JPS58222661A - Light sensor array - Google Patents
Light sensor arrayInfo
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- JPS58222661A JPS58222661A JP10647882A JP10647882A JPS58222661A JP S58222661 A JPS58222661 A JP S58222661A JP 10647882 A JP10647882 A JP 10647882A JP 10647882 A JP10647882 A JP 10647882A JP S58222661 A JPS58222661 A JP S58222661A
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えばファクシミリなどに用いる光センサ−
アレーの小形化、経済化を目的として送信原稿と寸法的
に1:1に複数個の光センサーを対応配列させて送信原
稿上の画像を読取るための光センサ−アレーに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides an optical sensor for use in, for example, facsimiles.
The present invention relates to an optical sensor array for reading an image on a transmission original by arranging a plurality of optical sensors in a 1:1 correspondence with the transmission original in order to make the array smaller and more economical.
従来上の種の用途には、光ダイオードアレーとこれを走
査する回路をIC化した自己走査形イメージラインセン
サーが主として用いられている。In conventional applications, a self-scanning image line sensor in which a photodiode array and a circuit for scanning the photodiode array are integrated into an IC is mainly used.
この自己走査形イメージセンサ−としては、Si光ダイ
オード又は光トランジスタをセンサーとしたものや、C
d化合物なkの光導電性薄膜を用いたものがある。前者
はMO8形イメージセンサ−に代表されるものであり、
既に実用化され【いる。This self-scanning image sensor includes one using a Si photodiode or a phototransistor, and one using a C phototransistor as a sensor.
There is a method using a photoconductive thin film of a compound such as d. The former is typified by the MO8 type image sensor,
It has already been put into practical use.
一方、後者については実用化研究が進められている段階
である。MO8形イメージセンサ−を用いてファクシミ
リ用読取スキャナーを構成する場合イメージセンサ−を
構成する各光センサーが極めて高密度に配列されている
ため必要とする画像分解能と画面幅を得るためには光学
レンズにより送信原稿の画像をセンサー上に縮小結像さ
せる必要がある。このように縮小レンズを用いる場合原
稿とセンサー間にある程度距離を必要としこのため装置
を小形化するに尚り大きな制約となる。さらに送信画面
幅が大きくなると一組の光学レンズ、イメージセンサ−
の組合せのみでは全画面幅をカバーすることが出来ず複
数の組合せが必要となりより一層小形化の障害となると
同時にコスト的にも高価となる欠点がある。On the other hand, the latter is still in the stage of practical research. When constructing a facsimile reading scanner using an MO8 type image sensor, the optical sensors that make up the image sensor are arranged extremely densely, so an optical lens is required to obtain the required image resolution and screen width. Therefore, it is necessary to reduce the image of the transmitted document onto the sensor. When a reduction lens is used in this way, a certain distance is required between the document and the sensor, which poses a significant restriction on miniaturizing the apparatus. Furthermore, as the transmission screen width increases, a set of optical lenses and an image sensor are required.
The combination alone cannot cover the entire screen width, and a plurality of combinations are required, which further impedes miniaturization and has the drawback of increasing cost.
この欠点を改善する一つの方法として光学レンズに替え
オプティカルファイバーをライン状に配列したものを用
いることも出来る。One way to improve this drawback is to use optical fibers arranged in a line instead of optical lenses.
この場合、オプティカルファイバーアレーと組合せるイ
メージセンサ−はオプティカルファイバーと少くとも同
一長さかそれ以上でなければならず、例えば送信原稿が
A4版サイズであれば216龍以上の長さのイメージセ
ンサ−が必要となる。In this case, the image sensor to be combined with the optical fiber array must be at least the same length as the optical fiber or longer. For example, if the original to be sent is A4 size, an image sensor with a length of 216 mm or more is required. It becomes necessary.
このような長尺のイメージセンサーとしてはガラス又は
セラミックなどの絶縁基板上にCd化合物などからなる
光導電体を島状に分割独立させライン状に配列し各セン
サーに対応させて同一基板上において電極を接続配線し
た構造が既に提案されている。For such long image sensors, a photoconductor made of a Cd compound or the like is divided into independent islands on an insulating substrate such as glass or ceramic, and arranged in a line, and electrodes are placed on the same substrate in correspondence with each sensor. A structure in which the wires are connected and wired has already been proposed.
