JPS58216075A - ポリ塩化ビフエニルの脱塩素化法 - Google Patents
ポリ塩化ビフエニルの脱塩素化法Info
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- JPS58216075A JPS58216075A JP9867282A JP9867282A JPS58216075A JP S58216075 A JPS58216075 A JP S58216075A JP 9867282 A JP9867282 A JP 9867282A JP 9867282 A JP9867282 A JP 9867282A JP S58216075 A JPS58216075 A JP S58216075A
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- Japan
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- pcb
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- decomposition
- pcbs
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はポリ塩化ビフェニル（以下、ＰＣＢと略称す
る）の脱塩素化法忙係わるものである。
る）の脱塩素化法忙係わるものである。
ＰＣＢは極めて毒性の強い化合物であり、ＰＣ）３や、
このものを含む廃液の処理は今後、２０年以上にわたっ
て続くと予測されている。ＰＣＢを無害化する処理方法
は従来種々提案されているが、現時点で最も有効と考え
られているのは酸化燃焼法である。酸化燃焼法はＰＣＢ
をＣＯ２、Ｈ２Ｏ、ｃｔ２ Ｋ分解して完全無害化を意
図するものであるが、ＰＣＢは難燃性であるため、燃焼
炉内を著しく高い温度に１例えばおよそ１３００℃、１
秒以上という高温処理を必要とし、燃料費のほか施設と
その維持管理に多大の経費を要する。更に酸化燃焼を行
なう限り、分解中間物として、伝えばポリ塩化ジベンゾ
フラン（以下ＰＣＤＦと略称する）やポリ塩化ジベンゾ
ジオキシン（以下ＰＣＤＤと略称する）のような酸化生
成物の副生が避けられず、これら酸化生成物の毒性はＰ
ＣＢよυはるかに大きいとみられておυ、かかる二次公
害の懸念もあって、これがこの方法の実用化上の難点と
なっている。
このものを含む廃液の処理は今後、２０年以上にわたっ
て続くと予測されている。ＰＣＢを無害化する処理方法
は従来種々提案されているが、現時点で最も有効と考え
られているのは酸化燃焼法である。酸化燃焼法はＰＣＢ
をＣＯ２、Ｈ２Ｏ、ｃｔ２ Ｋ分解して完全無害化を意
図するものであるが、ＰＣＢは難燃性であるため、燃焼
炉内を著しく高い温度に１例えばおよそ１３００℃、１
秒以上という高温処理を必要とし、燃料費のほか施設と
その維持管理に多大の経費を要する。更に酸化燃焼を行
なう限り、分解中間物として、伝えばポリ塩化ジベンゾ
フラン（以下ＰＣＤＦと略称する）やポリ塩化ジベンゾ
ジオキシン（以下ＰＣＤＤと略称する）のような酸化生
成物の副生が避けられず、これら酸化生成物の毒性はＰ
ＣＢよυはるかに大きいとみられておυ、かかる二次公
害の懸念もあって、これがこの方法の実用化上の難点と
なっている。
またＰＣＢ処理として、水素を吹きこむ方法、ニッケル
、パラジウム等の金属存在下、水素による方法など、還
元脱塩素化法も提案されているが、水素や、高価な金属
触媒を使用する点などで工業的実施化上１、なお問題が
残きれている。
、パラジウム等の金属存在下、水素による方法など、還
元脱塩素化法も提案されているが、水素や、高価な金属
触媒を使用する点などで工業的実施化上１、なお問題が
残きれている。
本発明者等はかかる問題点を解消するため鋭意研究を重
ね本発明を完成するに到った。本発明は、比較的低温で
、有毒なＰＣＢの酸化生成物の副生を阻止し、工業的有
利にＰＣＢを無害化する方法を提供することを目的とす
るものであつて、その発明の要旨とするところはポリ塩
化ビフェニル又はこのものの含有物を、実質的に無酸素
状態で、高温下、炭素と接触させることを特徴とするポ
リ塩化ビフェニルの脱塩素化法に存する。
