JPS5822063B2 - Ｘ線強化スクリ−ン用燐光体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、発光物質の製造およびＸ線強化スクリーン中
におけるこの物質の使用に関する。

Ｘ線強化スクリーンは一般に写真フィルムと組合せて使
用されそしてフィルムの上に形成される像の強化作用を
なす。

かかるスクリーンの活性成分である燐光体（螢光体、ｐ
ｈｏｓｐｈｏｒ に同じ）は透明な無色の、単相物質
であるべきであり、充分に規制された性質の多面体形状
に結晶化してＸ線により生成されるすべての光の散乱を
最小化させるべきものである。

一般にその燐光体の粒子サイズは約３〜１０μｍである
べきであり、そしてその表面積は約０．０７５〜０．３
００ｒｎ：／？であるべきである。

更に、燐光体は使用されるエネルギーのＸ線放射の良好
な吸収体であるべきであり、それらはフィルムが感受性
のスペクトル領域で強く光を発生すべきであり、そして
それらは鮮明な歪みのないフィルム像を仔えるべきであ
る。

発光性を示す多くの既知の物質が存在するけれどもほと
んどのものはそれらをＸ線強化スクリーン中で有用なも
のとするに必要な性質の組合せを有していない。

例えば長年の間Ｘ線強化スクリーンに対して最も広く使
用されている燐光体はタングステン酸カルシウムであつ
島それは他の燐光体の判定のための基準物質である。

近年Ｘ線強化スクリーン中での可能性ある使用に対して
いくつかのその他の燐光体が提案されている。

しかしながらその数は発見された燐光体の総数に比べて
小さい。

プラスおよびプリル両氏〔「Ｊ、ｏｆ Ｌｕｍ １ｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｊ 第３巻第１０９頁
（１９７０）参照〕は、そのタンタルのいくらかがニオ
ビウムにより置換されているかあるいはイットリウ１８
のいくらかが希土類置換体により置換されているものを
も含めて種々のＹＴａＯ４、ＧｄＴａ０４およびＬｕＴ
ａ０４燐光体のカソードおよび光発光性を記載している
。

これら物質のすべてはファーガソナイト（ｆｅｒｇｕｓ
ｏｎｉｔｅ ） Ｍ−タイプ構造を有している。

これらの物質は二つのポリモルフ、すなわち低温での単
斜（Ｉ２空間群）構造Ｍ、および高温での正方晶系（Ｉ
４．／ａ空間群を有するシーライトタイプ構造）を有し
ていることが認められている。

二つの形態の間の遷移は瞬間的でありかつ可逆的である
。

ジー・エム・ウオルトンおよびエイ・ビー・チェイズ両
氏（ｒ Ｔｈｅ ＡｍｅｒｉｃａｎＭｉｎｅｒａｌｏｇ
ｉｓｔ ｊ第５２巻第１５３６頁（１９６７）参照〕は
この遷移がＹＴａＯ４では１３２５℃で生ずると報告し
ている。

それらはまたタンタル酸イツトリウムおよび関連するメ
ンタル酸希土類塩の新しいポリモルフを開示している。

その物質を遷移温度以下で結晶化させた場合には異った
単斜構造（Ｍ’相と呼ばれ、Ｐ ２ ／ ａ空間群を有
する）が生ずる。

このＭ’＋１は、１４００℃以上に加熱しそして次いで
１３２５°Ｃ以下に冷却することによってＭ相に変換さ
せることができる。

紫外線またはＸ線励起下でのＭ＠物質の発光性に関して
は従来技術は存在しない。

第１ａおよび１ｂ図はそれぞれ本明細書に開示されたよ
うにして製造された本発明のＭ′−タイプＹＮＢ０．０
５ Ｔａ０−９５ Ｏ４、および例えばプラスおよびグ
リル両氏（上掲文献参照）により開示された通常のセラ
ミック技術により製造されたＭ−タイプＹＮｂｏ、（，
５’Ｉ’ａ０．９！５ Ｏ４の走査電子顕微鏡写真を示
している。

第２図はＭ−タイプのＹＴａＯ４およびＭ′−タイプの
ＹＴａＯ４に対するＸ線粉末パターンのディフラクトメ
ータースキャンを示しているっ第３ａおよび３ｂ図は、
それぞれＭ−タイプＹＴａＯ４およびＭ′−タイプＹＴ
ａＯ４のラマンスペクトルを示している。

第４図はＭ′−タイプＹＴａＯ４、ＧｄＴａＯ４および
ＬｕＴａ０．、および、ＣａＷＯ４の１８５μ層の計算
されたＸ線吸収を示している。

第５図はＭ’−タイプ。ＹＮｂ□、０５ Ｔ’ａＯ，９
５Ｏ４およびＣａＷＯ４に対するＸ線励起下の発光スペ
クトルの比較を示している。

第６図は典型的Ｘ線強化スクリーンの断面を示している
。

第７図は本発明のＸ線スクリーン対（ペア）および同様
にしてＣａＷＯ４から製造されたＸ線スクリーン対に対
する解像と全燐光体コーティング重量とのプロットを示
す。

第８図は本発明のスクリーン対およびＣａＷＯ４のそれ
に対して計算されたＸ線吸収を示し、その際スクリーン
厚さは同一の解像を与えるように選ばれている。

第９図は本発明のＸ線スクリーン対および同様にして製
造されたＣａＷＯ４のスクリーン対に対する相対速度と
解像とのプロットを示す。

単斜Ｍ′構造で結晶化するある種の置換イツトリウム、
ガドリニウムおよびルテチウムのタンタル酸塩は、ホス
トに比して、同一の式の単斜Ｍ構造組成物に比して、そ
して一般に使用されている市販の燐光体ＣａＷＯ４に比
して改善されたＸ線−光変換効率を示すことが発見され
た。

更に、適当量のニオビウムをタンタルに対して置換する
とＭ′構造のＹＴａＯ４およびＬｕＴａＯ４の青色螢光
を有意に強化させること、イツトリウムに対して適当量
のツリウムを置換すると有意にＹＴ ａ ０４の青色螢
光を強化させること、そしてＭ′構造のＹＴａＯ４、Ｌ
ｕＴａ０４およびＧｄＴａ０４のイツトリウム、ルテチ
ウムおよびガドリニウムに対する適当量のテルビウムの
置換は強い緑色螢光を与えることが発見された。

本発明に使用される青色または緑色螢光発光性置換燐光
体は単斜Ｍ′構造を有しており、そして次記すなわち （ａ）ＹＮｂＴａｌ−ＸＯ４（式中Ｘは０〜約０．１５
である）、 （ｂ）ＬｕＮｂＸＴａ１−Ｘ０４ （式中Ｘは０〜約０
．２である）、 （ｃ）Ｙｌ−ｙＴｍｙＴａ０４ （式中ｙはＯ〜約０
．０３である）、 （ｄ） （ａ）および（ｂ）の固溶体、（ｅ） （
ａ）および（Ｃ）の固溶体、げ）ｙ、 、ＴｂｙＴａ
０４ （式中ｙは約０．００１〜約０．１５である）
、 （ｇ）Ｌｕ、 、ＴｂｙＴａ０４ （式中ｙは約０．
００１〜約０．１５である）、 （ｈ） Ｇ ｄ １ｙＴ ｂ ｙ Ｔ ａ Ｏ４，（
式中ｙは約０．００１〜約０．１５である）、および （ｉ） 前駆ｆ）、（ｇ）および（ｈ）の少くとも２
種の固溶体よりなる群から選ばれる。

