JPS58220574A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS58220574A JPS58220574A JP57104319A JP10431982A JPS58220574A JP S58220574 A JPS58220574 A JP S58220574A JP 57104319 A JP57104319 A JP 57104319A JP 10431982 A JP10431982 A JP 10431982A JP S58220574 A JPS58220574 A JP S58220574A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
- H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/76816—Output structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、固体撮像装置に関する。
従来の固体撮像装置によると、電荷蓄積部がＣＣＤまた
はＲＦＩＤ等の電荷転送装置によって構成され、この電
荷蓄積部から蓄積′１荷ケ読み出丁読み出し部がＭＯ８
電界効果トランジスタ（ＭＯ８Ｆ］１ｉｉＴ）によって
構成されている。との読み出し部の出力トランジスタ、
即ちＭＯＳＦＥＴの出力電圧Ｖｏｕ ｔはこのＭＯＳ
Ｆ ＥＴが飽和領域で動作しているとき近似的にＴ式で
表・わされる。即ち、 Ｖｏｕｔ ＝ ＰＬ、−Ｉｄ ＝ ＲＬ−β（（Ｖｏｏ
−Ｖｏｕｔ） −ＶＴ但し、Ｉｄ ：出力トランジス
タのドレイン電流Ｖｏｏ ：出力トランジスタのケ°−
ト電圧■Ｔ：出カドラン・ゾスタの閾値電圧 β ：出力トランジスタの電流増幅率 前記出力電圧に応じた信号電荷に対する感度は次式によ
って表わされる。
はＲＦＩＤ等の電荷転送装置によって構成され、この電
荷蓄積部から蓄積′１荷ケ読み出丁読み出し部がＭＯ８
電界効果トランジスタ（ＭＯ８Ｆ］１ｉｉＴ）によって
構成されている。との読み出し部の出力トランジスタ、
即ちＭＯＳＦＥＴの出力電圧Ｖｏｕ ｔはこのＭＯＳ
Ｆ ＥＴが飽和領域で動作しているとき近似的にＴ式で
表・わされる。即ち、 Ｖｏｕｔ ＝ ＰＬ、−Ｉｄ ＝ ＲＬ−β（（Ｖｏｏ
−Ｖｏｕｔ） −ＶＴ但し、Ｉｄ ：出力トランジス
タのドレイン電流Ｖｏｏ ：出力トランジスタのケ°−
ト電圧■Ｔ：出カドラン・ゾスタの閾値電圧 β ：出力トランジスタの電流増幅率 前記出力電圧に応じた信号電荷に対する感度は次式によ
って表わされる。
但し、Ｑｓ：信号電向
ＣＦ：接地極に対する出カゲート電榛
の容量
この式から出カゲート電極容１が最も感度に影響してい
ることがわかるが実際には出カゲート容ｊｉは出力拡散
層の容量と出方トランジスタのケート電極界１との和で
ある。しかし感度に影ｗ’ｒ与えるのはゲートを極容１
である。従って、 ＣＦ＝Ａ ＠ ＣＯＸ 但し、ＣＯＸ：出方トランジスタのゲート容覇Ａニゲ−
ト１！極面積 また、（１）式より他の要素として出カトランジ）い スタのＩ（Ｌ及びβ（Ｖｏｏ −ＱＴ” ）が大きい方
が艮いが１（Ｌｉ１．ｃ読み出し速度の関係で余り大き
くできず従って（Ｖｏｏ −ＶＴ ）もさはと変えよう
かない。従って結局βｒ大きくし、ＣＦｉ小さくするし
かない。この場合、βは次式で表わされる。
ることがわかるが実際には出カゲート容ｊｉは出力拡散
層の容量と出方トランジスタのケート電極界１との和で
ある。しかし感度に影ｗ’ｒ与えるのはゲートを極容１
である。従って、 ＣＦ＝Ａ ＠ ＣＯＸ 但し、ＣＯＸ：出方トランジスタのゲート容覇Ａニゲ−
ト１！極面積 また、（１）式より他の要素として出カトランジ）い スタのＩ（Ｌ及びβ（Ｖｏｏ −ＱＴ” ）が大きい方
が艮いが１（Ｌｉ１．ｃ読み出し速度の関係で余り大き
くできず従って（Ｖｏｏ −ＶＴ ）もさはと変えよう
かない。従って結局βｒ大きくし、ＣＦｉ小さくするし
かない。この場合、βは次式で表わされる。
β−−−Ｃ０Ｘ−μ
但し、Ｌ：出力トランジスタのチャンネル長Ｗ：出力ト
ランジスタのチャンネル幅 ＣＯＸ ：ゲート電極の単位容ｌ゛ μ：モビリテ１ 上記式からβ音大きくするにはＬｉ小さくすることが最
も有効である。これによりＡも小さくなるのでＣＦ？小
