274B2 - タンサンエステルルイオセイゾウスル ホウホウ - Google Patents

タンサンエステルルイオセイゾウスル ホウホウ

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JPS5828274B2
JPS5828274B2 JP11585674A JP11585674A JPS5828274B2 JP S5828274 B2 JPS5828274 B2 JP S5828274B2 JP 11585674 A JP11585674 A JP 11585674A JP 11585674 A JP11585674 A JP 11585674A JP S5828274 B2 JPS5828274 B2 JP S5828274B2
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真純 伊藤
孝 紙谷
大二郎 萩原
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Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd
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Fujisawa Pharmaceutical Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は一般式 ル基、Zはアシル基またはエステル化されたカルボキシ
基をそれぞれ意味する)で示される基または置換分とし
てハロゲンを有するかまたは有しないベンゾトリアゾリ
ル基を意味する〕 で示される化合物に一般式 (式中、Xは・・ロゲンを意味する) で示されるカルボニル・・ライドまたはその反応性均等
物を作用させて一般式 (式中、R1およびXは前と同じ意味) で示される・・口ぎ酸エステル誘導体を得、これに一般
式 ) (式中、R2はアルキル基またはアラルキル基を意味す
る) で示されるアルコール類を作用させるかまたは一般式 (式中、R1は前記と同じ意味) で示される化合物に一般式 (式中、R2およびXは前と同じ意味) で示されるぎ酸エステル類を作用させて一般式(式中、
R1およびR2は前と同じ意味)で示される炭酸エステ
ル類を得ることからなる炭酸エステル類を製造する方法
に関するものである。
この発明は新規なアミノ保護基の導入試剤の製造法を提
供するものである。
この発明の目的物質(VI)を用いた場合には低温、短
時間でアミノ保護基を導入することができ、副反応を伴
う恐れも少い。
この発明の目的物質(VI)は安定な化合物であり、こ
の発明の方法により容易に純粋な化合物として得られ、
他の導入試剤、例えばアジド化合物のような危険性もな
く、取扱いが簡便である等のすぐれた特徴を有するもの
である。
この発明の反応はまず化合物(I)にカルボニル・・ラ
イド(II)またはその反応性均等物を作用させること
により行なわれる。
化合物(I)とは前記一般式(I)で示され、さらに詳
細には、式 またはエステル化されたカルボキシ基をそれぞれ意味す
る)で示される基または置換弁としてクロル、フルオル
、ブロム等のハロゲンを有するかまたは有しないベンゾ
トリアゾリル基をR1として有する化合物を意味し、こ
こにおいて、Yおよび2におけるアシル基としては、ホ
ルミル、アセチル、グロピオニル、ブチリル、インブチ
リル、バレリル、イソバレリル、ピバロイル等のアルカ
ノイル基、ベンゾイル、トルオイル、キシロイル、ナフ
トイル等のアロイル基等が挙げられ、また2におけるエ
ステル化されたカルボキシ基としては、メトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、フロポキンカルボニル、イ
ンプロポキシカルボニル、ブトキンカルボニル、インブ
トキシカルボニル、第3級ブトキシカルボニル等のアル
コキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、
シクロヘプチルオキシカルボニル等のシクロアルコキシ