この発光作用燐光体はＸ線強化スクリーン中で有用であ
る。

本発明に使用される青色螢光燐光体は、 （ａ） 式 ＹＮｂＸＴａｌ−Ｘ０４（式中Ｘは０〜
約０．１５、好ましくは約０．００１〜約０，１５、よ
り好ましくは約０．０２〜約０．１０、最も好ましくは
約０．０５である）のＮｂ含有タンタル酸イツトリウム
、 （ｂ） 式 ＬｕＮｂＸＴａ１ Ｘ０４（式中Ｘは
Ｏ〜約０．２、好ましくは約０．００５〜約０．２、よ
り好ましくは約０．０２〜約０．０５である）のＮｂ含
有タンタル酸ルテチウム、 （ｃ）式 Ｙ １− ｙ Ｔｍ ｙＴ ａ ０４ （
式中Ｙは０〜約０．０３、好ましくは約０．００１〜約
０．０３、より好ましくは約０．００２〜約０．０１、
最も好ましくは０．００５である）のＴｍ含有タンタル
酸イツトリウム、 （ｄ） （ａ）および（句の固溶体、および（ｅ）
（ａ）および（Ｃ）の固溶体 を包含する。

本発明に使用される緑色螢光燐光体は、 （ａ） 式 Ｙｌ−ｙＴｂｙＴａ０４ （式中ｙは
約０．００１〜約０．１５、好ましくは約０．００５で
ある）のＴｂ含有タンタル酸イツトリウム、 （ｂ） 式 Ｌｕ １−ｙＴ ｂ ｙ Ｔ ａ ０４
（式中ｙは約０．００１〜約０．１５、好ましくは約
０．００５である）のＴｂ含有タンタル酸ルテチウム、 （Ｃ） 式 Ｇｄ１−ｙＴｂｙＴａ０４（式中ｙは約
０．００１〜約０．１５、好ましくは約０．０３〜約０
．０３５である）のＴｂ含有タンタル酸ガドリニウム、
および （ｄ） （ａ）、（ｂ）および（ｅ）の少くとも２種
の固溶体を包含する。

本発明に使用されている燐光体は、Ｐ ２ ／ ａ空間
群対称性を有する単斜Ｍ′構造を有しており、■２空間
群対称を有する単斜Ｍ構造を有する関連物質よりも犬な
る発光性を示す。

Ｍ相およびＭ’ｌ’ｌｌ結晶の物理的特性の差は二つの
物質を容易に区別させる。

先述した既知の固相（ソリッドステー１−）操作により
製造されたＭ和結晶は不規則な形状の片に成長し、一方
本発明の方法により製造されるＭ′相の結晶は狭いサイ
ズ分布の規則正しい多面体に近い粒子に生長する。

この差は二つのタイプの物質の走査電子顕微鏡写真でみ
ることができる（第１ａおよび１ｂ図参照）。

Ｍ物質（第１ｂ図）は１．３ ｍ／ｆｌの表面積および
０．５μｍの粒子サイズを有している。

Ｍ′物質（第１ａ図）は０．１９ｍ ／？の表面積およ
び４．２μｍの粒子サイズを有している。

ここに報告されている表面積は、［ミクロミュレテイツ
クス（Ｍｉｃｒｏｍｕｒａｔｉｃｓ ） Ｊ表面孔体積
解析装置中でのクリプトンまたは窒素ガス吸収により測
定された。

特に記載されていない限りは粒子サイズは式 を使用して表面積測定値から計算された。

単結晶Ｘ線ディフラクトメータでの測定から得られたユ
ニットセルパラメーターは、Ｍ′相のｂ軸およびユニッ
トセルがＭ相のそれらの大体半分であることを示す。

Ｘ線粉末回折パターンは、第２図においてＭ−タイプの
ＹＴａＯ４およびＭ′−タイプのＹＴ ａ ０４に対し
て示されているパターンの比較かられかるように、顕著
な差異を示している。

この２相の結晶構造の差はまた、Ｍ−タイプのＹＴａＯ
４およびＭ′−タイプのＹＴａＯ４に対してそれぞれ第
３ａおよび３ｂ図に示されるように、ラマンスペクトル
にも影響を与えている。

本発明の方法は、前記定義のＭ′タイプの発光物質を約
０．０７５〜０．３００ｍ２／グの表面積および約３〜
１０μｍの粒子サイズを有する均一の無色単相粒子とし
て提供する。

この物質は追加の処理なしにＸ線強化スクリーン中に直
接混入することができる。

本発明の方法はまずＴａ２０５、Ｙ２Ｏ２、Ｇｄ２Ｏ３
、Ｌｕ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔｍ２Ｏ３、Ｔｂ２Ｏ３お
よびＴｂ４０□の群からの適当な酸化物の化学量論量ヲ
「スペックス（５ｐｅｘ ） Ｊオツシレータータイプ
振盪機中で約１０〜２０分間ブレンドすることよりなる
。

この操作条件においてそれらの成分に不活性な容器中で
次いでこの混合物を約り０００℃〜約１２００℃で約１
０〜１４時間予備焼成させる。

容器は貴金属のものでありうるがしかし低コストの故に
アルミナが好ましい。

次いでこの予備焼成物質をＬｉ２ＳＯ４、純ＬｉＣ１ま
たはＢａＣ１゜／ＬｉＣ１共融物〔例えば［Ｇａｚｚ。

ｃｈｉｍ、１ｔａ１．Ｊ第４４１巻第３８３頁（１９１
，４参照］を包含するフラックスと混合する。

このフラックスの重量は混合物の全重量の１１５〜１／
２に等しい。

次いで得られた混合物を少くとも約３時間ないし約２４
時間またはそれ以上約１１００℃から約１４５０℃以下
の温度、例えば約１１００°Ｃ〜約１３００℃で焼成す
る。

発光生成物を水浸出、沢過および洗浄により回収しそし
て次いで乾燥させる。

本発明の方法により製造される燐光体の粒子サイズおよ
び均一性は第１ａ図に記載の走査電子顕微鏡写真に示さ
れている。

前記の別法として、特にＬｉ２ＳＯ４がフラックスとし
て使用される場合には予備焼成段階を除外させることが
できる。

フラックスと直接ブレンドしそして混合した適当な酸化
物を前記のようにして焼成することができる。

予備焼成なしの場合には、例えば少くとも約４時間〜約
１４時間またはそれ以上のより長い焼成時間が好ましく
、かつ有利である。

この発光生成物は約１４５０℃以下で混合物を結晶化さ
せることによってＭ湘で形成される。

従って混合物をこの温度以下で焼成するように注意しな
くてはならない。

前述したように、約り１００℃〜約１３００℃の焼成温
度が使用される。

約１２００℃の温度が好ましい。

本発明は、その燐光体が前記定義のものであるようなＸ
線強化スクリーンを提供するものである。

特に予期せざることは、Ｘ線強化スクリーン中に使用さ
れた場合のＭ′構造を有する燐光体の性能である。

それは、Ｍ一槽構造ある以外は同一式の組成物よりも優
れた発光効率を示す。

それはまた、ＣａＷＯ４よりも優れている。

Ｘ線強化スクリーン中で使用された場合、燐光体はＸ線
放射をホトン（光子）に変換させる。

ホトンは写真乳剤によってきわめて容易に補集されて永
久的記録を与える。

この変換過程の第１段階は燐光体によるＸ線の吸収であ
る。

第４図は放射写真に一般に使用されるＸ線エネルギー範
囲にわたってＭ′タイプのＴａＯ４、ＧｄＴａ０４およ
びＬＬＩＴａＯイそしてＣａＷＯ４（後者は比較のため
の標準品として使用される）の１８５μｍの層により吸
収されるＸ線の計算された割合を示している。