ね本発明を完成するに到った。本発明は、比較的低温で
、有毒なＰＣＢの酸化生成物の副生を阻止し、工業的有
利にＰＣＢを無害化する方法を提供することを目的とす
るものであつて、その発明の要旨とするところはポリ塩
化ビフェニル又はこのものの含有物を、実質的に無酸素
状態で、高温下、炭素と接触させることを特徴とするポ
リ塩化ビフェニルの脱塩素化法に存する。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明方法は実質的に酸素を存在させない算囲気下で、
高温下、炭素と接触させてＰＣＢを還元分解するもので
あり、ＰＣＢは脱塩素されて炭化水素と塩素（塩化水素
）忙される。
高温下、炭素と接触させてＰＣＢを還元分解するもので
あり、ＰＣＢは脱塩素されて炭化水素と塩素（塩化水素
）忙される。
この分解脱塩素を良好に遂行するための条件を求めて次
のような実験を行なった。即ち内径０、８ ｃｍ、長さ
３０ｃＩｎのパイレックスガラスカラムの中に活性炭（
６０〜８０メツシユ） ４．５ ｔを２２ｃｒｎの長さ
に充填し、これを所望の温度に調整し得る電気炉内に装
填する。反応系内妊は空気が自由に入らぬようにする。
のような実験を行なった。即ち内径０、８ ｃｍ、長さ
３０ｃＩｎのパイレックスガラスカラムの中に活性炭（
６０〜８０メツシユ） ４．５ ｔを２２ｃｒｎの長さ
に充填し、これを所望の温度に調整し得る電気炉内に装
填する。反応系内妊は空気が自由に入らぬようにする。
ＰＣＢは活性炭充填層に注入され、高温に加熱されてい
る活性炭忙接し、ガス化、吸着、分解を経て、生成した
炭化水素と塩酸は活性炭層に吸着保持される。
る活性炭忙接し、ガス化、吸着、分解を経て、生成した
炭化水素と塩酸は活性炭層に吸着保持される。
ＰＣＢの分解率は生成した塩素イオンを硝酸銀滴定法に
より定量して算出する。
より定量して算出する。
このような試験方法により、先ずＰＣＢ分解に及ぼす温
度の影響について検討した。
度の影響について検討した。
ＰＣＢとしては六塩化ビフェニルを含有量１０，０００
ｐｐｍになるようにヘキサンに溶かした溶液を用いた。
ｐｐｍになるようにヘキサンに溶かした溶液を用いた。
六塩化ビフェニルは塩素含有量が高（、物理的にも化学
的にも安定度が高く、従ってこのもので分解が充分進行
すれば、三塩化ビフェニル乃至五塩化ビフェニルにも適
用し得ると考えられる。
的にも安定度が高く、従ってこのもので分解が充分進行
すれば、三塩化ビフェニル乃至五塩化ビフェニルにも適
用し得ると考えられる。
温度は１００℃より１００℃づつ高く、６００℃の範囲
まで昇温し、それぞれの温度において、上記ＰＣＢ溶液
を０．２５−注入し、注入後、５分間所定の温度で反応
させ、５分後、直ち忙ガラスカラムを電気炉から取出し
放冷する。室温まで放冷した後、カラム内に蒸留水５０
−を流して塩素イオンを完全忙溶出し、Ｎ／１００ Ａ
ｇＮＯ３（１ｖｌは０．３９１１９Ｃｔイオンに相当）
で塩素イオンを滴定し、ＰＣＢの分解率を求めた。その
結果を第２図に示す。
まで昇温し、それぞれの温度において、上記ＰＣＢ溶液
を０．２５−注入し、注入後、５分間所定の温度で反応
させ、５分後、直ち忙ガラスカラムを電気炉から取出し
放冷する。室温まで放冷した後、カラム内に蒸留水５０
−を流して塩素イオンを完全忙溶出し、Ｎ／１００ Ａ
ｇＮＯ３（１ｖｌは０．３９１１９Ｃｔイオンに相当）
で塩素イオンを滴定し、ＰＣＢの分解率を求めた。その
結果を第２図に示す。
第２図において、横軸は温度（℃）、縦軸は大塩化ビフ
ェニルの破壊効率（旬を示す。この結果をみると、１０
０℃では殆んど分解されないが、２００℃を越えると分
解率は上昇し始め、３５０℃を過ぎると分解率は急激に
上昇し、４００℃では分解率は実質１００％ＫＭする。
ェニルの破壊効率（旬を示す。この結果をみると、１０
０℃では殆んど分解されないが、２００℃を越えると分
解率は上昇し始め、３５０℃を過ぎると分解率は急激に
上昇し、４００℃では分解率は実質１００％ＫＭする。
しかし４００℃を過ぎると測定可能な塩素量が減少し始
める。よってカラム内の残留物についてガスクロマトグ
ラフィー（電子捕獲型検出器付き装置使用）で分析した
ところＰＣＢは完全に分解され、存在していないことが