カルボニル、ベンジルオキシカルボニル、フェネチルオ
キシカルボニル等のアラルコキシカルボニル等が挙げら
れる。
また化合物(I)は塩を形成していてもよく、その塩と
してはカリウム塩、ナトリウム塩等のアルカリ金属塩、
カルシウム塩、マグネシウム塩等のアルカリ土類金属塩
等が挙げられる。
カルボニルハライドとは前記一般式(II)で示され、
クロル、フルオル、ブロム等のハロゲンをXとして有す
る化合物を意味し、その反応性均等物としてはカルボニ
ルハライド(II)の2量体、3量体等が挙げられるが
、この場合にはXがクロルのものが好ましい。
この反応は通常溶媒中で行なわれ、溶媒としてはベンゼ
ン、トルエン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等が挙
げられるがこれらに限定されるものではなく、この反応
に悪影響を与えない一般有機溶媒はすべて使用できる。
またこの反応は塩基の存在下に行なうのが好ましく、塩
基としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸
化アルカリ金属、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウ
ム等の水酸化アルカリ土類金属、炭酸す) IJウム、
炭酸カリウム等の炭酸アルカリ金属、炭酸カルシウム、
炭酸マグネシウム等の炭酸アルカリ土類金属、炭酸水素
す) IJウム、炭酸水素カリウム等の炭酸水素アルカ
リ金属等の無機塩基、トリエチルアミン、ピリジン、ジ
メチルアニリン等の有機塩基が挙げられる。
この反応の反応温度は特に限定されないが、冷却下ない
し室温で行なわれることが多い。
上記のようにして得られるハロぎ酸エステル誘導体(I
II )についでアルコール類(IV)を作用させる。
アルコール類とは前記一般式(IV)で示され、さらに
詳細にはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、イソフチル、第3級ブチル、ペンチル、第3級ペ
ンチル、ヘキシル、1−7クロプロピルエチル等のアル
キル基、ベンジル、フェネチル等のアラルキル基をR2
として有する化合物を意味する。
この反応では、クロロホルム、テトラヒドロフラン、エ
ーテル、アセトニ) IJル、酢酸エチル、アセトン、
ベンゼン、n−ヘキサン、石油エーテル、ジオキサン等
の有機溶媒が使用されるがこれらに限定されるものでは
なく、この反応に悪影響を与えない他の有機溶媒はすべ
て使用することができる。
またこの反応は塩基の存在下に行なうのが好ましい。
ここで使用される塩基としては水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム等の水酸化アルカリ金属、水酸化カルシウム
、水酸化マグネシウム等の水酸化アルカリ土類金属、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸アルカリ金属、炭
酸カルシウム、炭酸マグネシウム等の炭酸アルカリ土類
金属、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の炭酸
水素アルカリ金属、アンモニア、トリメチルアミン、ト
リエチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアニ
リン、ピリジン、キノリン等の無機または有機の塩基が
挙げられ、これらの塩基は混合して使用することもでき
る。
この反応の反応温度は特に限定されないが通常低温ない
し室温で行なわれることが多い。
また化合物(I)にぎ酸エステル類(V)を作用させる
反応は、前記の化合物(III)と化合物(IV)との
反応と同様の反応条件で行なわれるが、溶媒は有機溶媒
のほかに水または前記有機溶媒と水とを混合した水性有
機溶媒も使用し得る。
この発明の方法により得られる炭酸エステル類(VI)
はすべて新規化合物であり、アミノ保護基の導入試剤と
して有用である。
。次にこの発明を実施例により説明する。
実施例 1 ホスゲン2.48Pを含むベンゼン3(:)mlの溶液
に、2−ヒドロキンイミノアセト酢酸エチルエステル3
