JPS58216903A - 厚さ測定装置 - Google Patents

厚さ測定装置

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JPS58216903A
JPS58216903A JP9940782A JP9940782A JPS58216903A JP S58216903 A JPS58216903 A JP S58216903A JP 9940782 A JP9940782 A JP 9940782A JP 9940782 A JP9940782 A JP 9940782A JP S58216903 A JPS58216903 A JP S58216903A
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JP
Japan
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reflected
light
ccd
film
luminous flux
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JP9940782A
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English (en)
Inventor
Hidekazu Sekizawa
秀和 関沢
Akito Iwamoto
岩本 明人
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS58216903A publication Critical patent/JPS58216903A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、厚さ測定装置に係り、特に透光性物質等を
対象とする厚さ測定装置に関する。
[発明の従来技術及びその問題点] 例えばフィルムの厚さを測定する手段としてはマイクロ
メータが使用されていたが、接触型のため被測定物であ
るフィルムに傷がつきやすく、また金属板等に貼られた
フィルムの場合には金属板の厚さを差し引いて測定しな
ければならず、直接にフィルムのみの厚さを測定するこ
とが出来なかった。
これに対し、特開昭57年4504号公報に示されるよ
うに、被測定物に対する光線の入射角度及び反射角度の
変位により、被測定物の厚さを測定する技術が公知であ
る。この技術によると光を用いており、非接触型なので
、被測定物に傷をつけることはない。しかし、例えば、
王冠のシール材のように金属板に貼られたフィルムの厚
さを測定しようとすると、被測定物と光源との位置設定
を重鐘に行わないと、反射強度が変化してしまい、測定
ができなくなってしまった。被測定物を測定の度毎に正
確に角度設定していると、どうしても検査に時間を要し
てし斗い能率的ではない。又、フィルムに光を照射し、
その透過光の強度から厚さを測定する装置もあるが、透
過率が極めて大きいフィルムや厚さが極めて薄いフィル
ムでは減衰量が少ないため、高精度な測定が困難であ−
た。
[発明の目的] この発明は、以上の欠点を除去し、非接触の測定で、か
つ、被測定物の設定に関し多少の誤差があっても1F確
に厚さを測定できる厚さ測定装置を提供することを目的
とする。
[発明の概要] この発明は第1の反射面及び第2の反射面との距離の測
定に際し、同一の光による第1及び第2の反射面からの
第1及び第2の反射光がもはや同一光路ではなく、第1
及び第2の反射面の距離に応じて異なる光路を取ること
に着目しなされたもので、ラインセンサ上で第1及び第
2の反射光を受光し、ラインセンサ上での第1及び第2
の反射光の検出位置から第1及び第2の反射面の距離を
求めるものである。
[発明の効果] この発明によれば、同一の光に起因する第1及び第2の
反射光を同一のラインセンサ上で検出しその受光位置間
の距離さえ求めればよいので光源と第1及び第2の反射
面との位置関係は正確に1〜なくとも測定は正確に行わ
れる。
[発明の第1の実施例] 第1図に従って第1の実施例を説明する。この実施例に
係る装置は、王冠の裏に貼り付けられるシールの厚さを
測定するものである。この実施例に係る装置は、He−
NeL/−ザー0])と、とのHe −Neレーザーα
υからのレーザー光をx、X方向共に拡げる凸レンズ(
81)と、この凸レンズ(81)からのレーザー光を一
方向(X方向と呼ぶ)のみに集束させる円筒状レンズ(
82)と、この円筒状レンズ(82)からのレーザー光
が王冠0■のフィルムα荀に反射された反射光を再びX
方向のみに集束させCCD(Charge −Coup
led Device ) (84)上に結像させる結