一般に使用されるスクリーン対の典型的燐光体含量であ
るこの厚さに対しては、本発明のタンタル酸塩スクリー
ンは改善されたＸ線吸収を与える。

この変換過程の第２段階は光発光（螢光）である。

多くの応用において、放射写真を形成するに必要なＸ線
露光を減少させるためにはＣａＷＯ４により示されるよ
りも一層高い発光効率を有することが望ましい。

光発光の効率は、例えば第５図に示されているような曲
線の下の面積により示される。

第５図ではＸ線励起下の好ましい組成物ＹＮｂＯ・０５
ＴａＯ１９５０４の発光スペクトル（Ａ）が比較のため
に同一励起条件そして同一測定条件下での市販のＣａＷ
Ｏ４Ｘ線燐光体の発光スペク） ／１４Ｂ）と共に示さ
れている。

本発明に使用されている燐光体はより強い発光パターン
を示す。

発生した光はフィルム上で捕集されなくてはならない。

医療用Ｘ線用途にもつとも一般的に使用されている写真
乳剤番ζ ３５０〜４００ｎｍ範囲の放射には一般に均
一な応答性を示す。

４００ｎｍ以上では感度は漸進的に減少し、そして約４
７０ｎｍ以上では実質的に消失する。

本明細書のＹＴａＯい およびＮｂおよびＴｍ含有組成
物は４００ｎｍ付近に強い青色バンド発光およびピーク
を示し、そしてこれは通常のフィルムと共に使用された
場合にはＣａＷＯ４よりも一層有効である。

ＬｕＴａ０４およびＮｂ含有組成物もまた強い青色バン
ド発光を示す。

ＹＴａＯ４、ＧｄＴａ０４．ＬｕＴａ０４およびそれら
の固溶体のＴｂ含有組成物は、５００ｎｙｎ付近に強い
緑色発光を示し、従ってそのような放射に感受性のＸ線
フィルムと共に使用した場合にそれらを有効なものとす
る。

典型的Ｘ線強化スクリーンにおいては、粉末燐光体組成
物を、可撓性支持体例えば厚紙またはオリエステルフィ
ルム上に、重合体結合剤によって薄層として接着させる
。

この燐光体−結合剤複合付は約８５〜約９６重通％の燐
光体を含有しうる。

この燐光体層は、典型的には、支持体上に約０．００５
インチ（０，０１２７ＣｒｒＬ）〜約０．０５０インチ
（０，１２７ｃＩｒＬ）の湿潤時厚さにコーティングさ
れる。

この燐光体層組成物は一般分散技術を使用して任意の通
常の結合剤中で調製することができる。

これは通常、燐光体、結合剤、溶媒およびその他の添加
剤を適当−な時間ボールミル処理することにより達成さ
れる。

この操作および有用な結合剤は、従来技術例えば米国特
許第２６４８０１３号、同第２８１９１８３号、同第２
９０７８８２号、同第３０４３７１０号および同第 ３８９５１５７５７号各明細書全に記載されている。

場合により、清浄化を可能ならしめるためにこの燐光体
層に薄い透明な保護層をオーバーコーテイングすること
が屡々望ましい。

有用な保護層もまた従来技術例えば前記米国特許中に記
載されている。

最初に可撓性支持体を光反射性層例えば白色顔料でコー
ティング（すなわち燐光体の下側）してスクリーンの光
出力を更に強化させることもまた時としては望ましい。

反射層はＸ線スクリーン技術では周知である。

米国特許第３０４３７１０号および同第３８９５１．５
７号各明細書に記載のようなものが特に有用である。

実際の使用においては、燐光体コーティングしたシート
を、通常各側に乳剤を有する写真フィルムの両側に押圧
する。

写真乳剤コーティングに隣接して燐光体コーティングを
有するそのようなパックをＸ線露光用のフィルムカセッ
ト中に保持させる。

本発明のＸ線強化スクリーンの断面である第６図は、支
持体１、反応層２、燐光体層３および保護コーティング
４を示している。

使用しうる通常の支持体としては、例えばバライタで適
当にサイス処理またはコーティングしたボール紙、セル
ロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテー
ト、セルロースプロピオネート、セルロースアセテート
ブチレーＩ・、ポリ（ビニルクロリドまたはビニルアセ
テート）、ポリアミド、金属シート状物例えばアルミニ
ウムおよびポリ（エチレンテレフタレー１− ）があげ
られ、後者がより好ましい支持体である。

Ｘ線強化スクリーン中で使用するためには、支持体はＸ
線に透過性でなくてはならない。

例えば支持体は約０．０００２５インチ（０，０００６
４ｃＩｒＬ） 〜約０．３０インチ（０，７６ｃＩＩＬ
）の厚さを有しうる。

約０．０２インチ（０，０５ｃｒｎ）までの厚さを有す
るフィルムが好ましい。

スクリーン厚さの選択は、一般に例えば解像力および像
ノイズのような変数間の調整を包含する。

薄いスクリーンは解像力が高いという利点を有す）るが
、しかし一部はそれらが関係するＸ線の小部分しか吸収
しないという事実に由来する高い像ノイズを受ける。

第７図は８０ＫＶｐ および２ｍＡで操作される通常の
Ｘ線ユニットで一対のスクリーンを使用して青色感受性
［クロネクス （Ｃｒｏｎｅｘ ） Ｊ ＪＸ線フィルムに像形成さ
せた場合のＣａＷＯ４およびＹＮｂｏ、ｏ５Ｔａｏ、、
７０４ に対する解像と全燐光体コーティングとの間の
関係を示す。

予期せざることに、ＹＮｂｏ、。３Ｔａｏ、９□ｏ４ス
クリーン対は優れた結果を与える。

何故ならば、同一解像に対しては実質的により高いコー
ティング重量を使用しうるからである。

これは結果としてはるかにより犬なるＸ線吸収を生じそ
して従って同一解像に対してより低い画像ノイズを生ず
る。

例えばＣａＷＯ４を使用して製造された１対の「クロネ
クス・パル（Ｃｒｏｎｅｘ Ｐａｒ ） Ｊ強化スクリ
ーンは約８４μｍの厚さを有する純ＣａＷＯ４に等しい
燐光体含量を有している。

ＹＮｂ、）、、）５ Ｔａ□、９５０４を使用して製造
されそして同一解像力を有する市販のタイプのスクリー
ンは約１２４μｍの厚さを有する燐光体等何物を含有し
ている。

第８図は、両物質に対する計算されたＸ線吸収を示して
おり、後者は図面上ではＹＴａＯ４： Ｎｂ として
示されている。

最も汎用の放射写真において重要な４０−１００キロ電
子ボルト（ＫＥＹ）範囲にわたっては、このＹＴａＯ４
：Ｎｂスクリーンは相当する厚さのＣａＷＯ４のほとん
ど２倍のＸ線吸収を有しており、像ノイズ上昇なしにＸ
線露光をほとんど半分に減少させる可能性を与える。