さくすることにもなる。このＣＦケ小さくするためには
ＣＯＸも小さくすればよい。このｃｏｘ ’１小さくす
るためには例えば酸化膜？厚くすることが考えられるが
この酸化膜？厚くするとβが低下してし１うので好壕し
くない。従って、最終的にはＬｉ小さくするし −かな
い。Ｌは現在１′（・２：、！乃至３μｍに１で短縮さ
れるようになったがＬが４μｍのときに比べて感度は１
．５乃至２倍程度しか上らない。
ランジスタのチャンネル幅 ＣＯＸ ：ゲート電極の単位容ｌ゛ μ：モビリテ１ 上記式からβ音大きくするにはＬｉ小さくすることが最
も有効である。これによりＡも小さくなるのでＣＦ？小
さくすることにもなる。このＣＦケ小さくするためには
ＣＯＸも小さくすればよい。このｃｏｘ ’１小さくす
るためには例えば酸化膜？厚くすることが考えられるが
この酸化膜？厚くするとβが低下してし１うので好壕し
くない。従って、最終的にはＬｉ小さくするし −かな
い。Ｌは現在１′（・２：、！乃至３μｍに１で短縮さ
れるようになったがＬが４μｍのときに比べて感度は１
．５乃至２倍程度しか上らない。
他方、現在では固体撮像装置の高密夏化が進み、１つの
セルの面積が１丁１丁小さくなり検出すべき出力信号電
荷が小さくなっている。この之め、騎、み出し回路部の
筒感朋化が望１れている。しかし上述したようにＭＯ８
型トランジスタ會用いた読み出し回路部では大幅な感度
向上が望めない。
セルの面積が１丁１丁小さくなり検出すべき出力信号電
荷が小さくなっている。この之め、騎、み出し回路部の
筒感朋化が望１れている。しかし上述したようにＭＯ８
型トランジスタ會用いた読み出し回路部では大幅な感度
向上が望めない。
従って、この発明の目的に接合型電界効果トランジスタ
により出方トランジスタ全構成し高感度化全実現する固
体撮像装Ｗ？提供することにある。
により出方トランジスタ全構成し高感度化全実現する固
体撮像装Ｗ？提供することにある。
以下図面を参照してこの発明の実施例？詩明する。
第１図に示す固体撮像装置によると、電荷蓄積部？構成
する電荷転送素子ＪＩＶＣ＠、み出し回路の出力トラン
ジスタ１２が接続されている。
する電荷転送素子ＪＩＶＣ＠、み出し回路の出力トラン
ジスタ１２が接続されている。
電荷転送素子１１は第２図に示すように構成ばれる。即
ち、Ｐ型基板１３にＮ 型拡散領域１４及び１５が形成
される。基板１３上には絶縁層１６が形成され、この絶
縁層１６には出力ゲートｆｔ極１７及びリセット電極が
形成される。この場合、出力ゲート′電極１７は出力拡
散領域１４に近接して形成きれリセットを極１８はＮｆ
ｉ出力拡散佃域１４とＮ 型リセット電極づン拡散飴域
１５との間に形成される。転ｙ＊極１９は出力ゲートを
極１７の側において絶縁層１６上に形成される。出力拡
散領域１４は接合型電界効果トランジスタで構成される
出力トランジスタ１２のゲート領域２３に接続される。
ち、Ｐ型基板１３にＮ 型拡散領域１４及び１５が形成
される。基板１３上には絶縁層１６が形成され、この絶
縁層１６には出力ゲートｆｔ極１７及びリセット電極が
形成される。この場合、出力ゲート′電極１７は出力拡
散領域１４に近接して形成きれリセットを極１８はＮｆ
ｉ出力拡散佃域１４とＮ 型リセット電極づン拡散飴域
１５との間に形成される。転ｙ＊極１９は出力ゲートを
極１７の側において絶縁層１６上に形成される。出力拡
散領域１４は接合型電界効果トランジスタで構成される
出力トランジスタ１２のゲート領域２３に接続される。
出力トランジスタ１２は第３図に示すようにＰ型基板２
１に形成されたＮ型拡散領域２２會有し、このＮ型拡散
領域２２にＰあるいにＰ 型ゲート領域２３が形成され
る。このゲート領域２３の両側にＮ 型拡散佃域２４及
び２５が形成される。Ｐ 型拡散仰域２７が領域２３．
２４及び２５に囲繞するようにＮ型拡散領域２２内に形
成される。
１に形成されたＮ型拡散領域２２會有し、このＮ型拡散
領域２２にＰあるいにＰ 型ゲート領域２３が形成され
る。このゲート領域２３の両側にＮ 型拡散佃域２４及
び２５が形成される。Ｐ 型拡散仰域２７が領域２３．
２４及び２５に囲繞するようにＮ型拡散領域２２内に形
成される。
ところで、通常の接合型ＦＢＴによるとそのコンダクタ