確認された。
める。よってカラム内の残留物についてガスクロマトグ
ラフィー（電子捕獲型検出器付き装置使用）で分析した
ところＰＣＢは完全に分解され、存在していないことが
確認された。
上記のように、反応系の温度を少くとも４００℃にすれ
ば、充分にＰＣＢの分解能力があることが確認されたが
、これを効率的に実施するため連続化して処理時間を短
縮する可能性について検討した。即ち４００℃、５００
℃および６００℃の温度において、１０秒、５０秒、６
０秒、１２０秒、２４０秒、３００秒および６６０秒で
の分解効率を六塩化ビフェニルについて測定した。
ば、充分にＰＣＢの分解能力があることが確認されたが
、これを効率的に実施するため連続化して処理時間を短
縮する可能性について検討した。即ち４００℃、５００
℃および６００℃の温度において、１０秒、５０秒、６
０秒、１２０秒、２４０秒、３００秒および６６０秒で
の分解効率を六塩化ビフェニルについて測定した。
操作は上記の方法に準じて行ない、効率の算出はＡｇＮ
０５滴定法によった。なお、さきにも述べたように、５
００℃および６００℃での処理で、実際には実質１００
％分解を示すＫもかかわらすＡｇＮＪＫよる塩素イオン
測定では数値が低くなるので、５００℃および６００℃
におけるＡｇＮ０ｇ法測定結未測定結果均値を１００チ
とし、各時間における破壊効率を出した。
０５滴定法によった。なお、さきにも述べたように、５
００℃および６００℃での処理で、実際には実質１００
％分解を示すＫもかかわらすＡｇＮＪＫよる塩素イオン
測定では数値が低くなるので、５００℃および６００℃
におけるＡｇＮ０ｇ法測定結未測定結果均値を１００チ
とし、各時間における破壊効率を出した。
その結果を第３図に示す。第３図において、横軸は処理
時間、縦軸は破壊効率（％）であり、図中、３１は６０
０℃、６２は５００℃、３３は４００℃の処理温度に関
するものである。この結果をみると、４００℃ではＰＣ
Ｂを１００％分解するのに４分以上を要するが、６００
℃では１０秒以内で完全に分解されることが認められ、
連続方式をとることが可能であると考えられる。
時間、縦軸は破壊効率（％）であり、図中、３１は６０
０℃、６２は５００℃、３３は４００℃の処理温度に関
するものである。この結果をみると、４００℃ではＰＣ
Ｂを１００％分解するのに４分以上を要するが、６００
℃では１０秒以内で完全に分解されることが認められ、
連続方式をとることが可能であると考えられる。
更に第２図の結果を併せ考えると、４００℃以下でも、
例えば６８０℃以上でも処理時間を幾分長（することに
より、充分分解が達成されると考えられる。特に上記第
３図の結果は安定度の畠い六塩化物についてのものであ
り、よってこれよりも安定度の低い三塩化ビフェニル、
四塩化ビフェニルおよび五塩化ビフェニルについ【上記
と同様にして処理時間と破壊効率との関係を測定した。
例えば６８０℃以上でも処理時間を幾分長（することに
より、充分分解が達成されると考えられる。特に上記第
３図の結果は安定度の畠い六塩化物についてのものであ
り、よってこれよりも安定度の低い三塩化ビフェニル、
四塩化ビフェニルおよび五塩化ビフェニルについ【上記
と同様にして処理時間と破壊効率との関係を測定した。
この測定はそれぞれのＰＣＢ間の差を明確にするため反
応温度を４００℃とした。その結果を第４図に示す。第
４図において、横軸は処理時間（分）、縦軸は破壊効率
（％）であり、図中、４１は三塩化物、４２は四塩化物
、４３は五塩化物、４４は六塩化物に関するものである
。
応温度を４００℃とした。その結果を第４図に示す。第
４図において、横軸は処理時間（分）、縦軸は破壊効率
（％）であり、図中、４１は三塩化物、４２は四塩化物
、４３は五塩化物、４４は六塩化物に関するものである
。
この結果からみて、塩素含有量の低いＰＣＢ ？分解所
要時間は塩素含有量の低下に伴って短かくなっている。
要時間は塩素含有量の低下に伴って短かくなっている。
従って塩素含有量の低いＰＣＢ Ｋついては４００℃以
下でも分解可能と考えられ、本発明方法を実施する・際
の温度は３８０℃以上、上限は分解達成の見地からは特
に限界はないが、工業的実施面からみて１０００℃以下
、好ましいのは４００〜８００℃の範囲である。