Ｘ線強化スクリーンの性質の一つの尺度は速度（写真感
光速度と同様）、すなわちスクリーンに密着させたフィ
ルムのＸ線露光後に達成される光学濃度である。

これは以下に記載のように実施される操作によって、ス
クリーンに密着した状態のそのようなフィルムを露光さ
せた後のＸ線フィルムの黒色化濃度の測定により決定さ
れる。

Ａ、試料製造 燐光体を４００メツシユふるい（米国ふるい系列）を通
してふるいかけしそして次の成分を８個の４ｍｍ直径の
ガラスピーズを含有する１５ｃｃバイヤル中に導入する
（米国特許第 ３０４３７１０号明細書参照）。

得られる混合物を１５分間「スペックス （Ｓｐｅｘ）Ｊオフシレータータイプシェーカー上で振
盪させ、次いで直ちにグツドナー （Ｇｏｏｄｎｅｒ ）機械的塗布装置およびＩＯミル（
２５４μｍ）のドローダウンナイフを使用して顔料板上
にコーティングする。

得られたコーティングを少くとも１５分間風乾させて厚
さ５±１ミル（１３０μｍ±２５μｍ）の乾燥コーティ
ングを生成させる。

１インチＸ １ ’ ／ ２インチ（２，５４Ｘ３．８
１ ）試料をコーティングした板から切り出し、そして
他の試料および標準物と共に顔料板上に露光試験のため
に載置する。

Ｂ、試料試験 スクリーン試料を取付けた顔料板を高感度医療用Ｘ線フ
ィルム（この場合にはデュポン社製クロネクス４フィル
ム）のシートを含有する８インチ×１０インチ（２０，
３ＣＩｒＬＸ ２５．４ＣｒＩＬ）カセット中に挿入す
る。

１Ｘ４インチ（６，３５ｍｍ；厚さのアルミニウムフィ
ルターを通してタングステン光源から２５インチ（６３
，５１）の距離で１．０ｍＡ（８０ＫＶｐ） のＸ線
露光を行う。

次いでフィルムを取外しそして３３℃で操作されその標
準的なＰ−Ｎ−メチルアミンヒドロサルフェート／ヒド
ロキノン現像剤を含有する自動高速プロセサー中で９０
秒の全処理時間で（現像、定着、洗浄および乾燥）処理
する。

露光および現像したフィルムの光学濃度をマクベスディ
ジタルデンシトメーターを使用して測定し、速度として
記録されそしてこれは、 ＣａＷＯ４を使用して製造された市販の「クロネクス・
パル」強化スクリーンを使用して行った同一の露光の濃
度と相対的に示される。

改善されたＸ線−光変換効率の結果として、前記Ｍ′構
造燐光体を使用して製造されたＸ線強化スクリーンの速
度は同一の式および同一のコーティング厚さを有するＭ
構造燐光体を使用して製造されたものより高い。

賦活剤または補力剤たるＮｂ、ＴｍまたはＴｂの適当量
を含有するＭ′構造燐光体を使用して製造されたスクリ
ーンはその賦活剤または補力剤を含有していない同様の
燐光体コーティングを使用して製造されたものより速く
そしてそれらは一般に使用されているＣａＷＯ４よりも
速い。

この上昇した速度は低Ｘ線露光が所望されている用途に
おいては重要である。

特定のフィルムの感度により良好に対応させそして特定
の放射線学目的を達成するためには、時にはスクリーン
の速度を調整することが望ましい。

燐光体例えばＣａＷＯ４の速度を調整することは困難な
のであるから、スクリーンの調節例えばより遅い速度は
スクリーンに染料を加えることにより達成される。

しかしながら、これは像ノイズを生成する結果となりう
る。

従って、燐光体の速度を調整することがはるかにより望
ましい。

本発明の燐光体の速度は、賦活剤または補力剤の濃度の
変化によるかまたはある種の希土類元素の適当な添加を
行なうことによって、本発明の燐光体に対して測定され
そしてここに報告されている最高速度とＣａＷＯ４の速
度またはそれ以下の速度との間の中間の速度範囲にわた
って調整させることができる。

賦活剤濃度への速度の保存性はかなり強い。

そしてこの方法による速度の制御は賦活剤濃度の注意深
い制御を必要とする。

ある種の他の希土類元素の濃度への速度依存性はかなり
一層弱いものである。

そのような元素の使用は実質的に連続した速度範囲の燐
光体の製造のための便利な方法を提供する。

本発明の感光体の速度は約１５モル％までのイツトリウ
ム、ルテチウムまたはガドリニウムをイッテルビウムで
置換することにより遅くすることができる。

例えば好ましいＮｂ含有タンタル酸イツトリウムへのＹ
ｂの添加は、Ｙｌ−ｙＹｂｙＮｂｏ、。

、Ｔａｏ、９５０４ （式中ｙは０〜約０．１５である
）の組成の燐光体を与える。

この式でｙが０の場合すなわちＹｂが存在しない場合に
は、得られる化合物は前に記載のＹＮｂＸＴａｌ−ＸＯ
４の具体例を表わすということを知ることができる。

ｙを大きくさせた場合燐光体の速度はｙが約０．１であ
る場合の、その速度がＣａＷＯ４スクリーンの速度と大
組等しくなる点まで減少する。

更にｙを増大させると速度は更に減少する。

本発明の燐光体の速度はランタンで約４５モル％までの
イツトリウム、ルテチウムまたはガドリニウムを置換さ
せることによって遅くすることができる。

例えば、好ましいＮｂ含有タンタル酸イツトリウムへの
Ｌａの添加はＹｌＬａ Ｎｂ□、。

５ＴａＯ，ｇ５０４ （式中ｙはＯ〜約０．４５であ
る）の組成の燐光体を与える。

この式においてｙが００場合すなわちＬａが存在しない
場合には、得られる化合物は前記ＹＮｂＸＴａ１−ＸＯ
４の態様を表わすということを知ることができる。

ｙを上昇させた場合燐光体の速度は減少しそしてｙが約
０．４に達した際にはその速度はＣａＷＯ４スクリーン
のものと大組等しくなる。

更にｙを上昇させると速度は更に減少する結果となる。

この青色発光性燐光体の速度はイツトリウムまたはルテ
チウムの約１５モル％までをガドリニウムで置換するこ
とによって遅くすることができる。

例えば好ましいＮｂ含有タンタル酸イツトリウムにＧｄ
を加えると、 Ｙｌ−ｙＧｄｙＮｂｏ、。

５Ｔａｏ、９５ｏ４ （式中ｙは０〜約０．１５である
）の組成の燐光体を生ずる。

この式においてｙがＯの場合すなわちＧｄが存在しない
場合には、得られる化合物は前記ＹＮ ｂ Ｘ Ｔ ａ
１− Ｘ ０４ の態様を表わすことを知ることが
できる。

ｙが上昇した場合、燐光体の速度は減少する。

ｙが約０，０８の場合には、その速度はＣａＷＯ４スク
リーンのものと大体等しい。

更にｙを上昇させると速度は更に減少する結果となる。

若干の発光物質は望ましくない遅延螢光（時には「アフ
タグロー」、「燐光」または「ラグ」と呼ばれる）を示
す。

これは説明されていないがしかしはるかに一層遅い二次
発光の結果である。

遅延螢光は、螢光スクリーンが数個のフィルムのために
迅速に連続的に使用される場合にのみ問題となる。

フィルム交換に要する時間より長い時間持続するアフタ
グローはそれに続くフィルム上にその前の像をゴースト
として重ねる。

正味ラグ（すなわちラグからバックグラウンドを差引い
たもの）はより好ましい ＹＮｂＸＴａｌ−ＸＯ４（式中Ｘは約０．０５である）
を使用して製造されたスクリーン中では存在しない。

