JPS582491B2 - ヒカリロンリカイロ - Google Patents

ヒカリロンリカイロ

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JPS582491B2
JPS582491B2 JP5893874A JP5893874A JPS582491B2 JP S582491 B2 JPS582491 B2 JP S582491B2 JP 5893874 A JP5893874 A JP 5893874A JP 5893874 A JP5893874 A JP 5893874A JP S582491 B2 JPS582491 B2 JP S582491B2
Authority
JP
Japan
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current
laser light
generating element
pulse
delay time
Prior art date
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Expired
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JP5893874A
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English (en)
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JPS50151456A (ja
Inventor
岡本高明
寺島重男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPS50151456A publication Critical patent/JPS50151456A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体レーザ光発生素子に少なくとも2個
の電流パルス印加用端子を設け、この端子に印加される
電流パルスの大きさ、パルス幅等を適当に選択すること
によりレーザ発光を論理的に行なわせるようにした光論
理回路に関するものである。
この発明による光論理回路について説明する前に半導体
レーザ光発生素子の一般的な性質について概略的に説明
する。
半導体レーザ光発生素子は電流の注入により、その内部
に電子の反転分布を作り、それによって誘導放出を引き
起し、外部にレーザ光を放出する。
ところで、半導体レーザ光発生素子に立上りの早い電流
パルスを加えると、この電流パルスの印加に応動して放
射されるレーザ光パルスは発振に必要な時間遅れを生ず
る。
その時間遅れは一般に次式によって示される。
td=τslnI/(■一■th) こゝで、tdは発振の時間遅れ、 τ3は自然放出キャリアの寿命、 ■は電流パルスの振幅、 Ithは発振しきい値 を表わす。
第1図は印加される電流パルスの大きさとレーザ光の発
生時間との関係を示した図で、aはレーザ光発生素子に
印加される電流パルス、bはこの電流パルスによって発
生するレーザ光を示している。
この場合、レーザ光はtd1遅れて発生している。
これから明らかなように印加される電流パルスの幅がt
d1以下である場合はレーザ光は発生しない。
ところが同図Cに示すように印加される電流ハルス幅が
td1以下であっても、これに■Dなる直流バイアス電
流を重畳して印加すると、この直流バイアス電流による
プレポンピング(prepumping)効果により発
振遅廷時間が短かくなってレーザ発光する。
同図dはこのレーザ発光の様子を示したもので、遅延時
間はtd2(td2<td1)に短縮している。
第2図はレーザ光発生素子に注入される電流の大きさを
変えるとレーザ光の発生遅延時間がどのように変るかを
測定した結果を示した図で、この図から明らかなように
レーザ光発生素子に注入される電流を大きくするに従っ
て光パルスの立上り点が早くなっている、すなわち遅延
時間が短かくなっていることが判る。
この発明は、上述のような半導体レーザ光発生素子の性
質を利用して論理的なレーザ発光を行なわせるようにし
た光論理回路を提供することを目的とする。
第3図はこの発明による光論理回路の一実施例で、2は
第1の信号電流が供給される第1の入力端子、4は駆動
回路である。
駆動回路4の出力電流は抵抗6を介して半導体レーザ光
発生素子8Cこ印リ口される。
10は第2の信号電流が供給される第2の入力端子で、
これに供給される信号電流も抵抗6を介して半導体レー
ザ光発生素子8に印加される。
こゝで、入力端子2に印加される第1の信号電流として
、振幅は前述のしきい値Ith以上であるが、持続時間
は発振遅延時間td1より短かいパルス電流とする。
一方入力端子10に印加される第2の信号電流は、上記
しきい値Ith以下の振幅ではあるが、これと上記第1
の信号電流とが重畳してレーザ光発生素子に印加される
と、前述のプレポンピング効果により該レーザ光発生素
子の遅延時間を短縮してレーザ光を発生させ得るに充分
な振幅と時間幅を持っているものとする。
第4図でAは第1の信号電流、Bは第2の信号電流、C
はレーザ発光を示す。
信号電流が上記のようをこ定められていると、入力端子
2のみに第4図に示す第1の信号電流Aが供給されても
そのパルス幅は発振遅延時間以下であるためレーザ発光
は見られない(第4図のイ)。
同様に入力端子10のみに第2の信号電流Bが供給され
てもその振幅は発振しきい値以下であるためレーザ発光
は見られない(第4図のロ)。
ところが入力端子2にA信号、入力端子10にB信号を
重畳して加えるとレーザ発光が見られる(第4図のハ)
上記の関係の真理値表は次の表のようになり、第3図の
論理回路をアンド回路として動作させることができる。
第3図の光論理回路において、入力端子の設け方、各入
力端子に印加される信号電流の大きさ、時間幅、極性等
を適当に選定することにより、この回路を基本として各
種の論理回路を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の光論理回路で使用される半導体レー
ザ光発生素子に印加される直流パルスとレーザ光の発生
遅延時間との関係を示す図、第2図は半導体レーザ光発
生素子に注入される電流とレーザ光の発生遅延時間との
関係の測定結果をプロットした図、第3図はこの発明に
よる光論理回路の一実施例を示す概略図、第4図は第3
図の光論理回路の動作を説明する入力信号電流とレーザ
発光との関係を示す図である。 2……第1入力端子、4……駆動回路、8……半導体レ
ーザ光発生素子、10……第2入力端子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 半導体レーザ光発生素子と、該素子内の共通部分に
    それぞれ駆動電流を供給する2個以上の端子と、これら
    端子にそれぞれパルス状の駆動電流を供給している複数
    の電流源とよりなり、該電流源の一部は上記素子の発振
    遅延時間より短かい幅の第1の種類のパルス電流を発生
    するよう構成し、上記電流源の残部は単独では上記素子
    をレーザ発光させることができないが第1の種類のパル
    ス電流と重畳したときに発振遅延時間を短縮して上記素
    子をレーザ発光させることができる波高の第2の種類の
    パルス電流を発生ずるよう構成したことを特徴とする光
    論理回路。
JP5893874A 1974-05-24 1974-05-24 ヒカリロンリカイロ Expired JPS582491B2 (ja)

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JP5893874A JPS582491B2 (ja) 1974-05-24 1974-05-24 ヒカリロンリカイロ

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JPS50151456A JPS50151456A (ja) 1975-12-05
JPS582491B2 true JPS582491B2 (ja) 1983-01-17

Family

ID=13098760

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JP5893874A Expired JPS582491B2 (ja) 1974-05-24 1974-05-24 ヒカリロンリカイロ

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6328995U (ja) * 1986-08-11 1988-02-25

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6328995U (ja) * 1986-08-11 1988-02-25

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JPS50151456A (ja) 1975-12-05

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