JPS5823713B2 - シ−ビヒ−タの製造方法 - Google Patents
シ−ビヒ−タの製造方法Info
- Publication number
- JPS5823713B2 JPS5823713B2 JP51081236A JP8123676A JPS5823713B2 JP S5823713 B2 JPS5823713 B2 JP S5823713B2 JP 51081236 A JP51081236 A JP 51081236A JP 8123676 A JP8123676 A JP 8123676A JP S5823713 B2 JPS5823713 B2 JP S5823713B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- temperature
- methyl
- silicone resin
- pipe
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- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は絶縁抵抗特性を改善したシーズヒータに関する
ものである。
ものである。
一般にシーズヒータは、第1図に示すように、外筐体を
構成する金属パイプ1の内部に、端子棒2が接続された
コイル状電熱線3を装備し、その間に電気絶縁材料より
なる充填材4を充填している。
構成する金属パイプ1の内部に、端子棒2が接続された
コイル状電熱線3を装備し、その間に電気絶縁材料より
なる充填材4を充填している。
従来、上記充填材として、a電融マグネシア粉末を使用
したもの、bマグネシア粉末にシリコーン樹脂を混合、
及び塗布した後、樹脂が飛散しない範囲で熱処理したも
の(処理温度は高いが樹脂が残存することで効果が生ず
るもの)、Cマグネシア粉末にピロフェライトやSiO
2粉末を混合した後、充填減径するが、化合物化するま
での熱処理がなされかったもの、等が用いられている。
したもの、bマグネシア粉末にシリコーン樹脂を混合、
及び塗布した後、樹脂が飛散しない範囲で熱処理したも
の(処理温度は高いが樹脂が残存することで効果が生ず
るもの)、Cマグネシア粉末にピロフェライトやSiO
2粉末を混合した後、充填減径するが、化合物化するま
での熱処理がなされかったもの、等が用いられている。
しかるにaの充填材においては、マグネシアのもつ吸湿
性を解消できず、またbの充填材においては中に残存す
る有機基の為、高温(500℃以上)にすると有機物が
炭化するため、絶縁性の低下や耐圧不良等を生じ、高温
度使用に耐えない欠点があった。
性を解消できず、またbの充填材においては中に残存す
る有機基の為、高温(500℃以上)にすると有機物が
炭化するため、絶縁性の低下や耐圧不良等を生じ、高温
度使用に耐えない欠点があった。
さらにCの充填材においては、マグネシアの表面に安定
な化合物が生長していない為、吸湿性が解消されていな
かった。
な化合物が生長していない為、吸湿性が解消されていな
かった。
従ってこれらは、Mgo−+Mg(OH) 2の反応が
大気中に於いて進行し、その為、シーズヒータとして使
用した時電気絶縁性が低下していた。
大気中に於いて進行し、その為、シーズヒータとして使
用した時電気絶縁性が低下していた。
本発明はかかる欠点を解消する為のものであり、Mgo
の表面の水に対する活性を押える為の処理に関するもの
である。
の表面の水に対する活性を押える為の処理に関するもの
である。
以下、実施例をもとにその構成を述べる。
電融Mgo粉末(40〜325meshこれに限らない
)に、シリコーン樹脂、メチル基系シリコーン、メチル
フェニルシリコーン、シリコーンオイル及ヒ5i−0化
合物などのシロキサン結合からなる物質を、概Mgo粉
末の表面の1部ないしは全部に浸漬塗布等の方法により
コーティングするかあるいは、概シロキサン結合の物質
を混合する。
)に、シリコーン樹脂、メチル基系シリコーン、メチル
フェニルシリコーン、シリコーンオイル及ヒ5i−0化
合物などのシロキサン結合からなる物質を、概Mgo粉
末の表面の1部ないしは全部に浸漬塗布等の方法により
コーティングするかあるいは、概シロキサン結合の物質
を混合する。
(ないしはヒータとして成型された後吸引あるいは圧入
法等により混入させても良い。
法等により混入させても良い。
いずれ方法でも限定し式゛o)しかる後、金属パイプ内
に充填した後、ローリングスェージング等の方法により
減径する。
に充填した後、ローリングスェージング等の方法により
減径する。
その後シロキサン結合からなる物質の有機基を飛ばす為
の加熱処理を行なう。
の加熱処理を行なう。
その前処理として100℃〜350°Cで30分以上の
熱処理を最底1回以上行ない(連続炉であればこの温度
範囲で連続的に行なう。
熱処理を最底1回以上行ない(連続炉であればこの温度
範囲で連続的に行なう。
)その後350〜750℃の温度範囲に最底1回以上加
熱してその有機暴発を飛散させる。
熱してその有機暴発を飛散させる。
(連続的に温度変化を持たす場合も含むが、その場合必
ずしも750°Cまで昇温させるとは限定しない。