ラグは、スクリーン試料をアルミニウムフイ（ルターを
有しない以外は前記と同一のタングステン光源からの４
００ｍＡ（８０ＫＶｐ）Ｘ線に露光させそして次いで１
５秒後にこのスクリーン試料に新しいフィルム片を１０
分間接触させることにより測定される。

次いでフィルムを前記のようにして現像しそして光学濃
度を測定する。

そのように記録された光学濃度がラグである。

バックグラウンドはラグの測定に使用されたと同一のＸ
線フィルム片を試験スクリーンなしでラグ露光に露出さ
せることにより測定される。

バックグラウンドとラグとの間の差が正味ラグとして記
録される。

青色光を発光する好ましい燐光体は ＹＮｂ□、。

５ ’ｒａｏ、９５ｏ４である。化学量論量のＴａ２０
５、Ｎｂ２Ｏ５およびＹ２Ｏ３をよくブレンドしそして
次いでアルミナ容器中で空気中で約り０００℃〜約１２
００℃で約１０〜１４時間予備焼成させる。

この物質を次いで等重量のフラックスと混合する。

この組成の次の実施例においてはＬｉＣ１がフラックス
として使用された。

しかしながらＬｉ２ＳＯ４が好ましいフラックス物質で
ある。

得られる混合物を４〜１４時間１２００℃で焼成する。

白色な均一粉末の形態のＹＮｂｏ、。

５Ｔａｏ、９５０４Ｍ′構造生成物が、水浸出、濾過お
よび洗浄により回収されそして次いで乾燥される。

次の実施例および実験例においては、部は特に記載され
ていない限りは重量基準である。

Ｘ線励起速度（感度）は前記の操作により測定されそし
てこれはＣａＷＯ４を使用してつ（られた「クロネクス
・パル」強化スクリーンの速度に相対的に報告されてお
りそして後者は相対基準では１．０である。

相対強度は測定時間により変動しうるのであるから、次
の表のすべてにおいてはその中で比較されている組成物
に対しては報告されている相対強度は実質的に同一の時
間で測定されたものである。

実施例 Ｉ （ＹＮｂｏ、ｏ５ＴａＯ，９５０４） Ａ、１０００１’のＴａ２０５．０．３１１’のＮｂ２
Ｏ５および５．３８ｉのＹ２Ｏ３を最近似の〜まで秤量
しそして３０分間スペックスオツシレーター型式のシェ
ーカー中でブレンドした。

この混合物をＡｌ２Ｏ３容器中で１０００℃で１４時間
予備焼成した。

次いで予備焼成物質をＬｉＣｌフラックス（予備焼成物
質１部二フシックス１部）快混合しそして４時間１２０
０℃で焼成した。

生成物を水浸出、ｒ過および洗浄により回収し、次いで
乾燥させた。

生成物（第１ａ図は電子走査顕微鏡写真を記載している
）は白色均一粉末として回収された。

これは紫外線またはＸ線励起下には明るい青色の螢光を
有し、４．２μｍの平均粒子サイズ（フィッシャーサブ
シーブサイザーにより測定）および０．１９７ｙ１″／
り（ガス吸着により測定）の表面積を有していた。

Ｘ線回折測定はそれがＭＷ造および次の格子定数すなわ
ち ａ＝５．２９７５Ａ ｂ＝５．４４８６Ａ ｃ＝５．１．１０３Ａ β−９６，４５３゜ ρ（Ｘ線密度）−７，４６グ／Ｔｌ１ｌ を有する単−相として結晶化していることを示した。

Ｘ線励起スペクトルはＣａＷｏ ４のものと同様である
がしかしピークはより高エネルギーレベルにある（４０
９ｎｍに対して４２８ｎｍ、第５図参照）。

Ｘ線励起速度はＣａＷＯ４でつくられた「クロネクス・
パル」強化スクリーンのそれの１．８６倍である。

Ｂ、４時間の焼成を１６００℃すなわち遷移温度以上で
行なう以外は前記Ａに対して使用されたと同一の操作で
ＹＮｂ（、、、）、 ＴａＯ，９，０４を製造した。

粒子状生成物がＸ線回折により測定してＭ構造を有し、
そして５．３μｍの粒子サイズおよび０．１５ ｍｌ
′？の表面を有する無色単−相ＹＮｂｏ、。

５Ｔａｏ、５９０４として回収された。その格子パラメ
ーターは次のとおりであった。

ａ＝５．３２７１．Ａ ｂ ＝ １．０．９３３ Ａ ｃ＝５．０５４Ａ β−９５，５２゜ ρ（Ｘ線） −７，５６ｆｌ／ｍ−１！ そのＸ線励起速度は、「クロネクス・パル」強化スクリ
ーン（ＣａＷＯ４）に相対的に０．８４であった。

これは前記Ａに記載の同一式のＭ′構造物質に対して測
定された１、８６に比較されるべきである。

この値はＭ構造物質に相対的なＭ′構造物質の優れた性
能を示すものである。

ＭおよびＭ′物質のＸ線回折およびラマンスペクトルの
差は第２図および第３図に示されている。

このＢの操作をくりかえすがただしＡのフラックスは省
略しそして焼成温度は１５００℃とした。

そのような操作は既知の固相操作の代表的なものである
。

得られた生成物の走査電子顕微鏡写真は第１ｂ図に示さ
れている。

Ｃ１前記Ａに記載の操作で製造されたＭ′構造を有する
ＹＮｂｏ、。

５Ｔａｏ、９５０４を２時間１６００℃の温度に加熱す
ることによってＭ構造物質に変換した。

この変換物質に対するＸ線励起速度は０．９６であり、
これまたＭ構造物質に比較した場合のＭ′構造の優れた
性能を示す。

実施例 ２〜６ （ＹＮｂＸＴａｌ−ＸＯ４） 種々の量のＮｂを有する組成物を実施例１に使用された
操作により製造した。

各実施例に使用されている酸化物の量は表Ｉに示されて
いる。

すべての生成物はＭ′構造を有する単−相であった。

燐光体粒子の粒子サイズおよび表面積がＸ線励起速度と
共に示されている。

これらの実施例は本発明の方法が約３μと１０μとの間
の粒子サイズおよび約０．０７５ ｒｒｉ”／？〜約０
．３ｍ’／Ｐの表面積の燐光体を生成させることを示す
。

実施例 ７ 更にＭ物質に比較した場合のＭ′構造物質のより高い速
度を示すために、Ｍ′の試料ＹＴａＯ４を実施例１の操
作に従って製造しそして次いでＭへの変換温度を測定す
るために空気中で４時間表■に記載の温度で加熱した。