像レンズ(8ニー1)と、CCD(84)からの電気信
号を処理する処理部(亜)とから成る。
円筒状レンズ(82)から出たレーザー光は、X方向に
拡がりX方向には集束された線状の光束となってフィル
ム(■(イ)に反射され結像レンズ(F!;J’)を介
しCOD (84)上に結像される一部 CCD(84
)は、その受光面がレーザー光の進行方向に対しθ″を
なすように設けられる。
He −Neレーザー0υからのレーザー光は、王冠0
□□□のフィルム04)上に照射される0この時、レー
ザー光は第2図に示されるように一部は、フィルム04
)面上で反射し表面反射光(21)となり、一部は同一
面で屈折し、フィルム(14)内を進行後王冠a濠とフ
ィルムOaとの境界で反射し、再びフィルム(14)の
外に進行し、裏面反射光(2りとなる。ここで、フィル
ム04)の屈折率をn吉l−入射レーザー光の入射角を
θ、屈折角をθ′とすると、 sinθ=nsinθ′・・・(1) という関係を有する。
次に、レーザー光の入射位置と、このレーザー光が王冠
(■3)及びフィルムα荀との境界で反射し、フィルム
Iと外気との境界に現われてくる位置との距離差を21
としフィルム(141の厚さをdとすると、21= 2
 d tanθ’       ・−(2+となる。
又、表面反射光Oυ及び裏面反射光(22)との距離に
は、 k : 21 Gosθ      ・・・・・・(3
)となる。以−Fより 一部 a −d     ・・・・・・(4)きなる。
実際の王冠a東のフィルム0荀は、屈折率n−15前後
のものが多い。そこでn = 1.5とし、入射角θを
変数とし、aの変化をみると、第3図に示されるように
、θ中500付近で最大値をとる。従って第1図に示さ
れる実施例ではフィルム04)への入射角θを50°と
設定する。蛇足ながら付は加えると、入射角θは、入射
光線とフィルム(14)面に対する法線とのなす角度で
ある。
このような反射光は、各々異なる光路で、CODは1発
振器(86)からの駆動パルス信号により、受光径変換
した電気信号を外部に転送する。
このCCD(84)から転送された電気信号は、処理部
(亜)において処理される。この処理部(2)は、CC
D(84)を駆動させるパルス信号を発生する発振器(
ア)と、COD (84)から転送された電気信号を増
幅する増幅器(87)と、この増幅器(87)からの電
気信号を一定振幅の電気信号に変換する自動利得制御回
路(88)と、この自動利得制御回路(88)からの電
気信号の時間に対する変化率を求める微分回路(89)
と、この微分回路(89)からの電気信号を閾値を基準
にして2値化する2値化回路(90)と、この2値化回
路(90)の信号によってオン・オフされ、オン時に発
振器(86)からのパルス信号を出力し、オフ時には、
零信号を出力するゲート回路(91)と、このゲート回
路(91)からのパルス信号数を計数するカウンタ(9
2)と、このカウンタ(92)で計数されたパルス信号
数に適当な係数を乗じるCPU(93)と、とのCPU
 (9:3)で算出された厚さを表示する表示器(94
)とから成る。
カウンタ(92)で計数されるパルス信号数は、前述の
実施例と同様に、フィルム(14)の厚さに比例1〜で
いる。この比例係数は、CCD (84)の画素のピッ
チ及びフィルム(14)からの反射光とCCD(84)
の受光面とのなす角θ′によって決定される。CPU(
93)はこれらの因子に基づいてカウンタ(92)での
計数値に比例定数を掛け、フィルム(+aの厚さを得、
表示らの光束を走査させることなく、電荷転送素子とし
てCCD(84)を用い、実質上走査を行なっている点
に特徴がある。又、測定する王冠(13)毎に位置が変
動しても、X方向に拡がり、X方向には集束した線状の
光束を用いているので、CCD(84)に対する光束の
入射位置に多少の変動があっても、必らずCCD(84
)の光電変換面上に光束が照射される。
即ち、He −NeレーザーαD及び被測定物である王
冠(l(至)の相対位置関係は、それ程正確に設定しな
くとも、測定は精度よく行われる。
。。実11p fll、T (7)や置4、第ψ+g+
 Kイヶゎ、第汐。
実施例とほぼ同様であるが、CCD(84)の電荷を転
送するパルス信号を発生する発振器(86)とゲート回
路(91)を介し、カウンタ(92)で計数されるパル
ス信号を発生する発振器(95)とを独立に設けた薇に
特徴がある。
このようにすると、発振i (95)からのパルス信号
の周辣数を、CCD(84)の電荷転送パルスと関係な
く設定できる。従って1発振器(95)からのパルス信
号を任意に設定することにより、カウンタ(92)での
計数が直接厚さに相当するようにすることが可能である