ンスは次のよりになる。即ち、Ｖｄニドレイン電圧 ■ｇ：ゲート電圧 ■ｐ：ＦＥＴのピンチオフ′屯圧 ｑ：単位電荷像 μ：チャンネル部でのモビリティ ２ａ：ゲート深さ Ｗ：ゲート拡散幅 Ｌ：ゲート拡散長 Ｎ：チャンネル不純物濃度 しかし第３図に示す構造の接合型ＦＥＴ ｌ ２では、
通常の接合型Ｉ”Ｅ’ｌ’とｔｒＬ異なりチャンネル電
位を制御するゲート拡散層が拡散層２３のみによって形
成されチャンネル電位が基板２１９１ｊｌから制御され
るため第３図の接合型ＦＢＴ １２のコンダクタンスは
通常の接合型Ｆ’ＢＴのｔよは−に低下する。しかしＭ
Ｏ８型トランジスタに比べてＦＥＴ Ｊ ２のコンダク
タンスは通常の動作条件及び同じＷ／Ｌとした場合に有
利である、他方、ゲート容量に関しては、ゲート酸化膜
の膜厚ＴＯＸが例えば１００ＯＡであるとすると単位面
積当υの容量ｃｏｘはほぼ３．５４ Ｘ １０−’ Ｆ
Ａ市である。これに対し接合型ＦＥＴのゲート容量ＣＪ
ｔｄ、但し、Ｖ ｈ ＝３Ｖ 、 Ｖ Ｂ＝０．５ＶＮ
に１０１６ Ｃｓｉ ：シリコンの誘電率 となり、ＭＯ８型トランジスタの容量・ｃｏｘの約１／
８である。第１図及び第３図に示されるように特性向上
のため接合型ＦＥＴ １２のゲート領域２３がチャンネ
ルバリア領域２７と導通されているのでチャンネルバリ
ア細板２７の接合各賞もゲート容ｌに加算される。しか
しこれでもＭＯＳ ｍ ？ランジス゛りに対しゲート各
１は１／３程度になる。このゲート容奮比？更に小さく
しようとすれは第３図のＦＥＴ １２においてチャンネ
ルバリア領域２７ケゲート拡散佃域２３と導通きせない
で他の電位、例えばＶＨＤにノ（イアスする構造に変形
てれてもよい。また、第４図に示すように拡散領域２２
がエピタキシャル廣によって形成され、フローティング
ゲート拡散領域２９が設けられ、チャンネルバリア細板
２７？経由して表面のゲート傾城２３に接続されるよう
にしてもよい。尚、第４図のＦＥＴ Ｊ ２には基板２
１と同−導゛１型のアイソレーション拡散弔自埴３０が
形成されている。この場合、電荷転送素子１１とＰＥＴ
ｌ ２と會構造上調整する次めには、ＣＣＤ ４＠影
装置の場合、・電荷転送素子１１に埋込チャンネル型Ｃ
ＣＤレジスタとして構成され、その埋込拡散領域がエピ
タキシャル層１５によって形成されればよい。例えばＣ
ＣＩ）撮像装置ｉｔ、は次の条件に基すいて構成される
。即ち、埋込チャンネルＣＣＤの拡散領域の深さは１乃
至１．５μｍ１不純物濃度ｉ１０”／ｃｒ１前後、接合
１ｉ’ｇＴ （１）ゲート拡散領域の間隔２霞は略０．
６乃至１．０μｎ】、その不純物濃度は１０′６／ｃｒ
ｎ３前後である。
ンスは次のよりになる。即ち、Ｖｄニドレイン電圧 ■ｇ：ゲート電圧 ■ｐ：ＦＥＴのピンチオフ′屯圧 ｑ：単位電荷像 μ：チャンネル部でのモビリティ ２ａ：ゲート深さ Ｗ：ゲート拡散幅 Ｌ：ゲート拡散長 Ｎ：チャンネル不純物濃度 しかし第３図に示す構造の接合型ＦＥＴ ｌ ２では、
通常の接合型Ｉ”Ｅ’ｌ’とｔｒＬ異なりチャンネル電
位を制御するゲート拡散層が拡散層２３のみによって形
成されチャンネル電位が基板２１９１ｊｌから制御され
るため第３図の接合型ＦＢＴ １２のコンダクタンスは
通常の接合型Ｆ’ＢＴのｔよは−に低下する。しかしＭ
Ｏ８型トランジスタに比べてＦＥＴ Ｊ ２のコンダク
タンスは通常の動作条件及び同じＷ／Ｌとした場合に有
利である、他方、ゲート容量に関しては、ゲート酸化膜
の膜厚ＴＯＸが例えば１００ＯＡであるとすると単位面
積当υの容量ｃｏｘはほぼ３．５４ Ｘ １０−’ Ｆ
Ａ市である。これに対し接合型ＦＥＴのゲート容量ＣＪ
ｔｄ、但し、Ｖ ｈ ＝３Ｖ 、 Ｖ Ｂ＝０．５ＶＮ
に１０１６ Ｃｓｉ ：シリコンの誘電率 となり、ＭＯ８型トランジスタの容量・ｃｏｘの約１／
８である。第１図及び第３図に示されるように特性向上
のため接合型ＦＥＴ １２のゲート領域２３がチャンネ
ルバリア領域２７と導通されているのでチャンネルバリ
ア細板２７の接合各賞もゲート容ｌに加算される。しか
しこれでもＭＯＳ ｍ ？ランジス゛りに対しゲート各
１は１／３程度になる。このゲート容奮比？更に小さく
しようとすれは第３図のＦＥＴ １２においてチャンネ
ルバリア領域２７ケゲート拡散佃域２３と導通きせない
で他の電位、例えばＶＨＤにノ（イアスする構造に変形
てれてもよい。また、第４図に示すように拡散領域２２