ずしも750°Cまで昇温させるとは限定しない。
)前者の熱処理で吸着水と樹脂の縮重合等により発生す
るR20及びR−OHが飛び、後者の熱処理で有機基が
飛散する。
るR20及びR−OHが飛び、後者の熱処理で有機基が
飛散する。
同時に5i(R3)0−のシロキサン結合が分解し、5
i02に変化し、尚かつ加熱することでMgo粉末の表
面に均一に5i02がコーティングされることになる。
i02に変化し、尚かつ加熱することでMgo粉末の表
面に均一に5i02がコーティングされることになる。
その後さらに650〜1100°Cの温度で加熱するこ
とでその生成したS + 02と充填後減径加工された
ことで、粉砕されたMgoの表面とが反応し、水分に対
して安定なフォルステライト化される熱処理を加えるこ
とでさらに特性が向上する。
とでその生成したS + 02と充填後減径加工された
ことで、粉砕されたMgoの表面とが反応し、水分に対
して安定なフォルステライト化される熱処理を加えるこ
とでさらに特性が向上する。
さらに詳しい実施例を記述すると、メチル基系シリコー
ン樹脂の場合、ワニス、オイル、ゴムのいずれを用いる
かで条件が若干異なるが、トルエンキシレン、アセトン
、アルコール等の有機溶媒を含むものに於いては、これ
を飛ばす為Mgo粉末と混合した後、60〜150°C
で加熱するが溶媒の含まれないものはこれを昇路しても
良い。
ン樹脂の場合、ワニス、オイル、ゴムのいずれを用いる
かで条件が若干異なるが、トルエンキシレン、アセトン
、アルコール等の有機溶媒を含むものに於いては、これ
を飛ばす為Mgo粉末と混合した後、60〜150°C
で加熱するが溶媒の含まれないものはこれを昇路しても
良い。
その後樹脂のプレキュアする温度(150〜200°C
)で0.1〜3 hrs加熱した後、樹脂のキュアする
温度(170〜250℃)で0.5hr以上加熱する。
)で0.1〜3 hrs加熱した後、樹脂のキュアする
温度(170〜250℃)で0.5hr以上加熱する。
その後250〜750°Cの酸化性雰囲気中で連続炉を
用い0.1°C/min〜10°C/minの昇温速度
で加熱するかあるいはバッチ炉でさればこの温度範囲で
例えば250°C2Hrs→320°C2Hrs−)
400℃2 Hr S −) 6008C2hrs等に
徐々に温度を上げて加熱するがこの方法に限らない。
用い0.1°C/min〜10°C/minの昇温速度
で加熱するかあるいはバッチ炉でさればこの温度範囲で
例えば250°C2Hrs→320°C2Hrs−)
400℃2 Hr S −) 6008C2hrs等に
徐々に温度を上げて加熱するがこの方法に限らない。
これらの方法によりシーズヒータ内には有機基が残存せ
ず、かつシロキサン結合がシリカ結合になる状態となる
。
ず、かつシロキサン結合がシリカ結合になる状態となる
。
加えてMgo粉末の表面に生成した5102が均一にコ
ーティングされ、Mg。
ーティングされ、Mg。
の水に対する反応性を十分押えるのに有効となっている
。
。
この状態のシーズヒータは従来のものよりはるかに大気
放置中の電気絶縁性の劣下は少ないものとなっている。
放置中の電気絶縁性の劣下は少ないものとなっている。
(第2図のaの特性)。なお第2図のbはMgo粉のみ
の場合、第2図のCはMgo+樹脂残存のものの特性を
示すものである。
の場合、第2図のCはMgo+樹脂残存のものの特性を
示すものである。
その後さらに熱処理として650℃以上〜1100°C
の範囲の酸化雰囲気中で加熱し、Mgo表面と8102
が均一にかつ十分反応してフォルステライト化させる。
の範囲の酸化雰囲気中で加熱し、Mgo表面と8102
が均一にかつ十分反応してフォルステライト化させる。
この段階に至るとさらに750°Cまでに処理されたシ
ーズヒータより耐湿性が安定し、Mgo+S i 02
の反応と個々の粒子のシンクリングにより熱伝導性等の
向上のメリットも生じてくる。
ーズヒータより耐湿性が安定し、Mgo+S i 02
の反応と個々の粒子のシンクリングにより熱伝導性等の
向上のメリットも生じてくる。
又、他の従来例(有機基を含むもの)に比べ、表面温度
400°C以上の高温型シースヒータとして使用できる
のが最大のメリットとなる。
400°C以上の高温型シースヒータとして使用できる
のが最大のメリットとなる。
従来例はその有機基の為400℃を超えると炭化現象が
進行し第3図に見られるように使用中に絶縁性の低下と
耐電圧の低下が見られたが、本発明によるシーズヒータ
ではこれが全く見られなくなる。
進行し第3図に見られるように使用中に絶縁性の低下と
耐電圧の低下が見られたが、本発明によるシーズヒータ
ではこれが全く見られなくなる。
なお第3図におけるa 、 a’は、ヒータ表面温度を
600℃及び750℃のときの本発明に基づくシースヒ
ータの特性、b 、 b’は同様のヒータ表面温度にお
ける従来の樹脂残存のヒータの特性を示すものである。
600℃及び750℃のときの本発明に基づくシースヒ
ータの特性、b 、 b’は同様のヒータ表面温度にお
ける従来の樹脂残存のヒータの特性を示すものである。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、充填材