冷却後、各試料の構造をＸ線回折により測定し、そして
Ｘ線燐光体としてのその速度を測定した。

表■に示されているように、速度は燐光体がＭ構造に変
換すると顕著に低下する。

実施された追加の実験はＭ′のＭ変換の遷移温度が１４
５５±５℃であることを示した。

実施例８〜１１および比較例ＡおよびＢ （Ｙｌ−ｙ Ｔｍｙ Ｔ ａ０４ ） 実施例１に使用されたと同一の操作でＭ′構造を有する
組成物を製造した。

各製造に使用された酸化物の量は表■に示されている。

すべての生成物はＭ′構造を有する単−相であった。

Ｘ線励起速度もまた表■に示されている。

比較のための実施例ＡおよびＢはＹが約０．０２よりも
有意に上昇した場合（例えば約０．０３となった場合）
にはその速度は顕著に低下することを示している。

比較例ＡおよびＢの燐光体は本発明には有用ではない。

実施例 １２〜１６ （ＬｕＮｂＸＴａ１−ＸＯ４） 実施例１に使用された操作によって種々の量のＮｂ含有
組成物を製造した。

各側に使用された酸化物の量は表■に示されている。

すべての生成物はＭ′構造を有する単−相であった。

Ｘ線励起速度もまた示されている。

実施例１７〜２１および比較例Ｃ−Ｄ （Ｙｌ、ＴｂｙＴａ０４ ） 実施例１に使用されたと同一の操作でＭ′構造を有する
組成物を製造した。

各製造に使用された酸化物の量は表■に示されている。

すべての生成物はＭ′構造を有する単−相であった。

これら組成物に対して厚い１ ／ ：？’（ｉ、 ２７
ｃｍ ）直径の燐光体ペレットを２０−ＫＶｐＭｏ放射
に露光させ、そしてＥＭＩ−ゲネオム社製９６３５Ｑホ
トマルチプライヤ−を使用して燐光体から発生する光を
検出することによってそのＸ線性能を測定した。

発光の強度をＣａＷＯ４を使用して製造されたデュポン
社製「クロネックスＪ （Ｌｏ −Ｄｏｓｅ ／ ２
） ７７モグラフイースクリーンの等面積からのそれ
に比較した（表には相対強度として報告されている）。

緑色光対青色光に対するホトマルチプライヤ−の減少し
た感度および８０ＫＶｐ のＸ線ビームを使用して実現
されるＣａＷＯ４に相対的に上昇したＸ線吸収を考慮し
て、その有効速度はここに測定された相対強度よりも高
いと予想される。

適正に緑色光に対して増感させた「クロネクス４．ＪＸ
線フィルムについては、「クロネクス・ハル」／「クロ
ネクス４」スクリーン／フィルム組合せに相対的な有効
速度はその相対強度の約２倍と予想される。

有効速度は他の結果と共に表■に包含されている。

比較のための実験例Ｃは、ｙが約０．１５以上に上昇し
た場合発光が減少することを示し、そして比較例りは発
光がｙ構造がＭ構造に移行するにつれて減少することを
示す。

Ｍ構造は、４時間１６００℃にＭ′構造物質（実施例１
８と同一の操作で製造されたＹ。

、９９５ ’ｒｂｏ、。。５Ｔａｇ４を加熱することに
より製造された。

比較例ＣおよびＤの燐光体は本発明に有用ではない。

実施例２２〜３０および比較例Ｅ （Ｇ ｄ＋ ｙＴｂｙＴａ（）４ ） Ｍ′構造を有する組成物を実施例１に対して使用された
ものと同様の操作で製造した。

各製造に使用された酸化物の量は表■に示されている。

すべての生成物はＭ′構造を有する単−相であった。

こシれら組成物に関してはＸ線性能は実施例１７〜２１
に対して使用された操作により測定された。

その結果は表■に示されている。

比較例Ｅはｙが約０．１５以上に上昇した場合には発光
が減少することを示している。

比較例Ｅの燐光体は本発明には有用ではない。

実施例 ３１ （ＧｄＯ，９７ＴｂＯ，０３Ｔａ０４ ）５４．９７の
Ｔａ２０５．４３．７１’のＧｄ２Ｏ３，１，４０７の
Ｔｂ４０□および１００．００１のＬｉ２ＳＯ４の混合
物をアルミナ容器に入れ、そして１．２００℃で４時間
焼成した。

生成物を浸出および洗浄により回収しそして次いで乾燥
させた。

白色生成物についてのＸ線回折測定はそれが単−相であ
りそしてＭ′構造を有していることを示した。

実施例１７〜２１に対して使用された操作により測定さ
れた発光の相対強度は１．３６であった。

この結果は実施例１の操作により実施されそして予備焼
成段階および焼成段階の両方を使用した実施例２６のも
のと比較することができる。

実施例 ３２ （Ｇｄ０−９７ ＴｂＯ，０３Ｔａ０４ ）実施例３１
におけると同一の成分および操作を使用するがただし混
合物を２４時間焼成させて燐光体を製造した。

単−相Ｍ件放物は実施例１７〜２１に対して使用された
操作により測定した場合１．５９の発光相対強度を与え
た。

実施例 ３３〜３６ （Ｙｏ、５Ｇｄｏ、５．ＴｂｙＴａ０４ ）実施例１に
対して使用されたと同一の操作でＭ′構造を有する固溶
体組成物を製造した。

各組成物に対して使用された酸化物の量は表■に示され
ている。

すべての生成物はＭ′構造を有する単−相であった。

これら組成物に対して実施例１７〜２１で使用された操
作を使用してＸ線性能を測定した。

その結果は表■に示されている。

実施例 ３７ （Ｌｕ０．９９５ Ｔｂ０．００５ ’ｒａｏ４）本組
成物はｉｏ、ｏｏｏｙのＴａ２０６．８．９６３１のＬ
ｕ２Ｏ３および０．０４ｉのＴｂ２Ｏ３を使用する以外
は実施例１に対して使用されたと同一の操作で製造され
た。

この生成物はＭ′構造を有する単−相であった。

Ｘ線性能すなわち実施例１７〜２１に対して使用された
方法により測定された発光弓鍍は１．０であった。

実施例３８〜４０および比較例Ｆ （Ｙｌ −ｙＹｂ ｙＮｂ ｏ、。

５ Ｔ ａ ｏ 、 ｇ５０４ ）燐光体の固有速度を
適当な元素置換によって調整することができることを示
すために、前記ＹＮｂＸＴａ１−ＸＯ４の一態様である
、ここに測定されそして報告されている最高速度を有す
る燐光体すなわちＹＮｂｏ、 ｏ５ Ｔ’ａＯ−９５０
４のＹに対して種種のＹｂ量を置換使用した。

Ｍ′構造を有する組成物を実施例１に使用されたと同様
にして製造した。

各製造に使用された酸化物の量は表■に示されている。

すべての生成物はＭ′構造の単−相であった。これら組
成物に対して実施例１７〜２１に使用された方法によっ
てＸ線性能を測定した。

その結果は比較のための実施例１のＹＮｂ□、 ０５
Ｔ’ａＯ−Ｑ５ ｏ４に対するものと共に表■に示され
ている。

表中のすべての組成物の相対強度は実質的に同時に測定
された。

比較例Ｆの燐光体は本発明に有用ではない。

実施例４１〜４３および比較例Ｇ （Ｙｌ−ｙＧ’ｄｙＮｂｏ−ｏｓ ＴａＯ，９５Ｏ４）
燐光体速度調整のために組成物中のＧｄを置換させるこ
とができる。

このことを示すために種々の量のＧｄをここに測定され
記録されている最高速度を有する燐光体すなわち前に記
載されているＹＮｂＸＴａｌ−ＸＯ４の態様タル ＹＮｂｏ、。