がエピタキシャル廣によって形成され、フローティング
ゲート拡散領域２９が設けられ、チャンネルバリア細板
２７？経由して表面のゲート傾城２３に接続されるよう
にしてもよい。尚、第４図のＦＥＴ Ｊ ２には基板２
１と同−導゛１型のアイソレーション拡散弔自埴３０が
形成されている。この場合、電荷転送素子１１とＰＥＴ
ｌ ２と會構造上調整する次めには、ＣＣＤ ４＠影
装置の場合、・電荷転送素子１１に埋込チャンネル型Ｃ
ＣＤレジスタとして構成され、その埋込拡散領域がエピ
タキシャル層１５によって形成されればよい。例えばＣ
ＣＩ）撮像装置ｉｔ、は次の条件に基すいて構成される
。即ち、埋込チャンネルＣＣＤの拡散領域の深さは１乃
至１．５μｍ１不純物濃度ｉ１０”／ｃｒ１前後、接合
１ｉ’ｇＴ （１）ゲート拡散領域の間隔２霞は略０．
６乃至１．０μｎ】、その不純物濃度は１０′６／ｃｒ
ｎ３前後である。
上記実施例で説明したようにこの発明によると信号電荷
読み出し部の出力トランゾスタが接合型ＦＥＴによって
構成されているのでゲート入力容１°が従来のＭＯ８型
トランジスタ會用いた固体撮像装置に比べ１／３乃至１
／５程度に抑えられ、′！！几コンタークタンスに関し
てはＭＯ８型トランジスタに比較して第３図の構造では
１７２強稈度、第４図の構造でははは同等以上になり、
最終的に出力電圧に対するゲート入力容量及びコンダク
タンスの影響の度合？考えれば第３図の接合型１’ＥＴ
でも２乃至３倍程度の感度向上が藺待できる。このこと
は、固体撮像装置において受光セルの面積が１７２乃至
１／３に減ぜられても初期のレベルの信号が得られるこ
とケ意味し大きな利点となっている。特に、高品位テレ
ビジョンの仕様でに、走査線本数が現行ＮＴＳＣ方式の
５２５本に比べ倍以上の１１２５本となる。従って、高
品位仕様の固体撮像装置の画素数は１０００Ｘ １００
０以上、例えば垂直方向１１００ Ｘ水平方向１８００
、計２００万と想定される。このような大規Ｗな固体撮
像装置においては、′電荷蓄積部の全体の面積が１７３
以下に縮小できるということは固体撮像装置の歩留りの
点で）らも非常に有効である。また、高品位テレビジョ
ンと同程度の画質會有する電子スチールカメラ用固体撮
像装置としても電荷蓄積部の面積の縮／卦化及び秒み一
出一し速度の高速化が大きな利点となる。更に、付随的
効果として接合型ＦＩＴは多数キャリア半導体装置であ
るので高速読み出しに適している。
読み出し部の出力トランゾスタが接合型ＦＥＴによって
構成されているのでゲート入力容１°が従来のＭＯ８型
トランジスタ會用いた固体撮像装置に比べ１／３乃至１
／５程度に抑えられ、′！！几コンタークタンスに関し
てはＭＯ８型トランジスタに比較して第３図の構造では
１７２強稈度、第４図の構造でははは同等以上になり、
最終的に出力電圧に対するゲート入力容量及びコンダク
タンスの影響の度合？考えれば第３図の接合型１’ＥＴ
でも２乃至３倍程度の感度向上が藺待できる。このこと
は、固体撮像装置において受光セルの面積が１７２乃至
１／３に減ぜられても初期のレベルの信号が得られるこ
とケ意味し大きな利点となっている。特に、高品位テレ
ビジョンの仕様でに、走査線本数が現行ＮＴＳＣ方式の
５２５本に比べ倍以上の１１２５本となる。従って、高
品位仕様の固体撮像装置の画素数は１０００Ｘ １００
０以上、例えば垂直方向１１００ Ｘ水平方向１８００
、計２００万と想定される。このような大規Ｗな固体撮
像装置においては、′電荷蓄積部の全体の面積が１７３
以下に縮小できるということは固体撮像装置の歩留りの
点で）らも非常に有効である。また、高品位テレビジョ
ンと同程度の画質會有する電子スチールカメラ用固体撮
像装置としても電荷蓄積部の面積の縮／卦化及び秒み一
出一し速度の高速化が大きな利点となる。更に、付随的
効果として接合型ＦＩＴは多数キャリア半導体装置であ
るので高速読み出しに適している。
尚、上記実施例では、通常の接合型ＦＥＴが出力トラン
ジスタとして用いられているが接合型トランジスタに属
する靜１を誘導トランジスタ（ＢＩＴ）が出力トランジ
スタとして用いられてもよい。この場合、ＳＩＴの非飽
和性によって出力電圧のダイナミックレンジが太きくな
り、更に大きな効果が得られる。但し、このＳＩＴにお
いては・拡散領域２２の丙５．−物議度に通常の接合型