下でも分解可能と考えられ、本発明方法を実施する・際
の温度は３８０℃以上、上限は分解達成の見地からは特
に限界はないが、工業的実施面からみて１０００℃以下
、好ましいのは４００〜８００℃の範囲である。
次に被処理ＰＣＢを反応器に連続的に仕込んで分解を行
った実施例を説明する。
った実施例を説明する。
この実施例では添付図面第１図に示す装置を用いた。第
１図において、１はＰＣＢ溶液の貯槽、２はＰＣＢ溶液
の導管（ステンレス製、内径０．３１ｍ ）であって、
その先端は貯槽１内のＰＣＢ溶液中に浸漬し、空気が導
入されないようにしである。６は反応管（内径１．５Ｃ
１１Ｍの石英ガラス管）であり、反応管３内には活性炭
（６０〜８０メツシユ）が４．５ｆ充填される。５は電
気炉であり、所望の温度に調整、維持できる。６は反応
管３からの排気を洗浄器７に導く導管であり、洗浄器７
には水を入れておき、ここで洗浄されたガスはコンデン
サー８を経て捕集器９に入る。捕集器９ Ｋはフロリジ
ル（Ｆｌｏｒｉｓｉｌ ）が充填されておシ、導入され
てくるガス中に％ＰＣＢ％ＰＣＤＦＰＣＤＤ等が混在し
ておればここで捕集されるよう罠なっている。捕集器９
の他端は吸引ポンプ１０゛に連結されておシ、吸引ポン
プ１０の他端から導管１１によって排出されるガスは必
要に応じ燃焼させる。この反応系は大気が導入されない
よう全体密閉系としておく。
１図において、１はＰＣＢ溶液の貯槽、２はＰＣＢ溶液
の導管（ステンレス製、内径０．３１ｍ ）であって、
その先端は貯槽１内のＰＣＢ溶液中に浸漬し、空気が導
入されないようにしである。６は反応管（内径１．５Ｃ
１１Ｍの石英ガラス管）であり、反応管３内には活性炭
（６０〜８０メツシユ）が４．５ｆ充填される。５は電
気炉であり、所望の温度に調整、維持できる。６は反応
管３からの排気を洗浄器７に導く導管であり、洗浄器７
には水を入れておき、ここで洗浄されたガスはコンデン
サー８を経て捕集器９に入る。捕集器９ Ｋはフロリジ
ル（Ｆｌｏｒｉｓｉｌ ）が充填されておシ、導入され
てくるガス中に％ＰＣＢ％ＰＣＤＦＰＣＤＤ等が混在し
ておればここで捕集されるよう罠なっている。捕集器９
の他端は吸引ポンプ１０゛に連結されておシ、吸引ポン
プ１０の他端から導管１１によって排出されるガスは必
要に応じ燃焼させる。この反応系は大気が導入されない
よう全体密閉系としておく。
この装置を用いて次のように操作した。先ず電気炉を６
００℃に保持しておき、吸引ポンプ１０を作動して、貯
槽１内のＰＣＢ溶液（六塩化ビフェニル）を含有！１０
０１０００ｐｐなるようへキサンに溶かした溶液）を反
応管内忙、１分間に０．５−の流速で吸引、導入し、連
続処理した。
００℃に保持しておき、吸引ポンプ１０を作動して、貯
槽１内のＰＣＢ溶液（六塩化ビフェニル）を含有！１０
０１０００ｐｐなるようへキサンに溶かした溶液）を反
応管内忙、１分間に０．５−の流速で吸引、導入し、連
続処理した。
高温度に保持された活性炭に接してＰＣＢはガス化、吸
着、分解され、揮発成分は吸引方向へ移動する。このよ
うにしてＰＣＢ 清液を合計Ｊ１２５−通液して処理し
た後、反応器内の温度は６００℃に保持したまま、導管
２がら空気を送シ、活性炭を完全１に灰化する。灰化後
、本装置の各部分におけるＰＣＢおよびＰＣＤＦの残留
量を測定した。
着、分解され、揮発成分は吸引方向へ移動する。このよ
うにしてＰＣＢ 清液を合計Ｊ１２５−通液して処理し
た後、反応器内の温度は６００℃に保持したまま、導管
２がら空気を送シ、活性炭を完全１に灰化する。灰化後
、本装置の各部分におけるＰＣＢおよびＰＣＤＦの残留
量を測定した。
その結果を次表に示す。単位はμ２である。
以上のように、使用した装置を各部分に分け、装置内圧
残っている総ＰＣＢおよび総ＰＣＤＦの量を測定したが
、前者の量は各部分全て０，１μ２以下、後者のそれは
０．０５μ？以下、即ち検出限界以下であることが確認
された。それぞれの値が検出限界以下であるため、厳密
な意味の破壊効率は計算できないが、単純に計算すると
、破壊効率は９９．９９９６％以上と考えられる。
残っている総ＰＣＢおよび総ＰＣＤＦの量を測定したが
、前者の量は各部分全て０，１μ２以下、後者のそれは
０．０５μ？以下、即ち検出限界以下であることが確認