[発明の第3の実施例] 次に、ブラウン管のシャドーマスクドカラスパネルとの
間の距1を測定する実施例について説明する。
この実施例での装置は、第10図に示されるように、H
e −Ne t/ −(J’ −(100)と、このH
e −Ne レーザー(100)からのレーザー光を集
束させる第1の集束レンズ(101)と、この第1の集
束レンズ(101)からのレーザー光が、シャドーマス
ク(102)及びガラスパネル(103)に反射された
後集束させる第2の集束レンズ(104)と、この第2
の集束l/ンズ(104)からのレーザー光を受光する
C CD (105)とから成る。   。
He −Ne v−ザー(100)からのレーザー光は
、シードマスク(102)上で反射する第1の反射光と
ガラスパネル(103)の内表面で反射する第2の反射
光と、ガラスパネル(103)の外表面で反射する第3
の反射光とに分離する。これら3個の反射光は、CCl
5(105)の受光面上の異なった位置に結f象する。
従って、COD (105)からの信号によって、シャ
ドーマスク(102)とガラスパネル(103)の内表
面との距離及びガラスパネル(103)の厚さが測定さ
れる。
従来、ブラウン管内のシャドーマスクとガラスパネルと
の距離の測定は、シャドーマスク七ガラスパネルとを固
定しているバネ等を取りはずし。
エアーマイクロによって行われていた。Lころがこの実
施例では、非接触型の測定であり、しかもガラスパネル
にシャドーマスクが固定されたままで測定が可能である
だめ、高速測定が可能である。
また測定の誤差も少ない。
以上この発明の実施例について詳述しだが、この発明は
、これらの実施例には何ら拘束されない。
光源は、He −Neレーザーばかりでなく、光を発す
るものであれば何でもよく、半導体レーザー。
普通の光等でもよい。又、円筒状レンズを用いて線状の
光束とする必要もない。
被測定物である第1及び第2の反射面は、王冠等のシー
ル、ブラウン管で構成されなくとも良く第1及び第2の
反射面を構成する物質は、第2の反射面からの反射光が
検出できるような透明度又は孔を有するものであればよ
い。
ラインセンサは、CCDには限定されず、光を受光した
位置の情報を出力する検出器であればよい。
Oυ 又、処理部としては、ラインセンサ上の反射光の受光位
置の差を検出できればよく、実施例には限定されない。
このように、この発明の趣旨を逸脱しない限りどのよう
な変形をも、この発明に含まれるのは当然である。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第8図はこの発明に係る実施例を示し、第1
図は、第1の実施例に係る装置の構成を示す図、第2図
、第3図及び第5図は、第1図に示される装置での測定
を説明するだめの図、第4図及び第6図は、測定結果を
示す波形図、第7図及び第8図は第2及び第3の実施例
に係る装置の構成を示す図である。 aυ、 (100)・・・光源、   (84)・・・
ラインセンサ、(部)・・・処理部。 tlり 笛 シ 団 第1図 // 一一一] 何う   〜   剛 第3図 L                        
         Jα 15−

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光源と、この光源から照射された光が第1の反射
    面で反射された第1の反射光及び前記第1の反射面で反
    射されず前記第1の反射面と対向する第2の反射面で反
    射された第2の反射光とを受光しこの受光位置を情報と
    して出力するラインセンサと、このラインセンサからの
    出力信号から前記第1及び第2の反射面との距離を算出
    する処理部とを備えることを特徴とする厚さ測定装置。
  2. (2)ラインセンサを電荷転送素子で構成することを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載の厚さ測定装置。
  3. (3)第1及び第2の反射面を透光性物質の表裏面とで
    構成することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    厚さ測定装置。
  4. (4)第1の反射面を孔を有する物体で構成することを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の厚さ測定装置。
JP9940782A 1982-06-11 1982-06-11 厚さ測定装置 Pending JPS58216903A (ja)

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