ＦＩＴに比べ約２ケタ程度下げ、例えば１０”／ｄとし
なけれはならないので埋込型電荷転送素子の埋込み拡散
と同一工程で８１Ｔ ｙ＜形ｒ＆尤することは困難であ
る。尚、実施例では電荷転送型固体撮像装置が示されて
いるがこの発明にｘ−Ｙアドレス型のような他の型式の
固体撮像装置にも適用できる。更に撮像装置に限らず、
例えばＣＣＵ 金一時記憶用メモリとして用いる場合に
も読み出し回路の高感度化によジＣＣＤの微弱な信号會
確実に斬み出すことができる。
ジスタとして用いられているが接合型トランジスタに属
する靜１を誘導トランジスタ（ＢＩＴ）が出力トランジ
スタとして用いられてもよい。この場合、ＳＩＴの非飽
和性によって出力電圧のダイナミックレンジが太きくな
り、更に大きな効果が得られる。但し、このＳＩＴにお
いては・拡散領域２２の丙５．−物議度に通常の接合型
ＦＩＴに比べ約２ケタ程度下げ、例えば１０”／ｄとし
なけれはならないので埋込型電荷転送素子の埋込み拡散
と同一工程で８１Ｔ ｙ＜形ｒ＆尤することは困難であ
る。尚、実施例では電荷転送型固体撮像装置が示されて
いるがこの発明にｘ−Ｙアドレス型のような他の型式の
固体撮像装置にも適用できる。更に撮像装置に限らず、
例えばＣＣＵ 金一時記憶用メモリとして用いる場合に
も読み出し回路の高感度化によジＣＣＤの微弱な信号會
確実に斬み出すことができる。
第１図はこの発明の一実施例に従った固体撮像装置の概
略平面図、第２図は第１図の２−２線に沿った固体撮像
装置の断面図、第３図に第１図の３−３線に沿った固体
撮像装置の断面図、そして第４図は他の実施例の固体撮
像装置の出力トランジスタの断面図である。 １１・・・電荷転送素子、１２・・・接合型戒界効果ト
ランジスタ、１３・・・基板、１４・・・出力拡散領域
、１５・・・リセットドレイン領域、１７・・・出力ゲ
ート電極、１８・・・リセット１！極、１９・・・転送
電極、２１・・・基板、２２・・・Ｎ型拡散領域、２３
・・・ゲート領域、２４．２５・・・Ｎ 型拡散領域、
２７・・・チャンネルバリア領域、２９・・・フローテ
ィングゲート拡散領域。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦Ｅ 第１・図 １フ 第３図 第４図 第１頁の続き ０発 明 者 田中俊平 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内 ０発 明 者 松井宏 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内 特５ １、事件の表示 特願昭５７−１０４３１９号 ２、発明の名称 固体撮像装置 ３、補正をする者 − 事件との関係 特許出願人 （０３７） オリンパス元学工業株式会社４、代理人 ５、自発補正 ６゜ ７゜ 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １．事件の表示 特願昭５７−１０４３１９号 ２、発明の名称 固体撮像装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０３７） オリンパス光学工呆株式・）社４、代理
人 う□； 、、□゛１Ｌ ６、補正の対象 □ ｉ７＋補正の内容 （１） 明細書中の第２頁第６行目に「Ｖｏｕｉ ＝
Ｐ、−Ｉｄ ＝ Ｒ，−β（（ＶＯＧ ”Ｏｕｔ ）
−”Ｔ Ｊとあるのを 「■ｏｕｔ＝ＲＬ−１ｄ＝ＲＬ−β（（ＶＯＧ −ｖｏ
ｕｔ） ”ＴＪＪと訂正する。 （２） 同第２頁第１４行目に （３）同第３頁第１行目に 正する。 （４） 同第７頁第１行目に ３８６
略平面図、第２図は第１図の２−２線に沿った固体撮像
装置の断面図、第３図に第１図の３−３線に沿った固体
撮像装置の断面図、そして第４図は他の実施例の固体撮
像装置の出力トランジスタの断面図である。 １１・・・電荷転送素子、１２・・・接合型戒界効果ト
ランジスタ、１３・・・基板、１４・・・出力拡散領域
、１５・・・リセットドレイン領域、１７・・・出力ゲ
ート電極、１８・・・リセット１！極、１９・・・転送
電極、２１・・・基板、２２・・・Ｎ型拡散領域、２３
・・・ゲート領域、２４．２５・・・Ｎ 型拡散領域、
２７・・・チャンネルバリア領域、２９・・・フローテ