された。それぞれの値が検出限界以下であるため、厳密
な意味の破壊効率は計算できないが、単純に計算すると
、破壊効率は９９．９９９６％以上と考えられる。
更に排ガス中にも二次的に有機塩素化合物が存在しない
かどうかＫついてクロマトグラフィー分析を行なった。
かどうかＫついてクロマトグラフィー分析を行なった。
分析にはＧＣ−ＭＳコンピューターシステムを使用し、
分離カラムは低７Ｐ点成分用としてボラバックＱ、ＰＣ
Ｂ程度の沸点を有する化合物用として２％０Ｖ−１７を
使用したが、その結果、塩素含有化合物は検出されなか
った。
分離カラムは低７Ｐ点成分用としてボラバックＱ、ＰＣ
Ｂ程度の沸点を有する化合物用として２％０Ｖ−１７を
使用したが、その結果、塩素含有化合物は検出されなか
った。
以上のように本発明方法によれば、ＰＣＢの分解、脱塩
素化を連続的に行なうこともできる。
素化を連続的に行なうこともできる。
そしてＰＣＢ又はこれを含有する熱媒体や絶縁用油のよ
うに液状をなすものをそのまま或いは予熱して反応器に
仕込んでもよく、又は気化温度以上に予め加熱し、気化
したものを反応器に送給してもよい。塩素含有量が高く
、常温で固体のＰＣＢは加熱して液化或いは気化し流体
として反応器妊送ればよい。
うに液状をなすものをそのまま或いは予熱して反応器に
仕込んでもよく、又は気化温度以上に予め加熱し、気化
したものを反応器に送給してもよい。塩素含有量が高く
、常温で固体のＰＣＢは加熱して液化或いは気化し流体
として反応器妊送ればよい。
反応器内の炭素としては、顆粒状にした活性炭、粒状に
砕いた木炭などを使用するのが好適である。
砕いた木炭などを使用するのが好適である。
また反応方式としては、上述の固定触媒床方式のほか、
高温下、粒状乃至微粒状の炭素を流動させておき、これ
に不活性カスをキャリヤーとしてＰＣＢの気化物を導入
して分解させる流動床方式を採ることもできる。
高温下、粒状乃至微粒状の炭素を流動させておき、これ
に不活性カスをキャリヤーとしてＰＣＢの気化物を導入
して分解させる流動床方式を採ることもできる。
以上のようにして本発明方法によれば、酸化燃焼方式に
おけるような高温を必要とせず、且つ毒性の強いＰＣＢ
酸化生成物の副生もなく、ＰＣＢを実質上、完全に分解
、無害化することができるのである。
おけるような高温を必要とせず、且つ毒性の強いＰＣＢ
酸化生成物の副生もなく、ＰＣＢを実質上、完全に分解
、無害化することができるのである。
なお、上に説明し、図面忙示し、且つ実施例に挙げたと
ころは本発明の理解を助けるだめの代表的例示に係わる
ものであり、本発明はかかる例示の範囲に制限されるも
のでなく、発明の要旨内でその他の変更例をとることが
できるものである。
ころは本発明の理解を助けるだめの代表的例示に係わる
ものであり、本発明はかかる例示の範囲に制限されるも
のでなく、発明の要旨内でその他の変更例をとることが
できるものである。
第１図は本発明方法を実施する装置の一例の全体略図、
第２図はＰＣＢを活性炭と接触させる場合、ＰＣＢの破
壊効率に対する温度の影響を示す図表、第３図は同じ（
ＰＣＢの破壊効率に対する温度および時間の関係を示す
図表、第４図は温度を一定とし、各種ＰＣＢの破壊効率
と時間の関係を示す図表である。 図中、１はＰＣＢ溶液の貯槽、３は反応管、４は活性炭
、５は電気炉、７は洗浄器、９は捕集器である。 出 願・人 立 川 涼 ほか１名ｖｓ１図 手続補正書（自発） 昭和５７年７月７６日 特許庁長官 若 杉 相 夫 殿 １、事件の表示 特願昭５’７−９８６７２号２、発
明の名称 ポリ塩化ビフェニルの脱塩素化法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 氏名 立 川 涼 はが１名４、代 埋 人 あって、以下の記載中、六塩化ビフェニルとは特にこと
わり書きをしない限り、これを主成分とするＰＣＢをさ
し、更に以下の記載中、三塩化ビフェニル、四塩化ビフ
ェニルおよび五塩化ビフェニルとあるのは、同様にそれ
らをそれぞれ主成分とするＰＣＢをいうものである。）
」 以上 ４４１
第２図はＰＣＢを活性炭と接触させる場合、ＰＣＢの破
壊効率に対する温度の影響を示す図表、第３図は同じ（