しかるに係る構造のイメージセンサ−の製造においては
、光センサーの分割独立、これに接続する電極配線の形
成はフォトエツチングによって行うためレジスト塗布、
露光、現像、エツチング、レジスト除去の各工程を厳密
適正な条件下において繰返し行う必要がある。In manufacturing an image sensor with such a structure, the division of the optical sensor and the formation of the electrode wiring connected to it are performed by photoetching, so resist coating,
Each step of exposure, development, etching, and resist removal must be repeated under strictly appropriate conditions.
例えば、A4版サイズのイメージセンサ−を形成する場
合25μ間隔で幅100μ、長さ70μにセンサーを微
細な島状に分割し長さ216龍の範囲内に配列する。フ
ォトエツチングにより形成するためには前述した如き各
工程の条件管理に多大な努力を要するにも拘らず良品率
は低い。さらにこのようにして形成した光センサーに接
続すべき電極配線も同じくフォトエツチングにより形成
するため最終良品率は各工程良品率の累積で定められ著
しく低下するなど製造上大きな問題がある。For example, when forming an A4 size image sensor, the sensor is divided into fine islands of 100μ in width and 70μ in length at intervals of 25μ and arranged within a range of 216 mm in length. Forming by photoetching requires a great deal of effort in controlling the conditions of each step as described above, but the yield rate is low. Furthermore, since the electrode wiring to be connected to the optical sensor formed in this manner is also formed by photoetching, the final quality of good products is determined by the accumulation of the quality of good products of each process, and there is a serious problem in manufacturing, such as a significant drop.
本発明の目的は以上のような点に鑑みてなされたもので
、高密度で且つ長尺の光センサ−アレーを容易に且つ経
済的に製造出来る光センサーが得られる。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention has been made in view of the above points, and provides an optical sensor that can be easily and economically manufactured into a high-density and long optical sensor array.
本発明によればガラス基板の一表面に光導電体を被着し
た後フォトエツチングにより複数の光導電体の島が一列
に配列するように分割形成した光センサ−アレー基板を
カラス基板の表面に金属膜を被着し、フォトエツチング
により光センサ−アレーの位置に対応させて個別電極群
と、この個別電極群を複数のブロックに分割し、各分割
群のそれぞれに一定の電極間隔で対向するような共通電
極群を形成した後、光センサ−アレーを位置させる部分
の電極を光センサーの感光部に対応する部分のみ除去し
、光センサーと接続する電極の先端部に錫又はインジウ
ムを被着して形成した電極群に全ての光センサーが電極
群の先端部を覆うように対応接触させ、不活性ガス雰囲
気中で加熱し電極配線基板と一体化させたことを特徴と
する光センサ−アレーが得られる。According to the present invention, a photoconductor is deposited on one surface of a glass substrate, and then a plurality of photoconductor islands are divided and formed by photoetching to form a plurality of photoconductor islands arranged in a row on the surface of a glass substrate. A metal film is deposited and photo-etched to form an individual electrode group corresponding to the position of the optical sensor array, and this individual electrode group is divided into a plurality of blocks, with electrodes facing each divided group at a constant interval. After forming a common electrode group, remove only the portion of the electrode corresponding to the photosensitive area of the photosensor where the photosensor array will be located, and coat tin or indium on the tip of the electrode that will be connected to the photosensor. An optical sensor array characterized in that all the optical sensors are brought into corresponding contact with the electrode group formed in such a way as to cover the tips of the electrode group, heated in an inert gas atmosphere, and integrated with an electrode wiring board. is obtained.
とくに本発明によれば光センサ−アレーの光センサ−ア
レー基板の表面にセンサーの感光部分を除き遮光膜を被
覆したことを特徴とする光センサーも得られる。In particular, according to the present invention, there is also obtained an optical sensor characterized in that the surface of the optical sensor array substrate of the optical sensor array is coated with a light shielding film except for the photosensitive portion of the sensor.