ィングゲート拡散領域。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦Ｅ 第１・図 １フ 第３図 第４図 第１頁の続き ０発 明 者 田中俊平 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内 ０発 明 者 松井宏 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内 特５ １、事件の表示 特願昭５７−１０４３１９号 ２、発明の名称 固体撮像装置 ３、補正をする者 − 事件との関係 特許出願人 （０３７） オリンパス元学工業株式会社４、代理人 ５、自発補正 ６゜ ７゜ 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １．事件の表示 特願昭５７−１０４３１９号 ２、発明の名称 固体撮像装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０３７） オリンパス光学工呆株式・）社４、代理
人 う□； 、、□゛１Ｌ ６、補正の対象 □ ｉ７＋補正の内容 （１） 明細書中の第２頁第６行目に「Ｖｏｕｉ ＝
Ｐ、−Ｉｄ ＝ Ｒ，−β（（ＶＯＧ ”Ｏｕｔ ）
−”Ｔ Ｊとあるのを 「■ｏｕｔ＝ＲＬ−１ｄ＝ＲＬ−β（（ＶＯＧ −ｖｏ
ｕｔ） ”ＴＪＪと訂正する。 （２） 同第２頁第１４行目に （３）同第３頁第１行目に 正する。 （４） 同第７頁第１行目に ３８６
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） 撮像パターンに対応する電荷會蓄積する電荷蓄積
部と、前記電荷蓄積部の出力に接続される接合型電界効
果トランジスタ紫有し前記蓄積部の蓄積電荷ケ画像信号
として読み出す手段とで構成される固体撮像装置。 ２）前記）ランジスタにフローティングケート拡散層７
有する特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。 ３） 前記トランジスタに静電誘導トランジスタである
特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57104319A JPS58220574A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 固体撮像装置 |
| US06/500,303 US4611221A (en) | 1982-06-17 | 1983-06-02 | Solid state image pick-up device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57104319A JPS58220574A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58220574A true JPS58220574A (ja) | 1983-12-22 |
| JPH0412068B2 JPH0412068B2 (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=14377609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57104319A Granted JPS58220574A (ja) | 1982-06-17 | 1982-06-17 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4611221A (ja) |
| JP (1) | JPS58220574A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS615680A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-11 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS6146680A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-06 | Shoichi Tanaka | 電荷検出回路 |