,98♂およびピリジン1.98Pをベンゼン25m1
に溶解した溶液を4〜5°Cで30分間を要して滴下す
る。
同温で1時間攪拌後、室温で1時間攪拌し、一夜放置す
る。
このようにして製した2−クロロカルボニルオキシイミ
ノアセト酢酸エチルエステルを含有する反応液に、第3
級ブチルアルコール3,72およびピリジン3.96P
をベンゼン25m1に溶解した溶液を5〜7℃で30分
間を要して滴下する。
同温度で1時間攪拌後、反応温度をゆっくりと上げ室温
としたのち6時間攪拌し、ついで一夜放置する。
反応液に有機層とほぼ同体積の水を加え、析出物を溶解
したのち、水層を分離する。
有機層は0.5M<えん酸水溶液、5%炭酸す) IJ
ウム水溶液、塩化ナトリウム水溶液の順に洗浄し、硫酸
マグネシウムで乾燥する。
乾燥後、溶媒を留去すると油状の2−第3級ブトキシカ
ルボニルオキシイミノアセト酢酸エチルエステル3.7
1を得る。
赤外線吸収スペクトル(液膜) 1780.1730,1690CTL ”核磁気共鳴吸
収スペクトル(CCI4) δ1.37 (t、3H)、1.57 (s、9)()
、2.48 (s、3H)、4.34 (q、 3H
)実施例 2 ホスゲン1.91’を含むベンゼン25m1溶液に5〜
9℃で2−ヒドロキシイミノ−1−フェニルブタン〜1
・3−ジオン3.82?およびピリジンL62mlをベ
ンゼン30′mlに溶解した溶液を40分間を要して滴
下する。
同温度で1時間攪拌後、−夜放Wする。
このようにして製した2−クロロカルボニルオキシイミ
ノ−1−フェニルブタンート3−ジオンを含有する反応
液に、第3級ブチルアルコール2.96Pおよびピリジ
ン3.16f?をベンゼン30m1に溶解した溶液を5
0℃で、30分間を要して滴下する。
同温度で1時間攪拌後、室温で6時間攪拌し、一夜放置
する。
反応液に冷水100m1を加えたのち、有機層は水、0
.5M<えん酸水溶液20m1lで4回、ついで5%炭
酸ナトリウム水溶液20m1で4回、水層がほとんど無
色になるまで洗浄し、さらに塩化ナトリウム水溶液で洗
浄後、硫酸マグネシウムで乾燥する。
乾燥後、炭末処理し、溶媒を留去すると油状物3.48
Pを得る。
この油状物は放置すると一部結晶化し、これにエーテル
を加えて析出物を1取し、四塩化炭素・石油エーテルの
混合溶媒から再結晶するとm990〜103°C(分解
)の2−第3級ブトキシカルボニルオキシイミノ−1−
フェニルブタン1 ・3−ジオン350m9を得る。
赤外線吸収スペクトル(ヌジョール) 1785.1700.1600CrrL−1元素分析:
CI5 Hl 7 NO5 計算値:C61,85、H5,88、H4,81実1験
値: C62,00,H5,92、H4,98実施例
3 1−ヒドロキシ−6−クロロ−IH−ペンツトリアゾー
ル8.51およびピリジン3.91をベンゼン50m1
に懸濁し、氷水冷却下これにホスゲン5?をベンゼン2
3.5TrLlに溶解した溶液を滴下し、同温度で30
分攪拌後、一夜放置する。
このようにして製した1−クロロカルボニルオキシ−6
−クロロ−IH−ベンゾトリアゾールを含有する反応液
に第3級ブチルアルコール3.7f!およびピリジン4
.01をベンゼン50m1に溶解した溶液を、氷水冷却
下に20分間を要して滴下し、2時間攪拌後、一夜放置
する。
反応液を1過し、1液を濃縮後、残渣にエーテルおよび
石油エーテルを加え結晶化し、これをF取すると1−第
3級ブトキシカルボニルオキシ−6〜クロロ−IH−ペ
ンツトリアゾール5.31を得る。
また母液を濃縮すると同じく目的物0.6Pを得る。
この結晶を合わせ、ベンゼンに溶解後、炭酸水素ナトリ
ウム水溶液ついで水で洗浄し乾燥する。
溶媒を留去すると粉末状、m998〜100℃(分解)
の目的物3.21?を得る。
元素分析’CIIHI□N303C1 計算値: C48,98、H4,48、N15.58、
C113,14 実験値:C49,25、H4,32、N15.88、C
113,36 実施例 4 ■−ヒドロキシー6−クロローIH−ペンツトリアゾー
ル3.38Pおよびトリエチルアミン2.80rnlを
ベンゼン30TILlに溶解し、この溶液に氷冷攪拌下