ＰＣＢの破壊効率に対する温度および時間の関係を示す
図表、第４図は温度を一定とし、各種ＰＣＢの破壊効率
と時間の関係を示す図表である。 図中、１はＰＣＢ溶液の貯槽、３は反応管、４は活性炭
、５は電気炉、７は洗浄器、９は捕集器である。 出 願・人 立 川 涼 ほか１名ｖｓ１図 手続補正書（自発） 昭和５７年７月７６日 特許庁長官 若 杉 相 夫 殿 １、事件の表示 特願昭５’７−９８６７２号２、発
明の名称 ポリ塩化ビフェニルの脱塩素化法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 氏名 立 川 涼 はが１名４、代 埋 人 あって、以下の記載中、六塩化ビフェニルとは特にこと
わり書きをしない限り、これを主成分とするＰＣＢをさ
し、更に以下の記載中、三塩化ビフェニル、四塩化ビフ
ェニルおよび五塩化ビフェニルとあるのは、同様にそれ
らをそれぞれ主成分とするＰＣＢをいうものである。）
」 以上 ４４１
Claims (1)
- ポリ塩化ビフェニル又はこのものの含有物を、実質的に
無酸素状態で、高温下、炭素と接触さ ７せることを特
徴とするポリ塩化ビフェニルの脱塩素化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9867282A JPS58216075A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | ポリ塩化ビフエニルの脱塩素化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9867282A JPS58216075A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | ポリ塩化ビフエニルの脱塩素化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58216075A true JPS58216075A (ja) | 1983-12-15 |
Family
ID=14226001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9867282A Pending JPS58216075A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | ポリ塩化ビフエニルの脱塩素化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58216075A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01131676A (ja) * | 1987-08-11 | 1989-05-24 | Yonezawa Kagaku Kogyo Kk | 有機ハロゲン化合物の無害化処理方法 |
| EP0558063A2 (en) * | 1992-02-28 | 1993-09-01 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd | Process for thermal decomposition of dioxins at low temperature |
-
1982
- 1982-06-09 JP JP9867282A patent/JPS58216075A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01131676A (ja) * | 1987-08-11 | 1989-05-24 | Yonezawa Kagaku Kogyo Kk | 有機ハロゲン化合物の無害化処理方法 |
| EP0558063A2 (en) * | 1992-02-28 | 1993-09-01 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd | Process for thermal decomposition of dioxins at low temperature |
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