| JP2007278760A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Toyohashi Univ Of Technology | 化学・物理現象検出装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442992A (en) * | 1987-08-08 | 1989-02-15 | Olympus Optical Co | Solid-state image pickup device |
| JP2727584B2 (ja) * | 1988-09-20 | 1998-03-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP3036175B2 (ja) * | 1991-11-11 | 2000-04-24 | 日本電気株式会社 | 電荷転送装置 |
| US5563429A (en) * | 1994-06-14 | 1996-10-08 | Nikon Corp. | Solid state imaging device |
| US5712498A (en) * | 1996-08-26 | 1998-01-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Charge modulation device |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3721839A (en) * | 1971-03-24 | 1973-03-20 | Philips Corp | Solid state imaging device with fet sensor |
| US3886582A (en) * | 1972-04-05 | 1975-05-27 | Sony Corp | Field effect transistor |
| NL7308240A (ja) * | 1973-06-14 | 1974-12-17 | ||
| US4427990A (en) * | 1978-07-14 | 1984-01-24 | Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai | Semiconductor photo-electric converter with insulated gate over p-n charge storage region |
-
1982
- 1982-06-17 JP JP57104319A patent/JPS58220574A/ja active Granted
-
1983
- 1983-06-02 US US06/500,303 patent/US4611221A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS615680A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-11 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS6146680A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-06 | Shoichi Tanaka | 電荷検出回路 |
| JPH0515345B2 (ja) * | 1984-08-10 | 1993-03-01 | Shoichi Tanaka | |
| JP2007278760A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Toyohashi Univ Of Technology | 化学・物理現象検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4611221A (en) | 1986-09-09 |
| JPH0412068B2 (ja) | 1992-03-03 |
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