５Ｔａｏ、、５０４中のＹに対して置換使用した。

Ｍ′構造を有する組成物は実施例１に対して使用された
と同様にして製造された。

各製造に対して使用された酸化物の量は表■に示されて
いる。

すべての生成物は単−相でありそしてＭ′構造を有して
いた。

これら組成物に対して実施例１７〜２１に対して使用さ
れた方法によってＸ線性能を測定した。

その結果は比較のための実施例１のＹＮｂｏ、ｏ５Ｔａ
Ｏ−９５０４に対する結果と共に表■に示されている。

表中のすべての組成物の相対強度は実質的に同一時間に
測定された。

比較例Ｇの燐光体は本発明では有用でない。

実施例４４〜４７および比較例Ｈ〜■ （Ｙｌ−ｙＩａｙＮｂｏ−ｏ５Ｔａｏ−Ｏ５０，＞）燐
光体中にＩａを混入させることによってもまた燐光体の
速度を調整することができる。

このことを示すために種々の量のＩａをここに測定され
そして記録されている最高速度を有する燐光体すなわち
前記のＹＮｂＸＴａｌ−ＸＯ４の態様であるＹＮｂｏ、
ｏ５Ｔａｏ、０，０４中のＹに対して置換使用した。

実施例１に対して使用されたと同様にしてＭ′構造を有
する組成物を製造した。

各製造に対して＊使用された酸化物の量は表Ｘに示され
ている。

すべての生成物はＭ′構造を有する単−相であった。

これら組成物に対して実施例１７〜２１に対して使用さ
れた方法によってＸ線性能を測定した。

その結果は比較のための実施例１の ＹＮｂｏ、。

５Ｔａｏ、９５０４に対するものと共に表Ｘに示されて
いる。

表中のすべての組成物の相対強度は実質的に同時に測定
された。

比較例Ｈおよび■の燐光体は本発明には有用ではない。

実施例 ４８ Ａ、約２０時間の間ボールミル中で次の成分をミル処理
することによって反射層形成用懸濁液を製造した。

ミル処理した懸濁液を沢過し、０．０１０インチ（０，
０２５４Ｃｒｒ１．）厚さの二軸配向ポリエチレンテレ
フタレートシート上に０．０１０インチ（０，０２５４
ＣＴＬ）湿潤時厚さにコーティングしそして乾燥させた
。

このコーティング操作を数回くりかえした。

Ｂ、 ホールミル中で約１０時間次の成分をミル処理
することによって燐光体懸濁液を製造した。

次いでこの燐光体懸濁液を前記Ａに記載のようにして製
造された反射性エンメント上にコーティングした。

この燐光体層コーティング重量は０．０１〜０．０３イ
ンチ（０，０２５４〜０．０７６２ｃＩｒＬ）厚さに変
動させた。

この方法で製造されたスクリーンはＸ線スクリーンとし
て使用するに適当であった。

これらスクリーンの各々を通常のＸ線フィルムの一部と
組合せて２ｍｍアルミニウムフィルターを通して８０Ｋ
Ｖｐ２ｍＡのＸ線単位に露光させることにより試験した
。

階段くさびおよび解像力ターゲットもまたＸ線光源とフ
ィルム／スクリーンとの間に（そして密着させて）置か
れた。

次いで各フィルムを通常のＸ線現像系中で現像し、定着
および洗浄した。

各試料に対してその速度および解像力を測定した。

これら測定はまた通常のタングステン酸カルシウム燐光
体を使用した対照試料に関しても実施された。

対照試料は同様のコーティング重量で同様の反射層上に
製造コーティングされていた。

比較したすべての試料に対してはＹＮｂＸＴａｌ−ＸＯ
４タイプの燐光体スクリーンはＣａＷＯ４スクリーンに
比較して改善された性能を示した。

これは解像力を燐光体コーティング重量に対してプロッ
トした第１図、およびパルｃａｗｏ４＝１．０に相対的
なスクリーン速度値を解像力に対してプロットした第９
図においてみることができる。

実施例 ４９ ボールミル中で約６時間次の成分をミル処理することに
よって燐光体懸濁液を製造した。

次いでこの燐光体懸濁液を実施例４８Ａに記載のように
して調製されそしてそれぞれのポリエチレンテレフタレ
ートフィルム支持体上にコーティングされている反射層
上にコーティングした。

