JPS58223959A - レ−ザ−ビ−ムプリンタ−の画像濃度調整装置 - Google Patents
レ−ザ−ビ−ムプリンタ−の画像濃度調整装置Info
- Publication number
- JPS58223959A JPS58223959A JP57106647A JP10664782A JPS58223959A JP S58223959 A JPS58223959 A JP S58223959A JP 57106647 A JP57106647 A JP 57106647A JP 10664782 A JP10664782 A JP 10664782A JP S58223959 A JPS58223959 A JP S58223959A
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- Japan
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- semiconductor laser
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- voltage
- laser beam
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/40025—Circuits exciting or modulating particular heads for reproducing continuous tone value scales
- H04N1/40037—Circuits exciting or modulating particular heads for reproducing continuous tone value scales the reproducing element being a laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発BI4t′i半導体レーザーを使用して画像出力を
得るレーザービームプリンタの画像濃度w4整装置忙関
する。
得るレーザービームプリンタの画像濃度w4整装置忙関
する。
レーザービームプリンタ忙おいて、画像濃度の調整は半
導体レーザーの発光出力を調整することにより実現でき
る。このためには半導体レーザーの駆動電流を変化させ
ればよいが、駆動電流対発光出力特性からして半導体レ
ーザはわずかな駆動電流の変化に従ってレーザー発光出
力が大幅に変動する。従って、レーザー駆動電流の発生
回路はかなり複雑化し、高価なものとなる。更にこの制
御においては、過電流によって半導体レーザを破壊する
危険性を有する不利益がある。
導体レーザーの発光出力を調整することにより実現でき
る。このためには半導体レーザーの駆動電流を変化させ
ればよいが、駆動電流対発光出力特性からして半導体レ
ーザはわずかな駆動電流の変化に従ってレーザー発光出
力が大幅に変動する。従って、レーザー駆動電流の発生
回路はかなり複雑化し、高価なものとなる。更にこの制
御においては、過電流によって半導体レーザを破壊する
危険性を有する不利益がある。
本発明は従来のレーザービームの画像濃度調整装置がか
かる不利益を有することに鑑み提案される本発明の第1
の目的は簡易な構成の駆動回路によって画1&′濃朋の
調整が可能なレーザービームプリンタの画像濃度調整装
置を提案することにある。
かる不利益を有することに鑑み提案される本発明の第1
の目的は簡易な構成の駆動回路によって画1&′濃朋の
調整が可能なレーザービームプリンタの画像濃度調整装
置を提案することにある。
本発明の第2の目的は半導体レーザーの破壊の危険性が
少なくかつ安価に提供できるレーザービームプリンタの
画像濃度調整装置を提案するFarにある。
少なくかつ安価に提供できるレーザービームプリンタの
画像濃度調整装置を提案するFarにある。
以下、図面を参照しながら本発明の一実施例を肝細に説
明する。
明する。
第1図は、一般的な半祷体レーザーの駆動電力fIF
1対する光出力強度Po特性を、その温度Theをパ
ラメータとして表わしたグラフ図であり、同図よシ明ら
かなように半導体レーザーの光出力強度Poはその駆動
電流Ifが大きい程、また温度Th5(,7、よい1m
<、、、h。っ。や。オウー、−ヶー。
1対する光出力強度Po特性を、その温度Theをパ
ラメータとして表わしたグラフ図であり、同図よシ明ら
かなように半導体レーザーの光出力強度Poはその駆動
電流Ifが大きい程、また温度Th5(,7、よい1m
<、、、h。っ。や。オウー、−ヶー。
電流で駆動した場合温度の上昇に伴なってその発光出力
は減少する性質がある。そこで本発明でにこの特性に着
目し、半導体レーザーの温度を任意に変えることにより
その発光出力を変化させ出力画像の濃淡の調節を行う。
は減少する性質がある。そこで本発明でにこの特性に着
目し、半導体レーザーの温度を任意に変えることにより
その発光出力を変化させ出力画像の濃淡の調節を行う。
第2図は半導体レーザ一部の概略構成図であり、第2図
Aはその側面図、B袖平面図である。ヒートシンク9に
よって支持されている半導体レーザーチップlはハーメ
チックシールされた密封容器3内に収納されている。2
はレーザー光の強度をモニタするためのフォトダイオー
ドであり、レーザーカソード端子A1コモン端子B5デ
ィテクタアノード端子Cにより、半導体レーザーチップ
1及びフォトダイオード2が電気的に駆動される。
Aはその側面図、B袖平面図である。ヒートシンク9に