クロロぎ酸エチルエステ)v2,17L?をベンゼン1
0rnlに溶解した溶液を滴下し、ベンゼン30rnl
を加えたのち、徐々に反応温度を上げ室温とじ一夜放置
する。
析出した結晶を1去したのち、P液を濃縮し、残渣にベ
ンゼンを加え、不溶物を1去したのち、涙液を濃縮する
と1−エトキシカルボニルオキシ−6−クロロ−IH−
ベンゾトリアゾールの結晶2,2りを得る。
この結晶と先に1去した析出結晶およびベンゼン不溶物
を合わせ、水、炭酸水素ナトリウム水溶液、IN塩酸、
水の順に洗浄し、メタノール751111から再結晶す
るとmp160〜162℃白色針状晶の目的物3.5z
を得る。
元素分析:C9H3N303C1 計算値:C44,73、H3,36、N17.39、C
114,67 実験値:C44,71、H3,25、N 17.34、
C114,72 実施例 5 ■−ヒドロキシーIH−ペンツトリアゾール6.81お
よびトリエチルアミン7、□rnlをベンゼン100m
1および水50m1の混合物に溶解し、この溶液に氷水
冷却下にクロロぎ酸ベンジルエステル8.51を滴下し
、3時間攪拌する。
反応液を沢過し、析出結晶は水洗、乾燥する。
ベンゼン層を水洗、乾燥後、濃縮し、残渣を先の結晶と
合わせ、ベンゼル・石油エーテルの混合溶媒から再結晶
するとmp130〜131’Cの1−ベンジルオキ7カ
ルボニルオキシーIH−ベンゾトリアゾール12、17
を得る。
元素分析:C14Hll N3 o3

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、Yはアシル基、2はアシル基またはエステル化
    されたカルボキシ基をそれぞれ意味する)テ示すレル基
    または置換分としてハロゲンヲ有スるかまたは有しない
    ベンゾトリアゾリル基をそれぞれ意味する〕 で示されるハロぎ酸エステル誘導体に一般式(式中、R
    2はアルキル基またはアラルキル基を意味する) で示されるアルコール類を作用させて一般式(式中、R
    1およびR2は前と同じ意味)で示される炭酸エステル
    類を得ることを特徴とする炭酸エステル類を製造する方
    法。 2 一般式 ル基、Zはアシル基またはエステル化されたカルボキシ
    基をそれぞれ意味する)で示される基または置換分とし
    てハロゲンを有するかまたは有しないベンゾトリアゾリ
    ル基を意味する〕 で示される化合物に一般式 (式中、Xはハロゲンを意味する) で示されるカルボニルハライドまたはその反応性均等物
    を作用させて一般式 (式中、R1およびXは前と同じ意味) で示されるハロぎ酸エステル誘導体を得、これに一般式 ) (式中、R2はアルキル基またはアラルキル基を意味す
    る) で示されるアルコール類を作用させて一般式(式中、R
    1 および鳥 は前と同じ意味) で示される炭酸エステル類を得ることを特徴とする炭酸
    エステル類を製造する方法。 3 一般式 ル基、2はアシル基またはエステル化されたカルボキシ
    基をそれぞれ意味する)で示される基または置換分とし
    てハロゲンを有するかまたは有しないベンゾトリアゾリ
    ル基を意味する〕 で示される化合物に一般式 (式中、R2はアルキル基またはアラルキル基、Xはハ
    ロゲンをそれぞれ意味する) で示されるぎ酸エステル類を作用させて一般式(式中、
    R1およびR2は前と同じ意味)で示される炭酸エステ
    ル類を得ることを特徴とする炭酸エステル類を製造する
    方法。
JP11585674A 1974-08-27 1974-10-07 タンサンエステルルイオセイゾウスル ホウホウ Expired JPS5828274B2 (ja)

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CH1111175A CH624664A5 (en) 1974-08-27 1975-08-27 Process for preparing novel carbonic esters
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