燐光体の湿潤時厚さを約０．０２〜０．０４５インチ（
０，０５０８〜０．１１４３ＣＩｒＬ）に変動させて数
種の個々のコーティングを製造した。

乾燥波谷燐光体層上にセルロースエステル重合体の薄い
保護層をオーバーコーテイングし、そして次いでスクリ
ーンを約７０℃で一晩焼成（ベーキング）した。

このようにして製造された最終的スクリーンはＸ線スク
リーンとしての使用に対して非常に適当であった。

これらは実施例４８に記載のようにして試験された通常
のＣａＷＯ４スクリーンに比べた場合、それらは速度お
よび像尖鋭度において優れていた。

【図面の簡単な説明】

添付図面において、第１ａ図および第１ｂ図はそれぞれ
本明細書に開示されたようにして製造された本発明のＭ
′−タイプＹＮｂｏ、。 ５Ｔａｏ、９５０４および通常のセラミック技術により
製造されたＭ−タイプＹＮｂＯ，０５Ｔａｇ−９５Ｏ４
の走査電子顕微鏡写真を示し、第２図はＭ−タイプのＹ
ＴａＯ４およびＭ′−タイプのＹＴａＯ４に対するＸ線
粉末パターンのディフラクトメータースキャンを示し、
第３ａ図および第３ｂ図はそれぞれＭ−タイプＹＴａＯ
４およびＭ′〜タイプＹＴａＯ４のラマンスペクトルを
示し、第４図はＭ′−タイプＹＴａＯ４、ＧｄＴａＯ４
およびＬｕＴａＯ４、およびＣａＷＯ４の１８５μ層の
計算されたＸ線吸収を示し、第５図はＭ′−タイプのＹ
ＮｂＯ−０５Ｔａ０．９５０４およびＣａＷＯ４に対す
るＸ線励起下の発光スペクトルの比較を示し、第６図は
典型的Ｘ線強化スクリーンの断面を示し、第７図は本発
明のＸ線スクリーン対（ペア）および同様にしてＣａＷ
Ｏ４から製造されたＸ線スクリーン対に対する解像と全
燐光体コーティング重量とのプロットを示し、第８図は
本発明のスクリーン対およびＣａＷＯ４のそれに対して
計算されたＸ線吸収を示しそして第９図は本発明のＸ線
スクリーン対および同様にして製造されたＣａＷＯ４の
スクリーン対に対する相対速度と解像とのプロットを示
す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 単斜Ｍ′構造を有しそして （ａ）ＹＮｂｘＴａｌ−ＸＯ４（式中Ｘは０〜約０．１
   ５である）、 （ｂ） ＬｕＮｂＸＴａ、−ＸＯ４（式中Ｘは０〜約
   ０．２である）、 （ｃ） Ｙｌ−ｙＴｒｎｙＴａ０４ （式中ｙは０
   〜約０．０３である）、 （ｄ） （ａ）および（ｂ）の固溶体、（ｅ） （
   ａ）および（Ｃ）の固溶体、（ｆ）Ｙ、 、ＴｂｙＴ
   ａｇ４ （式中ｙは約０．００１〜約０．１５である）
   、 （ｇ） Ｌｕ Ｔｂ Ｔａ０４（式中ｙは約０．
   ００１〜ｉ −ｙ ｙ 約０．１５である）、 （ｈ）Ｇｄ１−ｙＴｂｙＴａＯ４（式中ｙは約００ＯＯ
   Ｊ〜約０．１５である）、 （ｉ） 曲論ｆ）、（ｇ）および（ｈ）の少（とも２
   種の固溶体、（ｊ） イツトリウム、ルテチウムまた
   はガドリニウムの４５モル％までをランタンで置換した
   前記（ａ）〜（ｆ）のいずれか、 （ｋ） イツトリウム、ルテチウムまたはガドリニウ
   ムの１５モル％までをイッテルビウムで置換した前ａα
   ａ）〜（旬のいずれか、および （１）イツトリウムまたはルテチウムの１５モル％まで
   をガドリニウムで置換した前記（ａ）、（ｂ）、（ｅ）
   、（ｄ）および（ｅ）のいずれか よりなる群から選ばれたＸ線強化スクリーン用燐光体。 ２ ＹＮｂｘＴａｌ−ＸＯ４（式中Ｘは約０．０２〜約
   ０．１０である）である、特許請求の範囲第１項記載の
   Ｘ線強化スクリーン用燐光体。 ３ ＹＮｂｏ、。 ５Ｔａｏ、９５０４である、特許請求の範囲第１項記載
   のＸ線強化スクリーン用燐光体。 ４ 約３〜１０μｍのサイズおよび約０．０７５〜０、
   ３００ ｔｒｉ：／ ？の表面積を有する粒子から構成
   されている、特許請求の範囲第１項記載のＸ線強化スク
   リーン用燐光体。 ５（ａ）化学量論的量の適当な前駆体酸化物を緊密に混
   合すること、 （ｂ） この得られる混合物を約１０〜約１４時間の
   間、約り０００℃〜約１２００℃で不活性容器中におい
   て空気中で予備焼成すること、 （ｅ） 得られる予備焼成混合物をＬｉ２ ＳＯ４、
   ＬｉＣ１およびＢａＣｌ２／ＬｉＣ１共融混合物よりな
   る群から選ばれた、混合物の全重量の１１５〜１／２の
   重量のフラックスと混合すること、（ｄ） フラック
   ス含有混合物を不活性容器中で約１１００℃から約１４
   ５０℃以下で少（とも約３時間焼成すること、そして （ｅ） 燐光体を回収すること の各段階を包含する、単斜Ｍ′構造を有しそして（ａ）
   ＹＮｂＸＴａ、 −Ｘ０４．（式中Ｘは０〜約０．１５
   である）、 （ｂ） ＬｕＮｂＸＴａ１−Ｘｏ、ｌ（式中Ｘは０〜
   約０．２である）、 （Ｃ）Ｙｌ−ｙＴｍｙＴａＯ４（式中ｙは０〜約０．０
   ３である）、 （ｄ） （ａ）および（ｂ）の固溶体、（ｅ） （
   ａ）および（Ｃ）の固溶体、（ｆ） ｙｌｒｂ Ｔ
   ａ０４ （式中ｙは約０．００１〜約０．１５である
   ）、 （ｇ）Ｌｕ１ ｙＴｂｙＴａｏ４ （式中ｙは約０．０
   ０１〜約０．１５である）、 （ｈ） Ｇｄ、 −ｙＴｂｙ’ｒａｇ４ （式中ｙは
   約０．００１〜約０．１５である）、 （ｉ） 前記げ）、（ｇ）およ店ｈ）の少くとも２種
   の固溶体、（ｊ） イツトリウム、ルテチウムまたは
   ガドリニウムの４５モル％までをランタンで置換した前
   記（ａ）〜（ｉ）のいずれか、 （ｋ） イツトリウム、ルテチウムまたはガドリニウ
   ムの１５モル％までをイッテルビウムで置換した前記（
   ａ）〜（ｉ）のいずれか、および（１）イツトリウムま
   たはルテチウムの１５モル％までをガドリニウムで置換
   した前記（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）および（ｅ）
   のいずれか よりなる群から選ばれたＸ線強化スクリーン用燐光体を
   製造する方法。 ６ フラックス含有混合物の焼成が約り１００℃〜約１
   ３００℃で実施される、特許請求の範囲第５項記載の方
   法。 ７（ａ）化学量論的量の適当な前駆体酸化物、およびＬ
   ｉ２ＳＯ４、ＬｉＣ１およびＢａＣｌ２／ＬｉＣ１共融
   混合物よりなる群から選ばれたフラックスを緊密に混合
   すること、 （ｂ） 得られた混合物を少（とも約４時間不活性容
   ・器中で約１１００℃から約１４５０℃以下で焼成させ
   ること、そして （ｃ） 燐光体を回収すること を包含する、単斜Ｍ′構造を有しそして （ａ） ＹＮｂ ｘ Ｔ ａ １ｘ ０４ （式中
   Ｘは０〜約０．１５である）、 （ｂ）ＬｕＮｂＸＴａ１−ＸＯ４（式中Ｘは０〜約０．
   ２である）、 （ｃ）Ｙｌ−ｙＴｍｙＴａ０４ （式中ｙはＯ〜約０
   ．０３である）、 （ｄ） （ａ）および（ｂ）の固溶体、（ｅ） （
   ａ）および（Ｃ）の固溶体、（ｆ）Ｙｌ−ｙＴｂｙＴａ
   Ｏ４（式中ｙは約ｏ、ｏｏｉ〜約０．１５である）、 （ｇ） Ｌｕ１−ｙＴｂｙＴａ０４ （式中ｙは約
   ０．００１〜約０．１５である）、 （ｈ）Ｇｄ１−ｙＴｂｙＴａＯ４（式中ｙは約０．００
   １〜約０．１５である）、 （ｉ） 前記げ）、（ｇ）および（ｈ）の少くとも２
   種の固溶体、（ｊ） イツトリウム、ルテチウムまた
   はガドリニウムの４５モル％までをランタンで置換した
   前記（ａ）〜（ｉ）のいずれか、 （ｋ） イツトリウム、ルテチウムまたはガドリニウ
   ムの１５モル％までをイッテルビウムで置換しり前筒ａ
   ）〜（ｉ）のいずれか、および （１）イツトリウムまたはルテチウムの１５モル％まで
   をガドリニウムで置換した前１Ｑａ）、（ｂ）、（Ｃ）
   、（ｄ）および（ｅ）のいずれか よりなる群から選ばれたＸ線強化スクリーン用燐光体を
   製造する方法。 ８ フラックスがＬｉ２ＳＯ４である、特許請求の範囲
   第７項記載の方法。 ９ 焼成が約り１００℃〜約１３００℃で実施される、
   特許請求の範囲第８項記載の方法。