以下図面を参照して本発明の一実施例につき詳細に説明
する。An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
即ち、第1図に示すような光センサ−2は、長尺の透明
基板、例えばガラス基板1の一表面の全面に化学析出法
により硫化カドミウム薄膜を被着させ、次いでセレン化
カドミウムを蒸着又はスパッターなどの方法によシ積層
被着させる。然る後この積層膜を被着したガラス基板1
を塩化カドミウム粉末と一緒に石英製の収納容器艷入れ
、半密閉状態にして窒素などの不活性雰囲気中で500
〜600℃あ温度で30〜60分間加熱処哩する。That is, the optical sensor 2 as shown in FIG. 1 is constructed by depositing a cadmium sulfide thin film on the entire surface of a long transparent substrate, for example, a glass substrate 1, by a chemical deposition method, and then depositing cadmium selenide on the entire surface of the glass substrate 1. Laminated layers are deposited using methods such as sputtering. After that, the glass substrate 1 covered with this laminated film
The mixture was placed in a quartz storage container with cadmium chloride powder, kept in a semi-closed state, and placed in an inert atmosphere such as nitrogen for 500 minutes.
Heat treatment at ~600°C for 30-60 minutes.
この熱処理を行うことにより析出したま\の膜では殆ん
ど光感応特性を示さない硫化カドミウム膜が光感応特性
を示すようになる。又セレン化カド:1
ミウムを積層させているため硫化カドミウムとセ(
レン化カドミウムの固溶体膜が形成されるため、硫化カ
ドミウム膜のみと比較して光感度、光応答速度において
大幅に改善された特性を示すようになる。By performing this heat treatment, the cadmium sulfide film, which exhibits almost no photosensitivity as a deposited film, comes to exhibit photosensitivity. In addition, since cadmium selenide is laminated, a solid solution film of cadmium sulfide and cadmium selenide is formed, resulting in significantly improved photosensitivity and light response speed compared to a cadmium sulfide film alone. Begins to show characteristics.
次にガラス基板1の一表面全面に形成された固溶体膜を
ファクシミリセンサーとして必要な解像力を有するよう
にフォトエツチングにより分割独立した短形状の島のア
レーとなるように光セン、サー基板3を形成する。Next, the solid solution film formed on the entire surface of the glass substrate 1 is divided by photoetching so as to have the resolving power necessary for a facsimile sensor, and is formed into an array of independent rectangular islands to form an optical sensor and a sensor substrate 3. do.
この島の寸法については、ファクシミリに要求される解
像力に応じて適正に選ぶことが肝要である。It is important to appropriately select the dimensions of this island depending on the resolution required for facsimile.
例えば、A4版サイズの送信原稿に対し幅100μ、長
さ200μ(但し感光部は70μ)、島の間隔25μと
する場合8本/朋のパターンに対し充分な解像力が得ら
れる。For example, if an A4 size original is set to have a width of 100 .mu., a length of 200 .mu. (however, the photosensitive area is 70 .mu.), and an island spacing of 25 .mu., sufficient resolution can be obtained for a pattern of 8 lines/frame.
電極配線基板8け、第2図に示すように光センサー基板
3と同一もしくは若干長尽で且つ電極配線が充分に形成
出来る幅のガラス基板4を用いる。As shown in FIG. 2, the electrode wiring board 8 is a glass substrate 4 that is the same or slightly longer than the optical sensor board 3 and has a width that allows sufficient electrode wiring to be formed.
このガラス基板4の寸法としては、第2図に示した如き
電極配線5,6と異なる個別電極群5の端末部において
二層の配線層(図示せず)を設は貫通孔により上下層を
マトリックス結線させた配線構造を設ける大きさとして
もよい。The dimensions of this glass substrate 4 are such that two wiring layers (not shown) are provided at the terminal portion of the individual electrode group 5, which is different from the electrode wirings 5 and 6 as shown in FIG. The size may be such that a matrix-connected wiring structure is provided.
電極配線基板8の製造方法は、初めにガラス基板4の表
面にガラスと密着性の良いNi−Crを次にパラジウム
、金の順で重ねて蒸着又はスパッターにより被着し、膜
抵抗の安定化を計るために不活性ガス雰囲気中で350
℃、1時間加熱処理を行う。The method for manufacturing the electrode wiring board 8 is to first deposit Ni-Cr, which has good adhesion to glass, on the surface of the glass substrate 4, then palladium, and then gold, in that order, by vapor deposition or sputtering to stabilize the film resistance. 350 in an inert gas atmosphere to measure
Heat treatment is performed at ℃ for 1 hour.