よって支持されている半導体レーザーチップlはハーメ
チックシールされた密封容器3内に収納されている。2
はレーザー光の強度をモニタするためのフォトダイオー
ドであり、レーザーカソード端子A1コモン端子B5デ
ィテクタアノード端子Cにより、半導体レーザーチップ
1及びフォトダイオード2が電気的に駆動される。
なお、半導体レーザーチップ1とフォトダイオード2及
びヒートシンク9を総称して半導体レーザユニットと呼
ぶ。4けレーザー光6が透過するガラス窓を示す。7け
サーモモジュールであシ、その構造はP型半導体とN型
半導体を交互に並べて電気的に直列に接続された形とな
っている。その表面には半導体レーザユニットが密着し
裏向には放熱板8が接触している。そしてサーモモジュ
ール7と放熱板8め中央部に穴をあけ、ここに半導体レ
ーザユニットの3本の端子A、B、Cを通す。
びヒートシンク9を総称して半導体レーザユニットと呼
ぶ。4けレーザー光6が透過するガラス窓を示す。7け
サーモモジュールであシ、その構造はP型半導体とN型
半導体を交互に並べて電気的に直列に接続された形とな
っている。その表面には半導体レーザユニットが密着し
裏向には放熱板8が接触している。そしてサーモモジュ
ール7と放熱板8め中央部に穴をあけ、ここに半導体レ
ーザユニットの3本の端子A、B、Cを通す。
サーモモジュール7に接続された信号線12 、13は
サーモモジュール駆動用のもので、この信号線に流れる
電流の方向を変化させることにより、ベルチェ効果を利
用して半導体レーザーユニットの冷却、加熱がなされる
。またサーミスタ10は、半導体レーザーユニットの温
度を検知する温度センサーであり信号!11によって温
度制御回路に接続されている。
サーモモジュール駆動用のもので、この信号線に流れる
電流の方向を変化させることにより、ベルチェ効果を利
用して半導体レーザーユニットの冷却、加熱がなされる
。またサーミスタ10は、半導体レーザーユニットの温
度を検知する温度センサーであり信号!11によって温
度制御回路に接続されている。
第3図Lレーデチッグlの駆動回路の一例を示し、トラ
ンジスタ20.21によシミ流スイッチング回路を構成
している。、22は定電流源であり、トランジスタ20
0ペース電圧がトランジスタ21の−”?−ス電圧よシ
も低くなると、トランジスタ20はOFF、)ランソス
タ2工はONの状態となシ、半導体レーザチップ1に定
電流源22によって決められる一定電流が印加される。
ンジスタ20.21によシミ流スイッチング回路を構成
している。、22は定電流源であり、トランジスタ20
0ペース電圧がトランジスタ21の−”?−ス電圧よシ
も低くなると、トランジスタ20はOFF、)ランソス
タ2工はONの状態となシ、半導体レーザチップ1に定
電流源22によって決められる一定電流が印加される。
トランジスタ20をONとすればトランジスタ21Vi
OFFとなり、半導体レーザーチッ7″1には電流が印
加されなくなる。つまり、トランジスタ20のペースに
適当2値画像信号電圧を供給することによシ、半導体レ
ーザーチップ1け一定電流駆動され、2#f画像信号に
対応するレーザー光を発光する。
OFFとなり、半導体レーザーチッ7″1には電流が印
加されなくなる。つまり、トランジスタ20のペースに
適当2値画像信号電圧を供給することによシ、半導体レ
ーザーチップ1け一定電流駆動され、2#f画像信号に
対応するレーザー光を発光する。
第4図は温度制御回路をブロック的に示すブロック図で
あり、14け誤差増幅器、15 t:Iナーモモシュー
ル7を駆動するためのサーモモジュール駆動回路である
。半導体レーザーユニットに近接して設置されたサーミ
スタ10と抵抗16によって分圧された電圧vRが誤差
増幅器14に入力される、唱差増幅器14tiVyとv
Rを比較増幅して、その出力をサーモモジュール駆動回
路15に入力する。サーモモジュール7 iLササ−モ
ジュール駆動回路15の出力によって半導体レーザユニ
ットを加熱又は冷却する。例えば 半導体レーザチツf
1の温度が所定の温度よりも上昇したときは、第2図で
示されるヒートシンク9が加熱され、半導体レーザユニ
ット全体の温度が上昇する。この温度上昇はサーミスタ
lOに伝達され、サーミスタ10の抵抗値が低下するこ
とになる。抵抗値の低下は電圧vRに対して電圧vFを
低い方向に変化i ヶexo電工、8よVF (
7)差いよ差増、あ、□41より増幅され、その結果、
サーモモジュール7け半導体ンーザユニットの温度を降
下させる方向に駆動される。従って、半導体レーザチッ
f1の温度上昇は抑制される。つまり、第4図で示され
る温度制御回路は半導体レーザチップ1の温度を電ff
EvRを基準とした一定温度に制御する作用をもつ。
あり、14け誤差増幅器、15 t:Iナーモモシュー
ル7を駆動するためのサーモモジュール駆動回路である
。半導体レーザーユニットに近接して設置されたサーミ
スタ10と抵抗16によって分圧された電圧vRが誤差
増幅器14に入力される、唱差増幅器14tiVyとv
Rを比較増幅して、その出力をサーモモジュール駆動回
路15に入力する。サーモモジュール7 iLササ−モ
ジュール駆動回路15の出力によって半導体レーザユニ
ットを加熱又は冷却する。例えば 半導体レーザチツf
1の温度が所定の温度よりも上昇したときは、第2図で
示されるヒートシンク9が加熱され、半導体レーザユニ
ット全体の温度が上昇する。この温度上昇はサーミスタ
lOに伝達され、サーミスタ10の抵抗値が低下するこ