の吸湿性を改善することができ、常時、高電気絶縁性能
を確保することができる。
の吸湿性を改善することができ、常時、高電気絶縁性能
を確保することができる。
さらに熱伝導性等の向上も図ることができるとともに、
高温シーズヒータとしても使用できるなどのすぐれた効
果を奏する。
高温シーズヒータとしても使用できるなどのすぐれた効
果を奏する。
第1図は一般的なシーズヒータの断面図、第2図は本発
明品と従来品の恒温恒湿時(40℃。 95%RH中)の経過時間と絶縁抵抗の関係を示す特性
図、第3図は本発明品と従来品のヒータ表面温度600
℃及び750°Cのときの経過時間と絶縁抵抗の関係を
示す特性図である。 1・・・・・・金属パイプ、3・・・・・・電熱線、4
・・・・・・充填材。
明品と従来品の恒温恒湿時(40℃。 95%RH中)の経過時間と絶縁抵抗の関係を示す特性
図、第3図は本発明品と従来品のヒータ表面温度600
℃及び750°Cのときの経過時間と絶縁抵抗の関係を
示す特性図である。 1・・・・・・金属パイプ、3・・・・・・電熱線、4
・・・・・・充填材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 金属パイプと端子棒を接続した電熱線との間。 に、マグネシア粉末とメチル基系シリコーン樹脂にフィ
ラーとしてSiO□を30〜80係含む粉末よりなる耐
熱性樹脂部材とを混合してなる充填材を充填し、パイプ
を減径した後、前記メチル基系シリコーン樹脂の分解温
度より高い温度で加熱し、樹脂の有機暴発を飛散させる
シーズヒータの製造方法。 2 金属パイプと端子棒を接続した電熱線との間に、メ
チル基系シリコーン樹脂またはシリコーンオイルをマグ
ネシア粉末の少くとも一部の粒子にコーティングしてな
る充填材を充填し、パイプを減径した後、前記メチル基
系シリコーン樹脂またはシリコーンオイルの分解温度よ
り高い温度で加熱し、樹脂の有機暴発を飛散させるシー
ズヒータの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51081236A JPS5823713B2 (ja) | 1976-07-07 | 1976-07-07 | シ−ビヒ−タの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51081236A JPS5823713B2 (ja) | 1976-07-07 | 1976-07-07 | シ−ビヒ−タの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS536937A JPS536937A (en) | 1978-01-21 |
JPS5823713B2 true JPS5823713B2 (ja) | 1983-05-17 |
Family
ID=13740795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51081236A Expired JPS5823713B2 (ja) | 1976-07-07 | 1976-07-07 | シ−ビヒ−タの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5823713B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58155691A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | 松下電器産業株式会社 | シ−ズヒ−タの製造方法 |
JPH0815113B2 (ja) * | 1987-05-22 | 1996-02-14 | 松下電器産業株式会社 | シーズヒータの製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5096949A (ja) * | 1973-12-28 | 1975-08-01 | ||
JPS5286541A (en) * | 1976-01-12 | 1977-07-19 | Hitachi Heating Appliance Co Ltd | Production of sheath heater |
-
1976
- 1976-07-07 JP JP51081236A patent/JPS5823713B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5096949A (ja) * | 1973-12-28 | 1975-08-01 | ||
JPS5286541A (en) * | 1976-01-12 | 1977-07-19 | Hitachi Heating Appliance Co Ltd | Production of sheath heater |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS536937A (en) | 1978-01-21 |
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