尚パラジウムを介在させるのはNi−Cr層中に金が拡
散するのを防ぐためであシ、金の被覆はセンサー駆動回
路との接続に用いるフレキシブル配線との接続のためで
ある。配線抵抗を極力小さな値とするには金層の上にさ
らに金メッキを行い厚膜とする。Note that the purpose of interposing palladium is to prevent gold from diffusing into the Ni--Cr layer, and the gold coating is for connection with flexible wiring used for connection with a sensor drive circuit. In order to minimize the wiring resistance, the gold layer is further plated with gold to form a thick film.
次に、被着した金属多層膜をフォトエツチングにより個
別電極群5と共通電極群6に分割形成する。個別電極群
5け光センサー基板3上に分割形成された各光センサ−
2に対応する電極幅と電極間隔とし、共通電極群6は個
別電極群5を複数のブロックに分割し、各分割群のそれ
ぞれに一定の電極間隔で対向するよちにする。このよう
にして形成した電極配線をさらに個別電極群5と共通電
極群6の中間において光センサ−2の感光面積に対応す
る電極部分のみを再度フォトエツチングによシ除去し、
個別電極群5ならび共通電極群6に光センサ−2が接触
する先端部分のみに比較的低い温度で溶融する錫又はイ
ンジウムなどの金属をメッキなどにより被着する。この
ようにして作られた電極配線基板8上に光センサ−2の
表面が電極の表面と直接接触するように向き合せ、島状
に分割された各センサーが個別電極群5ならび共通電極
群6の各電極に正しく対応し、且つメッキされた電極先
端部7に重なるように顕微鏡などを用いて位置合せを行
い光センサー基板3を重ね合せる。次いで窒素などの不
活性ガス雰囲気中において200〜300℃の温度で1
o分間加熱し光センサーと電極のオーミック接続を形成
する。然る伐光センサー基板3と電極配線基板8の固定
を強化する目的で両者の余白部にエポキシ樹脂9などを
塗布して固化させる。Next, the deposited metal multilayer film is divided into an individual electrode group 5 and a common electrode group 6 by photoetching. Individual electrode groups 5 each optical sensor divided and formed on the optical sensor substrate 3
The common electrode group 6 divides the individual electrode group 5 into a plurality of blocks, and the common electrode group 6 faces each divided group at a constant electrode interval. Further, from the electrode wiring formed in this way, only the electrode portion corresponding to the photosensitive area of the optical sensor 2 between the individual electrode group 5 and the common electrode group 6 was removed again by photoetching.
A metal such as tin or indium that melts at a relatively low temperature is coated by plating only on the tip portions of the individual electrode group 5 and the common electrode group 6 where the optical sensor 2 contacts. The optical sensor 2 is placed on the electrode wiring board 8 made in this way so that the surface thereof is in direct contact with the surface of the electrode, and each sensor divided into islands is connected to an individual electrode group 5 and a common electrode group 6. The optical sensor substrates 3 are aligned using a microscope or the like so that they correctly correspond to each electrode and overlap the plated electrode tips 7. Then, in an inert gas atmosphere such as nitrogen at a temperature of 200 to 300°C,
Heat for 0 minutes to form an ohmic connection between the optical sensor and the electrode. In order to strengthen the fixation between the light sensor board 3 and the electrode wiring board 8, an epoxy resin 9 or the like is applied to the margins of both and hardened.