とになる。抵抗値の低下は電圧vRに対して電圧vFを
低い方向に変化i ヶexo電工、8よVF (
7)差いよ差増、あ、□41より増幅され、その結果、
サーモモジュール7け半導体ンーザユニットの温度を降
下させる方向に駆動される。従って、半導体レーザチッ
f1の温度上昇は抑制される。つまり、第4図で示され
る温度制御回路は半導体レーザチップ1の温度を電ff
EvRを基準とした一定温度に制御する作用をもつ。
従って、可変抵抗18を調節することにより、電圧vR
を変化させれば、この変化した一:圧vRに対応する温
度に半導体レーザーチップ1を制徊1することが可能で
ある。さて、第1図に関連して既に説明した様に半導体
レーザは一定駆動軍流の下でその温度を変させると、半
導体レーザの光出力強度が変化するので、可変抵抗18
を調節することによシ、光出力強度を調節できる。この
結果、半導体レーザの温度に関連したレーザービームプ
リンクの画像の濃淡を調節できることは明らかで
1ある。
を変化させれば、この変化した一:圧vRに対応する温
度に半導体レーザーチップ1を制徊1することが可能で
ある。さて、第1図に関連して既に説明した様に半導体
レーザは一定駆動軍流の下でその温度を変させると、半
導体レーザの光出力強度が変化するので、可変抵抗18
を調節することによシ、光出力強度を調節できる。この
結果、半導体レーザの温度に関連したレーザービームプ
リンクの画像の濃淡を調節できることは明らかで
1ある。
以上の説明においては、半導体レーザの感温素子をサー
ミスタを例にとって説明したが、熱電対や白金線のよう
な感温抵抗素子を用いることも可能である。
ミスタを例にとって説明したが、熱電対や白金線のよう
な感温抵抗素子を用いることも可能である。
以上説明したように本発明によれば、半導体レーザの光
出力強度を半導体レーザの駆動電流を変化させるかわり
に半導体レーザの温度制御によって変化させるために、
簡易な構成によって画像濃度を調節できるとともに過電
流による半導体レーザの破壊の危険性を少なくすること
ができる。また更に本発明は装置を安価かつ小型化で専
る効果を提供するものである。
出力強度を半導体レーザの駆動電流を変化させるかわり
に半導体レーザの温度制御によって変化させるために、
簡易な構成によって画像濃度を調節できるとともに過電
流による半導体レーザの破壊の危険性を少なくすること
ができる。また更に本発明は装置を安価かつ小型化で専
る効果を提供するものである。
第1図は半導体レーザの駆動電流に対する光出力強度特
性を、その温度を・そラメータとして表わしたグラフ図
、 第2図は半導体レーザ部の概略構成図、第3図はレーザ
チップの駆動回路例を示す図略図、 第4図は温度制御回路の一例を示すブロック図である。 ここで、1・・・半導体レーザーチップ、2・・・フォ
トダイオード、7・・・サーモモジュール、10・・・
サーミスタ、15・・・サーモモジュール駆動回路、1
8・・・+=]変抵抗抵 第1図 1.−”r”H1l’lEt、II (mA 、DC
)第2図A 第2凶日
性を、その温度を・そラメータとして表わしたグラフ図
、 第2図は半導体レーザ部の概略構成図、第3図はレーザ
チップの駆動回路例を示す図略図、 第4図は温度制御回路の一例を示すブロック図である。 ここで、1・・・半導体レーザーチップ、2・・・フォ
トダイオード、7・・・サーモモジュール、10・・・
サーミスタ、15・・・サーモモジュール駆動回路、1
8・・・+=]変抵抗抵 第1図 1.−”r”H1l’lEt、II (mA 、DC
)第2図A 第2凶日
Claims (1)
- 半導体レーザの発光出力を決定する半導体レーザの温度
制御の基準温度を変化させることにより発光出力を変化
させ画像濃度調整をtテうことを特徴トスるレーザービ
ームプリンターの画像濃度調整装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57106647A JPS58223959A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | レ−ザ−ビ−ムプリンタ−の画像濃度調整装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57106647A JPS58223959A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | レ−ザ−ビ−ムプリンタ−の画像濃度調整装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58223959A true JPS58223959A (ja) | 1983-12-26 |
Family
ID=14438905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57106647A Pending JPS58223959A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | レ−ザ−ビ−ムプリンタ−の画像濃度調整装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58223959A (ja) |
-
1982
- 1982-06-23 JP JP57106647A patent/JPS58223959A/ja active Pending
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