又必要に応じて第4図に示す如く光センサー基板3の光
センサ−2が形成されていない側のガ27ス表面上にセ
ンサーの感光部を除き遮光膜1oの被覆を行う。尚この
遮光膜1oの被覆を光センサ−アレーの完成後において
独立工程として実施出来ることは本願の特徴の一つとな
っている。即ち成る形状寸法で形成された光センサーの
感光部の形状寸法を変更したい場合光センサ−2を作り
替えることなしに遮光膜1oの形状寸法を変更すること
により実質上修正変更出来ることによる。If necessary, as shown in FIG. 4, the surface of the gas 27 on the side of the optical sensor substrate 3 on which the optical sensor 2 is not formed is covered with a light-shielding film 1o, except for the photosensitive part of the sensor. One of the features of the present application is that the coating with the light shielding film 1o can be carried out as an independent process after the completion of the optical sensor array. That is, when it is desired to change the shape and size of the photosensitive portion of the photosensor formed with the same size and size, the modification can be substantially made by changing the size and shape of the light shielding film 1o without changing the photosensor 2.
以上の如く本発明の方法に゛よると、従来の方法では困
難であった長尺で高い解像力を有する光センサ−アレー
を容易に安価に製造出来る。従ってこの光センサ−アレ
ーを使用することにより、ファクシミリの読取ヘッドの
小形化、低価格化が容易に計れるばかシでなく各種のパ
ターン認識、光学的文字読取装置、位置検出器などにも
有効に利用することが出来る。なお、上記実施例では対
向する基板の両方が透明体の場合を示したが、入射光側
のみが透明であっても、良い。As described above, according to the method of the present invention, it is possible to easily and inexpensively manufacture a long optical sensor array having a high resolution, which has been difficult with conventional methods. Therefore, by using this optical sensor array, not only can facsimile reading heads be made smaller and cheaper, but also effective for various pattern recognition, optical character reading devices, position detectors, etc. It can be used. In the above embodiment, both of the opposing substrates are transparent, but only the incident light side may be transparent.
第1図は本発明によシ製造される光センサー基板の斜視
図、第2図は電極配線基板の斜視図、第3図は電極配線
基板と光センサー基板を接続一体化した本発明の光セン
サ−アレーの斜視図、第4図は本発明の第2の実施例で
遮光膜を被覆した光センサー基板の斜視図である。
1・・・・・・光センサー用ガラス基板、2・・・・・
・光センサ−,3・・・・・・光センサー基板、4・・
・・・・電極配線用ガラス基板、5・・・・・・個別電
極群、6・・・・・・共通電極群、7・・・・・・メッ
キされた電極先端部、8・・・・・・電極配線基板、9
・・・・・・エポキシ樹脂、10・・・・・・遮光膜。FIG. 1 is a perspective view of an optical sensor board manufactured according to the present invention, FIG. 2 is a perspective view of an electrode wiring board, and FIG. FIG. 4 is a perspective view of a sensor array, and FIG. 4 is a perspective view of an optical sensor substrate coated with a light shielding film in a second embodiment of the present invention. 1...Glass substrate for optical sensor, 2...
・Light sensor, 3...Light sensor board, 4...
... Glass substrate for electrode wiring, 5 ... Individual electrode group, 6 ... Common electrode group, 7 ... Plated electrode tip, 8 ... ...electrode wiring board, 9
... Epoxy resin, 10 ... Light shielding film.
Claims (2)
センサ−アレー基板と、第2の基板の表面に前記光セン
サ−アレーの位置に対応させて電極を形成した電極配線
基板とを前記光センサ−アレー形成面と前記電極形成面
と対向させて一体化をし、かつ前記第1および第2の基
板の少くとも一方を透明としたことを特徴とする光セン
サ−アレー。(1) A photosensor array substrate in which a plurality of photoconductors are arranged on one surface of a transparent substrate, and an electrode wiring board in which electrodes are formed on the surface of a second substrate in correspondence with the positions of the photosensor array. is integrated with the optical sensor array forming surface and the electrode forming surface facing each other, and at least one of the first and second substrates is transparent.
表面に遮光膜を被覆したことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の光センサ−アレー。(2) The optical sensor array according to claim 1, wherein a light-shielding film is coated on the surface of the substrate except for the photosensitive portion of the optical sensor array.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10647882A JPS58222661A (en) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | Light sensor array |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10647882A JPS58222661A (en) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | Light sensor array |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58222661A true JPS58222661A (en) | 1983-12-24 |
Family
ID=14434599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10647882A Pending JPS58222661A (en) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | Light sensor array |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58222661A (en) |
-
1982
- 1982-06-21 JP JP10647882A patent/JPS58222661A/en active Pending
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